INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL UNIDAD PROFESIONAL EN

INGENIERA Y TECNOLOGAS AVANZADAS

Plan de
Carrera
Nombre de la asignatura
estudios
Ingeniera Mecatrnica
Modelado y Simulacin de
2009
Sistemas Mecatrnicos
Academia de Sistemas
No. De
Practica

Nombre de la Practica: Modelado Por Bond Graph sistema elctrico

Laboratorio: Computo VIII

Profesor: M. en C. Juan Carlos Guzmn Salgado
Alumno: Rodrguez Huerta Roberto

Contenido
Introduccin: ............................................................................................................................... 1
Competencias: ........................................................................................................................... 1
Fundamentos: ............................................................................................................................ 2
Desarrollo: .................................................................................................................................. 2
Actividad 1. ............................................................................................................................. 3
Simulacin: ................................................................................................................................. 4
Conclusiones: ............................................................................................................................. 8
Referencias: ............................................................................................................................... 8

Introduccin:
En esta prctica se realizar el modelado y simulacin de un sistema elctrico para estudiar su
comportamiento dinmico.

Competencias:
a) El alumno aplicar los principios de modelado en el dominio elctrico.
b) El alumno analizar el comportamiento dinmico del sistema.
c) El alumno comparar los resultados obtenidos de la simulacin.

Fundamentos:
Vamos a revisar los sistemas en el dominio elctrico, dado que es importante que los
estudiantes entiendan las tcnicas y dominen el proceso para ganar confianza en la
construccin de modelos con bond graphs.
En electricidad y tambin en electrnica el grato lleva asociado como esfuerzo la tensin
elctrica y como flujo la intensidad de corriente.
Para los sistemas elctricos se tiene otras consideraciones: pero cumplen las mismas
generalidades de los sistemas mecnicos que se vieron en la prctica previa.

Los diferentes tipos de elementos:

Existe un algoritmo para desarrollar el bond graph tras tener el circuito:

1. Asignar un nodo a tierra. por lo general se selecciona el extremo negativo de un fuente,
pero no es obligatorio.
2. Identificar los diferentes nodos. Las cuales se les asigna un nodo tipo 0.
3. Agregar los elementos entre voltajes con unin tipo 1
4. Se agregan las fuentes de voltaje con unin 1 y las fuentes de corriente con unin 0.
5. Se hacen las consideraciones necesarias para los elementos conectados a tierra
6. Seguido de las consideraciones para minimizar lo Bond Graph.

Desarrollo:
En esta prctica se realizar la simulacin del sistema elctrico siguiente:

Actividad 1.
Obtenga el modelo en Bond graphs y realice la simulacin. Grafique el voltaje en el capacitor
con los valores siguientes:
R=R1=1;
L=1H;
C=1 F
Simule para las siguientes fuentes de voltaje:
a) Escaln unitario
b) Onda cuadrada f= 1 rad/s
c) Onda senoidal f= 1 rad/s
Graficar en todos los casos el voltaje en el
capacitor

Simulacin:
1. Pulso:

2. Escaln:

model
1.5

Tension Capacitor
Fuente

0.5

time {s}

10

3. Seal Cuadrada:

model
1.5

Tension Capacitor
Fuente

0.5

time {s}

10

4. Senoidal:

model
Tension Capacitor
Fuente

-1

-2
0

time {s}

10

Conclusiones:
1. En la primera simulacin observa el comportamiento usual de la carga de un capacitor
(exponencial). Cuando se detiene la carga hay una descarga exponencial. Si la
comparamos con otra de las simulaciones podemos observar que el capacitor no llego a
su mximo potencial (como lo hace cuando larga se aplica ms de un segundo) esto se
debe a que su tiempo de establecimiento es mayor que el aplicado.
2. En esta simulacin el capacitor llega a su mximo despus de pi segundos de haberse
aplicado la energa de la fuente. A la vez que se puede apreciar que el arreglo de
resistencias iguales funciona como un divisor de voltaje a la mitad. A partir de su mximo
valor y que la fuente sigue aplicando de manera constante, el capacitor continua
entregando su carga igual.
3. El tiempo de establecimiento termina cuando llega a su voltaje mximo que recibe el
capacitor y coincide que solo ser requiere de un Duty Cycle de una seal de frecuencia
de un radian. Como lo vimos en la simulacin previa.
4. Esta simulacin es ms interesante demostrndonos el comportamiento del capacitor
ante una seal sinoidal. Se puede observar que no llega al voltaje mximo al que se
encuentra pues debido al tiempo de establecimiento justo antes de llegar a su mximo la
fuente comienza a proporcionar un voltaje menor por lo que recibe menos voltaje.
Como se ve la seal se vuelve ms lenta atraves del capacitor.

Referencias:

Apuntes de Clase.