Dr.

Leobardo Hernndez Gonzlez

5.- Diseo de amplificadores de seal con BJT

a) Emisor Comn
b) Base Comn
c) Colector Comn

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

5.1. Ubicacin grafica del punto Q para Mxima Excursin

Simtrica de Salida, M.E.S.S.
En la Figura 5.1, se muestra la ubicacin del punto de operacin (ICQ,VCEQ) para lograr
una mxima amplificacin sin distorsin simtrica a la salida, en un amplificador clase A.

Figura 5.1. Ubicacin

optimizada del punto Q.
2

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Las expresiones para ubicar el punto Q a media recta de carga, se presentan a continuacin.
I CQ

VCC
RCA RCD

I CMAX 2 I CQ

VCEQ

VCC
1 RCA RCD

'
I CMAX

VCC
RCD

'
V0 MAXpp 2 ICQ RC RL VCC

VCC' 2 VCEQ

Donde:
RCA representa la resistencia de la recta de carga en condiciones de CA
RCD representa la resistencia de la recta de carga en condiciones de CD

El valor particular de RCA y RCD, depende de la configuracin del transistor (EC, BC y

CC).

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Teorema de Mxima Transferencia de Potencia, T.M.T.P.
Analizando el circuito elctrico que se muestra en la Figura 5.5. la potencia en la carga
esta determinado por la expresin:
VIN
PL I 2 RL
r R
L
g

V IN2 RL
RL
2
rg RL

La mxima transferencia de potencia se determina

con la condicin::
2
d
r

R
2 dR

g
L
rg RL L RL

dPL
dRL
dRL
VIN2
0
2
dRL
rg RL
dPL
VIN2
dRL

RL 2 RL rg RL
2

RL

rg R L 0 rg RL
2

VIN2

Figura 5.2.

rg2 2 rg RL R L2 2 rg RL 2 R L2

T.M.T.P

RL

La resistencia de salida del generador

debe de ser igual a la carga para
mxima transferencia de potencia
4

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5.2. Derivacin de ecuaciones de diseo del Amplificador Emisor

Comn para modelo de parmetros hbridos
En la Figura 5.3, se muestra el circuito elctrico que se analizar para desarrollar las
ecuaciones de diseo, y en la Figura 5.4 se muestra el equivalente en parmetros h del BJT
en configuracin Emisor-Comn.

Figura 5.3 Amplificador Emisor-Comn

Figura 5.4. Parmetros h del BJT Emisor-Comn

5

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

En la Figura 5.5, se muestra el circuito elctrico equivalente en parmetros hbridos para el

amplificador emisor-comn. Las condiciones que se aplican con:
X C1 X C 2 0
VCC se pone a tierra virtualmente (GND )

Figura 5.5. Equivalente elctrico del Amplificador Emisor-Comn con BJT

6

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

En la Figura 5.6, se muestra el circuito elctrico equivalente simplificado, a partir de las

siguientes condiciones:
hre 0, hoe 10 6 S
R R
RTH 1 2
R 1 R2

Figura 5.6. Equivalente simplificado de la Figura 5.3.

7

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Se desarrolla primero la expresin para el calculo de la resistencia de entrada, RIN.
RIN

V IN
RTH hie h fe RE
I IN

V IN RTH hie h fe RE
RIN

I IN
RTH hie h fe RE

Se desarrolla la expresin para el calculo

de GV. Se analiza la malla de entrada por
divisor de corriente, obtenindose:
ib

RTH

Analizando la malla de salida por

divisor de corriente, se obtiene:

RTH I in
hie h fe RE

VO iL RL

RC RL h fe
RC RL

iL

Ib

RC RL h fe RTH
RTH hie h fe RE

R h I
RC I C
C fe b
RC RL
RC RL

I in

RC RL h fe RTH
RTH hie h fe RE

RTH hie h fe RE
RC RL h fe RTH
RC RL h fe
VO

GV
Vin
RTH hie h fe RE RTH hie h fe RE
hie h fe RE

Vin
Rin

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Finalmente, se obtiene la expresin:

GV

RC RL
hie
RE
h fe

De la expresin de GV, se puede concluir que la ganancia de voltaje depende

directamente del valor que tome RE.
Problema: Se pierde estabilidad con
si RE 0 entonces GV
respecto a cambios de hfe
La solucin es poner un capacitor de paso que divida a RE en RE1 y RE2, como se
observa en la Figura 5.7. La nueva expresin para el calculo de GV queda como:
GV

RC RL
hie
RE1
h fe

RE RE1 RE 2
en CD RECD RE1 RE 2 Determina la estabilidad
en CA RECA RE1 X CE RE 2 si X CE RE 2
RECA RE1

Determina la ganancia de voltaje

Figura 5.7.

