Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Eletrnica
Bsica II
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Compilador
Clodoaldo R. de Arajo
Unidade Operacional
SENAI CFP FAM Centro De Formao Profissional Fbio Arajo Motta
APRESENTAO
Sumrio
1
TRANSISTORES..........................................................................................................................................5
1.1 ESTRUTURA BSICA....................................................................................................................................5
1.2 TERMINAIS DO TRANSISTOR.......................................................................................................................6
1.3 SIMBOLOGIA.................................................................................................................................................7
1.4 ASPECTO REAL DOS TRANSISTORES...........................................................................................................7
1.5 TESTE DE TRANSISTOR................................................................................................................................8
1.5.1 Teste Com o Uso do Multmetro...............................................................................................9
1.6 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...............................................................................................................11
1.6.1) Operao do Transistor na Regio Ativa.............................................................................11
1.7 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR..................................................................16
1.7.1) Corrente de Base..................................................................................................................17
1.7.2) Corrente de Coletor..............................................................................................................18
1.7.3) Corrente de Emissor.............................................................................................................20
1.7.4) Controle de Corrente no Transistor......................................................................................20
1.7.5) Ganho de Corrente do Transistor.........................................................................................21
1.7.6) Questionrio.........................................................................................................................22
1.8 MALHA DE COLETOR................................................................................................................................22
1.8.1) Influncia da Corrente de Base............................................................................................24
1.8.2 Questionrio..........................................................................................................................26
1.9 CONFIGURAES DO TRANSISTOR...........................................................................................................26
1.10 CURVA CARACTERSTICAS......................................................................................................................26
1.10.1) Parmetros das Curvas Caractersticas.............................................................................27
1.10.2) Curvas Caractersticas da Configurao Emissor Comum...............................................28
1.11 CURVA DE DISSIPAO MXIMA............................................................................................................35
1.11.1) Limitao da Dissipao de Potncia Sobre a Reta de Carga...........................................37
1.11.2 Questionrio.........................................................................................................................38
10
MULTIVIBRADOR BIESTVEL...........................................................................................................112
10.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...........................................................................................................112
10.2 MTODOS DE DISPARO DO BIESTVEL.................................................................................................118
10.2.1 Disparo Pelo Emissor........................................................................................................118
10.2.2 Disparo Pela Base..............................................................................................................122
10.3 QUESTIONRIO......................................................................................................................................125
11
MULTIVIBRADOR MONOESTVEL..................................................................................................127
11.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...........................................................................................................128
MULTIVIBRADOR ASTVEL...............................................................................................................136
12.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO...........................................................................................................136
12.2 CORREO DA BORDA DE SUBIDA DOS PULSOS..................................................................................143
12.3 QUESTIONRIO......................................................................................................................................144
13
14
15
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS....................................................................................................175
1 TRANSISTORES
1.1 Estrutura Bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais
semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrnica.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra uma ampla gama de
aplicaes, como por exemplo:
Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle industrial.
Chave eletrnica: Controle industrial, calculadoras e computadores eletrnicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da eletrnica,
devido a sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave em
grande parte dos equipamentos eletrnicos.
A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de material
semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as quais inserida uma terceira
camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de dopagem distinto
dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um sanduche,
conforme ilustrado na Fig.1.
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das
camadas:
1.3 Simbologia
A Fig.5 apresenta os smbolos utilizados na
representao de circuito dos transistores npn e pnp.
Como pode ser a observado, os dois smbolos
diferem apenas no sentido da seta entre os terminais
da base e do emissor.
Alguns
transistores
so
dotados
de
Juno pn em curto.
Juno pn em aberto.
Como descrito em fascculos anteriores, o teste de qualquer juno pn com o
10
11
12
Fig.15 Polarizao da juno base-emissor de transistores pnp e npn para operao na regio ativa.
.
Fig.16 Polarizao da juno base-coletor de transistores pnp e npn para operao na regio ativa.
13
Fig.17 Polarizaes dos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.
Fig.19 Diagramas de circuito que permitem a operao de um transistor npn na regio ativa.
(1)
VCB VC VB
(2)
VCE VC VE
(3)
15
(4)
Tenso pnp
negativa
negativa
negativa
Transistor npn
positiva
positiva
positiva
IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
O sentido das correntes representadas na Fig.21 segue uma conveno que
estabelece:
16
(5)
Transistor pnp
negativa
negativa
positiva
Transistor npn
positiva
positiva
negativa
Tabela 2 Sinais das correntes nos terminais dos transistores pnp e npn para
operao na regio ativa.
Fig. 22 - Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.
Fig.23 Movimento de portadores nas proximidades da juno base-emissor quando esta polarizada
diretamente.
19
(6)
IB < 0 (-IB) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B para o
circuito.
