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Moema Martins
Dissertao
de
Mestrado
apresentada
ao
de
Materiais,
COPPE,
da
Rio de Janeiro
Maro de 2010
Moema Martins
Examinada por:
________________________________________________
Prof. Renata Antoun Simo, D.Sc.
________________________________________________
Prof. Carlos Alberto Achete, D.Sc.
________________________________________________
Prof. Marco Cremona, D.Sc.
Martins, Moema
Produo de Superfcies Seletivas por Magnetron
Sputtering para Aplicao em Coletores Solares/ Moema
Martins. Rio de Janeiro: UFRJ/COPPE, 2010.
X, 75 p.: il.; 29,7 cm.
Orientador: Renata Antoun Simo
Dissertao (mestrado) UFRJ/ COPPE/ Programa de
Engenharia Metalrgica e de Materiais, 2010.
Referencias Bibliogrficas: p. 72-73.
1. Energia Solar. 2. Superfcies Seletivas. 3.
Magnetron Sputtering. I. Simo, Renata Antoun. II.
Universidade Federal do Rio de Janeiro, COPPE,
Programa de Engenharia Metalrgica e de Materiais. III.
Titulo.
iii
iv
minha famlia.
Agradecimentos
Renata, pela orientao neste mestrado e pela amizade de tantos anos.
Ao Achete, pela ajuda no Inmetro e no PEMM, pelas dicas e pela amizade.
Ao pessoal do Inmetro Cristiano, Daniel, Sandra, Suzana e Welber, pela grande ajuda
na utilizao dos equipamentos e por todas as dicas.
Aos nossos tcnicos Jackson e Heleno por toda a fora e dedicao fundamentais para
a concluso deste trabalho.
Aos meus colegas e amigos Mrcia, Tat, Cris, Helena, Vnia, Luiz, Marcus, Nando,
Mnica e Marta, que me acompanham em conversas cientficas e momentos de
grande descontrao desde a Iniciao Cientfica.
Aos colegas de laboratrio nestes dois anos, Assef, Mauro, Daniel, Suzana, Bianca,
Anastcia, rico e Raul, pela companhia de trabalho nos trs turnos e pela amizade.
Aos colegas de mestrado, em especial ao Victor e ao Gabriel, pela companhia e pela
amizade durante o as vrias fases do nosso mestrado.
Ao Arthur, pela companhia e apoio durante este mestrado, em especial nos ltimos
meses.
minha me, meu pai, minha irm e toda a minha famlia, pelas palavras carinhosas
de incentivo, pela confiana e pela super torcida.
Ao CNPQ e FAPERJ, pelo apoio financeiro.
vi
Moema Martins
Maro/2010
vii
Moema Martins
March/2010
This work describes the development of a process for the deposition of optically
selective surfaces via magnetron sputtering. This process is based on two sputtering
guns with its targets facing up and substrate rotation, having the substrates sequentially
immerged in the generated plasmas. To achieve co-deposition in this system, the
rotation speed and the power applied to the sputtering guns are adjusted so that less than
one monolayer is deposited per cycle. Using this process, a series of gradual
composition Ti and SiO2 films were produced and its optical, morphological and
chemical properties were analyzed by profilometry, light spectroscopy, energy
dispersive X-ray spectroscopy, scanning and transmission electron microscopies.
Results indicate that a nanocomposite is formed and the optical properties are
comparable to commercial products, making the selective surfaces produced strong
candidates for application in high efficiency solar collectors.
viii
SUMRIO
6
6
7
9
40
40
40
41
41
42
44
45
ix
C APTULO 1. I NTRODUO
A poluio do ar vem sendo apontada pela comunidade cientfica como o
principal agente de degradao ambiental do planeta. As mudanas climticas
ocorridas nas ltimas dcadas vm sendo atribudas ao aumento das emisses de
poluentes na atmosfera oriundos das atividades humanas, em nveis capazes de
provocar alteraes em escala mundial.
