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Electrnica de Potencia

ELECTRONICA DE POTENCIA
Prof.: Jos Antonio Gzquez Parra

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Electrnica de Potencia

Electrnica de Potencia

Tema 1. Dispositivos electrnicos de potencia

Diodos de Potencia.
Tiristor, triacs
Transistor Bipolar de Potencia.
PowerMOS.
IGBT.
Tcnicas de excitacin.

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En 1880 Edison descubre el

efecto termoinico y se fabrica
el diodo de vacio.
Dentro de ampolla al vaci se
coloca un filamento de
wolframio calentado al rojo
(ctodo) y en frente un placa
metlica fra (nodo), la
corriente de electrones solo
circula en un sentido: catodo->
Anodo. Este invento tuvo una
gran repercusin en la
generacin
de
corriente
continua
y
en
la
comunicaciones.
Diodo de vaco aos 50

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Electrnica de Potencia

En 1906 Lee De
invent el triodo.

Forest

Se trata de la primera vlvula

de vaco capaz de amplificar
seales y por tanto de
regulacin lineal . Construy
una delgada tira de alambre de
platino (a la que dio el nombre
de "rejilla"), la doblo en
zigzag y la coloc entre el
filamento y la placa.

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Electrnica de Potencia

En 1928 Irving Langmuir inventa el tiratrn. Es

una especie de triodo con gas enrarecido
(hidrgeno) en su interior. Al polarizar el
electrodo de control se inicia la conduccin y se
ioniza el gas, la resistencia de paso se hace muy
baja y el dispositivo permite el control de
grandes corrientes.
Se puede afirmar que con el tiratron nace la
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Electrnica de Potencia

En 1930 comienza la fabricacin de

rectificadores de Selenio, ello supone un
importante paso en los sistemas de potencia de
corriente contnua. Un asociacin de placas de
selenio permite el paso de la corriente en un
solo sentido.

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Electrnica de Potencia

Estructura de un diodo Schottky

En 1939 Walter Schottky establece la teora de
la barrera metal-semiconductor. Hasta 1960 no
hubo tecnologa para poder fabricar diodos
Schottky. Estos dispositivos tuvieron y tienen
una gran importancia en el campo de la
Electrnica de Potencia por sus propiedades
como rectificadores, adems se aplican como
diodos de seal de alta frecuencia en sistemas
de comunicaciones.

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Electrnica de Potencia

El transistor
1948 El Transistor es inventado
por John Bardeen y Walter H.
Brattain y William Shockley en los
laboratorios de la Bell Company.
Se trata de un pequeo dispositivo
semiconductor slido (a diferencia
de las vlvulas) capaz de
amplificar seales. Naci la
electrnica de estado slido, que
paulatinamente fue sustituyendo a
los dispositivos de valvulas.

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Electrnica de Potencia

El Tiristor es desarrollado sobre 1960 en la empresa

General Electric (USA). Permite el control de grandes
potencias. Gracias al tiristor se fabricaron locomotoras
elctricas con un control eficiente de potencia, hasta
entonces la regulacin de estos motores era a base de
reostatos.
El IGBT o transistor bipolar de puerta aislada, fue
desarrollado en 1980, tiene una capacidad de control de
potencia similar al tiristor con la ventaja de un mecanismo
de disparo de conduccin mucho mas simple y frecuencia de
trabajo mas alta.
El PowerMOS, fue desarrollado a finales de los aos 80 en
base a diferentes tecnologas VMOS, DMOS, HEXFET.., y
lidera el control en tensiones bajas (centenares de voltios) y
frecuencias altas.

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Algunas vlvulas de potencia en desuso

811

813

T300

Tiratron
10

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Diodos rectificadores modernos de silicio

70 Amp.
600 V

6 Amp.
600V

20 Amp. 16 Amp.
40 Amp. 600 V
45 V
45 V
Schottky
Schottky
3 Amp.
400V

7 Amp.
600 V

1 Amp.
600V

11

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Puentes rectificadores, tiristores, triacs, powerMos

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20 Amp.
600 V

5 Amp.
600 V

Transistor
20 Amp.
600V

1 Amp.
400 V

PowerMos
40 Amp.
100V

1 Amp.
400 V

Triacs
10 Amp.
400V

Tiristor.
40 A. 600V

12

Densidad de corriente en dispositivos de silicio: 100 A/cm2

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

13

El diodo conduce hasta que se elimina la carga almacenada

Este fenmeno limita el uso como rectificador a frecuencias elevadas

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

14

Unin metal-semiconductor

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

15

Diodo Schottky: tiempo de recuperacin pequeo

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

16

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

Asociaciones Rectificadoras onda completa

Rectificador en puente

Rectificador de doble diodo

con transformador
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Electrnica de Potencia

DIODO RECTIFICADOR TENSION DE BLOQUEO

Se asocian diodos en serie para aumentar la tensin
inversa de bloqueo VR. El uso de diodos en serie ha de
asegurar el reparto proporcional de la tensin inversa. La
Is de todos los diodos no es igual y por el conjunto circula
la menor Is y las tensiones VR de cada diodo es distinta.
Mediante el paralelo de resistencia iguales de alto valor
R=10M se soluciona este problema.

