Laboratorio de Caracterizacin de Dispositivos Electrnicos

INGENIERA DE TELECOMUNICACIN

Departamento de Electrnica
Universidad de Alcal

PRCTICA 3
Caracterizacin de componentes activos
DIODOS SEMICONDUCTORES

Curso 2009-2010

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

1. Objetivos
Mediante el desarrollo de esta prctica se pretenden lograr los siguientes objetivos:

Identificacin de los diferentes tipos de diodos semiconductores.

Interpretacin del cdigo marcado por el fabricante sobre el cuerpo.
Extraccin y verificacin de las caractersticas tcnicas de los diodos.
Simulacin y realizacin prctica de circuitos electrnicos basados en diodos.

Para ello, se va a dividir el desarrollo de la prctica en las siguientes fases:

Identificacin e interpretacin de los diodos semiconductores.

Obtencin de las caractersticas tcnicas.
Montajes de aplicacin.

Al finalizar la prctica, el alumno deber entregar como memoria los resultados obtenidos, para
lo que se proporcionan unas tablas o figuras para cada apartado. Debern incluirse tambin las
simulaciones resueltas, as como un apartado final de conclusiones, donde se comentarn los
aspectos que el alumno considere ms significativos del desarrollo de la prctica.

2. Conocimientos previos necesarios

Para la realizacin de esta prctica es conveniente repasar los contenidos tericos desarrollados
en el captulo correspondiente a Diodos Semiconductores de la asignatura de Dispositivos
Electrnicos.
Algunos conocimientos de inters que conviene recordar son:

Estructura y simbologa
Curva caracterstica I-V de un diodo (idealizaciones)
o Valores lmites
o Tensin umbral
o Tensin Zner
o Intensidad inversa de saturacin
o Resistencia esttica y dinmica
o Circuitos equivalentes en cada tramo
Polarizacin
o Directa
o Inversa
Clculo del punto de trabajo
Comportamiento de un diodo en rgimen dinmico (conmutacin)
o Tiempos de conmutacin
o Capacidades en la unin
o Modelo equivalente
Tipos y aplicaciones de los diodos

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

3. Identificacin
3.1. Estructura y simbologa
Un diodo semiconductor de estado slido es un componente electrnico fabricado a partir de un
material base semiconductor sobre el que se difunde una unin P-N.
El terminal correspondiente a la zona P se denomina nodo (A) y el correspondiente a la zona
N, ctodo (K).
En la figura 1 queda reflejada la constitucin de una unin P-N, el smbolo genrico utilizado
para representar un diodo, as como la caracterstica I-V del mismo.
De manera terica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:
I = IS(eqV/KT -1)
Con:

I y V: intensidad y tensin por el diodo en sentido nodo-ctodo.

IS: intensidad inversa de saturacin.
KT/q = 0,026(T/300) Volts.: potencial trmico (T viene dado en K).

I
K

Ge Si

IFM

VRM
IS V

nodo

Ctodo

Figura 1. Estructura y simbologa

3.2. Codificacin
En la codificacin de diodos se distinguen tres cdigos fundamentales, que son:

Europeo (PROELECTRN)
Americano (JEDEC)
Japons (JIS)

Habitualmente se utiliza la codificacin europea o americana.

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

Cdigo europeo (PROELECTRN)

Dispone de dos o tres letras seguidas de un nmero (que tambin puede tener alguna
letra intermedia).
La primera letra indica el material utilizado (A Germanio, B Silicio). Las otras
letras son relativas a la aplicacin. (vase anexo-hojas caractersticas).

Cdigo americano (JEDEC)

El cdigo americano empieza con 1N (una unin) seguido de un nmero sin ninguna
significacin especial que no sea de identificacin en catlogo.

Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con cdigos diferentes
puedan ser equivalentes (caractersticas similares).

3.3. Tablas de identificacin

Con ayuda de la plantilla de diodos, de los catlogos y de las hojas caractersticas compltese la
tabla de resultados (T1).

TABLA T1- Identificacin de diodos.

