Sei sulla pagina 1di 72

Universidade Federal De So Joo Del Rei

Engenharia Mecatrnica
Trabalho de Contextualizao e Integralizao Curricular (TCIC II)

Implementao de um Conversor Monofsico Semicontrolado para o


Laboratrio de Ensino de Eletrnica de Potncia

Edson Martins de Oliveira


Magno Charles Da Silva
Washington Luiz Fontes Da Fonseca

Ouro Branco
2012

Universidade Federal De So Joo Del Rei


Engenharia Mecatrnica
Trabalho de Contextualizao e Integralizao Curricular (TCIC II)

Implementao de um Conversor Monofsico Semicontrolado para o


Laboratrio de Ensino de Eletrnica de Potncia

Orientador: Professor Alexandre Cndido Moreira


Co-Orientador: Professor Leandro Mendes de Souza

Ouro Branco
2012

SUMRIO
1 IDENTIFICAO ..................................................................................................................3
2 TTULO...................................................................................................................................3
3 OBJETIVOS............................................................................................................................3
4 INTRODUO......................................................................................................................4
5 REVISO BIBLIOGRFICA ................................................................................................4
5.1 Semicondutores ............................................................................................................................4
5.1.1. Diodos.....................................................................................................................................5
5.1.2 O tiristor ..................................................................................................................................6
5.1.3 Transistores .............................................................................................................................6
5.1.4. Diodo Zener............................................................................................................................8
5.2 Componentes resistivos .................................................................................................................9
5.2.1 Resistores ................................................................................................................................9
5.2.2 Potencimetros.......................................................................................................................9
5.3 Componentes eletrnicos ............................................................................................................12
5.3.1 Capacitores............................................................................................................................12
5.3.2 Placa protoboard..................................................................................................................13
5.3.3 TCA785 .................................................................................................................................14
5.3.4 Transformador de pulso........................................................................................................16
5.3.5 Pontes retificadoras .............................................................................................................17

6. ESTUDO DO SOFTWARE PROTEUS ..............................................................................19


7. DESENVOLVIMENTO.......................................................................................................27
8. LISTA DE COMPONENTES ..............................................................................................29
9. RESULTADOS EXPERIMENTAIS ...................................................................................30
10. CONCLUSES ..................................................................................................................33
11. REFERNCIAS .................................................................................................................34
12. ANEXOS ...........................................................................................................................35

1 IDENTIFICAO
Nome: Edson Martins de Oliveira.
Matrcula: 0944007-X.
Curso: Engenharia Mecatrnica - 7 perodo.
Email: edson.martins@ifmg.edu.br

Nome: Magno Charles Da Silva.


Matricula: 0944026-3.
Curso: Engenharia Mecatrnica - 7 perodo.
Email: magnocharles2006@yahoo.com.br

Nome: Washington Luiz Fontes Da Fonseca.


Matricula: 0944021-6.
Curso: Engenharia Mecatrnica - 7 perodo.
Email: washington_fonseca@hotmail.com

2 TTULO
Implementao de um Conversor Monofsico Semicontrolado para o
Laboratrio de Ensino de Eletrnica de Potncia.
3 OBJETIVOS
O objetivo especfico deste projeto consiste em implementar um conversor
monofsico semicontrolado para o laboratrio de ensino de eletrnica de potncia, que
possa ser utilizado no laboratrio de mquinas e acionamentos eltricos.

4 INTRODUO
Tem-se hoje uma enorme necessidade de variar a forma de energia fornecida
pelos consumidores, visto que existem inmeros utilitrios e ferramentas que
necessitam de uma fonte de energia.
No que se diz respeito s fontes de energia eltrica, existem vrias formas de
entregar a mesma ao usurio. Contudo, as concessionrias de energia eltrica ficam
limitadas s fontes alternadas e de uma nica frequncia.
Atualmente, as mais comuns so as fontes de tenso alternada monofsica e
trifsica. Sabe-se que a grande maioria de aparelhos eletroeletrnicos funciona com
tenses contnuas, logo o mtodo mais usado para resolver a diferena de fontes de
tenso atravs do retificador de tenso. Esse retificador funciona basicamente
transformando a tenso alternada em uma tenso continua.
Porm, torna-se necessrio a variao da intensidade da tenso continua de sada
de um retificador, logo, surge o retificador controlado, tema de estudo deste trabalho.
Segundo RASHID (1999) os retificadores com diodos fornecem apenas uma
tenso de sada fixa. Logo para obtermos tenses de sadas controladas necessrio a
utilizao de controle de fase com tiristores em vez de diodos.

5 REVISO BIBLIOGRFICA
5.1 Semicondutores
Segundo BOYLESTAD; NASHELSKY (2004) h mais de meio sculo foi
introduzido o primeiro transistor. Antes disso, tinham-se as vlvulas termoinicas que
eram o centro das discusses nos livros de circuitos e eletrnica. Pouco se compara as
vlvulas com os dispositivos de estado slido (semicondutores), pois, estamos
definitivamente no ltimo.
Reassaltam os autores ainda que hoje existem os famosos microchips que
possuem nada menos que dez milhes de transistores em um centmetro quadrado, o
que possibilita um circuito integrado (CI) muito mais eficiente e de prtica utilizao. A
atual gerao apresenta cada vez mais computadores que se tornaram menores e mais
rpidos, graas a uma evoluo tecnolgica muito importante, os semicondutores.

5.1.1. Diodos
Segundo SEDRA; SMITH (2007) o diodo o mais simples dos dispositivos
semicondutores, mas sua simplicidade no o torna dispensvel nos projetos eletrnicos
e sim um elemento crucial para muitos CIs. Em suma, o diodo funciona como uma
chave que libera passagem de corrente em um sentido do circuito (curto-circuito) e
impede o fluxo de carga no sentido oposto ao permitido (circuito aberto).
Afirmam os autores ainda que o diodo um elemento que possui como
caracterstica a no-linearidade. Das vrias aplicaes a mais comum o projeto de
retificadores, o qual converte corrente alternada em corrente contnua, sendo esse o
projeto tratado neste trabalho.
Como o prprio nome sugere, semicondutores so materiais que tem um nvel de
condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor. O terminal positivo
do diodo chamado de anodo e o terminal negativo, catodo.
Segundo FITZGERALD; KINGSLEY JR.; UMANS (2006) um diodo real
limitado pela tenso negativa que pode suportar. Conhecida como tenso inversa de
ruptura1, essa a tenso inversa mxima que pode ser aplicada ao diodo antes que
comece a conduzir corrente inversa.
O diodo a mais simples das chaves de potncia no sentido de que ele no
pode controlado; ele simplesmente entra em conduo quando uma corrente
positiva comea a fluir e bloqueado quando a corrente comea a inverter de
sentido. (FITZGERALD; KINGSLEY JR.; UMANS, 2006).

a)

b)

Figura 1 (a) Esquema do diodo (b) Diodo comercial.


1

N. de T.: Reverse-breakdown voltage , em ingls.

5.1.2 O tiristor

O tiristor Silicon Controlled Rectifier o dispositivo eletrnico destinado a


aplicaes de potncia elevada. um dispositivo de tecnologia bipolar com trs
terminais: nodo, ctodo e gate.
O seu funcionamento assemelha-se ao de um diodo, pois uma das condies para
que entre em conduo encontrar-se polarizado diretamente, (i.e. a tenso nodo
ctodo ser positiva).
Outra condio necessria para que um tiristor entre em conduo, consiste na
aplicao de um impulso de tenso com amplitude e durao determinadas, entre o
terminal de controlo (gate) e o ctodo.
, portanto, um dispositivo comandado conduo. O tiristor existe no mercado
numa vasta gama de tenses e de correntes podendo dividir-se em duas categorias:
tiristores lentos para aplicaes de baixa frequncia e potncia elevada, utilizados em
retificadores, cujos tempos de comutao atingem os 500ms, e tiristores rpidos de
tempos de comutao menores que 50ms, com limites de operao mais baixa.

a)

b)
Figura 2 (a)Tiristor comercial (b) Esquema do tirirstor.