Baseada na utilizao de combustveis fsseis, a gerao de energia uma das
atividades responsveis pela maior parte das emisses destes poluentes. O
desenvolvimento de novas tecnologias para utilizao eficaz de fontes alternativas de
energia hoje uma necessidade reconhecida globalmente. As principais fontes
renovveis de energia utilizadas pelo homem so hidrulica, biomassa, solar, elica,
geotrmica e, em menor escala, energia das ondas e das mars.
A energia solar utilizada pelo homem para gerao de eletricidade, atravs de
converso fotovoltaica, e para gerao de calor, por converso fototrmica.
A utilizao fototrmica da energia solar envolve tipicamente um sistema de
aquecimento para produo de gua quente ou aquecimento interno de ambientes. A
utilizao da energia solar pelo homem para o aquecimento de gua muito antiga e a
primeira patente de um equipamento para este fim data de 1891. Um folheto de
propaganda do produto apresentado na Figura 1-1.
Figura 1-2: Esquema de seo transversal de um coletor solar do tipo painel plano (adaptado de GELIN,
2004a).
Figura 1-3: Esquema de operao de um sistema de aquecimento solar de gua (imagem cedida por
Soletrol).
parablico, no qual a radiao que incide no disco refletida para um coletor no seu
ponto focal; e canal parablico, no qual a radiao refletida por uma longa superfcie
parablica para um tubo em seu eixo focal. Ilustraes destas trs configuraes
podem ser encontradas nos websites das empresas Solar Paces (Espanha), NPO
(Rssia) e NextEra Energy (EUA), respectivamente.
Para operao em regies com baixo ndice de insolao ou em coletores
solares para aplicaes termoeltricas, o material absorvedor deve possuir
refletividade seletiva, sendo capaz de absorver o mximo da radiao solar incidente e
minimizar as perdas trmicas por emisso de radiao infravermelha (IR1). Este
absorvedor ento chamado superfcie seletiva e geralmente composto por um
filme fino aplicado sobre um substrato condutor trmico, podendo ser precedido por
uma camada antioxidante (ou antidifusiva) e sucedido por uma camada antirrefletiva,
em contato com o ambiente.
A seletividade espectral pode se basear em diferentes princpios fsicos e os
absorvedores solares podem ser fabricados a partir de muitos materiais, ou
combinaes de materiais, e por uma srie de tcnicas diferentes. Dentre estas,
incluem-se tcnicas eletroqumicas, aplicao de tintas e esmaltes, deposio qumica
a vapor (CVD) e deposio fsica a vapor (PVD), alm de combinaes das tcnicas.
IR: Infrared optou-se pela abreviatura em ingls pela razo da abreviatura em portugus de
infravermelho ser idntica ao algarismo romano IV.
C APTULO 2. O BJETIVOS
DO
T RABALHO
(Eq. 1)
(Eq.2)
EMISSO
Alm dos fenmenos acima, toda matria, em qualquer estado fsico, emite
radiao de acordo com sua temperatura. Tal emisso resultante de oscilaes e
transies dos eltrons e, portanto, se relaciona com o grau de excitao no interior da
matria a energia interna.
O corpo negro uma superfcie ideal que se comporta como absorvedor e
emissor perfeito, servindo como parmetro de comparao para a caracterizao de
corpos reais. Esta superfcie se caracteriza pela capacidade de absorver toda a radiao
sobre ela incidente ( = 1), independentemente do comprimento de onda e da direo,
e emitir, de forma perfeitamente difusa, o mximo de radiao possvel a uma dada
temperatura.
A emitncia hemisfrica de um corpo negro (Eb) depende apenas de sua
temperatura e do comprimento de onda observado, seguindo a distribuio de Planck:
, =
1
5 [
(Eq. 3)
1]
(Eq. 1)
0
= 1,439 104 m.K
(Eq. 4)
(Eq. 5)
10
5000 K
-1
10
-2
10
2500 K
10
10
1000 K
4
10
10
500 K
10
10
10
100 K
-1
10
0,1
10
100
(Eq. 6)
Figura 3-2: Comparao entre a emisso do corpo negro e de uma superfcie real em relao
distribuio espectral (acima) e direcional (abaixo) (adaptado de INCROPERA, 1992).
