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._
DONACIANO JIMNEZ
ALUMNO:
JAVIER GARCIA PREZ
MATRCULA: 93220307
MATERIA: PROYECTO TERMINAL11
TTULO DEL PROYECTO:
Fecha: 26/03/99
lndice de Contenido
1. Objetivos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Introduccin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
encias
altas 3. Comunicaciones
en
RF
4.para
slido
Dispositivos
estado
de
activos
.......................................................................... 8
..........................................................
10
11
12
13
15
18
18
21
22
23
24
7.5.Amplificadores entonados
...................................................................................
25
7.6. Osciladores
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.7.Mezcladores y moduladores................................................................................ 27
7.8.Multiplicadores de frecuencia
............................................................................. -28
7.9.Filtros. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.1O .
28
Detectores.................................................................................................. 28
29
8.2.Deteccin sncrona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
8.3.Control por fuentede corriente............................................................................
29
30
31
...................................................................................................................................
33
33
35
35
9.3.2. Funcionamiento.........................................................................................
37
38
10. Bibliografa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1. Objetivos
El objetivo del presente trabajo consiste en comentar, a travs de
los distintos temas, la
teora bsica que se requiere para poder entender, de manera general,los principios de
funcionamientode los sistemaselectrnicosdecomunicacionesquehacenusode
elementos activos, principalmente transistores, para la amplificacin de potencia de las
seales alasalidadeltransmisor,pertenecientesalaporcinaltasfrecuencias
y
superiores del espectro electromagntico.
Estos conceptos son importantes pues determinan como poder transmitir estas seales
a grandesdistancias, y como sonutilizadosenmuchossistemas
de comunicacin
modernos,comoen
los telfonoscelulareseinalmbricos,
los radares y enlas
comunicaciones va satlite, principalmente.
2. Introduccibn
Si decomunicacionessetratasepuede
inmediatamente
pensar
dos en
posibilidades:
comunicaciones
humanas,
:...... ...
y...:.:.:.:.,.
.::.!:
...
. ..A.i
......
.
:
estudiadas
sociologa
en
y psicologa
.
..-......
..
principalmente,
o
comunicaciones
electrnicas,quelagenteengenerallas
comprende ms como comunicaciones que
hacen uso de alguna tecnologa. Detrs de
estesegundocontextoseencuentrauna
enorme
cantidad
de
teoras
y principios
provenientes
de
las
ciencias
exactas
y
desarrollados durante muchas dcadas. El ingenio humano ha sido el responsable de
esta situacin y consecuentemente lo sigue siendo al observar la sorprendente cantidad
detecnologaquenosrodeaactualmente.
Los cuestionamientosrespecto aestas
tecnologas sobran, sin embargo no se puede negar sus beneficios.
.
..
.
.
..... . .
.
.
Los campos de la electrnica y de las ingenieras que hacen uso de esta ciencia son
extremadamenteamplios
y alparecersurgencontinuamenteespecialidadesmuy
especficas en este ramo. Una de esas ramas, tal vez la de surgimiento ms reciente,
es la delastelecomunicaciones.Dehechohaexistido,
o ms bien surgi,haceya
varias dcadas por necesidades militares principalmente como en muchos otros casos.
Pero el verdadero auge de las telecomunicaciones es el que existe actualmente ya que
setienenmuchosde
los mejoresavancestecnolgicosprcticamente
anuestro
alcance. Ejemplos de esto se encuentran en
los sistemas de comunicacin digital (o
analgica) va satlite, sistemas de radar de muchos tipos, principalmente
los que se
utilizan en sistemas de navegacin, sistemas de comunicacin personal como telfonos
celulares e inalmbricos, etc.
Las seales' transmitidas por estos equipos tiene un alcance tal que prcticamente no
existe un lugar de la tierra que no transmita
o reciba seales elctricas de distintas
clases y con distintos propsitos, pero el principal y ms importante, al igual que enlos
procesos de comunicacin humana, es el de intercambiar
y compartir informacin.
Para
transmitir
seales
elctricas
por
cualquier
medio,
como
cables
o el
aire
principalmente, se deben cumplir requisitos que le permitan llegar a su destino de forma
adecuada.Algunosrequisitosparaquelleguedeunamaneraadecuadaalreceptor
son:
J Sin distorsiones. El canal o medioporelquesepropagasiemprecontaminar
o
distorsionar las seales que viajan porl.