5.1.3 Transistores

Segundo FITZGERALD; KINGSLEY JR.; UMANS (2006), em circuitos de


eletrnica de potncia, em que necessrio controlar tenses e correntes, comum
escolher os transistores de potncia como chaves controladas.

Embora uma srie tipos esteja disponvel considerar-se- apenas o transistor de


efeito de campo de metal-xido-semicondutor (MOSFET). MOSFETs so dispositivos
de trs terminais que sero referidos como fonte, dreno e gatilho. O sinal de controle a
tenso entre o gatilho e a fonte (source), vGS.
Para uma tenso positiva vDS entre dreno e fonte, nenhuma corrente ir fluir
para valores de vGS inferiores a uma tenso de limiar 2, indicada pelo smbolo vT.
Quando vGS ultrapassa vT , a corrente de coletor dreno iD crescer a medida que vGS
aumentar. Nenhuma corrente de dreno ir fluir para uma tenso negativa entre dreno e
fonte.
Finalmente, o MOSFET deixar de funcionar se a tenso entre dreno e fonte
exceder seus limites de ruptura e devido a uma tenso excessiva entre gatilho e fonte,
assim como tambm devido a uma excessiva de dreno. Essas situaes levam a uma
dissipao excessiva de potncia no dispositivo.
O mesmo pode ser ligado em diversas configuraes dependendo do objetivo de
sua utilizao. Entre as aplicaes mais comuns temos o controle de corrente,
amplificador de sinais e casamento de impedncias. Neste projeto utilizamos o
transistor BC517 para fazer um casamento de impedncias.

a)

b)

Figura 3 (a)Transistor comercial (b) Esquema do transistor.

N. de T.:Thereshold voltage, em ingls.

5.1.4. Diodo Zener

Segundo BOYLESTAD; NASHELSKY (2004), os diodos Zener possuem uma


corrente no sentido oposto ao de um diodo polarizado diretamente. Para se controlar a
localizao da regio Zener basta variar os nveis de dopagem.
Um aumento na dopagem, que produz um aumento no nmero de impurezas
adicionais, diminuir o potencial Zener. Diodos Zener so disponveis apresentando
potenciais Zener de 1,8 a 200 V, com especificaes de potncia de a 50W.
Em funo de esses diodos operarem em altas temperaturas e altos valores de
corrente, o silcio mais utilizado em sua fabricao.
O dodo zener quando polarizado inversamente (nodo a um potencial negativo
em relao ao ctodo) permite manter uma tenso constante aos seus terminais (UZ)
sendo por isso muito utilizado na estabilizao/regulao da tenso nos circuitos.
Na Figura 4 pode-se ver a regio Zener , h um ponto em que a aplicao de
uma tenso suficientemente grande negativa resulta em uma mudana brusca na curva
caracterstica. A corrente aumenta a uma taxa muito rpida no sentido oposto ao da
regio de tenso positiva. O potencial de polarizao reversa que resulta dessa mudana
brusca na curva caracterstica chamado de potencial Zener e dado pelo smbolo Vz.

Figura 4 (a) Regio Zener.

5.2 Componentes resistivos


5.2.1 Resistores

Resistores so componentes que tem por finalidade oferecer uma oposio


passagem da corrente eltrica, atravs de seu material. A essa oposio damos o nome
de resistncia eltrica, que possui como unidade o Ohm ().
Os resistores so classificados em dois tipos: fixos e variveis. Os resistores
fixos so aqueles cuja resistncia no pode ser alterada, enquanto as variveis tm a sua
resistncia modificada dentro de uma faixa de valores por meio de um cursor mvel.

Figura 5 (a) Resistores comercias.

5.2.2 Potencimetros
So resistores com uma derivao central. Assim, a resistncia entre seus dois
terminais extremos fixa em seu valor nominal (10 k - por exemplo).
J o valor de resistncia entre uma das extremidades e a derivao central
depender do posicionamento do cursor. Cria-se, ento, uma estrutura que pode ser
compreendida como dois resistores em srie, conforme mostra a Figura 6.

Figura 6 - Smbolo eletrnico de um potencimetro e seu equivalente - dois resistores


em srie com uma derivao central
Geralmente so utilizados de duas maneiras: como reostato ou como
potencimetro.
Reostato: o terminal central ligado a uma das extremidades do dispositivo. Com isso
ele

passa

atuar

como

um

resistor

varivel,

como

ilustra

Figura

7;

Figura 7 - Dispositivo no modo reostato.

Potencimetro: nesta configurao os trs terminais esto livres e podem ser


utilizados como um divisor de tenso, fornecendo uma tenso de sada proporcional a
tenso de entrada e a posio do cursor, veja a Figura 8.

10

Figura 8 - Dispositivo no modo potencimetro.


Potencimetros analgicos
Um potencimetro mecnico composto de uma pista de material resistivo
(filme carbono, fio de nquel, cermica com metal [cermet] etc.) por onde um eixo faz
deslizar uma terminao.
Este contato com a pista varia o valor da resistncia entre os terminais extremos
e o terminal central, como pode ser visto na Figura 9. A variao de resistncia
proporcional ao deslocamento do eixo do potencimetro.

Figura 9- Potencimetro aberto e seu mecanismo.

11

A preciso de funcionamento do potencimetro mecnico est diretamente


ligada ao tipo de material que utilizado na construo da pista e s caractersticas
mecnicas de contato entre o eixo central e a pista. Alguns inclusive utilizam pistas
mltiplas, de modo a melhorar a rea de contato e diminuir as chances de falhas na
medida.

Claro

que

isso

eleva

custo

de

produo.

Se o encapsulamento onde est o contato entre a pista e o eixo tem aberturas


(caso da maioria dos potencimetros), partculas de poeira comeam a se acumular na
pista, o que faz a resistncia de contato entre o eixo e a pista aumentar. Isto afeta o valor
de resistncia obtido, diminuindo a qualidade do dispositivo, alm de gerar rudos
indesejveis no sinal que sai do potencimetro.
5.3 Componentes eletrnicos
5.3.1 Capacitores
Tambm chamado de condensador, um dispositivo de circuito eltrico que tem
como funo armazenar cargas eltricas e consequente energia eletrosttica ou eltrica,
constitudo por dois condutores separados por um isolante: os condutores so chamados
armaduras (ou placas) do capacitor e o isolante o dieltrico do capacitor. Costuma-se
dar nome a esses aparelhos de acordo com a forma de suas armaduras. Assim temos
capacitor plano, capacitor cilndrico, capacitor esfrico etc.
Em nosso experimento utilizamos trs tipos de capacitores definidos como:
eletrolticos, cermicos e de polister.
Capacitores eletrolticos: esses capacitores so formados pela ao de um
eletrlito sobre uma placa metlica, geralmente alumnio. O eletrlito reage com o metal
produzindo uma finssima camada de material isolante. As placas deste tipo de capacitor
so a placa metlica de um lado e o eletrlito do outro. Como estes dois materiais
condutores esto separados por uma camada muito fina de isolante, este tipo de
capacitor apresenta grande capacitncia em dimenses relativamente pequenas.Uma
caracterstica importante dos capacitores eletrolticos que, quase sempre, eles
apresentam polaridade. Se esta polaridade for invertida o capacitor corre o risco de
explodir ou, pelo menos, ser irremediavelmente danificado.
Capacitores cermicos: geralmente so constitudos de um suporte tubular de
cermica, em cujas superfcies interna e externa so depositadas finas camadas de prata
s quais so ligados os terminais atravs de um cabo soldado sobre o tubo. s vezes, os
12

terminais so enrolados diretamente sobre o tubo. O emprego deste tipo de componente


varia dos circuitos de alta freqncia, com modelos compensados termicamente e com
baixa tolerncia, aos de baixa freqncia, como capacitores de acoplamento e de filtro.
Alm dos tubulares, podem ser encontrados capacitores na forma de disco e de placa
quebrada ou retangular.
Capacitores de polister: esses capacitores apresentam maior resistncia
mecnica, no um material higroscpico, suporta ampla margem de temperatura (-50
C a 150 C) com grande rigidez dieltrica. Por apresentar variaes de sua capacitncia
com a freqncia, no so recomendados para aplicao em dispositivos que operem em
freqncias superiores a MHz. Os valores tpicos so de 2pF a 10 F com tenses entre
30 e 1000 V.