(Eq. 7)
REFRAO
O fenmeno de refrao se refere mudana na direo de propagao de
uma onda quando sua velocidade modificada ao penetrar um meio com diferente
ndice de refrao e com angulao em relao normal superfcie do meio.
O ndice de refrao () de um determinado material () a relao entre a
velocidade da luz no vcuo () e a velocidade da luz em um meio () e geralmente
possui valores maiores que 1:
=
(Eq. 8)
(Eq. 9)
Figura 3-3: Reflexo e Refrao de uma onda ao penetrar um meio com maior ndice de refrao: a
velocidade de propagao e o ngulo em relao normal do feixe refletido so iguais aos do feixe
incidente; o feixe refratado sofre diminuio em sua velocidade e aproximao normal superfcie.
10
(Eq. 10)
1,0
Irradincia Solar
-1
1,5
-2
0,8
1,0
0,6
0,4
0,5
Refletncia
emisso
corpo negro
o
a 300 C
0,2
0,0
0,0
1000
10000
11
Agora, de posse da Lei de Kirchhoff (Eq. 7), podemos utilizar apenas uma
propriedade para caracterizar a superfcie, que deve possuir ento refletividade
mxima no IR e mnima na regio do espectro solar.
Em altas temperaturas, a emisso trmica a maior fonte de perda de energia de
um coletor solar. A necessidade de baixa emissividade frequentemente conduz
produo de superfcies seletivas com configuraes complexas, suscetveis a
degradao na temperatura de operao. As superfcies seletivas podem ser
classificadas de vrias formas distintas. Neste trabalho optou-se pela categorizao em
seis tipos (KENNEDY, 2002):
i)
ii)
12
com metal. Uma camada antirrefletiva pode ser adicionada para minimizar perdas
por reflexo na regio solar.
v)
vi) Espelho de calor sobre absorvedor tipo corpo negro: o recobrimento denominado
espelho de calor reflete a radiao infravermelha emitida pelo absorvedor ao
mesmo tempo em que transparente a entrada da radiao solar. O absorvedor
pode ser um tinta ou esmalte negro, por exemplo. Este tipo utilizado em
aplicaes de baixa temperatura.
Figura 3-5: Representao esquemtica dos seis tipos de superfcies seletivas descritas (adaptado de
KENNEDY, 2002).
13
(Eq. 11)
14
3.3. CERMETS
Conforme brevemente citado acima, os cermets so compsitos formados por
material metlico e material cermico, podendo qualquer um dos dois constituir a
matriz do compsito. Dentre as principais caractersticas dos metais, pode-se ressaltar
a ductilidade, boa resistncia mecnica e alta condutividade trmica. J os materiais
cermicos em geral apresentam grande estabilidade fsica e qumica, possuindo
elevados pontos de fuso e boa resistncia oxidao.
Cermets com matrizes metlicas so mais raramente encontrados na literatura.
Suas aplicaes principais so de reforo do material metlico pela incluso de
partculas cermicas. Uma aplicao singular a produo de combustvel nuclear,
utilizando xidos, nitretos ou carbetos de urnio em matrizes de metais com pontos de
fuso superiores a 1325 oC (HAERTLING, 2007).
De acordo com YEOMANS, 2008, a incluso de partculas metlicas dcteis em
matrizes cermicas tambm atua como reforo do material, aliando as propriedades
de resistncia a altas temperaturas, alta dureza e estabilidade qumica das cermicas
com a possibilidade de deformao plstica dos metais.
Cermets so utilizados na produo componentes eletrnicos que operam em
altas temperaturas; em ferramentas, devido a suas propriedades superiores ao ao em
relao a desgaste e corroso; em motores a jato; em ps de turbinas; e at em
aeronaves espaciais.