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Analizando la malla de salida , se puede obtener la expresin para RO.

La resistencia que se observa es el paralelo de RC y
la resistencia de la fuente de corriente hfeIb. Como
la fuente de corriente es ideal, entonces se cumple:
RO RC

Resumen de ecuaciones de diseo para configuracin Emisor-Comn

RIN

RTH hie h fe RE
RTH hie h fe RE

RO RC

RC RL
GV
hie h fe RE1

El signo menos indica

desfasamiento de
1800

RECA RE1 para X CE RE 2

10

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

5.3. Derivacin de ecuaciones de diseo del Amplificador Emisor Comn

para modelo de transconductancia
En la Figura 5.8a y 5.8b, se muestra el circuito elctrico equivalente a utilizar.

Figura 5.8. a) Modelo de transconductancia, b) equivalente elctrico del amplificador

emisor-comn
11

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Resistencia de entrada, RIN.

RIN

V IN
RTH r h fe RE
I IN

RIN

RTH r h fe RE
RTH r h fe RE

Ganancia de voltaje, GV
VO RLiL
ib

RTH

RC RL
g m vbe y vbe r ib
RC RL

R TH r h fe RE
Vin RTH
Vin RTH

sustituyendo en vbe y Vo
r h fe RE RTH r h fe RE RTH r h fe RE

g r R R
VO
RTH
RC RL g m r
m C L
Vin
RTH r g m r RE
r g m r RE

El signo menos indica

desfasamiento de
1800
12

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Resistencia de salida, RO.

RO RC

Comparacin de ecuaciones de diseo para configuracin Emisor Comn

prametros h
RIN RTH hie h fe RE

transconductancia

RIN RTH r h fe RE

RO RC

GV

RC RL
hie h fe RE

RO RC

GV

g m r RC RL
r g m r RE
13

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Ejercicio 5.1

Calclese los valores de componentes adecuados para disear un amplificador emisorcomn con los siguientes datos: GV=20, Rin no es condicin, VCC=12V, RL=1k, la
corriente de reposo en colector ser de 10mA. El transistor a utilizar presenta los
siguientes parmetros: hfe_min=100, hfe_nom=173, hie=300, VA=200V. utilice los dos
modelos vistos y no considere M.E.S.S como primer aproximacin.
Solucin: Parmetros h.
Se calcula primero el valor de RE_CD para ubicar el punto de operacin ICQ=10mA, como
no se considera M.E.S.S se toman inicialmente las siguientes condiciones para facilidad
de diseo:
V
V
12V
12V
VCEQ CC =
6V y VRE _ CD CC
1.2V
2
2
10
10
V
1.2V
RE _ CD RE _ CD
120
I CQ
10mA
RC

VCC VRE _ CD VCEQ

I CQ

12V 1.2V 6V
480
10mA
14

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

RTH 0.1 h fe RE _ CD
RTH 0.1 100 120

R1

RTH 1200
VTH RTH

iCQ
h fe

VTH 1200

Vbe VRE _ CD

R2

10mA
0.7V 1.2V
100

RTH VCC 1200 12V

7.12k
VTH
2.02V
RTH
1200

1.44k
VTH
2.02V
1
1
VCC
12V

VTH 2.02V

Se calcula el valor de RE1 para ajustar la GV solicitada.

R R
480 1k 300
h
RE1 C L ie

GV
h fe
20
100

RIN

RE1 13.21

RIN

RE 2 RE _ CD RE1 120 13.21 106.78

RTH hie h fe RE1

RTH hie h fe RE1

1200 300 100 13.21

1200 300 100 13.21
RIN 689.54

RO RC 480
15

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Solucin: Parmetros de transconductancia