Figura 10-representao esquemtica de capacitores e capacitores.

5.3.2 Placa protoboard

Protoboard uma placa contendo uma matriz de furos que contem uma conexo
eltrica linear para montagem de circuitos experimentais.
Na superfcie de uma matriz de contato h uma base de plstico em que existem
centenas de orifcios onde so encaixados os componentes.
Em sua parte inferior so instalados contatos metlicos que interligam
eletricamente os componentes inseridos na placa. Geralmente suportam correntes entre
1 A e 3 A. A grande vantagem em se usar uma protoboard na montagem de circuitos
eletrnicos a facilidade de insero de componentes (no necessita soldagem). As

13

placas variam de tamanho, conforme a quantidade de furos, e as conexes so verticais


e horizontais.

Figura 11-Circuito montado na placa protoboard.

Figura12-Representao esquemtica.
5.3.3 TCA785

Em diversos circuitos retificadores onde pretendido o controle das grandezas


de sada, necessitamos de um segundo circuito que realize o disparo controlado dos
dispositivos retificadores como SCRs, triacs entre outros. Como este circuito de

14

controle possui basicamente a mesma configurao para diferentes retificadores, ele foi
implementado em um circuito integrado, o TCA.
O circuito integrado TCA785, entre outras funes, dedicado ao controle do
ngulo de disparo de tiristores e pode vari-lo de 0 a 180. Com o auxlio de alguns
poucos componentes externos podemos montar um compacto e eficiente circuito de
disparo.

Figura 13- Representao esquemtica do TCA 85.

O TCA785 possui 16 pinos, neste trabalho utilizamos a seguinte configurao:

Pino 1 terra
Pino 5 tenso de sincronismo, conectado por meio de uma resistncia tenso de
entrada.
Pino 9 conectado a um potencimetro que em conjunto com o capacitor no pino 10
definem uma rampa de tenso de comparao que o TCA ir utilizar para definir os
disparos.

15

Pino 10 - conectado a um capacitor que em conjunto com o potencimetro no pino 9


definem uma rampa de tenso de comparao que o TCA ir utilizar para definir os
disparos.
Pino 11 conectado a um potencimetro que define uma tenso de controle.
Pino 12 conectado a um capacitor que define a extenso do pulso.
Pino 14 sada conectada ao gate dos tiristores.
Pino 15 - sada conectada ao gate dos tiristores.
5.3.4 Transformador de pulso
A diferena deste tipo de transformador para os transformadores convencionais
que ele alimentado apenas por um pulso de tenso. Sua principal finalidade isolar a
fonte do pulso da carga a ser acionada.
Alm de servir como um isolador, este dispositivo tambm pode corrigir a
intensidade do pulso aumentando ou diminuindo o seu valor.
Neste trabalho os transformadores de impulso foram utilizados para isolar uma
das sadas do CI TCA785 e aumentar a intensidades do pulso gerado para que fosse
possvel acionar o gate do tiristor.

Figura 14- Transformador de impulsos comercial.

16

5.3.5 Pontes retificadoras


Uma ponte retificadora um circuito constitudo por quatro diodos e ou
tiristores com o objetivo de converter uma tenso alternada para contnua. As pontes
retificadoras de onda completa podem ser no controladas ou controladas.
As pontes no controladas so constitudas apenas de diodos, como pode ser
visto na Figura 15, e a sada assume sempre um valor mdio fixo. Um exemplo de
aplicao para este tipo de ponte so as fontes de alimentao de notebooks e
carregadores de celular.
H algumas situaes em que se torna necessrio variar a tenso de sada da
ponte retificadora. Esta aplicao comumente utilizada para realizao do controle de
velocidade de motores de corrente contnua, aplicao essa amplamente utilizada em
indstrias, neste contexto que entram as pontes retificadoras controladas. Estas por sua
vez se dividem em semicontroladas e totalmente controladas.
Uma ponte totalmente controlada constituda de 4 tiristores como a da Figura
16C. Ela pode operar em dois quadrantes o que permite a tenso mdia na sada assumir
valores positivos ou negativos, dependendo do ngulo de disparo dos tiristores. As
pontes semicontroladas, como a desenvolvida neste trabalho, so constitudas de dois
tiristores e dois diodos. Elas podem operar apenas em um quadrante, ou seja, a tenso
mdia de sada s poder assumir valores positivos. Uma configurao de uma ponte
retificadora semicontrolada pode ser observada na Figura 17.
No semi-ciclo positivo o tiristor T1 est polarizado diretamente, quando ele
disparado em a carga conectada alimentao atravs de T1 e D2 durante o
intervalo de at . No prximo semi-ciclo a tenso de entrada inverte de polaridade
bloqueando T1 e polarizando diretamente T2, que passa a conduzir a partir do momento
em que disparado em + . Neste instante, a carga conectada fonte atravs de T2 e
D1 durante o intervalo que vai de + at 2, quando o semi-ciclo termina. Podemos
variar o ngulo de disparo dos tiristores dentro do intervalo de 0 a controlando o valor
da tenso de sada e consequentemente a potncia na carga.
O valor da tenso mdia V0 na sada do retificador varia conforme o valor do
ngulo de disparo dos tiristores, podendo assumir valores entre 0 e

, sendo que Vp

17

o valor da tenso de pico na entrada da ponte. Esse valor mdio da tenso de sada
pode ser calculado atravs da seguinte frmula:

A tenso eficaz

na sada pode ser obtida pela frmula abaixo, em que Vp o

valor da tenso de pico na entrada da ponte e o valor do ngulo em que feito o


disparo dos tiristores:

Podemos tambm calcular o valor da corrente eficaz Ief na entrada do retificador


desde que a corrente de carga I0 assuma um valor constante. Atravs da frmula
seguinte, onde o valor do ngulo em que ocorre o disparo dos tiristores, calcula-se o
valor de Ief:

Figura 15- Ponte retificadora no controlada de onda completa.

18

Figura 16 (a) Ponte retificadora semi-controlada simtrica. (b) ponte retificadora semicontrolada assimtrica. (c) ponte retificadora totalmente controlada.
6. ESTUDO DO SOFTWARE PROTEUS
Aps a realizao de diversas pesquisas foi encontrado o simulador do TCA 785
no software Proteus na internet.
O Software Proteus VSM (Virtual System Modeling) atualmente considerado
uma ferramenta essencial para estudantes e profissionais que desejam criar circuitos,
simular e elaborar lay-outs de aplicaes

analgicas

e digitais, inclusive

microcontroladores. No um software gratuito.