J Potenciaadecuada.Deestefactordepender,entreotras
cosas, quetanlejos
llegue la seal, aunque est relacionado con ms factores.
Para que se cumplan estos requisitos existe una amplia teora que describe la manera
de lograrlo. Para la inmunidad al ruido del canal, por ejemplo, han surgido tcnicas de
1
Formalmente una seal elctrica es una onda electromagntica que se propaga por
algn medio.
Los procesos de amplificacin que emplean muchos equipo electrnicos actuales son
necesarios por muchas razones:
J para que estos puedan transmitir ms lejos
J paraquelassealesseanmsinmunesalruido
y alasnterferenciasdeotras
seales
J para que las seales puedan ser entregadas a varios receptores simultneamente
lo importanteesentenderqueen
los procesosde
Existenmsrazones,pero
comunicaciones electrnicas, es decir, aquellas comunicaciones que emplean equipos
electrnicos para transmitir la informacin en forma de ondas electromagnticas, se
conjuntanmuchasespecialidades
y sehacenecesarioelcumplimientodemuchos
requisitos para ello.
Finalmentecabemencionar,enestemismombito,quelassealeselctricasde
informacinsonuncasoespecialdeondaelectromagnticaquepuedeubicarse
siempredentrodeunrangodefrecuenciasen
el espectroelectromagntico.Las
seales de radio, televisin, de radar, satelitales, etc. se les puede ubicar siempre en
algn rango de frecuencias denominado comnmente banda de frecuencias o en otros
casos simplemente ancho de banda, aligualqueotrostiposdesealesquenose
encuentran disponibleso no son tiles para fines de comunicaciones.
Para ilustrar los principales rangos de frecuencias que se manejan en comunicaciones
as comosussiglasconvencionalesquelasdistinguensemuestraunaporcindel
espectro electromagntico destinado a las frecuencias de radiodifusin conla finalidad
de ubicar el rango o espacio de frecuencias que se discutirn con mayor detalle a
lo
largo de este trabajo.
1o6
LF VLF VF ELF
300
Hz
1ob
1o4
1o3
300
kHz
1o2
1O'
1oo
1o-'
1o"
HF
VHF
UHF EHF
SHF
3
30 3
30
30
300
MHz kHz kHz
GHz
microondas
Designaciones de frecuencias
VHF
UHF
. SHF
Frecuencia de voz
Frecuencia media
GHz
MHz
MHz
I Rango
Abreviatura [ Descripcin
ELF
VF
VLF
LF
MF
A, m
alta
La palabra voltaje se utiliza tan frecuentemente en la literatura tcnica y cientifica en el espaol que hara pensar
que es correcta en cualquiercontexto. Sin embargolapalabracorrecta
y adecuadaquedeberaemplearse
invariablemente es tensin. En este trabajo se seguir utilizando la palabra 'voltaje' con
el fin de seguir solo los
esquemas comunes recalcando de antemano su uso arraigado e inadecuado.
Un dispositivo activo es aquel que convierte energa proveniente de una fuente de voltaje polarizada de comente
directa a una seilal de radio frecuencia.Los dispositivos activos se requieren en osciladoresy amplifcadores.
Los
dispositivos
marcados
con
un
asterisco
(*) son los mas
empleados
para
aplicaciones de microondas tales como el radar, comunicaciones de muy diversos tipos
incluyendocomunicacionesnavales
ymilitares,ascomoarmamentointeligente,
electrnica de consumo, instrumentos de microondas, etc.,y pueden operar desde ultra
altas frecuencias hasta las denominadas ondas milimtricas.
Los quesedescribirnconmsdetalleson
los transistoresbipolaresutilizadosen
amplificadores de potencia de telfonos celulares e inalmbricos.
5. Transistores para HF y RF
Los amplificadores, para pequea seal, que estn configurados en emisor comn con
resistordecargadecolector,muestranundecaimientodegananciaconformese
incrementa la frecuencia de la seal debiendo esto principalmente a los efectos de las
capacitancias de la cargay la junturao unin.
