MOSFET

Los MOSFET son transistores de efecto de campo semiconductor de xido metlico y se

dividen en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los trminos
empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo bsico de operacin. Como hay
diferencias en las caractersticas y operacin de los diferentes tipos de MOSFET, se
abordan en secciones distintas.
Operacin del MOSFET
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la
compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje y la fuente.
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente y el drenaje son
atrados a la compuerta y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos
electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre
el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de
corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una
tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del
drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N
que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente.
La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin
aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no
hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es
controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

Polarizacin del MOSFET

Polarizacin del MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET canal n de enriquecimiento o incremental requiere un voltaje positivo en la
compuerta, Este puede ser polarizado de acuerdo al circuito indicado en la Fig. 2a.
Luego, planteando la malla de entrada y la malla de salida en la Fig. 2b. se tiene

Fig. 2. Polarizacin del MOSFET incremental

V DD =i G R G +V GS +i D R S

(1)

V DD =i D R D +V DS +i D RS
(2)
Donde de (1) se obtiene la recta de la carga de salida

iD =

V DS
V DD
+
R D + R S R D + R S . Luego

usando la ecuacin de funcionamiento del MOSFET para zona activa se completa el

sistema de ecuaciones.

i D =K (V GSV T )2
(3)
Dado

i G=0 , el sistema se amplifica

V DD =V GS +i D R S
(4)

Fig. 3. Punto de operacin de MOSFET.

Donde de (4) se obtiene la recta de carga de entrada

Para un punto de operacin (

iD =

V GS V DD
+
RS
RS .

I DSQ ,V DSQ , en conjunto con el voltaje umbral

la constante de fabricacin K, el sistema (3) y (4) se determina

Finalmente usando (2) se determina

RS

VT

V GS .

RD .

Polarizacin alternativa de MOSFET de acumulacin.

El siguiente circuito de la Fig. 4a usa un divisor de voltaje para alimentar la compuerta.
La fuente queda conectada a tierra.

Fig. 4. Polarizacin alternativa del MOSFET.

Redibujando la malla de entrada, se tiene el circuito de la Fig. 4b. Planteando la malla
de entrada.

V TH =i G RTH +V GS

(5)

V DD =i D R DD +V DS
(6)
Donde

V TH =

R2
V
R1 + R2 DD

RTH =R 1 R2

Usando

i D =K (V GSV T )2
(3)
El sistema queda completo. Para el diseo es requerido un valor para

RTH , el cual

acostumbra a tomar un valor alto por lo general en torno a 1[M]. Dado que
el sistema se simplifica, pues

V GS

i G = 0,

V TH . Al igual que en la configuracin

anterior, son requeridas las constante K y el voltaje umbral

VT .

Circuito de polarizacin universal del MOSFET de empobrecimiento.

A modo de complemento se ha incorporado un circuito con un MOSFET de
empobrecimiento o de deplexin. Esta configuracin es de tipo polarizacin universal.
Sea el circuito de la figura 5, donde:

V TH =

R2
V
R1 + R2 DD

(7)

RTH =R 1 R2

(8)

Fig. 5. Circuito de polarizacin universal para MOSFET canal n.

Para la malla de entrada, dado

i G=0 , se tiene

V TH =V GS+i D RS
(9)

iD =

V GS V TH
+
RS
RS

(10)
Para la malla de salida

V DS =V DD( R S + R D )i D
(11)
Como este FET tambin usa la relacin de Schockley para definir la corriente

iD ,

para un circuito dado se puede trazar una recta de carga para la malla de entrada, que
establece el punto Q, de acuerdo a la Fig. 6.
Por otro lado, para un punto Q dado, ms
diseo.

V DD ,

V TH

RTH , se obtiene el

Aplicacin del MOSFET

MOSFET tipo E:
El MOSFET de enriquecimiento se usa mucho, tanto en circuitos discretos como
integrados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia, que significa
conectar y desconectar corrientes grandes. En circuitos integrados, su uso principal es
en conmutacin digital, proceso bsico que fundamenta los ordenadores modernos.
MOSFET tipo D:
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
-

Resistencias controladas por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.