VCEQ
RE _ CD
RC

VCC 12V
V
12V
=
6V y VRE _ CD CC
1.2V
2
2
10
10
V
1.2V
RE _ CD
120
I CQ
10mA

VCC VRE _ CD VCEQ

I CQ

12V 1.2V 6V
480
10mA

RTH 0.1 h fe RE _ CD 0.1 100 120 1200

VTH RTH

iCQ
h fe

Vbe VRE _ CD 1200

R1
R2

10mA
0.7V 1.2V 2.02V
100

RTH VCC 1200 12V

7.12k
VTH
2.02V
RTH
1200

1.44k
VTH
2.02V
1
1
VCC
12V
16

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

25.8mV 25.8mV 100

258
ib
10mA

gm

I CQ

10mA
387 mA
V
25.8mV

25.8mV
V
200V
r0 A
20k
I CQ 10mA
RE1
RE 2

RC RL
480 1k
1
1

GV
gm
20
387 mA

13.63

V
RE _ CD RE1 120 13.63 106.37

RIN RTH r h fe RE 1200 258 100 13.63

RIN 689.54
RO RC 480
17

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Circuito elctrico a simular

18

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Simulacin en CD, punto de operacin

Torico

Simulado

VTH 2.02V VTH 1.88V

VCE 6V

VCE 7.24V 1.19V 6.05V

VE 1.2V

VE 1.19V

VBE 0.7V

VBE 1.88V 1.19V 0.69V

I C 10mA

I C 9.91mA

19

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Simulacin en AC, Grfico de transferencia

20

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Simulacin en el tiempo

GV

5.96V
18.62
0.32V

VO max pp 1.8 ICQ RL RC

VO max pp 1.8 10mA 1k 480
VO max pp 6.17V

21

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Impedancia de entrada, ZIN

22

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Ejercicio 5.2
Para los datos del problema 5.1 calcule los valores de componentes adecuados para
disear un amplificador emisor-comn , considerando M.E.S.S. y T.M.T.P.

Solucin: Parmetros h
Para cumplir el M.E.S.S. y el T.M.T.P se debe de encontrar un nuevo valor de ICQ.
Se calcula primero el valor de RE1 para ajustar la GV, y con este valor se calcula RCA para
la condicin del T.M.T.P.
RE1

RC RL hie 1 1k 300

22
GV
h fe
20
100

RCA RC RL RE1 1k 1k 13.21 513.21

Como se considera M.E.S.S. se tiene que encontrar el valor apropiado de ICQ as como
de RE1 y RE2. se parte de las expresiones 1 y 2:
VCC
VCC
I CQ

(1)
RCA RCD RCA RC RE1 RE 2
RE RE1 RE 2

VRE 0.1 VCC

I CQ
I CQ

(2)
23

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Sustituyendo RE (2) en ICQ (1) se trabaja algebraicamente para obtener la solucin para
el nuevo ICQ:
V 0.1 VCC 12V 0.1 12V
I CQ CC

7.1mA
RCA RC
513.21 1k
RE

0.1 12V
120 RE 2 RE RE1 120 22 98
10mA

R1
RTH 0.1 100 120 1200
VTH

10mA
1200
0.7V 1.2V 2.02V
100

RIN

R2

RTH VCC 1200 12V

7.12k
VTH
2.02V
RTH
1200

1.44k
VTH
2.02V
1
1
VCC
12V

1200 300 100 22

1200 300 100 22

RIN 810
24

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

VCEQ 12V 7.1mA 1k 92 4.24V

I CMAX 2 7.1mA 14.2 mA

V0 MAXpp 1.8 7.1mA 1k 1k 6.39V

RE _ CD RC RE 1k 120 1.2k

VINMAXpp

6.39V
0.319V
20

'
I CMAX

VCC
12V

10mA
RE _ CD 1.2k

'
VCC
2 VCEQ 2 4.24V 8.48V

25

Dr. Leobardo Hernndez Gonzlez

Ejercicio 5.3

Calclese los valores de componentes adecuados para disear un amplificador emisorcomn con los siguientes datos: GV=25, Rin=1k, VCC=15V, RL=1k, la corriente de
reposo en colector deber de cumplir el criterio de mxima excursin simtrica de salida.
El transistor a utilizar presenta los siguientes parmetros: hfe_min=100, hfe_nom=173,
hie=300, VA=200V. Considere M.E.S.S. y T.M.P.S. y utilice uno de los dos modelos
vistos.

Ejercicio 5.4
Calclese los valores de componentes adecuados para disear un amplificador emisorcomn con los siguientes datos: GV=50, Rin=5k, VCC=12V, RL=1k, la corriente de
reposo en colector deber de cumplir el criterio de mxima excursin simtrica de salida.
El transistor a utilizar presenta los siguientes parmetros: hFE_min=100, hfe_nom=173,
hie=300, VA=200V. Considere M.E.S.S. y T.M.P.S. y utilice uno de los dos modelos
vistos.

26