IC < 0 (-IC) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C para o
circuito.
20
Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua
essencialmente de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor. Dessa forma a corrente de base atua como corrente de
controle, e a corrente de coletor, como corrente controlada.
1.7.5) Ganho de Corrente do Transistor
Como discutido na seo anterior, atravs de um transistor possvel utilizar
um pequeno valor de corrente IB para controlar a circulao de uma corrente IC, de
valor bem mais elevado.
Uma medida da relao entre a corrente controlada IC e a corrente de
controle IB pode ser obtida do parmetro:
DC
IC
IB
(7)
IC
DC
. IB
(8)
22
(1)
Onde:
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
IC
Aumenta
Diminui
VRC
Aumenta
Diminui
VCE
Diminui
Aumenta
(a) Com IB = 40 A:
Da Fig.31 tem-se que, RC = 820, VCC = 10 V, = 100. Da Eq.(4) resulta:
IC = 100 . 40A = 4000mA = 4mA;
Da Eq.(2) obtm-se:
VRC = 820 . 0,004A = 3,24 V;
Da Eq.(6) tem-se que VCE =10 V - 3,24 V = 6,76 V
(b) Com IB = 70A:
Repetindo o mesmo procedimento do item (a), obtm-se:
IC = 7mA , VRC = 5,74 V , VCE = 4,26 V.
Nota-se, portanto, que o aumento da corrente de base causa as variaes
nos parmetros da malha do coletor, indicados na Tabela 1. Dos resultados obtidos
nos itens (a) e (b) vale observar que um aumento de apenas 70A - 40A = 30A, na
corrente de base provoca um aumento de 7mA - 4 mA = 3 mA, na corrente de
coletor.
1.8.2 Questionrio
25
26
IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
emissor
comum
so
necessrios
dois
conjuntos
de
curvas
caractersticas:
29
desvios
em
relao
ao
As
curvas
caractersticas
fornecidas
pelo
fabricante
representam
(1)
(2)
ou alternativamente:
Para valores fixos dos parmetros VCC e RC, a Eq.(2) representa uma
relao linear entre a tenso coletor-emissor VCE e a corrente de coletor IC.
VRC
RC
31
Condio de corte.
Condio de saturao.
Condio de corte:
A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula.
(1)
VRC
,
RC
33
(4)
34
(5)
PCmx
VCE
(6)
0,5W
VCE
(7)
35
VCE
5
10
20
40
IC
0,1 = 100mA
0,05 = 50mA
0,025 = 25mA
0,0125 = 12,5mA
36
37
38
39
(7)
A condio IB 0 fornece:
ICcorte ( 1) . ICBO ICEO
(8)
(9)
40
(10)
41
2.4 Questionrio
1. O que se entende por polarizao de base por corrente constante em um
transistor?
2. Em um circuito transistorizado na configurao emissor comum, quais os
elementos que compem a malha da base?
3. Descreva de que forma a temperatura influencia o ponto de operao de um
circuito transistorizado na configurao emissor comum.
4. O que fator de estabilidade?
5. Qual a relao entre estabilidade trmica e fator de estabilidade em um circuito
transistorizado?
43
44
3 POLARIZAO
DE
BASE
POR
CORRENTE
CONSTANTE
3.1 Introduo
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de
base necessria para levar o transistor ao ponto de operao desejado. Entre os
processos de polarizao de base, o mais simples o de polarizao por corrente
constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de operao
Q fica determinada a corrente de base quiescente IBQ, conforme ilustrado na
Fig.51.
45
Resistncia RB.
Tipo de transistor.
Com base no circuito equivalente mostrado na Fig.54, a corrente de base
VCC - VBE
RB
(1)
46
VCC - VBE
IBQ
(2)
- 7,5 - (- 0,6)
- 6,9
86.250
- 0,008
- 0,008
48
composta
dos
seguintes
elementos:
Fonte de alimentao.
Resistor de coletor.
Transistor.
Resistor de emissor.
Fig.58 Malha de coletor de um transistor polarizado por divisor de tenso.
(1) .
(2)
VE RE . (- IE)
(3)
49
(4)
(5)
VCE = 4,92 V
50
Fig.61 Circuito equivalente da juno base-emissor, com base polarizada por divisor de
tenso.
resistores do circuito.
Ganho do Transistor
O ganho de transistores que empregam a polarizao por divisor de tenso
usualmente satisfaz a condio 100.
4.3.1) Parmetros de Entrada
Na determinao dos valores dos
elementos
de
circuito,
mostrados
na
VCC
2
(7)
52
VRCQ
ICQ
(8)
emissor
tal
que
queda
de
tenso
satisfaa
condio,
0,1 . VCC
ICQ
(10)
Com base na Fig.64, a queda de tenso sobre RB1 pode ser obtida de:
VB1 VCC - VB
(12)
(13)
VCC VB
ID
VBEQ VEQ
ID
(13)
(14)
54
RE, RB1 e RB2 para obter uma tenso coletor-emissor de 7V e uma corrente de
coletor de 12 mA.