V V Ln D 1
D T
I

18

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DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA

Tabla de algunos dispositivos rectificadores

Silicio
VF: 0.7-2V

Schottky
VF:0,2-0,8V
Rapidos

Media tensin

Alta tensin
VF: 6-20V

Corriente

Voltage

referencia

Tipo / capsula

1A

1000 V

1N4007

axial

3A

1000 V

1N5408

axial

2A

400 V

2KBB40

puente 4 diodos

25 A

1000 V

26MB100

Puente 4 diodos

60 A

600 V

1N2128A

tornillo

1A

40 V

1N5819

axial

3A

40 V

1N5822

axial

20 A

60 V

MBR4060

doble TO220

40 A

100 V

STPS40H100

doble TO3P

200 A

100 V

203CNQ100

Mdulo - doble

440 A

45 V

444CNQ45

mdulo - doble

3A

1300 V

SKa3/13

axial

3A

1700 V

SKa3/17

axial

750 A

6500 V

MDM750H65

mdulo doble (VF = 4 V max)

0,35 A

15 KV

HV03-15

axial

0.35 A

16 KV

HVM16

axial

0.02 A

24 KV

GHV-24

axial

19

Dispositivo de 4 capas PNPN

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RECTIFICADOR controlado: TIRISTOR

20

Una vez iniciada la conducin no necesita corriente de puerta

Electrnica de Potencia

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RECTIFICADOR controlado: TIRISTOR

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Electrnica de Potencia

RECTIFICADOR controlado: TIRISTOR

Zonas de disparo y de corte

Curva I-V del tiristor

22

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RECTIFICADOR controlado: TIRISTOR

Caractersticas de disparo
Para disparar el SCR hay que introducir corriente + IG de la
puerta al catodo, para que el disparo sea efectivo, se deben de
cumplir dos condiciones:
1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

Electrnica de Potencia

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo

sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento

IA

IG

ILATCHING

Zona de
Ningn

disparo

SCR se

seguro

Se apaga

dispara
VGK

Sigue
conduciendo

IG

No se garantiza el disparo
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RECTIFICADOR controlado: TIRISTOR

Ejemplo de funcionamiento V
1

RCARGA

V1

Disparo

VR

Electrnica de Potencia

Disparo

VT

VR

VT

La caida VT en conduccin es
del orden de 1 voltio a mxima
corriente
24

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TRIAC
Funciona como un tiristor
Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero
Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos

Electrnica de Potencia

Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1

T2

Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia en corriente alterna,

como regulacin de lamparas de filamento, motores monofasicos etc.

Especificaciones tpicas

200, 400, 600, 800, 1000 V

1- 50 A

25

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TRIAC

Ejemplo

Control de
potencia

RL (Carga)
C

Comp. con
Histresis

VG
R

Electrnica de Potencia

Nivel de
comparacin

VRL

: ngulo de disparo
Controlando el ngulo de
disparo se controla la
potencia que se le da a RL
A este tipo de control se
le llama control de fase

VComp

VG
26

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DIAC
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensin caracterstica VDIAC
que suele ser de 30 V.
Es totalmente simtrico

Electrnica de Potencia

470K
220V

100nF
400V

BT136
DB3

Aplicaciones: se suele

DB3TG

usar para disparar TRIACs

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GTO
K
G

Gate Turn-Off Thirystor

En muchas aplicaciones, el hecho de no poder
apagar el SCR es un grave problema
El GTO solventa ese inconveniente
Con corriente entrante por puerta, se dispara

Electrnica de Potencia

Con corriente saliente por puerta, se apaga

Se han modificado algunos parmetros constructivos para

poder apagarlo por puerta
El GTO es bsicamente igual que un SCR
Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.
Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR
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TIRISTORES, TRIACS Y DIACS