Lacapacitancianoeselnicofactorqueafectalareduccindelagananciadel
amplificador en altas frecuencias. La capacitancia de retroalimentacin (Ccb) desde la
entrada hasta la salida puede dominar la cada de alta frecuencia especialmente si la
impedanciadelafuentedelasealdeentradanoesbaja.Paradeterminardonde
decaer un amplificador, y que se puede hacer al respecto, se necesita introducir un
modelo de AC relativamente sencillo tanto para transistores bipolares como para FETs.
Losmodelosdeemisorcomnqueseilustranenlafigura
1 son los mssencillos
posibles para altas frecuencias y se pueden utilizar an para estimarel desempeo de
circuitos de alta velocidad.
(b)
Cab,Ccb
,""""""-"""""
Crss,Cdg
Fig. 1. Circuitos equivalentes a altas frecuenciaspara un (a) transistor bipolary para un (b) FET
"L
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
~
Enestoscasos,lacapacitanciaefectivaaumentadrsticamenteenlamedidaque
aumenta la corriente de la base, y debido a que V es cercano a Vd, tiene sentido que
incluyan el valor de Cie en las hojas de especificaciones del transistor. Sin embargo,
resultaquelacapacitanciaefectiva
Cie se
incrementaconelaumentode
IE, y
disminuyendo re, detal manera que el producto RC (r&ie) permanece casi constante.
Comoresultadolagananciadeltransistorenunafrecuenciaparticulardepende
principalmente de la razn entre la prdida de corriente enCie y la corriente que en ese
momento conduce la basey no es fuertemente dependiente de la corriente de colector.
Por lo tanto, en vez de intentar especificar Cie, el fabricante de transistores especifica
usualmente f ~ que
,
es la frecuencia a la cual la ganancia en corriente
(h&)ha cado a la
unidad.
La ecuacin para esta frecuencia es
la siguiente:
JT
=----
1
re
K i e
I
L
Base
Emisor
Base
Base
Emisor
n-
t
colector
;
Las secciones con rayas indican electrodos metlicos Las designaciones n+,n-p,y ,n
indican el tipo de impureza aplicada
y el nivel de concentracin relativa.
Para aplicaciones de microondas la estructura npn se usa debido a que
la operacin se
controla por el flujo de electrones.
Engeneral, el transportedeelectronesesmsrpidoqueeldehuecos,y
los
transistores npn superan el desempeo en altas frecuencias comparndolos con
los de
unin pnp. En operacin, la unin pn base- emisor est polarizada en directa
y la unin
np base- colector en inversa. Cuando una seal RF
de se aplica a la unin base- emisor
la unin permite que se inyecte una corriente en la regin de la base que consiste en
portadores de carga minoritarios los cuales se difunden entonces a travs de la regin
de la base hacia la unin base- colector donde son llevado a travs de la unin por el
fuertecampoelctricodebidoalapolarizacin.
El tiempodetransmisinde
los
portadores de carga a travs de esta regin es pequeo excepto para transistores de
ondas milimtricas donde el tiempo de trnsito en la regin base- colector puede ser
una pequea fraccin del tiempo requerido por los portadores de carga que atraviesan
el emisor a travs del colector.
La operacin del transistor es primordiatmente controlada por los portadores de carga
minoritarios para difundirse a travs de esta regin. Por esta razn los transistores de
microondas se disean con regiones de base angostas con fin
el de minimizar el tiempo
requerido por los portadores para atravesar esta regin. El trnsito de la regin de la
base es generalmente un factor limitante que determina la capacidad del transistor en
altasfrecuencias.Lagananciadeltransistoresafectadasignificativamenteporel
comportamiento de los portadores minoritarios en la regin de la base. La densidad de
los portadoresminoritariosessignificativamentemenorque
la densidadde
los
portadoresmayoritarios.Lasregionesdebandaangostareducenelvolumendel
semiconductor donde la recombinacin delos dos tipos de portadores puede ocurrir con
lo que se obtieneun incremento en la ganancia.
La respuesta en frecuencia de un transistor bipolar se puede determinar por un anlisis
del tiempo total quele toma a un portador de carga viajar del emisor
al colector.
Debido a quelos transistores bipolares tienen tres terminales, estos pueden operar bajo
tres configuraciones distintas. Las ms empleadas son las configuraciones de emisor
comn y base comn aunque la de colector comn tambin se usa. Los amplificadores
apequeasealgeneralmenteutilizanlaconfiguracindeemisorcomny
los
amplificadoresdepotenciaamenudousanlaconfiguracindebasecomn.La
ganancia de corriente de un transistor que opera en colector comn se denota por p y
enbasecomnpor a, donde p > a , la cualestlimitadaavaloresmenoresquela
unidad. Paralos modernos transistores de microondas
a. -0.98-0.99 y po -50-60.