56
estgios
transistorizados
coletor-emissor
de
um
estgio
deseja
aumentar
tenso
VCE
do
57
transistor. Para isso necessrio reduzir a queda de tenso nos resistores RE e RC,
como sugere a Fig.68 ao lado..
As tenses VRC e VE so proporcionais corrente IC, e, portanto uma
reduo nos valores de VRC e VE pode ser obtida pela reduo de IC.
Para se obter uma reduo na tenso VCE do transistor, deve-se reduzir RB1
e aumentar RB2, como sugere o diagrama mostrado na Fig.72.
RE RB
RB
RE
1
(16)
RB1 . RB2
RB1 RB2
(17)
(18)
(19)
60
Da Eq.(6) verifica-se que a tenso VBE diminui com o aumento da tenso VE,
para um valor fixado da tenso VB do divisor.
61
4.6 Questionrio
1. Quais so os elementos bsicos que compem um circuito transistorizado com
base polarizada por divisor de tenso?
2. Qual a finalidade do divisor de tenso nesses tipos de circuito?
3. Qual a finalidade do resistor RE nesses circuitos?
4. Repita o Exemplo 1 para o caso IC = 6 mA.
5. Na anlise de um circuito transistorizado polarizado por divisor de tenso:
(a) quais so os parmetros de entrada?
(b) quais so os parmetros da malha do coletor?
(c) quais so os parmetros de sada?
6. Qual a principal caracterstica trmica de um circuito transistorizado polarizado por
divisor de tenso?
7. Calcule o fator de estabilidade trmica de um circuito transistorizado polarizado
por divisor de tenso com os seguintes parmetros: RE = 100, RB1 = 8,5 k, RB2
= 1,5 k, = 100.
62
Fig.75 Dependncia da tenso de sada com a corrente de carga uma fonte real.
Fig.76 Reduo na tenso de sada provocada por uma reduo no nvel de entrada.
Fig.77 Efeito de um circuito regulador sobre a tenso de sada de uma fonte retificada.
(1)
VS VZ - VBE
(2)
(3)
5.1.2) Estabilizao
No regulador srie a transistor, a tenso aplicada base do transistor
corresponde tenso Zener e pode ser considerada constante. Nessas condies, a
tenso na carga tambm se mantm constante com um valor de 0,2 a 0,7V inferior
tenso Zener.
Como ilustrado na Fig.80 as variaes na tenso de entrada so assimiladas
pelo transistor atravs de modificaes na tenso coletor-emissor. Como pode ser a
observado, a tenso de entrada sempre superior tenso de sada. Essa condio
necessria pois garante que a tenso coletor-emissor do transistor possa variar
sem alterar a tenso de sada do circuito. Em geral, a tenso de entrada
aproximadamente 50% superior tenso regulada na sada.
65
5.1.3) Regulao
A observao do comportamento das correntes do circuito permite analisar a
forma como o regulador reage s variaes na corrente de carga.
As correntes do circuito regulador esto mostradas na Fig.81, onde se
considera que a corrente de carga esteja inicialmente em um valor IS. Considera-se
que a corrente de coletor seja igual corrente de carga, devido aproximao:
IS IE IC
(4)
66
Vent - VZ
R
(4)
(5)
67
Dessa forma, cabe ao diodo Zener liberar mais ou menos corrente para a
base do transistor de forma a manter a corrente de carga constante.
Verifica-se que no regulador srie, a condio fundamental para manter a
tenso de sada constante o efeito regulador do diodo Zener. A tenso sobre o
diodo deve manter-se no valor VZ independentemente de variaes na carga ou na
tenso de entrada.
5.1.4) Diodo Compensador
A tenso de sada no regulador srie pode ser obtida da Eq.(2), que est
reproduzida a seguir:
VS VZ - VBE
(2)
A Eq.(2) mostra que a tenso de sada sempre inferior tenso Zener por
uma quantidade igual tenso base-emissor. Para compensar esse decrscimo na
tenso de sada, prtica comum adicionar um diodo compensador, diretamente
polarizado, em srie com o diodo Zener, como mostrado na Fig.82.
(6)
(7)
E a Eq.(7) fornece:
68
VS VZ
(8)
5.2 Questionrio
1. Qual a principal finalidade de um regulador em uma fonte de alimentao?
69
A operao do circuito comparador baseia-se na variao da tenso baseemissor do transistor provocada pela variao do sinal de amostra.