O cermet para aplicao em absorvedores solares pode possuir uma
distribuio uniforme ou gradual de metal e sua seletividade ptica otimizada pela
escolha dos constituintes, pela espessura do recobrimento e pela concentrao,
tamanho, forma e orientao das partculas metlicas.
Em um cermet nanoestruturado, o tamanho das partculas proporcional
concentrao do metal no sistema. Para que ocorra a formao de um nanocompsito,
com duas fases presentes no material e partculas metlicas bem definidas na matriz
cermica, os dois componentes devem possuir baixa solubilidade entre si (OELHAFEN e
SCHULER, 2005).
A distribuio gradual do metal na matriz, com maior concentrao na interface
mais interna, produz uma variao tambm gradual no ndice de refrao do material.
15
16
17
(a)
(b)
Figura 3-6: Configurao esquemtica de sistemas de sputtering com potncia de operao (a) DC e (b)
RF (adaptado de OHRING, 1991).
(Eq. 12)
19
Figura 3-7: Confinamento dos eltrons no magnetron sputtering pela aplicao de um campo magntico
perpendicular ao campo eltrico.
20
C APTULO 4. R EVISO
DA
L ITERATURA
21
dos substratos para remoo de possveis camadas de xidos foi feita por sputtering
RF a 1 10-3 mbar e atmosfera de Ar. O melhor resultado foi obtido para fluxo de Ar de
160 sccm e fluxo crescente de N2 e O2 de 0 a 15 sccm. A presso de trabalho variou de
8 10-3 mbar a 1 10-2 mbar, dependendo do fluxo de N2 e O2 e a presso de base foi
de 2 10-6 mbar. A espessura total das 3 camadas de cermet somada camada de TiOX
puro variou de 100 nm a 300 nm. A absortividade solar obtida foi de 0,91 e a
emissividade trmica foi de 0,04.
BARSHILIA
et
al.
(2008)
produziram
superfcies
seletivas
com
28
4.2. PATENTES
A patente US 6,171,458 B1 (2001) descreve a produo em escala industrial de
uma camada absorvedora a base de Ni (entre outros) para coletores solares, um
equipamento para tal e as caractersticas pticas do filme formado. O filme cermet de
Ni-NiO de composio gradual depositado sobre Al laminar via magnetron sputtering
reativo DC, em um processo contnuo envolvendo alvos em srie, com maior
concentrao do xido na superfcie pela adio de mais O2 no fim do processo. A
espessura desta camada de cerca de 160 nm. Uma cama anti-refletiva de NiOF (ou
NiOCl) com cerca de 50 nm depositada sobre a camada absorvedora, a partir da
insero de CF4 no plasma, diminuindo a reflexo da radiao solar incidente de 7%
para at 2%. Esta reduo se deve ao menor ndice de refrao do fluoreto em relao
ao xido. A absortividade encontrada para o filme aumentou de 0,91 para 0,96 aps a
adio da camada anti-refletiva e a emitncia se manteve constante e igual a 0,1.
29
respectivamente, com um valor de 0,94. A superfcie com Ni como refletor de IR, BGe
como absorvedor e SiO como anti-refletivo, apresentou absortividade de 0,85.
31
32
C APTULO 5. I NSTRUMENTAO
M TODOS
Figura 5-1: Fotografia de parte do sistema de deposio no incio deste trabalho, mostrando o
distribuidor de fluxo sobre o canho de sputtering e as engrenagens de rotao manual para
posicionamento dos suportes de substratos.
33
(a)
(b)
Figura 5-2: Ilustraes do projeto inicial para co-deposio: (a) canhes com angulao zenital; (b) colar
com entradas paralelas para os canhes de sputtering.
