MATERIAIS CONDUTORES

+v

-v

So materiais que na ltima camada os eltrons esto

fracamente ligados ao ncleo
Sabe-se que o sentido da corrente eltrica contrria ao
sentido dos eltrons livres dentro de um condutor aplicando
uma ddp entre suas extremidades.
Material tem uma resistividade eltrica baixa , ocasionando
baixa resistncia

MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que na ltima camada os eltrons esto fortemente
ligados ao ncleo, motivo da criao de uma corrente eltrica
dentro desses materiais.
Material tem uma resistividade eltrica alta, ocasionando alta
resistncia
Os isolantes podem se tornar condutor a partir de uma certa
tenso, por mais que eles estejam ligados ao ncleo vo se soltar
e gerar uma corrente, devido a uma alta tenso.

MATERIAIS SEMI CONDUTORES

So materiais que tem uma condutividade mdia, isto , no
so muito bons condutores e nem muito bons isolantes.
Material semi condutor basicamente isolante, no tem elivres.
A tenso de rompimento para se tornar condutor um pouco
menor, que no vai influenciar na anlise de um circuito.
O que ir influenciar processo de dopagem dos materiais
semi condutores.

O que um diodo?

Um diodo o tipo mais simples de semicondutor. De modo geral, um

semicondutor um material com capacidade varivel de conduzir corrente
eltrica. A maioria dos semicondutores feita de um condutor pobre que
teve impurezas (tomos de outro material) adicionadas a ele. O processo de
adio de impurezas chamado de dopagem.
Diodos emissores de luz, conhecidos como LEDs, so
verdadeiros heris no reconhecidos no mundo da eletrnica.
Eles fazem vrios trabalhos e so encontrados em todos os
tipos de aparelhos. Eles formam os nmeros em relgios
digitais , transmitem informaes de controles remotos,
iluminam relgios e informam quando suas ferramentas esto
ligadas. Agrupados, eles podem formar imagens em uma tela
de televiso gigante ou lmpada incandescente normal.
Basicamente, os LEDs so lmpadas pequenas que se
ajustam facilmente em um circuito eltrico. Mas diferentes de
lmpadas incandescentes comuns eles no tm filamentos
que se queimam e no ficam muito quentes. Alm disso
eles so iluminados somente pelo movimento de eltrons em
um material semicondutor, e duram tanto quanto um
transistor padro

PROCESSO DE DOPAGEM
Os principais semicondutores utilizados so o Germnio(Ge) e o Silcio(Si).
Na ltima camada eles tem 4 eltrons de valncia ligadas ao ncleo.

Um diodo o tipo mais simples de semicondutor. De modo geral, um

semicondutor um material com capacidade varivel de conduzir
corrente eltrica. A maioria dos semicondutores feita de um condutor
pobre que teve impurezas (tomos de outro material) adicionadas a ele.
O processo de adio de impurezas chamado de dopagem.

Na juno, eltrons livres do material tipo-N preenchem buracos do material tipoP. Isto cria uma camada isolante no meio do diodo, chamada de zona vazia.

Para se livrar da zona vazia, voc precisa que eltrons se movam da rea tipo-N
para a rea tipo-P e que buracos se movam no sentido inverso. Para fazer isto,
voc conecta o lado tipo-N do diodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P
ao terminal positivo. Os eltrons livres no material tipo-N so repelidos pelo
eletrodo negativo e atrados para o eletrodo positivo. Os buracos no material tipo-P
se movem no sentido contrrio. Quando a diferena de potencial entre os eletrodos
alta o suficiente, os eltrons na zona vazia so retirados de seus buracos e
comeam a se mover livremente de novo. A zona vazia desaparece e a carga se
move atravs do diodo.

Quando o terminal negativo do circuito preso camada tipo-N e o terminal

positivo preso camada tipo-P, eltrons e buracos comeam a se mover e a
zona vazia desaparece

e voc tentar mover a corrente no sentido oposto, com o lado tipo-P conectado ao
terminal negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao plo positivo, a corrente
no fluir. Os eltrons negativos no material tipo-N so atrados para o eletrodo
positivo. Os buracos positivos no material tipo-P so atrados para o eletrodo
negativo. Nenhuma corrente flui atravs da juno porque os buracos e os eltrons
esto cada um se movendo no sentido errado. A zona vazia ento aumenta.

Quando o terminal positivo do circuito est ligado camada tipo-N e o terminal

negativo est ligado camada tipo-P, eltrons livres so coletados em um terminal
do diodo e os buracos so coletados em outro. A zona vazia se torna maior.

O Dodo, que composto por uma Juno p-n, pode ser considerado um dos mais
simples e dos mais importantes elementos electrnicos. um dispositivo de dois
terminais, Figura 1a. A Figura 1b representa o seu esquema simblico, onde o
terminal "+" se designa por nodo e est ligado Regio p, e o terminal "-" se
designa por Ctodo e est ligado Regio n. O Dodo opera em trs estados
distintos: Polarizao Direta, Polarizao Inversa

Dodo

Esquema Simblico de um Dodo

Chegam a quase ser isolantes.