No circuito da Fig.87, a tenso do emissor tem sempre o valor de referncia
fixado pelo diodo Zener, de forma que a tenso base-emissor do transistor dependa
apenas da tenso aplicada base, esta ltima representando o sinal de amostra.
VBE Vam - VZ
(1)
A tenso na sada do circuito comparador VS depende da tenso baseemissor do transistor. Se a tenso no ponto onde feita a tomada da amostra sofre,
por exemplo, um pequeno aumento, ocorre a seguinte seqncia de eventos no
comparador:
72
73
A fonte regulada com comparador uma verso mais elaborada dos circuitos
reguladores convencionais, sendo utilizada para alimentao de equipamentos que
demandem uma alta estabilidade nas tenses de operao .
6.4.1) Diagrama de Blocos
A Fig.92 mostra o diagrama de blocos completo de uma fonte regulada com
comparador.
74
restantes
na
Fig.92
compem
mdulo
regulao
75
76
COMPARAO
No circuito compondo a fonte de alimentao, o bloco do circuito
comparador configurado como mostrado na Fig.97.
mais
elaborados.
Quando
apenas
um
transistor
de
controle
sofre
78
Com o aumento na corrente IC2, a tenso VCE2 que havia aumentado, agora
diminui fazendo que a tenso na base do transistor T1 retorne a um valor bem
prximo do inicial, conforme indicado na Fig.103.
79
Fig.103 Efeito final produzido na tenso de sada aps um aumento na tenso de entrada.
80
81
Fig.107 Efeito sobre o transistor T2 produzido por uma diminuio na corrente de carga.
Fig.108 Efeito produzido sobre as correntes no circuito aps a diminuio da corrente de carga.
82
Fig.109 Efeito produzido de volta na sada aps a atuao dos elementos do circuito regulador.
Fig.110 Sumrio dos efeitos decorrentes de uma diminuio na corrente de carga no circuito
regulador.
83
(1)
IR 1 .( 2 1 ) . IB1
, ou equivalentemente:
(2)
IR
1. ( 2 1)
(3)
A Eq.(3) mostra que, devido aos valores tipicamente altos para os ganhos dos
dois transistores, uma carga exigindo um alto valor de corrente pode ser controlada
atravs de uma corrente na base do transistor T1, que pode chegar a ser centenas
ou at milhares de vezes inferior.
Por exemplo, comparando-se as duas situaes mostradas na Fig.114, para
se obter uma corrente de carga de 2A, com apenas um transistor de ganho = 50, a
corrente de base necessria vale:
IB1
IR
2
40mA
1 50
Por outro lado, para a configurao Darlington da Fig. 114b, com dois
transistores de ganhos 1=2=50 obtm-se:
IB1
IR
2
2
800 A
1. ( 1) 50. (50 1) 50 . 50
Fig.114 (a) Amplificador de corrente com apenas um transistor. (b) Amplificador na configurao
Darlington.
85
Fig.115 Circuito regulador de uma fonte de alimentao que utiliza a configurao Darlington.
86
(1)
reta
de
carga,
conforme
88
Correspondente a uma corrente de coletor mxima ICQ e uma tenso coletoremissor mnima VCEQ.
Quando
corrente
de
entrada
Alterao no ponto
de
89
90
Ganho de corrente.
Ganho de tenso.
Impedncia de entrada.
Impedncia de sada.
IS
Ient
(4)
VS
Vent
(5)
92
Fig.128, ajusta-se a tenso pico a pico no ponto A para um valor pr-definido VApp.
VApp
2
7.4 Questionrio
1. O que se entende por sinal eltrico?
95
tambm ser montado com apenas uma fonte de alimentao, conforme mostrado na
Fig.132.
98
99
Isada
Ientrada
IC
IE
(1)
100
VC
IC
(2)
101
8.3 Aplicaes
Caracteristicamente os estgios amplificadores em base comum apresentam
baixa impedncia de entrada e alta impedncia de sada. Essas propriedades
permitem que esses circuitos sejam utilizados como elementos casadores de
impedncia, podendo interligar um estgio de baixa impedncia de sada a outro de
alta impedncia de entrada, conforme ilustrado na Fig.139.
102
de
potncia
em
fontes
tipo
do
estgio
amplificador
mostrado
na
Fig.141,
uma impedncia baixssima na presena de sinais ca. Dessa forma, sempre que o
circuito amplifica um sinal, o coletor pode ser considerado como estando aterrado,
equivalendo, portanto a um terminal comum entrada e sada do sinal.
103
104
de
corrente
do
circuito
amplificador
em
coletor
comum
iguala
IC IC
AI
IE IB
106
Resistor de emissor.
Corrente de emissor.
De forma geral, a impedncia de sada est relacionada corrente de emissor
107
9.3 Aplicaes:
Existem fundamentalmente trs aplicaes para os estgios seguidores de
emissor:
Casamento de impedncias.