Equipamentos
A composio atual do sistema contm uma cmara de deposio, dois
canhes de sputtering de 3,0 (MAK Source, US Inc.), uma fonte DC (MDX 1K,
Advanced Energy), uma fonte RF (Advanced Energy, RFX 600), um casador de
impedncia (ATX Tuner, Advanced Energy), um controlador de fluxo (central 4 canais
247C e controlador 1159B para argnio, ambos MKS) uma bomba mecnica rotatria
(E2M-18, Edwards), uma bomba difusora (160 MM DIFFSTAR, Edwards), um sensor de
presso de baixo vcuo tipo pirani (TPR 250, Balzers), um sensor de presso para alto
vcuo tipo catodo frio (IKR 250, Balzers), um sistema de controle automatizado e um
34
computador que opera este sistema. A Figura 5-3 apresenta uma fotografia do interior
da cmara de deposio com seus componentes.
Figura 5-3: Fotografia do interior da cmara de deposio mostrando: distribuidor de fluxo, motor, disco
rotativo, quatros suportes de substrato, disco fixo, dois canhes e a barreira fsica e magntica.
35
36
37
38
39
41
42
i.
ii.
iii.
Desbate por feixe de ons das regies em torno da amostra. A rea de cada
regio, neste caso, de 20 x 10 m, e a profundidade mxima de 7 m.
43
iv.
v.
vi.
vii.
viii.
ix.
x.
xi.
xii.
46
C APTULO 6. R ESULTADOS
D ISCUSSES
Figura 6-1: Fotografia do interior da cmara de deposio com plasmas simultneos de Ti (azul, a frente)
e SiO2 (rseo, ao fundo). possvel visualizar o disco onde so apoiados os quantro suportes de
substratos (ausentes) preso ao eixo do motor de rotao.
(a)
1000
corrente registrada
corrente anotada
ajuste linear
950
Corrente (mA)
900
850
800
750
700
650
600
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
Tempo (s)
Figura 6-2: Comparao entre os parmetros registrados pelo sistema de controle e os exibidos pelo
mostrador da fonte de potncia - (a) corrente, (b) potncia e (c) voltagem.
48
(b)
260
potncia registrada
potncia anotada
ajuste linear
250
240
Potncia (W)
230
220
210
200
190
180
170
160
150
140
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
Tempo (s)
voltagem registrada
voltagem anotada
ajuste linear
Voltagem (V)
260
(c)
250
240
230
220
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
Tempo (s)
em ultra-som com lcool isoproplico, deixando pequenos furos nos filmes de SiO2.
Os resultados so apresentados na Figura 6-3. A uniformidade obtida foi de 8,3% em 3
cm para os filmes de Al e de 18,2% em 3 cm para os filmes de SiO2. Estas porcentagens
equivalem diferena entre as espessuras maior e menor nos trechos analisados.
A partir destes resultados determinou-se o melhor posicionamento dos
substratos nos suportes com relao maior taxa e melhor uniformidade de deposio
dos filmes. A Figura 6-4b apresenta substratos de vidro e um pequeno substrato de Si
aps deposio de Al, ainda fixados nos suportes na regio definida como a ideal.
70
255
Al
250
SiO2
65
60
55
-30
245
240
235
230
225
220
215
-20
-10
10
20
30
210
-30
-20
-10
10
20
30
Figura 6-3: Uniformidade radial de filmes de Al e SiO2 depositados a partir dos dois canhes - espessura
vs. distncia do centro do suporte.
(a)
(b)
Figura 6-4: (a) Substratos longos de Si posicionados radialmente em relao rotao do sistema para
determinao da uniformidade de deposio a partir dos dois canhes de sputtering e (b) substratos
fixados nos suportes na regio definida como a ideal.
