Univ.

da Integrao Internacional da Lusofonia Afro-Brasileira

Instituto de Engenharias e Desenvolvimento Sustentvel
Engenharia de Energias
Disciplina: Lab. de Dispositivos Eletrnicos
Professor: Raphael Amaral
PRTICA N 05 TBJ OPERANDO COMO CHAVE
1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prtica projetar e analisar o funcionamento de um TBJ
como chave mediante simulao e experimentao.
2. INFORMAO TERICA
Fazendo uso da curva caracterstica do circuito de sada ilustrada na Figura 1, pode-se
projetar o circuito de tal forma que o TBJ tipo NPN comporte-se como uma chave, onde se
notam as regies de operao do componente quando em corte e quando em saturado. Em
regime de saturao forte, admite-se um ganho de corrente de projeto reduzido de tal forma que
um pequeno valor de corrente aplicado a base sature instantaneamente o componente.

Saturao

Corte

Figura 1. Curva caracterstica de sada.

Para um dado ponto de operao adotado, obtido a partir da interseo entre a curva de
carga e a curva caracterstica do circuito de sada, e interno a regio de operao segura, projetase o circuito com TBJ. A Eq. (1) permite determinar o valor da resistncia de base a partir de
uma corrente de base considerada, da mesma forma a Eq. (2) faz-se uso da curva caracterstica
de sada para determinar o valor da resistncia Rc.

Vbb Vbe
Ib

(1)

Vcc Vce SATU

. Ib

(2)

Rb

Rc
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO

O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.

Ic
Rc
Ib

Rb

Q1

Vcc

Vbb

0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:

Vcc

= 12

[V]

[Tenso contnua aplicada ao circuito de sada]; e

Vbb

= 2,2

[V]

[Tenso contnua aplicada ao circuito de entrada].

Para o projeto devem ser tratadas as seguintes consideraes:

Hfe = = 30

[Ganho de corrente do transistor];

Ib

[Corrente de base adotada];

VceSAT = 0,3

[V]

fc

= 10

[KHz] [Freqncia do sinal de entrada-onda quadrada]; e

Q1

BC546

= 100 [uA]

[Tenso de saturao do transistor];

[Transistor utilizado].

Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prtica so listados a seguir:

Osciloscpio (1);

Multmetro (1); e

Fonte de tenso CC (2).

5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a
montagem experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e

b) Simular o circuito no PSIM referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar

algumas formas de onda pertinentes e preencher o Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vbb e Vcc
desligadas.
b) Ligue a fonte Vbb, ajuste corretamente a sua tenso e aplique este sinal ao circuito de entrada
de forma a polarizar a juno base-emissor do TBJ, mantendo assim uma corrente de base
considerada; com outra fonte de tenso Vcc, ajuste a tenso desta para o valor considerado,
aplique ao circuito de sada e observe com o osciloscpio as formas de onda de tenso em Rc e
nos terminais Coletor-Emissor. Em seguida, esboce as formas de onda experimental para as
grandezas Vbb, Vce e VRc no Quadro 1.

Vbb(V)

t( )

Vce(V)

t( )

VRc(V)

t( )

Quadro 1. Formas de onda simulada e terica.

7. QUESTIONRIO
a) Traar as formas de onda de tenso experimental e simulada para o TBJ: Vbb, Vce e VRC.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas em (a) tomando como referncia o
comportamento do circuito e a curva caracterstica do circuito de sada.
c) Determine as perdas de conduo do TBJ usando a curva caracterstica Ic = f(Vce).
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.
e) Pesquisar a respeito das principais especificaes do TBJ encontradas na folha de dados dos
fabricantes de modo que o componente trabalhe como chave.
f) Pesquise aplicaes que fazem uso do TBJ funcionando como chave.