Podemos encontrar no software, indispensveis ferramentas para simulaes de
circuito como: osciloscpios, voltmetro, ampermetro, gerador de sinais (onda senoidal,
quadrada, triangular e dente serra), gerador de grficos, potencimetros dinmicos que
podem ser regulados em tempo real, fontes de tenses e de correntes alternadas e
contnuas, alm de uma completa biblioteca de componentes eletrnicos com
dimenses reais de sua estrutura fsica.No pacote Proteus, temos o programa ARES (
Advanced Routing and Editing Software), que uma interface especialmente elaborada
para criao de Lay-Outs de circuito impresso.Podemos construir um layout, ou
importar o arquivo netlist criado previamente no ISIS (Inteligent Schematic input
System).Aps certificar do funcionamento correto do circuito, basta usar o ARES para
que se crie automaticamente a melhor rota das trilhas do circuito.O ARES facilita muito
o processo de montagem e criao de rplicas de projetos.
Aps simular a ponte retificadora controlada pelo TCA785 Figura 17, criamos
com as ferramentas do ARES a melhor disposio e configurao do circuito, obtendo
19

como representado na Figura 18 o lay-out para placa de circuito impresso e a


representao dos componentes em trs dimenses como representado na Figura 19.

Figura 17- Circuito simulado no software Proteus.

Figura 18 - Simulao das trilhas para placa de circuito impresso Ares.

20

Figura 19 - Simulao 3D do circuito gerado pelo ARES.


A tenso de alimentao que chega ao TCA 785 de 15V que provem da tenso
de 127V. Esta tenso reduzida pelo resistor de 4.7K, retificada pelo diodo 1N4005
(D6), com a adio do capacitor C3 de 1000uF reduziu-se o ripple e a tenso foi
limitada com a adio de um diodo zener de 15V ligado em paralelo.
No pino 5 onde o TCA 785 recebe a onda de entrada da ponte retificadora para
deteco do valor V=0, instante pelo qual se iniciar o carregamento e descarregamento
do capacitor de 47nF, foram inseridos dois diodos 1N4004 a fim de limitar a tenso da
onda entre 0.7 e -0.7V para proteger o CI de tenses muito altas. Nas simulaes os
valores de limitaes ficaram entre 0.65 e -0.65V. Observe o grfico gerado pelo
osciloscpio virtual onde o canal A est ligado ao pino 5 Figura 20.

Figura 20- Osciloscpio virtual do Proteus.


21

O capacitor ligado ao pino 10 e o resistor em srie com o potencimetro de 100k


ligados ao pino 9 formam, de acordo com a lgica do TCA, uma rampa de carregamento
do capacitor de 47nF (Figura 21 canal A) que atuar juntamente com a tenso de
comparao no pino 11.
Quando a tenso na rampa do capacitor for idntica tenso de comparao no
pino 11, o TCA ir disparar um pulso (Figura 21) que ser enviado aos gates dos
tiristores da ponte retificadora, permitindo assim a passagem de corrente e controlando a
tenso de sada. A altura da rampa de carregamento pode ser ajustada variando o
potencimetro de 100k ligado ao resistor no pino 9.
Determina-se o ngulo de disparo ao girar o potencimetro de 10k alterando a
tenso de comparao.
Na Figura 21 tem-se:
Canal A: rampa do capacitor de 47nF.
Canal C: forma de onda para deteco de zero limitada por diodos a fim de
proteger o CI.
Canal D: Corrente alternada de alimentao do circuito.

Figura 21- Osciloscpio virtual do Proteus.

22

Na Figura 22 tem-se:
Canal A: rampa de carregamento do capacitor de 47nF.
Canal B: tenso de comparao ligada ao pino 11.
Canal C: pulso disparado pelo TCA785 no pino 14 de tenso aproximada
de 15V e largura de 550us controlada pelo capacitor cermico de 150 pF ligado ao pino
12.
Canal D: pulso disparado pelo TCA785 no pino 15 com tenso
aproximada de 15V e largura de 550us controlada pelo capacitor cermico de 150 pF
ligado ao pino 12.
Observe as sadas controladas:

Figura 22- Osciloscpio virtual do Proteus.

23

Figura 23- Osciloscpio virtual representando a onda de tenso retificada com


amplitude de 180V e perodo de 8,35ms.Tambm possvel visualizar os pulsos com
largura de 550us e amplitude de 6,8V disparados pelo TCA 785 nos pinos 14 e 15.

Figura 24- Osciloscpio virtual representando a forma de onda na sada da ponte


retificadora, com amplitude de 180V, periodo de 8,35ms e pulsos disparados pelo CI
TCA 785 a 0 com Vcc=127V.

24

Figura 25- Osciloscpio virtual representando a forma de onda na sada da ponte


retificadora, com amplitude de 180V, periodo de 8,35ms e pulsos disparados pelo CI
TCA 785 a 30com Vcc=106V.

Figura 26- Osciloscpio virtual representando a forma de onda na sada da ponte


retificadora, com amplitude de 180V, periodo de 8,35ms e pulsos disparados pelo CI
TCA 785 a 45 com Vcc=98V.

25

Figura 27- Osciloscpio virtual representando a forma de onda na sada da ponte


retificadora, com amplitude de 180V, periodo de 8,35ms e pulsos disparados pelo CI
TCA 785 a 60 com Vcc=86V.

Figura 28- Osciloscpio virtual representando a forma de onda na sada da ponte


retificadora, com amplitude de 180V, periodo de 8,35ms e pulsos disparados pelo CI
TCA 785 a 90 com Vcc=57V.

26

7. DESENVOLVIMENTO
Inicialmente foi realizado um estudo sobre as pontes retificadoras controladas,
tiristores e sobre o TCA. Analizado alguns modelos e algumas aplicaes que faziam
uso do TCA para gerao e controle dos pulsos de disparo dos tiristores em uma
ponte, aprendemos sobre seu princpio de funcionamento e como este CI deve ser
polarizado em funo da senoide de entrada da ponte retificadora.
Aps compreenso dos princpios bsicos de funcionamento de uma ponte
retificadora e do circuito de gerao e controle de pulsos de disparo utilizando o TCA,
iniciou se as simulaes do circuito. Com a utilizao do simulador Proteus pois, foi o
nico que encontramos que possua o CI TCA785 em sua biblioteca.
Durante as simulaes houve dificuldades em encontrar os resultados esperado,
pois no havia as configuraes necessrias para alguns componentes. Diante desta
dificuldade decidiu-se iniciar a montagem prtica dos circuitos simulados para
comparao dos resultados e tentar descobrir o que estava errado no circuito.
Montado inicialmente o circuito de polarizao do TCA para obteno das
medies dos pulsos de disparo. Utilizando-se de uma alimentao de 127Vca para
alimentar o circuito, esta alimentao era limitador em um divisor de tenso e retificada
para gerar os 15Vcc necessrios para alimentar o circuito do TCA.
A montagem do circuito de polarizao foi feita seguindo os exemplos e
recomendaes

contidas

no

prprio

datasheet

do

TCA

(http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/infineon/1-tca785.pdf).
Com auxilio do osciloscpio, foi medido as sadas nos pinos 14 e 15 e notado
que os pulsos estavam corretos, com intensidade, comprimento e largura ideais para
realizao dos disparos. Verificou-se tambm que os pulsos variavam sua posio em
relao senoide de entrada conforme altervamos o valor do potencimetro de 10K.
Aps a anlise dos pulsos gerados e certificao que estavam certos, iniciou-se a
montagem da ponte retificadora. Montado a ponte monofsica com dois diodos e dois
tiristores. Esta configurao em ponte possibilita atravs do controle do ngulo de
disparo dos tiristores referente senoide de entrada a variao do valor eficaz da
tenso contnua de sada.
Depois de montada a ponte retificadora, iniciou-se a ligao entre os pulsos
gerados pelo TCA e o gate dos tiristores. Nos exemplos encontrados no datasheet do

27

TCA, existia uma isolao utilizando um transformador de pulsos em pelo menos uma
das ligaes entre pulso e gate.
Optou-se por utilizar o circuito onde s um dos pulsos era isolado. Feito a
montagem conforme indicava o datasheet, porm saia errado quando o circuito era
energizado, a tenso contnua sobre o TCA diminua bruscamente e os tiristores no
eram acionados e no ocorria a retificao.
Analisado cada parte do circuito separadamente concluiu-se que o transformador
de pulso utilizado no era o adequado devido a sua baixa impedncia. Ao conectar o
transformador no circuito, sua baixa impedncia fazia com que uma corrente
relativamente alta sasse do pino 14 do TCA direto para neutro do circuito causando a
queda de tenso em cima do TCA.
Feito vrias tentativas de inserir uma resistncia em srie com o primrio do
transformador e tentar diminuir a corrente, mas o valor da resistncia era alto.
Depois de algumas pesquisas e tentativas encontrou-se a soluo foi utilizado o
transistor para fazer um casamento de impedncia entre o pulso e gate do tiristor.
Desta maneira o pulso era transmitido de maneira correta e o disparo do tiristor
acontecia normalmente.
Com o circuito pronto inseriu-se uma carga resistiva na sada da ponte
retificadora e podemos realizar as medies e observar a variao da onda retificada na
sada atravs do osciloscpio.