Una medida de la ganancia en potencia de
RF para el transistor es indicada por la
ganancia en potencia unilateral la cual se expresar en la ecuacin
Icomo sigue:
CJ E
a 0
"
"
Parapodermaximizareldesempeodeltransistorenaltasfrecuenciassenecesita
diseareldispositivodetalformaquetengaaltagananciaencorriente(fT),baja
resistencia de base(rb) y baja capacitancia de colector(Cc).
Base
walia&l
del
Colector
delcoledor
16
""""I
1
I
Rdde
I
I acoplamiento I
I .
I
I '
I
""""2
""""I
!-
"""_
Algunas
de
las
caractersticas
ms
notables
de
frecuencias que utilizan transistores bipolares son:
J Baja sensibilidad al ruido
J Alta linealidad
J Ganancias en potencia altas y variables
J Ancho de banda ptimo
J Alto desempeo arriba de 4GHz
J Bajocosto
los amplificadores
para
altas
la seal queda lista para alimentar la carga. Los combinadores estn relacionados muy
de cerca conlos transformadores de banda ancha en diseo
y construccin.
Este mtodo se utiliza entonces para mejorar
la salida de potencia delos amplificadores
de potencia.
Clases de operacibn delos amplificadores de potencia
18
Enresumensepuededecirentoncesquetrabajarenmegahertzpuedediferiren
muchos aspectos de trabajar en gigahertz. De hecho en
los ejemplos ilustrados ms
adelante se mencionan tipos de transistores que no son muy conocidos debido
a que se
requieren para propsitos muy concretos en frecuencias extremadamente altas.
La parte ms importante hasta aqu es entonces diferenciar un transistor de HF
y un de
RF.
Los transistores que operan en HF son afectados en su desempeo porefecto
el miller.
Para reducir la impedancia de conduccin
o la capacitancia de retroalimentacin se
emplean distintos tipos de configuraciones, estas se ilustran en la figura
5.
A. seguidor ms amplificador
en emisor comn
B. amplificador en emisor
comn ms amplificador en
C. seguidor ms amplificador
en base comn (amplificador
(Cascode)
comn
diferencial)
base
19
circuito que incluyen elementos que no se encuentran nunca en circuitos de HF, como
lo son lneas de transmisin, guas de onda
y transformadores. Por estas razones no se
profundizar ms en el anlisis de los amplificadores de HF pues el objetivo es analizar
los amplificadores de potencia para RF.
Amplificadores modulares
20
21
22
23
Si la carga es resistiva, la entrada se ver resistiva. Por otro lado, una lnea que es un
nmero integral de la mitad de longitudes de onda presenta una impedancia de entrada
igual a su impedancia terminal.
Estos conceptos son muy importantes por lo que se ilustran en la figura 6 para mayor
claridad.
z,, --
--Lo
Zloud
Zin
=Z
h d
..;-
............................................................................
.............................................
........
.........................
T4-
,:.t:.
zload
..........................................................................
....................................................................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .
.
.
. ...
.
.-s.<:. ......
.. .. . .. . .. .. . .. .. ... .. . . . . . .. .. .. .. .. .. . .. .. . . . .
. .......
. ;:..........
.. .~.:
...............................
.:,:,::::.:.,::.:,:~:::.:..::..::..,:
.................. .........:...:.:................................. ........
..::.:..........
............. :
+
;
;i..2
...
;
.
i......
ZlOad
h12
(elctrica)
Una lnea de transmisin, sea cual sea su forma, posee una impedancia caracterstica
Zo que indica que una onda que se mueve a lo largo de una lnea tiene una razn de
voltaje a corriente igual aZo. Para una lnea de transmisin sin prdidas,Zo es resistiva
e igual a d(LIC) donde LCy son la inductanciay capacitancia por unidad de longitud.
24
Cuandounalneadetransmisinseusaparasealesdealtasfrecuenciases
importanteacoplarlacargadelaimpedanciacaractersticadelalnea.