50
() =
2
1
, ,
2
1
(Eq. 13)
Espessura do
filme (nm)
346
606
140
Parmetros de deposio
Potncia (W)
Presso (mbar) Tempo (min)
180
1 x 10
90
150
1 x 10
60
200
1 x 10
42
100
90
Refletncia %
80
Al sobre vidro
espelho de calibrao
Al polido
Ni sobre vidro
Ti sobre vidro
70
60
50
40
30
20
10
0
3000
6000
9000
52
sobre Al
Refletncia %
80
70
60
50
sobre Si
40
30
sobre vidro
20
10
0
5000
10000
15000 20000
53
100
90
80
Refletncia %
70
60
Ni grad on Al
Ni grad on Ni
Ni hom on Al
Ti grad on Al
Ti grad on Ti
Ti hom on Al
50
40
30
20
10
0
1000
10000
54
Ni grad on Al + AR
Ni grad on Ni + AR
Ti grad on Al + AR
Ti grad on Ti + AR
Ni hom on Al
Ti hom on Al
sel
0,90
0,91
0,89
0,96
0,69
0,70
0,45
0,47
0,26
0,73
0,38
0,42
2,01
1,95
3,45
1,32
1,84
1,65
metal
(nm)
205
570
205
150*
205
205
absorvedor
(nm)
100* + 40* AR
100* + 40* AR
60* + 30* AR
400* + 40* AR
477
138
Pot DC
(W)
120:0
120:0
120:0
150:0
120
150
Pot RF
(W)
200
200
200
0:250
200
150
Presso
(mbar)
1 x 10
1 x 10
1 x 10
1,5 x 10
1 x 10
1 x 10
Tempo
(min)
20 + 30 AR
20 + 30 AR
20 + 30 AR
60 + 60 AR
40
40
* valores estimados
55
350
Ti
Al
SiO2
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
Potncia DC ou RF (W)
Figura 6-8: Taxas de deposio para Ti, Al e SiO2, a diferentes potncias e os respectivos ajustes lineares.
56
Tabela 6-3: Equaes para o clculo da taxa de deposio a 1 x 10-3 mbar a partir da potncia aplicada
para os alvos de Ti, Al e SiO2.
Ajuste linear
Ti
Al
SiO2
R2
0,9977
0,9421
0,9179
Isto foi suposto devido ao aquecimento das paredes da cmara, indicando fuga de eltrons do
ambiente de plasma. Este aquecimento, por sua vez, provoca o aumento da dessoro de partculas
provenientes das paredes internas da cmara, causando contaminao do ambiente de plasma e
culminando na contaminao do alvo. Quando o alvo se torna contaminado, pode-se observar uma
variao da voltagem do sistema acompanhada de uma mudana na colorao do plasma. O m do
canho operando com potncia RF encontra-se especialmente enfraquecido. Isto pode ser facilmente
observado, alm do maior aquecimento das paredes da cmara junto a este canho, pela pequena fora
necessria para remover os alvos, que so fixados por atrao magntica. Nenhuma verificao por
medida magntica foi efetuada. Acredita-se que o sistema operou sem a circulao da gua de
refrigerao dos canhes e que o aquecimento dos ms provocou sua desmagnetizao parcial.
57
58
Tabela 6-4: Parmetros de deposio da srie de filmes com composio gradual de Ti sobre base
metlica de Al. Absortividade, emissividade e seletividade dos filmes e do Tinox.
SS-1
SS-2
SS-3
SS-4
SS-5
sel
0,18 -0,17*
0,03
0,88 0,24 3,66
0,85 0,24 3,60
0,78 0,24 3,27
Tinox 0,99
0,21
4,71
base de Al absorvedor
(nm)
(nm)
140
140
140
140
140
135
260
325
170
145
substrato
de cobre
100 + 100
AR
Pot DC
(W)
90:0
90:25
150:50
200:100
250:150
1 x 10
1 x 10
1 x 10
1 x 10
1 x 10
49
58
60
30
20
59
120
110
100
Refletncia %
90
80
70
60
SS-1
SS-2
SS-3
SS-4
SS-5
Tinox
50
40
30
20
10
0
1000
10000
60
Figura 6-10: MEV da seo transversal da SS-5: substrato de vidro, camada de Al, a camada de Ti:SiO2 e
as camadas de Pt depositadas por feixe de eltrons e de ons, com sua respectiva interface.