Figura 29 - Circuito montado.

28

8. LISTA DE COMPONENTES
1 resistncia de 4.7K 9w
2 resistncia de 220 K
1 resistncia de 10 K
1 resistncia de 4.7K
1 resistncia de 2.2K
1 resistncia de 22K
2 resistncia de 220
1 potencimetro de 10K
1 potencimetro de 100K
1 capacitor de 1000F
1 capacitor de 0.47F
1 capacitor de 2.2F
1 capacitor de 0.1F
1 capacitor de 47nF
1 capacitor de 150pF
3 diodos 1N4005
4 diodos 1N4004
1 diodos 1N4001
1 diodo zener de 15v
2 tiristores BT151
1 transformador de pulso
1 transistores MPSA 14
1 CI TCA 785

29

9. RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Na Figura 30 pode-se observar o grfico da rampa de carregamento do capacitor
de 47nF conectado ao pino 10 do TCA e o pulso de disparo que sai do pino 14 do TCA
conectado ao gate (pino 3) de um dos tiristores da ponte retificadora.

Figura 30 Rampa de carregamento X Pulso de disparo.

Figura 31 Forma de onda na sada da ponte retificadora.

30

Na Figura 31 verificamos a forma de onda medida na sada da ponte, na carga


resistiva, quando o disparo dos tiristores feito no ngulo de 0. Para este ngulo temos
a potncia mxima na carga. Na Figura 32 verificamos a forma de onda medida na sada
da ponte, na carga resistiva, quando o disparo dos tiristores feito no ngulo de 90 de
forma que temos uma queda da potncia na carga.

Figura 32 Forma de onda na sada da ponte retificadora.

Figura 33 Forma de onda na sada da ponte retificadora.

31

Na Figura 33 verifica-se a forma de onda medida na sada da ponte, na carga


resistiva, quando o disparo dos tiristores feito no ngulo prximo de 180. Para este
ngulo, a potncia na carga prxima de 0. E na Figura 34 temos uma carga resistiva,
lmpada incandescente, conectada sada da ponte retificadora.

Figura 34 Carga conectada a sada da fonte

32

10. CONCLUSES
Verifica-se que o objeto proposto no trabalho foi alcanado com a
implementao da ponte retificadora monofsica semi-controlada utilizando o TCA 785.
Por se tratar de um trabalho prtico de implementao, verificou-se a aplicao
do conhecimento terico adquirido nas disciplinas cursadas: Circuitos, Eletrnica
Analgica e Digital, alm do conhecimento adquirido atravs do estudo do contedo
que ainda sero cursadas como no caso da Eletrnica de Potncia. Alm disso, para
projeto e simulao do circuito de acionamento da ponte retificadora, um estudo foi
realizado sobre a utilizao da ferramenta computacional Proteus de forma a especificar
os componentes a serem adquiridos para a montagem do prottipo em questo.
Tambm contribuiu para a formao tcnica e profissional as horas despendidas
no laboratrio circuitos eltricos com o uso de multmetros e osciloscpio na validao
do circuito implementado bem como a extrao dos resultados experimentais, alm dos
desafios impostos sempre com o surgimento de um novo problema no circuito.
importante ressaltar tambm que o conhecimento de um software ajuda na
segurana e custo na elaborao de um projeto, pois nele pode-se errar e perceber tal
erro, sem colocar em risco a integridade fsica do pesquisador, e ainda, sem danos ao
prottipo.
Na prtica, tornam-se indispensveis ferramentas de medio com boa preciso e
um bom conhecimento terico do que se pretende construir.
Portanto, este projeto torna possvel a implementao de um retificador semicontrolado no laboratrio da UFSJ.

33

11. REFERNCIAS
ARVM.
Transstores
Bipolares.
Disponvel
http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm>. Acesso em 01 Jul. 2012.

em:

<

BAIRROS, Roberto dos Santos. Circuito Retificado de Onda Completa em Ponte.


Disponvel
em:
<http://www.bairrospd.kit.net/fonte_aliment/Retificador%20de%20onda%20completa%
20em%20ponte.pdf> Acesso em 01 Jul. 2012.
BOLESTAD, Robert L.; NASHERLSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de
circuitos, 8 edio; traduo Rafael Monteiro Simon; reviso tcnica Jos Bueno de
Camargo, Jos Lucimar do Nascimento, Antnio Pertence Jnior. So Paulo: Pearce
Prentice Hall, 2004.
FEEC- UNICAMP. Tiristores e retificadores controlados. Disponvel em:
<http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/ee833/Modulo2.pdf> Acesso em 01
Jul. 2012.
FITZGERALD, A.E; KINGSLEY JR., Charles; UMANS, Stephen D. Mquinas
Eltricas, 6 edio. Porto Alegre: Bookmam, 2006.
POMILIO,
J.A..
Conversor
CA-CCRetificadores.
Disponvel
em:
<http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap3.pdf> Acesso em 01 Jul.
2012.
RASHID, Muhamad H. Eletrnica de Potncia, 2 edio. So Paulo: Makron Books,
1999.
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrnica, 5 edio. So Paulo: Pearce
Prentice Hall, 2007.

34

12. ANEXOS

35

TCA 785

Phase Control IC

TCA 785
Bipolar IC

Features

Reliable recognition of zero passage


Large application scope
May be used as zero point switch
LSL compatible
Three-phase operation possible (3 ICs)
Output current 250 mA
Large ramp current range
Wide temperature range

P-DIP-16-1

Type

Ordering Code

Package

TCA 785

Q67000-A2321

P-DIP-16-1

This phase control IC is intended to control thyristors, triacs, and transistors. The trigger pulses
can be shifted within a phase angle between 0 and 180 . Typical applications include
converter circuits, AC controllers and three-phase current controllers.
This IC replaces the previous types TCA 780 and TCA 780 D.
Pin Definitions and Functions

Pin Configuration
(top view)
Semiconductor Group

Pin

Symbol

Function

GND

Ground

2
3
4

Q2
QU
Q2

Output 2 inverted
Output U
Output 1 inverted

VSYNC

Synchronous voltage

6
7

I
QZ

Inhibit
Output Z

V REF

Stabilized voltage

9
10

R9
C10

Ramp resistance
Ramp capacitance

11

V11

Control voltage

12

C12

Pulse extension

13

Long pulse

14
15

Q1
Q2

Output 1
Output 2

16

VS

Supply voltage

09.94

TCA 785

Functional Description
The synchronization signal is obtained via a high-ohmic resistance from the line voltage
(voltage V5). A zero voltage detector evaluates the zero passages and transfers them to the
synchronization register.
This synchronization register controls a ramp generator, the capacitor C10 of which is charged
by a constant current (determined by R9). If the ramp voltage V10 exceeds the control voltage
V11 (triggering angle ), a signal is processed to the logic. Dependent on the magnitude of the
control voltage V11, the triggering angle can be shifted within a phase angle of 0 to 180.
For every half wave, a positive pulse of approx. 30 s duration appears at the outputs Q 1 and
Q 2. The pulse duration can be prolonged up to 180 via a capacitor C12. If pin 12 is connected
to ground, pulses with a duration between and 180 will result.
Outputs Q 1 and Q 2 supply the inverse signals of Q 1 and Q 2.
A signal of +180 which can be used for controlling an external logic,is available at pin 3.
A signal which corresponds to the NOR link of Q 1 and Q 2 is available at output Q Z (pin 7).
The inhibit input can be used to disable outputs Q1, Q2 and Q 1 , Q 2 .
Pin 13 can be used to extend the outputs Q 1 and Q 2 to full pulse length (180 ).