Dessas aplicaes, as duas primeiras correspondem quelas de utilizao
mais freqente, razo pela qual merecem uma anlise mais detalhada.
9.3.1) Etapa de Sada em Fontes Reguladas
As caractersticas mais importantes em uma fonte so:
108
Tenso de sada.
Impedncia interna.
A primeira caracterstica importante por motivos bvios. A segunda
109
110
9.4 Questionrio
1. Faa o desenho de um transistor na configurao coletor comum.
2. Quais so as faixas de valores tpicas dos parmetros associados ao amplificador
na configurao coletor comum?
3. Cite algumas aplicaes que fazem uso do amplificador na configurao coletor
comum.
111
10 Multivibrador Biestvel
O multivibrador biestvel um circuito eletrnico em que as sadas podem
assumir apenas dois estados distintos. O circuito do multivibrador biestvel, ou flipflop como tambm conhecido, composto basicamente de dois transistores
polarizados nos dois estados possveis de chaveamento.
Esse circuito configurado de tal forma que quando um dos transistores est
saturado o outro est em corte e vice-versa. A anlise do multivibrador biestvel
feita a seguir.
112
tenso aplicado quase que totalmente sobre o resistor RB1 e a corrente resultante
IB1
VCC
suficiente para manter o transistor T1 saturado.
RB1
114
Essa ltima expresso indica, por exemplo, que um aumento na corrente IE1,
causado por um acrscimo na corrente IB1 resulta em um aumento no potencial VE.
Isso implica uma diminuio da tenso VBE2 que por sua vez causa um decrscimo
na corrente IB2. Como resultado a corrente IC2 e conseqentemente a corrente IE2
diminuem. Essa seqncia de eventos pode ser representada pelo diagrama:
115
saturado,
essa
condio
produziria
seqncia
de
eventos
118
119
120
Fig.161 Formas de onda levando em conta a existncia de tempos no-nulos para ocorrncia das
transies de estados.
121
Fig.163 Multivibrador biestvel com malha diferenciadora e diodos conectados s bases dos dois
transistores.
122
de
123
Fig.165 Efeito produzido por uma variao positiva de tenso no terminal A do capacitor C3.
de
entrar
em
momentaneamente,
inversamente
polarizado,
que
modifica
no
o
as
condies de operao do
transistor
T1.
Conforme
124
10.3 Questionrio
1. Em um circuito transistorizado polarizado por corrente de base, sob que condies
126
11 Multivibrador Monoestvel
O multivibrador monoestvel um circuito que possui um estado estvel e
outro semi-estvel que dura apenas um determinado intervalo de tempo. Um dos
estados permanece estvel na ausncia de um estmulo externo. A aplicao de um
pulso de disparo de curta durao leva o circuito a um estado semi-estvel que dura
certo intervalo de tempo, aps o qual o circuito retorna ao seu estado estvel,
conforme ilustrado na Fig.169..
de
multivibrador
monoestvel
importante
observar
que
esse
resistivo,
entre
estado
inicial
do
admite-se
inicialmente
eltricos
indicados
os
na
Fig.171 ao lado..
Fig.171 Exemplo de um multivibrador monoestvel operando no estado
estvel.
Admite-se que as condies de operao do circuito da Fig.171 resultam em
uma queda de tenso de 1V no resistor RE. Dessa forma, para que o transistor T2
esteja saturado, e T1 no regime de corte, as condies listadas na Tabela 1 devem
ser satisfeitas.
Tabela 1 Potenciais eltricos nos terminais dos transistores da Fig.171.
128
ao
129
Um pico de tenso positiva nos emissores dos transistores pode ser obtido
atravs de um circuito diferenciador, de forma semelhante quela adotada para
disparar um multivibrador biestvel.
A Fig174 mostra um circuito diferenciador, formado pelo capacitor CE e o
resistor RE, utilizado para provocar o disparo do monoestvel, atravs dos
emissores dos dois transistores.
T2 passe rapidamente
da
condio
de
132
ativado RB2.C1.Ln
Onde V a tenso base-emissor que satura o transistor T2, e que vale 0,7 V
para transistores de silcio.
Para o caso da Fig.179, VCC = 10 V, satisfazendo a condio VCC >> V.
Sendo essa a situao que ocorre na prtica, podem-se fazer as seguintes
aproximaes:
2VCC V 2VCC
VCC V VCC
(2)
133
no
multivibrador
partir
da
de
corredor
em
edifcios
Nesses
sistemas,
as
11.2 Questionrio
1. Faa o diagrama bsico de circuito de um multivibrador monoestvel.
2. Qual a diferena fundamental entre os circuitos multivibradores biestvel e
monoestvel?
