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I.
OBJETIVO:
-
II.
FUNDAMENTO TERICO:
El fenmeno de emisin de luz est basado en la teora de bandas,
por la cual, una tensin externa aplicada a una unin p-n polarizada
directamente, excita los electrones, de manera que son capaces de
atravesar la banda de energa que separa las dos regiones.
Si la energa es suficiente los electrones escapan del material en
forma de fotones.
Cada material semiconductor tiene unas determinadas
caractersticas que y por tanto una longitud de onda de la luz
emitida.
Teora de bandas
En un tomo aislado los electrones pueden ocupar determinados niveles
energticos pero cuando los tomos se unen para formar un cristal, las
interacciones entre ellos modifican su energa, de tal manera que cada nivel
inicial se desdobla en numerosos niveles, que constituyen una banda,
existiendo entre ellas huecos, llamados bandas energticas prohibidas, que
slo pueden salvar los electrones en caso de que se les comunique la energa
suficiente.
En los aislantes la banda inferior menos energtica (banda de valencia) est
completa con los e- ms internos de los tomos, pero la superior (banda de
conduccin) est vaca y separada por una banda prohibida muy ancha (~ 10
eV), imposible de atravesar por un e-. En el caso de los conductores las
electrones.
Led Rojo
Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un
complejo de ZnO, cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su
luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led
funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad,
utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos porttiles.
El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin de
Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato
de GaAs, por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los Led de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en
este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as como luz de longitud de
onda ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de la banda
prohibida
mediante
el
aumento
de
fsforo
en
el
semiconductor.
Su fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento
epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la unin p-n se realiza por
difusin
de
Zn.
Como novedad importante en estos Leds se mezcla el rea emisora con una
trampa isoelectrnica de nitrgeno con el fin de mejorar el rendimiento
Led Verde:
del
cristal
en
fase
lquida
para
formar
la
unin
p-n.
Al igual que los Leds amarillos, tambin se utiliza una trampa isoelectrnica de
nitrgeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de Led posee
una baja probabilidad de transicin fotnica, es importante mejorar la
cristalinidad de la capa n. La disminucin de impurezas a larga la vida de los
portadores,
mejorando
la
cristalinidad.
III.
- Un protoboard
IV.
PROCEDIMIENTO:
-
utilizar.
Conectar los tres diodos en serie adems en serie un resistor de
carbn de 330 para evitar que los diodos se quemen.
Circuito N1
-
Circuito N2
-
I T =I 1+ I 2 + I 3
DATOS EXPERIMENTALES:
LED
D
Rojo
I (mA)
1.9
V (V)
1.895
1
LED
2
LED
3
R
Amarillo
1.9
1.905
Verde
1.9
3.160
1.9
2.380
I (mA)
V (V)
Rojo
1.55
1.90
Rojo
2.60
1.90
Rojo
1.30
1.90
6.15
7.33
Tabla #01
LED
1
LED
2
LED
3
R
Tabla #02
V.
CUESTIONARIO
de
corriente
elctrica)
sin
diferencia
de
potencial
(E).
a 1ohmnio.
8. En el circuito de la figura adjunta, determine la tensin del generador,
sabiendo que la tensin entre los resistores de 40 k es de 20 V.
Trabajando los datos con las teoras y conceptos aprendidos en clase decimos
que: al ser dos resistencia en paralelo se obtiene la resistencia equivalente de
20 ohmnios, luego aplicando ley de ohm una intensidad de corriente de 1mA la
cual circula en la primera malla. Si se aplica el mtodo de mayas fcilmente se
obtiene para la fuente un valor aproximado de 224V.
CONCLUSIONES:
-
BIBLIOGRAFA:
Boylestad, R. L. (2004). Introduccion al analisis de circuitos electricos. Prentice
Hall.