Block Diagram
Semiconductor Group

TCA 785

Pulse Diagram

Semiconductor Group

TCA 785

Absolute Maximum Ratings


Parameter

Symbol

Limit Values
min.

max.

Unit

Supply voltage

VS

0.5

18

Output current at pin 14, 15

IQ

10

400

mA

Inhibit voltage
Control voltage
Voltage short-pulse circuit

V6
V11
V13

0.5
0.5
0.5

VS
VS
VS

V
V
V

Synchronization input current

V5

200

Output voltage at pin 14, 15

VQ

VS

Output current at pin 2, 3, 4, 7

IQ

10

mA

Output voltage at pin 2, 3, 4, 7

VQ

VS

Junction temperature
Storage temperature

Tj
Tstg

150
125

C
C

Thermal resistance
system - air

Rth SA

80

K/W

55

200

Operating Range
Supply voltage

VS

18

Operating frequency

10

500

Hz

Ambient temperature

TA

25

85

Characteristics
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter
Supply current consumption
S1 S6 open
V11 = 0 V
C 10 = 47 nF; R 9 = 100 k

Symbol
min.

typ.

max.

Unit Test
Circuit

IS

4.5

6.5

10

mA 1

I5 rms

30

200

75

mV 4

V10 peak

V
k

Synchronization pin 5
Input current
R 2 varied
Offset voltage

V5

Control input pin 11


Control voltage range
Input resistance

V11
R11

Semiconductor Group

Limit Values

30
0.2
15
4

1
5

TCA 785

Characteristics (contd)
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter

Symbol

Limit Values
min.

Ramp generator
Charge current
Max. ramp voltage
Saturation voltage at capacitor
Ramp resistance
Sawtooth return time
Inhibit pin 6
switch-over of pin 7
Outputs disabled
Outputs enabled
Signal transition time
Input current
V6 = 8 V
Input current
V6 = 1.7 V
Deviation of I10
R 9 = const.
VS = 12 V; C10 = 47 nF
Deviation of I10
R 9 = const.
VS = 8 V to 18 V
Deviation of the ramp voltage
between 2 following
half-waves, VS = const.
Long pulse switch-over
pin 13
switch-over of S8
Short pulse at output
Long pulse at output
Input current
V13 = 8 V
Input current
V13 = 1.7 V
Outputs pin 2, 3, 4, 7
Reverse current
VQ = VS
Saturation voltage
IQ = 2 mA

Semiconductor Group

I10
V10
V10
R9
tf

typ.

10
100
3

225

1000
V2 2
350
300

A
V
mV
k
s

1
1.6
1
1

2.5

1
1
1
1

80

500

5
800

V
V
s
A

150

200

20

20

V6 L
V6 H
tr
I6 H

4
1

I6 L

80

I10

I10

3.3
3.3

V10 max

V13 H
V13 L
I13 H

3.5

I13 L

45

2.5
2.5

65

0.1

ICEO
Vsat

max.

Unit Test
Circuit

0.4

2
10

V
V
A

1
1
1

100

10

2.6

2.6

TCA 785

Characteristics (contd)
8 VS 18 V; 25 C TA 85 C; f = 50 Hz
Parameter
Outputs pin 14, 15
H-output voltage
I Q = 250 mA
L-output voltage
IQ = 2 mA
Pulse width (short pulse)
S9 open
Pulse width (short pulse)
with C12
Internal voltage control
Reference voltage
Parallel connection of
10 ICs possible
TC of reference voltage

Semiconductor Group

Symbol

Limit Values
min.

typ.

max.

Unit Test
Circuit

V14/15 H

VS 3

VS 2.5

VS 1.0

3.6

V14/15 L

0.3

0.8

2.6

tp

20

30

40

tp

530

620

760

s/
nF

VREF

2.8

3.1

3.4

2 10 4

5 10 4

1/K 1

REF

TCA 785

Application Hints for External Components

Ramp capacitance C10

Triggering point

Charge current

tTr =

I10 =

min

max

500 pF

1 F1)

V11 R9 C10

2)

VREF K
VREF K

Ramp voltage
V10 max = VS 2 V V10 =

2)

R9

Pulse Extension versus Temperature

1)
2)

Attention to flyback times


K = 1.10 20 %

Semiconductor Group

The minimum and maximum values of I10


are to be observed

VREF K t
R9 C10

2)

TCA 785

Output Voltage measured to + VS

Supply Current versus Supply Voltage

Semiconductor Group

TCA 785

It is necessary for all measurements to adjust the ramp with


the aid of C10 and R 9 in the way that 3 V Vramp max V S 2 V
e.g. C10 = 47 nF; 18 V: R 9 = 47 k; 8 V: R 9 = 120 k

Test Circuit 1
Semiconductor Group

TCA 785

The remaining pins are connected as in test circuit 1

Test Circuit 2

The remaining pins are connected as in test circuit 1


Test Circuit 3

Semiconductor Group

10

TCA 785

Remaining pins are connected as in test circuit 1


The 10 F capacitor at pin 5 serves only for test purposes
Test Circuit 4

Test Circuit 5
Semiconductor Group

Test Circuit 6
11

TCA 785

Inhibit 6

Long Pulse 13

Pulse Extension 12

Reference Voltage 8

Semiconductor Group

12

TCA 785

Application Examples
Triac Control for up to 50 mA Gate Trigger Current

A phase control with a directly controlled triac is shown in the figure. The triggering angle of
the triac can be adjusted continuously between 0 and 180 with the aid of an external
potentiometer. During the positive half-wave of the line voltage, the triac receives a positive
gate pulse from the IC output pin 15. During the negative half-wave, it also receives a positive
trigger pulse from pin 14. The trigger pulse width is approx. 100 s.
Semiconductor Group

13

TCA 785

Fully Controlled AC Power Controller


Circuit for Two High-Power Thyristors
Shown is the possibility to trigger two antiparalleled thyristors with one IC TCA 785. The trigger
pulse can be shifted continuously within a phase angle between 0 and 180 by means of a
potentiometer. During the negative line half-wave the trigger pulse of pin 14 is fed to the
relevant thyristor via a trigger pulse transformer. During the positive line half-wave, the gate of
the second thyristor is triggered by a trigger pulse transformer at pin 15.
Semiconductor Group

14

TCA 785

Half-Controlled Single-Phase Bridge Circuit with Trigger Pulse Transformer and Direct
Control for Low-Power Thyristors
Semiconductor Group

15

TCA 785

Half-Controlled Single-Phase Bridge Circuit with Two Trigger Pulse Transformers for
Low-Power Thyristors
Semiconductor Group

16

This datasheet has been download from:


www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated thyristors in a plastic
envelope, intended for use in
applications
requiring
high
bidirectional
blocking
voltage
capability and high thermal cycling
performance. Typical applications
include motor control, industrial and
domestic lighting, heating and static
switching.