134
135
12 Multivibrador Astvel
O multivibrador astvel um circuito que possui dois estados semiestveis.
Em outras palavras, o circuito exibe uma alternncia de estados como funo do
tempo, mesmo na ausncia de estmulos externos.
A Fig.183 mostra um circuito tpico do multivibrador astvel, onde se pode
notar a existncia dos capacitores C1 e C2 conectados s bases dos dois
transistores. Esses capacitores so elementos essenciais para manter o circuito
alternando entre seus dois estados possveis, conforme examinado a seguir.
Capacitores C1 e C2 descarregados.
136
Fig.187 Evoluo no tempo das tenses VBE2 e VCE2 durante a carga de C2.
Fig.189 Processos de carga dos capacitores do multivibrador astvel durante a permanncia dos
estados semi-estveis.
139
140
Fig.193 Grficos detalhados das formas de onda produzidas pelo multivibrador astvel.
(1)
141
Fig.195 Evoluo no tempo das tenses VCE1 e VCE2, em um multivibrador astvel tendo RB1C1 >
RB2C2.
(2)
t2 0,693RB2.C2
(3)
Transistor T2:
Como um ciclo da forma de onda corresponde a um perodo T = t1 + t2, a
freqncia associada forma de onda pode ser determinada pela expresso:
f
1
0,693 RB1C1 RB 2C 2
(4)
1,45
RB1C1 RB 2C 2
(5)
ou equivalentemente
Se
os
valores
de
resistncia
capacitncia
estiverem
expressos,
142
0,725
0,725
RB1 C1
RB2
(6)
Fig.196 Multivibrador astvel com a incluso de diodos e resistores para minimizao do tempo de
subida das tenses coletor-emissor.
Com base na Fig.196, quando T1, por exemplo, vai para o regime de corte, o
potencial do ctodo torna-se superior ao potencial do nodo de D1. Sob essas
condies, o diodo D1 entra em bloqueio.
A Fig.197 mostra a condio obtida logo aps o corte de T1, com D1 e T1 sendo
representados por interruptores abertos.
143
Conforme
ilustra
Fig.197, a
ao
lado,
ilustra
12.3 Questionrio
1. Qual a caracterstica principal de um multivibrador astvel?
2. Como devem ser dimensionados os resistores RB1, RC1, RB2 e RC2 de um
multivibrador astvel para que ele opere adequadamente?
144
3. Que condio deve ser satisfeita pelos elementos RB1, RB2, C1 e C2 de forma
que um multivibrador astvel gere uma seqncia de pulsos simtricos?
4. Cite uma aplicao do multivibrador astvel em circuitos digitais.
145
147
Fig.203 (a) Disparador Schmitt com T1 no regime de corte. (b) Circuito equivalente.
148
VCC VCEsat
(1)
RC2 RE
Fig.206 Emprego de um potencimetro para se obter uma variao de tenso na base do transistor
T1.
149
torna insuficiente para manter T2 saturado. Isso faz que T2 comece a sair da
saturao em direo ao regime de corte, o que provoca uma rpida diminuio na
corrente IE2 e conseqentemente na tenso VE. Com a reduo na tenso VE,
aumenta o valor de VBE1 o que coloca T1 ainda mais no regime de conduo.
Essa seqncia de eventos leva rapidamente T2 ao regime de corte e T1
saturao, conforme ilustrado no diagrama seguinte.
ciclo
de
realimentao
indicado
no
151
VCC VCEsat
RC1 RE
IE2 0
IE IE12 IE1 IE2
VCC VCEsat
RC1 RE
VCC - VCEsat
RC1 RE
VE VE12 RE IE12 RE
VCC VCEsat
RC2 RE
IE1 0
IE IE21 IE1 IE2
VCC VCEsat
RC2 RE
VCC - VCEsat
RC2 RE
VE VE21 RE IE21 RE
152
VCC - VCEsat
VCC VCEsat
RE
RC1
RE
RC2 RE
RE
VE12 VE21
Assim, para RC1 > RC2, a queda de tenso no resistor RE assume seu
menor valor com T1 saturado e T2 no regime de corte.
A Fig.210 mostra um exemplo de valores de tenso que poderiam estar
presentes em alguns pontos do disparador Schmitt no estado correspondente a T1
saturado e T2 no regime de corte. Nesse exemplo, VE = 0,3 V, o que corresponde a
um valor cerca de 3 vezes inferior quele indicado na Fig.204.
Fig.210 Exemplo de valores tpicos de tenso em pontos do circuito da Fig.209 aps a transio de
T1 do corte saturao.