Los hechos
importantes al respecto de todo esto son los siguientes:
0
Una
lnea
de
transmisin
terminada
con
una
carga
igual
su
aimpedancia
caracterstica (resistencia) transferir un pulso aplicadolaaterminal sin reflexin.
En el caso de que toda la potencia sea transferida a la carga, la impedancia que se
observahacialalneadetransmisin,acualquierfrecuencia,esigualasu
impedancia caracterstica.
Mientrasqueabajasfrecuencias(longituddeonda
>> longituddelcable)nohay
necesidad de acoplar lneas de impedancia previniendo que es relativamente sencillo
manejarlacapacitancia(tpicamente30pFporpie).
Por otraparte,sielcablees
terminado con un resistor, sorprendentemente este se convierte en una resistencia pura
para todas las frecuencias.
Amplificadores entonados
En los circuitosderadiofrecuenciaintentadosparacomunicaciones,
o paraotras
aplicaciones donde la frecuencia de operacin est confinada a una banda angosta, es
o colector.Estotiene
comnusarcircuitosLCentonadoscomocargasdedrenaje
varias ventajas:
Msaltagananciaporetapasimpledebidoaquelacargapresentaunaalta
impedancia a la frecuenciade la seal(Gv=gmZload)mientrasquepermiteuna
corriente fija arbitraria
Eliminacin de los efectos indeseables de la carga de la capacitancia debido a que
el circuito LC entona cualquier capacitancia al hacerla parte de la capacitancia del
circuito entonado
Acoplamientoentreetapassimplificadodebidoaque
el circuito LCpuedeser
acopladoportransformador,
o anconfiguradocomouna
red deacoplamiento
resonante, para lograr cualquier transformacin de impedancia deseada
Eliminacindesealesfueradebanda
y ruidopertenecientealaselectividadde
frecuencia de los circuitos entonados.
A continuacin se muestrala configuracin clsica de un amplificador entonado.
25
+1 ad
39k
I
0.1uF
1QQk
'1
LCA
VTV
P' j
O.O1 UF
"
+2w
0.0uF
SF c
+i
42 2N5179
0.01UF
Pl 3N140
I)
It"
26
27
Multiplicadores de frecuencia
Un circuito no lineal a menudo es usado para generar una seal como mltiplo de las
seales
de
entrada.
Esto
es
particularmente
conveniente
si
una
seal
de
alta
estabilidad se requiere a frecuencias muy altas por encima del rango de
los buenos
osciladores. Uno de los mtodos ms comunes es polarizar una etapa de amplificacin
para operacin altamente no lineal, entonces se usa un circuito LC entonado de salida
para algunos de los mltiplos de la seal de entrada; esto puede llevarse a cabo con
transistores bipolares, FETs, a inclusive diodos de tnel. Un multiplicador comoel 1496
puede ser usado como un eficiente duplicador a bajas radio frecuencias conectando la
seal de entrada a ambas entradas, formando as el cuadradolade
seal de entrada.
Elcuadradodeunaondasenoidalcontienefrecuencias
solo hastaelsegundo
armnico. Existen mezcladores que aceptan frecuencias desde 5MHz hasta 2400MHz
con una buena supresin tanto de la frecuencia de entrada (la frecuencia fundamental)
como de armnicos no deseados.
Un circuito multiplicador de frecuencia debera incluir un circuito de salida entonado o
deberaserseguidoporamplificadoresentonados,yaque,engeneral,muchos
armnicos de la seal de entrada son generados en el proceso no lineal.
Filtros
La selectividad de frecuencias se necesita tambin en circuitos de RF. El amplificador
LC entonado proporciona una buena medida de selectividad, con
los picos o crestas de
la respuesta ajustable va el factorQ del circuito LC. Lo ltimo depende de las prdidas
en el inductory el capacitor, as como la carga del circuito asociado. Se pueden obtener
fcilmente valores de Q del orden de centenas. En frecuencias extremadamente altas,
los circuitos LC amontonados son reemplazados por tcnicas de lnea (stripline), y en
microondasseutilizancavidadesresonantes,perolaideabsicasiguesiendola
misma. Los circuitosentonadostambinpuedenserutilizadosparareflejauna
frecuencia particular si se desea.
Para aplicaciones donde es necesario tenerun filtro que pase una banda muy angosta
de frecuencias relativamente no atenuadas, con una cada abrupta fuera de los lmites
delabanda,
unfiltropasabandasuperiorpuedehacersedeunconjuntode
resonadores piezoelctricoso mecnicos.