PINNING - TO220AB
PIN

DESCRIPTION

cathode

anode

gate

tab

BT151 series

QUICK REFERENCE DATA


SYMBOL
VDRM,
VRRM
IT(AV)
IT(RMS)
ITSM

PARAMETER

MAX. MAX. MAX. UNIT

BT151Repetitive peak off-state


voltages
Average on-state current
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state
current

500R
500

650R
650

800R
800

7.5
12
100

7.5
12
100

7.5
12
100

A
A
A

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

tab

1 23

anode

LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VDRM, VRRM Repetitive peak off-state


voltages
IT(AV)
IT(RMS)
ITSM

I2t
dIT/dt
IGM
VGM
VRGM
PGM
PG(AV)
Tstg
Tj

Average on-state current


RMS on-state current
Non-repetitive peak
on-state current

half sine wave; Tmb 109 C


all conduction angles
half sine wave; Tj = 25 C prior to
surge
t = 10 ms
t = 8.3 ms
t = 10 ms
ITM = 20 A; IG = 50 mA;
dIG/dt = 50 mA/s

I2t for fusing


Repetitive rate of rise of
on-state current after
triggering
Peak gate current
Peak gate voltage
Peak reverse gate voltage
Peak gate power
Average gate power
over any 20 ms period
Storage temperature
Operating junction
temperature

MIN.

MAX.

UNIT

-500R -650R -800R


5001
6501
800

7.5
12

A
A

100
110
50
50

A
A
A2s
A/s

-40
-

2
5
5
5
0.5
150
125

A
V
V
W
W
C
C

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.
September 1997

Rev 1.200

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

BT151 series

THERMAL RESISTANCES
SYMBOL

PARAMETER

Rth j-mb

Thermal resistance
junction to mounting base
Thermal resistance
in free air
junction to ambient

Rth j-a

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

1.3

K/W

60

K/W

STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

IGT
IL
IH
VT
VGT

Gate trigger current


Latching current
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage

ID, IR

Off-state leakage current

VD = 12 V; IT = 0.1 A
VD = 12 V; IGT = 0.1 A
VD = 12 V; IGT = 0.1 A
IT = 23 A
VD = 12 V; IT = 0.1 A
VD = VDRM(max); IT = 0.1 A; Tj = 125 C
VD = VDRM(max); VR = VRRM(max); Tj = 125 C

0.25
-

2
10
7
1.4
0.6
0.4
0.1

15
40
20
1.75
1.5
0.5

mA
mA
mA
V
V
V
mA

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

50
200
-

130
1000
2

V/s
V/s
s

70

DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

dVD/dt

Critical rate of rise of


off-state voltage

VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 C;


exponential waveform;
Gate open circuit
RGK = 100
ITM = 40 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;
dIG/dt = 5 A/s
VD = 67% VDRM(max); Tj = 125 C;
ITM = 20 A; VR = 25 V; dITM/dt = 30 A/s;
dVD/dt = 50 V/s; RGK = 100

tgt
tq

Gate controlled turn-on


time
Circuit commutated
turn-off time

September 1997

Rev 1.200

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

15

BT151 series

Ptot / W
conduction
angle
degrees
30
60
90
120
180

10

Tmb(max) / C

BT151
form
factor

120

105.5

4
2.8
2.2
1.9
1.57

BT151

100
time
T
Tj initial = 25 C max

1.9

2.2

112

2.8

ITSM

IT

a = 1.57

ITSM / A

80

60

118.5

40
20

4
5
IT(AV) / A

125
8

Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus


average on-state current, IT(AV), where
a = form factor = IT(RMS)/ IT(AV).

1000

10
100
Number of half cycles at 50Hz

1000

Fig.4. Maximum permissible non-repetitive peak


on-state current ITSM, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.

BT151

ITSM / A

25

BT151

IT(RMS) / A

20

dI T /dt limit

15

100

10
I TSM

IT

time

Tj initial = 25 C max
10
10us

100us

0
0.01

10ms

1ms

0.1
1
surge duration / s

T/s

Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak


on-state current ITSM, versus pulse width tp, for
sinusoidal currents, tp 10ms.

15

IT(RMS) / A

10

Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state


current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
currents, f = 50 Hz; Tmb 109C.

BT151

1.6
109 C

VGT(Tj)
VGT(25 C)

BT151

1.4

10

1.2
1

0.8
0.6

0
-50

50
Tmb / C

100

0.4
-50

150

Fig.3. Maximum permissible rms current IT(RMS) ,


versus mounting base temperature Tmb.

September 1997

50
Tj / C

100

150

Fig.6. Normalised gate trigger voltage


VGT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.

Rev 1.200

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

BT151 series

IGT(Tj)
IGT(25 C)

30

BT151

Tj = 125 C
Tj = 25 C
25

2.5

Vo = 1.06 V
Rs = 0.0304 ohms

typ

20

2
1.5

15

10

0.5

0
-50

50
Tj / C

100

150

Fig.7. Normalised gate trigger current


IGT(Tj)/ IGT(25C), versus junction temperature Tj.

BT151

IT / A

IL(Tj)
IL(25 C)

0.5

max

1
VT / V

1.5

Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.

10

BT145

2.5

BT151

Zth j-mb (K/W)

2
0.1

1.5

P
D

tp

0.01

0.5

0
-50

50
Tj / C

100

0.001
10us

150

IH(Tj)
IH(25 C)

1ms

10ms
tp / s

0.1s

1s

10s

Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus


pulse width tp.

Fig.8. Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25C),


versus junction temperature Tj.

0.1ms

10000

BT151

dVD/dt (V/us)

2.5
1000

2
RGK = 100 Ohms

1.5
100

gate open circuit

0.5
0
-50

50
Tj / C

100

10

150

50

100

150

Tj / C

Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,


dVD/dt versus junction temperature Tj.

Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25C),


versus junction temperature Tj.

September 1997

Rev 1.200

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

BT151 series

MECHANICAL DATA
Dimensions in mm

4,5
max

Net Mass: 2 g

10,3
max
1,3

3,7
2,8

5,9
min

15,8
max

3,0 max
not tinned

3,0

13,5
min
1,3
max 1 2 3
(2x)

0,9 max (3x)

2,54 2,54

0,6
2,4

Fig.13. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.


Notes
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

September 1997

Rev 1.200

Philips Semiconductors

Product specification

Thyristors

BT151 series

DEFINITIONS
Data sheet status
Objective specification

This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification

This data sheet contains final product specifications.

Limiting values
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
Philips Electronics N.V. 1997
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS


These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting
from such improper use or sale.

September 1997

Rev 1.200

This datasheet has been download from:


www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET
book, halfpage

M3D186

MPSA14
NPN Darlington transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 24

1999 Apr 27

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14

FEATURES

PINNING

High current (max. 500 mA)

PIN

DESCRIPTION

Low voltage (max. 30 V)

collector

High DC current gain (min. 10000).

base

emitter

APPLICATIONS
High gain amplification.
2

handbook, halfpage

DESCRIPTION

2
3

TR1

NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic


package. PNP complement: MPSA64.

TR2

MAM252

Fig.1

Simplified outline (TO-92; SOT54)


and symbol.