Para que o circuito volte ao estado inicial, com T2 saturado, necessrio que
a tenso de entrada diminua o suficiente para levar o transistor T1 ao regime de
corte. Isso implica a obteno de uma tenso VBE1 < 0,5 V. Com base nos valores
indicados na Fig.210
Vent VBE1 VE VBE1 Vent VE Vent 0,3V
de modo que:
153
Fig.211 Sinal de sada do disparador Schmitt, para variaes lineares no tempo da tenso de
entrada.
Fig.212
mostra
ao
lado,
curva
transferncia
de
do
dependncia
da
154
Fig.213 Incerteza na determinao da tenso de sada do disparador Schmitt, para uma tenso de
entrada de 1,2 V.
Esse exemplo serve para demonstrar que o disparador Schmitt tem memria,
ou seja, o tipo de resposta do sistema depende da histria passada do sinal de
entrada.
Pode-se, portanto, dividir a caracterstica de transferncia mostrada na
Fig.213, em trs regies:
Na forma indicada na
156
Fig.216 Disparador Schmitt com a adio de um resistor em srie com o emissor de T2 para reduo
da histerese.
V original - V desejado
IE
(1)
Onde:
0,7 - 0,2
0,5
166
0,003
0,003
0,7 - 0
0,7
233
0,003 0,003
158
Fig.219 Sinal gerado na sada do disparador Schmitt da Fig.218, para um sinal senoidal aplicado
entrada.
159
.
Fig.220 Uso de um retificador de meia onda para proteo do disparador Schmitt.
Fig.221 Circuito da Fig.220 com a adio de um divisor de tenso para permitir o disparo do circuito
em nveis mais altos da tenso de entrada.
160
161
Fig.224 - Formas corretas de conexo de um diodo em paralelo com o indutor para circuitos
empregando transistores npn e pnp.
13.3 Questionrio
1. Qual a caracterstica de circuito que diferencia um disparador Schmitt de um
multivibrador biestvel?
2. Faa um diagrama ilustrativo da curva de transferncia de um disparador Schmitt.
3. Para um disparador Schmitt tendo a curva de transferncia mostrada na Fig.13,
determinar a tenso de sada nos seguintes casos:
(a) Vent = 0,5 V.
(b) Vent = 3,0 V.
(c) Vent = 1,4 V.
162
(d) Admitindo que Vent tenha aumentado de um valor inicial nulo at o valor final de
1,4 V. (e) Admitindo que Vent tenha diminudo de 3,0 V at o valor final de 1,4 V.
4. Qual a caracterstica principal de um sistema que exibe histerese?
5. Que tcnica empregada para modificao da histerese de um disparador
Schmitt?
6. Cite algumas aplicaes do disparador Schmitt.
163
5V
VBE = _______
+
0,6V
VCB = _______
0V
VBE = _______
0,3V
VCE = _______
VCB = _______
0V
VCE = _______
10) Que corrente provocada pela aplicao de uma tenso VBE em um transistor?
11) Determine o valor de corrente solicitado em cada um dos itens a seguir.
a) IB = 300A
IC = 12mA
IE = __________
b) IB = 1mA
IC = 70mA
IE = __________
c) IC = 18mA
IE = 18,03mA
IB = __________
DC = 125
IC = _________
164
b) IB = 1,3mA
DC = 90
IC = _________
c) IB = 70mA
DC = 50
IC = _________
+
RC
VRC
+
VCE
IB
VCC
a) VCE = 5,3V
VCC = 15V
VRC = ____________
-
b) VCC = 8V
VRC = 3,7V
VCE = ____________
c) VCE = 12,8v
VRC = 11,5V
VCC = ____________
2) Determine os valores solicitados, com base no circuito que segue e nos dados
fornecidos.
IC
RC
+
VCC
-
C
B
E
a) VCC = 15V
RC = 470
VRC = 8V
VCE = _______
IC = ______
b) VCC = 40V
RC = 1K
IC = 18mA
RC
1,2K
+
RB B
VBB
IB
VCC = 21V
= 120
E
a) IB = 55A
IC = ________
VRC = _________
VCE = _________
b) IB = 75A
IC = _______
VRC = __________
VCE = __________
IB
IC
VRC
VCE
b) VBE
IB
IC
VRC
VCE
RB1
RC
IC
+
-
RB2
a) VCC = 18V
b) VCC = 15V
VCC
RE
VRCQ = 8V
ICQ = 5mA
ICQ = 7mA
VCEQ = 6V
167
R1
R2
12VCC
P1
A
Q1
B
VCB = __________
VCE = __________
1.6- Aplique os valores de VBE, VCB e VCE equao VCE = VCB + VBE e
verifique se o resultado correto.
1.7 - Ajuste o potencimetro P1 de forma a obter 3V no resistor R2.
1.8 - Mea VBE, VCB e VCE e aplique na equao para verificar a correo dos
valores.
1.9 - Desligue a fonte.
