Introduccin a los semiconductores

Estructura atmica del silicio

e-

e-

e-

ee-

e-

e-

e-

N
e-

e-

r3

3er nivel de energa

r2

2 nivel de energa

r1

1er nivel de energa

e-

e-

Borde del ncleo

r: radio orbital

Bandas de energa

tomo de silicio
e-

e-

e
-

e-

e
-

e-

e-

ee-

e-

e-

e
-

e-

e
-

ee-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

e-

ee-

Niveles de
energa de los
tomos

ee-

B. de conduccin

Si

Si

Si

Si

Si

Si

B. de valencia

Bandas de
energa del
cristal

Cristal de silicio

Diferencias entre metales, aislantes y semiconductores

B. C.

B. C.

B. prohibida

B. C.

B. prohibida

B. V.

B. V.

B. V.

B. C.
6 eV

Vaca

Llena

Conductor

Aislante

Vaca
1 eV

Llena

Semiconductor

Conduccin intrnseca en el silicio

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

I=0

I>0

Conduccin a temperatura ambiente

Conduccin a 0 K

B. de conduccin
electrones
B. de valencia

huecos

Conduccin extrnseca en el silicio

Cristal tipo N: Cristal de Si + tomos pentavalentes (donadores: Sb, As,).
Si

Si

Si

Sb

Si

Si

Cristal de silicio tipo N

Portadores mayoritarios de
electrones
Portadores minoritarios: huecos

carga:

Cristal tipo P: Cristal de Si + tomos trivalentes (receptores: In, Ga,).

Si

Si

Si

Si

In

Si

Cristal de silicio tipo P

Portadores mayoritarios de carga: huecos
Portadores minoritarios: electrones

La conduccin intrnseca es dependiente de la temperatura.

La conduccin extrnseca depende del grado de dopado o densidad de
donadores/receptores.

UNIN P-N
Unin P-N en equilibrio
1

Exceso de electrones y de
huecos
en
un
semiconductor N y en
uno P.

Difusin

Trasiego de carga en las

proximidades de la unin.

Unin P-N

A medida que aumenta E,

la dificultad para la
difusin es mayor.
Zona de difusin
E

Estudio cualitativo del transistor de unin BJT

Se debe a Shockley, 1951.

Tipos smbolos y convenios de corrientes.

IC

IE
P

Transistor PNP

C
UEB

UCB

IB

B
E

IC

IE
Transistor NPN

C
UEB

UCB

IB

Estructura interna transistor NPN

ZD

n+

n
C

JE

JC
ZD

ZD: Zona de difusin

JE: Unin de emisor
JC: Unin de colector

Polarizacin del transistor

Polarizacin activa JC (-), JE (+)
n+

IE

P
JE

JC

Ic
C

ICO: corriente de colector

con emisor abierto
B

IB

ICO

SE
UE

SC

Electrones generados
por efecto trmico

UC

n+

IE

Inco

p
JC

JE

Ic
C

ICO: corriente de colector

con emisor abierto
B
IB

SE
UE

ICO

SC

Electrones generados
por efecto trmico

UC

InC

InE
Corriente de electrones
que parten del emisor
hacia la base y el colector

Corriente de electrones
que parten del emisor y
llegan al colector

InB
=

Corriente de electrones
que parten del emisor y
llegan a la base

I nC
I nE

=
0.95 0.995
I C =I nC + I nCO = I nE + I nCO
I E = I nE

IC =
I E + I CO

I C I CO
IE

Polarizacin en corte: JC (-), JE (-)

Polarizacin en saturacin: JC (+), JE (+)