CDIGO

1N4007

OA90

1N4747

1N4148

BZX55C5V1

TIPO
(Ge/Si )
FABRICANTE
IF ( mA )
VRM ( v )
P ( mW )
Tjmax (C)
IZ max ( mA )
VZ ( v )
T (%)
Cp ( pF)
CPSULA
APLICACIONES

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

4. Obtencin de caractersticas
Una vez realizada la identificacin de algunos diodos se procede en este apartado a obtener la
caracterstica I-V y los tiempos de conmutacin de alguno de ellos.
Para ello es necesario utilizar:
Pspice
Trazador de curvas
Osciloscopio

4.1. Curvas caractersticas I-V

En este apartado se pretenden obtener las curvas caractersticas de diversos diodos, tanto en
simulacin (Pspice), como de forma prctica (trazador de curvas).
4.1.1. Simulacin
Mediante el Pspice obtngase la curva caracterstica I-V de los siguientes diodos:
1N4002
1N4148
1N750
Para obtener la curva caracterstica I-V en simulacin es necesario realizar un DC sweep del
generador de tensin V1.

1. Introduccin del esquemtico:

R1

R1

1k

1k

V1

V1
D1

0Vdc

D2

0Vdc

D1N4148

D1N750

1N4148

1N750

2. Configuracin parmetros de simulacin (DC sweep):

Ajuste de los parmetros de barrido a las caractersticas de los diodos

1N4002, 1N4148: Barrido entre -2 y +2 volts.
1N750: Barrido entre -10 y +2 volts.
Incremento: 0.01 volts

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

4.1.2. Trazador de curvas

Utilizando el trazador de curvas, obtngase la curva caracterstica I-V de los siguientes diodos:
1N4007
1N4148

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Obtener la caracterstica I-V del diodo BZX55C5V1 utilizando el trazador de curvas.

Estimar el valor de su tensin zner.

4.2. Tiempos de conmutacin

En este apartado se pretenden obtener los tiempos de conmutacin de un diodo, tanto en
simulacin (Pspice), como de forma prctica (osciloscopio). La figura 2 muestra el montaje a
realizar.
R=1K

Generador
de
funciones

VE

VD

Diodo

VE canal 1 del osciloscopio

VD canal 2 del osciloscopio
V
VE

VD
t

tfr tiempo recuperacin directo

trr = ts + tt tiempo recuperacin inverso
tfr

ts tt
Figura 2. Tiempos de conmutacin

Para visualizar los tiempos de conmutacin es necesario seleccionar una seal de entrada con
una frecuencia tal que permita visualizarlos correctamente. La figura 3 muestra la seal de

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

entrada propuesta. En el caso de una visualizacin defectuosa de los mismos modifquese la

frecuencia de dicha seal hasta una correcta visualizacin.

VE(t)
5v
t
-5v
T=10us
Figura 3. Seal de entrada para visualizar los tiempos de conmutacin.

4.2.1. Tiempos de conmutacin en simulacin

Mediante el Pspice, obtnganse los tiempos de conmutacin del diodo 1N4002.
Para obtener los tiempos de conmutacin en simulacin es necesario realizar un estudio de
respuesta en el tiempo introduciendo una seal cuadrada.
1. Introduccin del esquemtico:
R1

1K
V1 = -5
V2 = 5
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 5u
PER = 10u

V2
D3
D1N4002

2. Configuracin parmetros de simulacin:

Visualizar 2 periodos completos de la seal de entrada

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

5V

0V

-5V

-10V

0s

5us

10us

15us

20us

Time

Para poder visualizar con mayor precisin los tiempos de conmutacin es necesario ampliar las
zonas de visualizacin (zoom).

0.50V

0.00V

0V

-0.50V

-2.00V
-1.00V

-4.00V
-1.50V

-5.56V
5.00us

6.00us

-2.00V
0s

20ns

40ns

60ns
Time

Ampliacin Tfr

80ns

100ns

7.00us

7.63us

Time

120ns

Ampliacin Trr

4.2.2. Tiempos de conmutacin de forma prctica (osciloscopio)

Utilizando el osciloscopio obtngase los tiempos de conmutacin del diodo 1N4007 (visualizando
la tensin de entrada y la que cae en el diodo) segn el montaje de la figura 2 y la seal de
entrada de la figura 3. En el caso de una visualizacin no correcta, ajstese la frecuencia de la
seal de entrada para una correcta visualizacin de los mismos.

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

VE(t)
5v
t
-5v

VD(t)

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Repita el montaje con el diodo 1N4148. Compare los resultados con los obtenidos con
el 1N4002.