Se colocar um fio com este material a corrente ser baixssima,
dependendo da tenso a ser armazenada.
DOPAGEM : Processo de inserir 1 elemento diferente a cada 10milhes
de tomos de silcio.
Este elemento ter um e- a mais ou um e- na ltima camada de valncia .
Existem dois tipos de dopagem ( tipo P e a do tipo N )
Na do tipo N ir inserir um material que tenha um tipo de eltron
sobrando. Se tem e sobrando , os eltrons iro pular de uma camada
para outra, como se fosse uma pequena corrente eltrica se deslocando.
Na do tipo N ir inserir um material que tenha um tipo de eltron
faltando, assim teremos uma corrente eltrica com portadores positivo(
ncleo do tomo fixo e no se movimenta devido a corrente eltrica,
esta corrente eltrica feita por LACUNA (falta de eltron ). A lacuna se
deslocando , a corrente se deslocar.

Exemplo:
O tomo de Boro que tem 3 eltrons na ltima camada de valncia ,
quando dopado do silcio da origem ao semicondutor tipo P, conforme
a figura abaixo.

A Juno PN
A juno PN o elemento bsico na construo de quase todos os
dispositivos da eletrnica tais como diodos, transistores, clulas
solares, LEDs e circuitos eletrnicos.

OBS: A dopagem das duas regies a mesma, isto , ND=NA

Difuso
A diferena de concentrao de portadores entre dois pontos
provoca um fluxo de cargas. Esse fenmeno anlogo difuso
de gases e por isso chamada de corrente de difuso.

Formando a Juno Corrente de Difuso

Quando as duas regies so colocadas em contato, devido diferena de
concentrao aparece uma corrente: de eltrons indo da regio N para a P e
de lacunas da regio P para a N corrente de difuso

Juno PN no Equilbrio
A corrente de difuso provoca o aparecimento da regio de carga espacial (r.c.e)
que livre de cargas livres, existindo somente ions da impureza, negativo do lado P
e positivo do lado N.
Associado s cargas dos dois lados da juno aparece uma tenso chamada de
barreira de potencial de aproximadamente 0,7V no caso do Si e 0,3V do Ge.

No equilbrio a soma das correntes atravs da juno nula: Is + ID=0

ID= corrente de difuso (portadores majoritarios, lacunas no lado P e eletrons livres
No lado N
IS= corrente reversa de saturao (portadores minoritarios, eletrons livres do lado P
lacunas do lado N)

A Juno PN em Polarizada Reversamente

Com polarizao reversa ( plo positivo da bateria ligado no lado N e plo
negativo do P) a regio de carga espacial aumenta , aumentando a barreira
de potencial.
A corrente de difuso (portadores majoritrios se anula), s existe a
corrente reversa de saturao, Is, de portadores minoritarios.
Se a dopagem a mesma dos dois lados a largura da r.c.e ser a mesma
dos dois lados da juno.

A corrente externa vale: I=Is (nA para Si e uA para Ge)

A Juno PN Polarizada Diretamente

Com polarizao direta ( plo positivo da bateria ligado no lado P e plo
negativo do N) a regio de carga espacial diminui , diminuindo a barreira de
potencial se a tenso aplicada externa for maior que 0,6V (Si) e 0,3V(Ge).
A corrente de difuso (ID) de portadores majoritrios aumenta.

A corrente externa vale: I=ID IS=ID

O Diodo de Juno
O diodo de juno essencialmente uma juno PN na qual foram adicionados
os terminais e feito um encapsulamento adequado

Modelos do Diodo

Modelar um dispositivo eletrnico, usar componentes bsicos tais como

resistncias, fontes de tenso, fontes de corrente e capacitncias para
represent-lo, permitindo desta forma que possamos usar as leis de circuito para
estud-lo.

Para cada situao usado um modelo. No caso do diodo na maioria das

vezes o modelo usado o ideal.

Modelo 1 - Diodo Ideal

O modelo mais simples do diodo considera-o como sendo uma chave que
controlada pela tenso aplicada no diodo. Se a tenso positiva a chave fecha,
se negativa a chave abre. O diodo se comporta de forma ideal

O erro da ordem de 3%.

Modelo 2 Bateria
Neste caso o diodo quando em conduo ser considerado uma bateria de
0,6V ou 0,7V

O erro da ordem de 3%

Modelo 3 - Bateria e Resistncia

O modelo representativo do diodo em conduo pode ser melhorado
considerando a resistncia do corpo do diodo (RD),

O erro pode ser diminudo considerando um valor adequado de resistncia direta (RD).

Equao Caracterstica

v
.VT
i f(v) IS .(e
1)
Is corrente reversa de saturao
uma constante que pode variar entre 1 e 2 dependendo de aspectos
construtivos do diodo
VT depende da temperatura cujo valor calculado por

k.T
VT
q
k=constante de Boltzmann=1,38.10-23J/oK

T(oK)=273+ T(oC)

q=valor da carga do eltron=1,6.10-19C

Para a temperatura de 25oC o valor de VT de aproximadamente 25mV

01.

02.

Com diodo invertido

03.

04.

05.

06.

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