2 Verificao da Influncia de VBE em IB.
2.1 - Insira um microampermetro de 0 a 200A no circuito, conforme mostrado
abaixo.
R2
R1
VCC = 12V
+
P1A
IB
A
Q1
IB = ______________
IB = ____________
169
R2
R1
+
mA 0-20mA
-
P1A
A
B
VCC = 12V
Q1
para IC = 6mA
170
R2
C
R1
1,5V
P1
+
VCC
-
Q1
E
VRC = _________
R2
+
C
R
1
1,5V
P1
A
0-100A
VCC
Q1
E
173
RB =
VCC VBE
IBQ
RB = _________________
R1
RB
+
12VCC
C
B
Q1 = BC337
E
1.4 - Ajuste a fonte de alimentao CC para 12V e conecte ao circuito.
1.5 - Ligue a fonte CC.
1.6 - Mea VCEQ, VRCQ e ICQ.
1.7 - O ponto de operao real est de acordo com o desejado?
1.8 - Se o ponto de operao est de acordo com o desejado, no necessrio
fazer a correo, caso contrrio, necessrio fazer a correo do ponto de
operao usando o real do transistor.
1.9 - Mea VCEQ, VRCQ e ICQ com ganho real do transistor.
Multmetro Digital
Materiais Necessrios:
-
R1 - 18K 1/4W
R2 - 3,3K 1/4W
R3 - 1K 1/4W
174
R4 - 220 1/4W
R1
R3
5,4mA
+
Q1
R2
12VCC
R4
VRCQ = _____________
VREQ = _____________
VR2 = ______________
VR1 = ______________
ID = ________________
IC = ________________
IB = ________________
IR2 = _______________
1.3
Desligue a fonte.
175
16 Referncias Bibliogrficas
ARNOLD, Robert & BRANDT, Hans. O sinal e o seu uso na tcnica de comando;
componentes eletrnicos especiais. So Paulo, E.P.U., 1975. 46p. il. (Eletrnica
Industrial, 3).
_____.Tiristores componentes fotoeletrnicos. So Paulo, E. P. U., 1975. 43p. il.
(Eletrnica Industrial), 4)
MELLO, Hilton A. & INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores. 3ed. Rio de
Janeiro, LTC, 1978. 283p. il.
BOLETIM TCNICO INFORMATIVO ICOTRON. s. l. 6 (36) jun/jul, 1981.
REZENDE, Srgio Machado, A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos, Recife,
Editora da UFPE, 1996.
CREDER, Hlio, Instalaes eltricas, Rio de Janeiro, Livros Tcnicos e Cientficos,
1978.
SINGH, Jasprit, Semiconductor optoelectronics, Nova York, McGraw-Hill, Inc., 1995.
ARNOLD, Robert & BRANDT, Hans, Transistores, segunda parte, So Paulo, EPV
(1975).
MILLMANN, Jacob & TAUB, Herbert, Circuitos de pulsos, digitales y de
commutacion, Mxico, Libros Mc Graw Hill do Brasil, (1977).
STRAUS, Leonard, Wave generation and shaping, 2a. edio, Nova York, McGrawHill, 1970.
MILLMAN, Jacob e TAUB, Herbert, Pulse, digital, and switching waveforms, Nova
York, McGraw-Hill, 1965.
DEGEM SYSTEMS, Circuitos transistorizados formadores de pulso, Israel,
Eletrnica modular (1976).
LANDO, Roberto Antnio & ALVES, Srgio Rios, Amplificador operacional, So
Paulo, rica, 1983.
MALVINO, Albert Paul, Eletrnica, So Paulo, Mc Graw Hill do Brasil, 1986.
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento
de projetos de circuitos eletrnicos, 7a. edio, rica, So Paulo (1983).
SENAI/DN. Reparador de Circuitos Eletrnicos; Eletrnica Bsica II. Rio de Janeiro.
(Coleo Bsica SENAI, Mdulo 2)
176
SENAI/DN. Transistores, por Antnio Abel Correia Villela. Rio de Janeiro, Diviso de
Recursos Humanos, 1977. 81p. (Publicaes Tcnicas, 7)
FIGINI, Gianfranco. Eletrnica industrial; circuitos e aplicaes. So Paulo, Hemus, c
1982. 336p.
MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Chistos C. Eletrnica: dispositivos e circuitos.
Trad. Eldio Robalinho e Paulo Elyot Meirelles Villela.. So Paulo, McGraw- Hill do
Brasil, 1981. il. v.2
ELETRNICA MODULAR PANTEC. O transistor; princpios bsicos. s.n.t. (curso
bsico, 4).
MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and digital
circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.
TUCCI, Wilson Jos. Introduo Eletrnica. 7.ed. So Paulo, Nobel, 1983. 349p.
177