Tabla con algunos dispositivos comerciales

Electrnica de Potencia

Tiristores

Mdulos
Tiristores

Triacs

Diacs

Corriente

Voltage

referencia

Tipo / capsula

0,5 A

200 V

2N5064

TO92

6,5 A

800 V

VS10TT

TO220

13 A

600 V

BT152

TO220

50 A

1200 V

50RIA

TO65 (tornillo)

78 A

1800 V

SKT50

UNF -28 (tornillo)

1200 A

1800 V

SKT1200

TO200AD (botn)

32 A

1500 V

MCC26

Mdulo doble

170 A

2000 V

VSK170

Mdulo doble

300 A

1800 V

MCC310

Mdulo doble

500 A

1600 V

VSK500

Mdulo doble

4A

600 V

BT136-600

TO220

6A

600 V

BTA06-600

TO220

8A

600 V

BTA08-600

TO220

40 A

800 V

BTA40

RD91 TO3P

2 APR

VBO: 32V

DB3TG

axial

2 APR

VBO: 32V

BR100

axial

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IGBT
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Este dispositivo aparece en los aos 80
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensin y no por corriente

Electrnica de Potencia

C
MOSFET

Bipolar

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET), manejo de grandes
potencias: locomotoras..
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
30

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IGBT

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

Electrnica de Potencia

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V

En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

31

Caractersticas dinmicas

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IGBT

La base del bipolar no del accesible

La circuitera exterior no puede solucionar el
problema de la eliminacin de los minoritarios
de la base

Electrnica de Potencia

Circuito equivalente del IGBT

Esto da lugar a la llamada
cola de corriente
(current tail)
Problema: aumento de
prdidas de conmutacin

C
G
E

En ocasiones, el encapsulado incorpora

internamente un diodo
Cola de corriente

32

Evolucin tecnolgica de Mos de seal para manejar

altas corrientes.
Resistencias Drenador-fuente del orden de m en ON

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PowerMos

33

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PowerMos
Parmetros fundamentales
para seleccionar un MOSFET:
Tensin de ruptura
Corriente mxima

Electrnica de Potencia

Tensin colector-emisor
en saturacin
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Media tensin

Alta tensin

250 V

600 V

300 V

900 V

(Poco usuales)

1200 V
34

Electrnica de Potencia

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PowerMos

Diagrama de
funcionamiento
dinmico

35

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Electrnica de Potencia

Transistor Bipolar de Potencia

B

Se usa en algunas aplicaciones lineales hasta 5

Kwatios paralelizando dispositivos (audio y
reguladores lineales).
Poco extendido en aplicaciones como interruptor,
que son la base de la electrnica de potencia, por
estar en desventaja frente a PWMOS e IGBTs,
debido a la poca ganancia de corriente de estos
dispositivos (15<<50).

36

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Electrnica de Potencia

Tecnicas de excitacin de dispositivos

En electrnica de potencia, es muy comn que los
dispositivos funcionen como interruptor, con el fin de
optimizar la eficiencia energtica de los sistemas.
Hay diversas configuraciones tpicas y para ello lo
fabricantes han desarrollado circuitos integrados
especficos (driver) para excitar a los dispositivos de
potencia.

CONTROL

CONTROL

37

Permite el control de IGBs individuales o en mdulos,

detecta sobrecorrientes y tensiones de funcioamiento
bajas. Esta optimizado para el control de motores e
inversores.

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Driver de IGBTs

38

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Driver de PWMOS
Configuracin en semipuente, muy usada en
aplicaciones PWM (modulacin por anchura de
pulsos), para control de motores en corriente contnua
Vcc

Vcc

CARGA

CARGA
H

Electrnica de Potencia

L
CONTROL

CONTROL

IR2104
TECNOLOGIA BOOTSTRAP

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IGBTs y POWERMOS
Tabla con algunos dispositivos comerciales

Electrnica de Potencia

IGBT

POWER
MOS

Corriente

Voltage

referencia

Tipo / capsula

40 A

1200 V

NGTB40N

TO247

150 A

1200 V

GT150TG

MODULO-SEMIPUENTE

220 A

1200 V

IRG7PSH73

TO274AA

400 A

600 V

GA400TD

MODULO - SEMIPUENTE

1200 A

1700 V

MBN1200E17

MODULO - SEMIPUENTE

3600 A

1700 V

MBN3600E17

MODULO - TRIPLE

750 A

6500 V

MBN750H65

MODULO - TRIPLE

14 A

100 V

IRF530

TO220

58 A

30 V

IRF6722

Direct-FET

190 A

60 V

IRFB3006

TO220

200 A

100 V

SMK111AR

Mdulo simple

40