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

VCBO

collector-base voltage

open emitter

30

VCES

collector-emitter voltage

VBE = 0

30

VEBO

emitter-base voltage

open collector

10

IC

collector current (DC)

500

mA

ICM

peak collector current

IB

base current (DC)

100

mA

Ptot

total power dissipation

500

mW

Tstg

storage temperature

Tamb 25 C; note 1

65

+150

Tj

junction temperature

150

Tamb

operating ambient temperature

65

+150

Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

1999 Apr 27

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14

THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

thermal resistance from junction to ambient

Rth j-a

VALUE

UNIT

50

K/W

note 1

Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.
SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

0.1

IC = 0; VEB = 10 V

0.1

IC = 10 mA; VCE = 5 V; see Fig.2

10000

IC = 100 mA; VCE = 5 V; see Fig.2

20000

ICBO

collector cut-off current

IE = 0; VCB = 30 V

IEBO

emitter cut-off current

hFE

DC current gain

VCEsat

collector-emitter saturation voltage

IC = 100 mA; IB = 0.1 mA

1.5

VBEsat

base-emitter saturation voltage

IC = 100 mA; IB = 0.1 mA

1.5

VBEon

base-emitter on-state voltage

IC = 100 mA; VCE = 5 V

fT

transition frequency

IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz

125

MHz

MGD837

80000

handbook, full pagewidth

hFE

60000

40000

20000

0
101

10

VCE = 5 V.

Fig.2 DC current gain; typical values.

1999 Apr 27

102

IC (mA)

103

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14

PACKAGE OUTLINE
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads

SOT54

E
d

L
b

1
e1

3
b1

L1

2.5

5 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)


UNIT

b1

e1

L1(1)

mm

5.2
5.0

0.48
0.40

0.66
0.56

0.45
0.40

4.8
4.4

1.7
1.4

4.2
3.6

2.54

1.27

14.5
12.7

2.5

Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
OUTLINE
VERSION
SOT54

1999 Apr 27

REFERENCES
IEC

JEDEC

EIAJ

TO-92

SC-43

EUROPEAN
PROJECTION

ISSUE DATE
97-02-28

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14

DEFINITIONS
Data Sheet Status
Objective specification

This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification

This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.

Product specification

This data sheet contains final product specifications.

Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.

1999 Apr 27

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14
NOTES

1999 Apr 27

Philips Semiconductors

Product specification

NPN Darlington transistor

MPSA14
NOTES

1999 Apr 27

Philips Semiconductors a worldwide company


Argentina: see South America
Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113,
Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213,
Tel. +43 1 60 101 1248, Fax. +43 1 60 101 1210
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6,
220050 MINSK, Tel. +375 172 20 0733, Fax. +375 172 20 0773
Belgium: see The Netherlands
Brazil: see South America
Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA,
Tel. +359 2 68 9211, Fax. +359 2 68 9102
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS,
Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087
China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre,
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG,
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700
Colombia: see South America
Czech Republic: see Austria
Denmark: Sydhavnsgade 23, 1780 COPENHAGEN V,
Tel. +45 33 29 3333, Fax. +45 33 29 3905
Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO,
Tel. +358 9 615 800, Fax. +358 9 6158 0920
France: 51 Rue Carnot, BP317, 92156 SURESNES Cedex,
Tel. +33 1 4099 6161, Fax. +33 1 4099 6427
Germany: Hammerbrookstrae 69, D-20097 HAMBURG,
Tel. +49 40 2353 60, Fax. +49 40 2353 6300
Hungary: see Austria
India: Philips INDIA Ltd, Band Box Building, 2nd floor,
254-D, Dr. Annie Besant Road, Worli, MUMBAI 400 025,
Tel. +91 22 493 8541, Fax. +91 22 493 0966
Indonesia: PT Philips Development Corporation, Semiconductors Division,
Gedung Philips, Jl. Buncit Raya Kav.99-100, JAKARTA 12510,
Tel. +62 21 794 0040 ext. 2501, Fax. +62 21 794 0080
Ireland: Newstead, Clonskeagh, DUBLIN 14,
Tel. +353 1 7640 000, Fax. +353 1 7640 200
Israel: RAPAC Electronics, 7 Kehilat Saloniki St, PO Box 18053,
TEL AVIV 61180, Tel. +972 3 645 0444, Fax. +972 3 649 1007
Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Piazza IV Novembre 3,
20124 MILANO, Tel. +39 2 6752 2531, Fax. +39 2 6752 2557
Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku,
TOKYO 108-8507, Tel. +81 3 3740 5130, Fax. +81 3 3740 5077
Korea: Philips House, 260-199 Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,
Tel. +82 2 709 1412, Fax. +82 2 709 1415
Malaysia: No. 76 Jalan Universiti, 46200 PETALING JAYA, SELANGOR,
Tel. +60 3 750 5214, Fax. +60 3 757 4880
Mexico: 5900 Gateway East, Suite 200, EL PASO, TEXAS 79905,
Tel. +9-5 800 234 7381, Fax +9-5 800 943 0087
Middle East: see Italy

Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB,


Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399
New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND,
Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811
Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO,
Tel. +47 22 74 8000, Fax. +47 22 74 8341
Pakistan: see Singapore
Philippines: Philips Semiconductors Philippines Inc.,
106 Valero St. Salcedo Village, P.O. Box 2108 MCC, MAKATI,
Metro MANILA, Tel. +63 2 816 6380, Fax. +63 2 817 3474
Poland: Ul. Lukiska 10, PL 04-123 WARSZAWA,
Tel. +48 22 612 2831, Fax. +48 22 612 2327
Portugal: see Spain
Romania: see Italy
Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW,
Tel. +7 095 755 6918, Fax. +7 095 755 6919
Singapore: Lorong 1, Toa Payoh, SINGAPORE 319762,
Tel. +65 350 2538, Fax. +65 251 6500
Slovakia: see Austria
Slovenia: see Italy
South Africa: S.A. PHILIPS Pty Ltd., 195-215 Main Road Martindale,
2092 JOHANNESBURG, P.O. Box 7430 Johannesburg 2000,
Tel. +27 11 470 5911, Fax. +27 11 470 5494
South America: Al. Vicente Pinzon, 173, 6th floor,
04547-130 SO PAULO, SP, Brazil,
Tel. +55 11 821 2333, Fax. +55 11 821 2382
Spain: Balmes 22, 08007 BARCELONA,
Tel. +34 93 301 6312, Fax. +34 93 301 4107
Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485 STOCKHOLM,
Tel. +46 8 5985 2000, Fax. +46 8 5985 2745
Switzerland: Allmendstrasse 140, CH-8027 ZRICH,
Tel. +41 1 488 2741 Fax. +41 1 488 3263
Taiwan: Philips Semiconductors, 6F, No. 96, Chien Kuo N. Rd., Sec. 1,
TAIPEI, Taiwan Tel. +886 2 2134 2886, Fax. +886 2 2134 2874
Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,
209/2 Sanpavuth-Bangna Road Prakanong, BANGKOK 10260,
Tel. +66 2 745 4090, Fax. +66 2 398 0793
Turkey: Talatpasa Cad. No. 5, 80640 GLTEPE/ISTANBUL,
Tel. +90 212 279 2770, Fax. +90 212 282 6707
Ukraine: PHILIPS UKRAINE, 4 Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,
252042 KIEV, Tel. +380 44 264 2776, Fax. +380 44 268 0461
United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276 Bath Road, Hayes,
MIDDLESEX UB3 5BX, Tel. +44 181 730 5000, Fax. +44 181 754 8421
United States: 811 East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,
Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087
Uruguay: see South America
Vietnam: see Singapore
Yugoslavia: PHILIPS, Trg N. Pasica 5/v, 11000 BEOGRAD,
Tel. +381 11 62 5344, Fax.+381 11 63 5777

For all other countries apply to: Philips Semiconductors,


International Marketing & Sales Communications, Building BE-p, P.O. Box 218,
5600 MD EINDHOVEN, The Netherlands, Fax. +31 40 27 24825

Internet: http://www.semiconductors.philips.com

Philips Electronics N.V. 1999

SCA63

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed
without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license
under patent- or other industrial or intellectual property rights.

Printed in The Netherlands

115002/00/04/pp8

Date of release: 1999 Apr 27

Document order number:

9397 750 05422

This datasheet has been download from:


www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.

This datasheet has been downloaded from:


www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.