5. Simulacin y montaje de circuitos propuestos

5.1. Rectificador simple (media onda)
Obtngase la seal de salida de un rectificador de media onda (figura 4):

mediante clculos tericos

simulacin

montaje prctico

En el montaje prctico conecte el osciloscopio visualizando VE(t) en el canal 1 y VS(t) en el canal

2 y represntese en la figura 4 la seal de salida obtenida.

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

1N4007

VE(t)

VS (t)

R=1K

VE(t)
5v
t
T=1ms
-5v
VS (t)

Figura 4. Montaje para rectificacin en media onda.

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Obtngase la seal de salida de un rectificador de media onda, como el de la figura 4,

aadindole un condensador en paralelo a la resistencia de carga:

Simulacin. Represente VE(t), VS(t), VD(t), ID(t).

Montaje prctico. Represente VE(t) y VS(t) simultneamente en el osciloscopio.

Ver la influencia del valor de la capacidad en el resultado considerando dos posibles valores
para el condensador, 100 nF y 10 F. Justifique los resultados tericamente.

Departamento de Electrnica

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

5.2. Rectificador doble onda (onda completa)

Obtngase la seal de salida de un rectificador de doble onda (figura 5).

mediante clculos tericos

simulacin

montaje prctico

Nota: Cuidado con las masas de los canales del osciloscopio en el montaje prctico.

VE(t)
R=1K

VS (t)

Puente Diodos: 4 x 1N4007 o C1500 (FAGOR)

VE(t)
5v
t
T=1ms
-5v
VS (t)

Figura 5. Montaje para rectificador de doble onda.

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Obtngase la seal de salida de un rectificador de media onda, como el de la figura 5,

aadindole un condensador en paralelo a la resistencia de carga:

Simulacin. Represente VE(t), VS(t), VD(t), ID(t).

Montaje prctico. Represente VE(t) y mida el rizado de la seal obtenida.

Ver la influencia del valor de la capacidad en el resultado considerando dos posibles valores
para el condensador, 1 F y 10 F. Justifique los resultados tericamente.

Departamento de Electrnica

10

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

5.3. Estabilizador de tensin.

Obtngase la funcin de transferencia Vs=f(Ve) del circuito estabilizador de tensin mostrado
en la figura 6:

mediante clculos tericos

simulacin

montaje prctico

En simulacin debe seleccionarse como eje X la seal Ve y como eje Y la seal Vs.
En el montaje prctico:
o

Ve(t) al Canal 1 del osciloscopio

Vs(t) al Canal 2 del osciloscopio

El selector de escala de tiempos del osciloscopio en la posicin final X-Y

Dibjese sobre la grfica de la figura 6 la seal de salida obtenida.

VE(t)

R=1K

1N750

VS (t)

VE(t)
10v
t

VS (t)

T=1ms
-10v
VS (t)
VE (t)

Figura 6. Circuito para estabilizacin de tensin con diodo Zner.

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Simulacin: introduzca una seal de offset = 7 V y tensin pico a pico 100mV.

Represente VE y VS y comente los resultados.

Departamento de Electrnica

11

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

5.4. Circuito recortador

Obtngase la funcin de transferencia Vs=f(Ve) del circuito recortador mostrado en la figura 7:

mediante clculos tericos

simulacin

montaje prctico

En simulacin debe seleccionarse como eje X la seal Ve y como eje Y la seal Vs.
En el montaje prctico:
o

Ve(t) al Canal 1 del osciloscopio

Vs(t) al Canal 2 del osciloscopio

El selector de escala de tiempos del osciloscopio en la posicin final X-Y

Dibjese sobre la grfica de la figura 7 la seal de salida obtenida.

1N4007

1N4007
VS (t)

VE(t)
5V

VE(t)
10v
t

VS (t)

T=1ms
-10v
VS (t)
VE (t)
t

Figura 7. Circuito recortador.

Departamento de Electrnica

12

PRCTICA 3: Caracterizacin de componentes activos. Diodos semiconductores.

Apartado de refuerzo y ampliacin. (opcional)

Modificar el circuito para que la seal se vea recortada para valores inferiores a -3 V.
Utilizando la seal de entrada empleada en el ejercicio, obtener la funcin de
transferencia del circuito y la evolucin temporal de la seal de salida tericamente,
mediante simulacin y de manera experimental.

Departamento de Electrnica

13