61
Figura 6-11: Espectro qualitativo de EDS para uma regio da amostra em perfil contendo o substrato de
vidro e as camadas de Al, Ti:SiO2 e de Pt.
Figura 6-12: Imagem da regio analisada obtida por MEV e mapas elementares obtidos por EDS para Al,
Ti, Si, O, Ca, Pt, C e Ga, respectivamente.
62
63
laterais coincidindo com os contornos de gro do filme de Al sobre o qual foi crescido.
Com maior aumento, pode-se observar na Figura 6-13b uma interessante estruturao
do filme compsito, apresentando estrias com espaamento nanomtrico variando ao
longo da direo de crescimento do filme.
Figura 6-13: Imagens obtida por BFTEM de (a) uma regio contendo, de baixo para cima, o substrato de
vidro, a camada de Al, a camada absorvedora com composio gradual de Ti e a camada de Pt
depositada durante a preparao da amostra; (b) estrutura colunar e estriada do filme compsito.
Anlise Qumica
As imagens em STEM da Figura 6-14 mostram uma regio contendo parte da
camada de Al e parte da camada de compsito. Pode-se perceber com clareza o
contraste entre a camada de Al (Z = 13) e a camada do compsito, que se torna mais
escura medida que se distancia do Al. As regies mais claras do compsito devem ser
compostas predominantemente de Ti (Z = 22), enquanto as regies mais escuras do
filme so atribudas presena de Si (Z = 14) e ao O (Z = 8), com grande concentrao
nos limites laterais das colunas. Estas predies de distribuio qumica foram
estudadas por EDS, EELS e EFTEM e os resultados so apresentados adiante.
64
Figura 6-14: Imagens de STEM de uma regio contendo parte da camada de Al (mais escuro, esquerda)
e parte da camada de compsito (estriado, direita).
Foi feito EDS pontual sobre a camada de Al, o substrato de vidro e a camada de
compsito nas regies clara e escura da imagem de STEM. Os resultados confirmam a
presena dos elementos em cada camada. Adicionalmente, a comparao do pico de Si
em relao ao pico de Ti nos espectros de EDS obtidos sobre as diferentes regies da
camada de compsito reforam a suposio de que as regies claras so mais ricas em
Ti do que as regies escuras, sendo as relaes entre os picos iguais a 0,38 e 0,50,
respectivamente. A Figura 6-15 apresenta os espectros de EDS obtidos para cada
regio.
65
Al
160
140
Al
250
Contagem
Contagem
300
200
150
100
50
0
120
100 O
80
60
40
20 Mg
0
0 2
10 12 14 16 18 20
vidro
Si
Ca
4
Energia (keV)
120
Ti
Contagem
Contagem
80
60
O
Si
40
20
0
Ti
Na
0
80
70
regio clara
100
10 12 14 16 18 20
Energia (keV)
10 12 14 16 18 20
Energia (keV)
Ti
regio escura
60 O
50
40
30
20
10
0
Si
Na
Ti
4
10 12 14 16 18 20
Energia (keV)
Figura 6-15: Espectros de EDS obtidos por anlise pontual sobre a camada de Al, o substrato de vidro e
as regies clara e escura do filme compsito.
Foi feita ainda anlise em EELS nas regies clara e escura do filme compsito
em busca dos picos de Ti e Si, cujos resultados so apresentados na Figura 6-16.
Figura 6-16: Espectros de EELS das regies clara e escura do compsito e energias em torno dos picos de
Ti e Si 2f.
66
Figura 6-17: Acima, mapa elementar do Ti obtido por anlise em EELS, com uma rea retangular em
destaque. Abaixo concentrao de Ti da rea em destaque.
67
medida que se afasta da base de Al e maior concentrao de SiO2 nos limites laterais
das colunas. A estrutura estriada possui composio variada, indicando a formao de
um nanocompsito. O acmulo de SiO2 nos limites das colunas parece ser resultado da
oxidao do substratos de Al. A oxidao do Al ocorre preferencialmente nos
contornos de gro da superfcie, que se tornam stios preferenciais de deposio do
SiO2. Outra possibilidade a formao de um filme composto essencialmente de Ti
com estrutura do tipo zona 1, resultante de deposio sobre substrato rugoso somado
a baixa temperatura e alta presso de trabalho (OHRING, 1991). O filme com
caractersticas de zona 1 apresenta estrutura fibrosa e limites laterais de coluna vazios,
onde se acumularia o SiO2. A estrutura observada se assemelha do filme com
composio homognea de TiC/a-C:H depositado por GALVAN (2005), que apresentou
colunas com maior concentrao de C em seus limites laterais.
Nanocristais?
Anlise cuidadosa em HRTEM possibilitou a identificao de possveis
nanocristais na camada de compsito aparentemente amorfa e os resultados so
apresentados na Figura 6-18. O detalhe no topo esquerda corresponde anlise por
FFT (Fast Fourrier Transform) da rea quadrada em destaque. A formao dos anis e
pontos de difrao indica presena de cristais na estrutura. No detalhe direita
mostrada ampliao de um cristal com aproximadamente 2 nm de dimetro marcado
por um crculo na imagem de HRTEM. No foi possvel efetuar anlise qumica sobre o
cristal.
68
2 nm
Figura 6-18: Imagem obtida por HRTEM da camada de compsito. Detalhes: esquerda, FFT da rea
quadrada destacada; direita, ampliao da rea marcada por um crculo na imagem, mostrando
arranjo atmico cristalino.
69
C APTULO 7. C ONCLUSES
O sistema de deposio por magnetron sputtering foi adaptado com sucesso
para realizar co-deposio a partir de dois alvos e se encontra em pleno
funcionamento. Alm da instalao de um segundo canho de sputtering, uma srie de
melhorias foi feita no sistema, como a automao dos controles de presso e da
potncia DC aplicada, melhor distribuio de gases no interior da cmara, ajuste da
distncia alvo-substrato para melhora da uniformidade de deposio e implementao
de refrigerao das paredes da cmara. O software do sistema de controle efetua
coleta e registro de dados da fonte de potncia DC e do sensor de presso a cada
segundo. Algumas melhorias ainda podem ser efetuadas para melhorar a eficincia do
sistema.
Foram depositados filmes com composies graduais e homogneas de Ti:SiO2
e Ni:SiO2. Os dados registrados pelo sistema de controle apresentaram boa
correspondncia com os parmetros exibidos pelo sistema de controle.
Foram analisadas as propriedades pticas de algumas superfcies seletivas com
composies homogneas e graduais de Ni:SiO2 e Ti:SiO2, sobre bases metlicas de Ni,
Ti, Al, vidro e Si. Foi possvel observar grande influncia do substrato/base metlica nas
propriedades pticas dos filmes. As superfcies seletivas com composio gradual de Ti
em matriz de SiO2 e base metlica de Al apresentaram as melhores propriedades
pticas dentre as combinaes estudadas, com seletividade mxima obtida de 3,66
comparvel de um produto comercial de custo elevado, o que torna as superfcies
produzidas fortes candidatas para aplicao em coletores solares de alta eficincia.
A estrutura de uma superfcie seletiva com composio gradual de Ti:SiO2 foi
analisada em microscopia de transmisso e os resultados mostraram que o filme
absorvedor apresenta estrutura estriada, com maior concentrao de Ti sobre as
regies claras das estrias, quando detectadas por STEM. Anlise em HRTEM indica a
presena de nanocristais no filme absorvedor.
70
C APTULO 8. S UGESTES
PARA
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RESUMO PUBLICADO NOS ANAIS DA CONFERNCIA INTERNACIONAL ICAM 2009
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