Los filtro en RF son muy importantes ya que permiten la selectividad hacia el receptory
la generacin de ciertos tipos de seales moduladas.
En situaciones donde los filtros pasa banda de banda angosta no se necesitan,
los
filtros pueden disearse con mltiples secciones de circuitos
LC resonantes.
Detectores
Laetapafinalparalaextraccindelainformacindeunasealde
RFmodulada
involucra la deteccin, que es el proceso de quitar la seal modulada de la portadora.
Existen varios mtodos para ello dependiendo de la forma de modulacin
(AM, FM,
SSB, etc.)
28
1
I
Fig. 9. fuente de corriente controlada por voltaje
29
P=-
Y,,
De esta forma es sencillo convertir una medicin de amplitud a una de potencia. Sin
embargo, para formas de onda no senoidales, una medida real de la potencia se puede
hacer solo promediando el cuadrado de la forma de onda de voltaje actual. En trminos
de mediciones deRF se requiere de un 'detector de ley cuadrada'.
Existen numerosos mtodos disponibles para este tipo de mediciones. Para frecuencias
por arriba de unos cuantos megahertz, estos mtodos de rms de leyes cuadradas fallan
debido a amplificadores operacionales de anchos de banda inadecuados.
Sin embargo, existen otros mtodos. En la figura
10 se ilustra un circuito detector de ley
cuadrada que usa un diodo de retroceso (back diode), el cual es simplemente un diodo
de tnel.
de RF
o:?F
OP-27
470R
*
Fig. I O . Detector de diodo de retroceso de ley cuadrada.
30
Escircuitosellegaaencontrarencircuitosderadioastronomaypresentauna
extraordinaria linealidad de potencia.
Una tcnica muy interesante que utiliza el mismo principio de funcionamiento de ley
cuadrada es el mtodo balomfrico, en el cual la seal de entrada (tal ves amplificada)
se usa para impulsar un termostato cuya temperatura se mide entonces. Debido a que
esteesexactamenteproporcionala
V2, estemtodoesintrnsecamentedeley
cuadrada y banda ancha.
Con un especial cuidado en el diseo del bolmetro es posible extender el ancho de
banda a muy altas frecuencias y a un rango dinmico ms amplio. La serie 432-438 de
medidoresbolomtricosdepotenciade
HP extiendenelrangodefrecuenciasde
IOOkHz a SOGHz!, usando
conjunto
a
de
sensores
bolomtricos
de
potencia
intercambiables. Esto abarca el rango de +44dBm(25W) a -70dBm (1OOpW), o sea un
total de expansin de 114dB.
Cualquier tcnica que permita controlar la amplitud de la seal con un voltaje de forma
lineal permite generar una seal de RF modulada en amplitud. Los mtodos comunes
hacenusode
la variacindeunafuentedevoltajedeamplificacinde
RF (si la
modulacin se lleva a cabo en la etapa de salida)o usando un chip multiplicacin como
el 1496. Cuando se realiza la modulacin en etapas de bajo voltaje todas las etapas
siguientes de amplificacin deben ser lineales. Se debe notar que
la formadeonda
moduladora debe estar polarizada de tal forma que nunca sea negativa.
Elreceptorde AM ms sencilloconsistedevariasetapasdeamplificadoresde
RF
entonados seguidos por un diodo detector. Las etapas de amplificacin proporcionan
selectividad contra las seales cercanas en frecuencia y luego se amplifican las seales
de entrada (las cuales comnmente son del orden de microvolts!) para el detector. Este
ltimo simplemente rectifica de la seal de
RF de esta forma recuperando la envolvente
con un filtro pasa bajas. El filtro pasa bajas debera rechazar la seal de RF mientras
que permiteel paso de audio frecuencias sin atenuacin.
Receptor superhetemdino
ventaja de los filtros de celosa cristalina para generar una banda angosta conla cada
abrupta sobre cualquier lado que es una caracterstica pasa banda muy deseable.
Una solucin conveniente a este problema es el receptor superheterodino. La seal de
entrada es amplificada con una etapa simple de una amplificador entonado deRF que
posteriormente se mezcla con un oscilador local ajustable (LO) para producir una seal
en una frecuencia intermedia(IF), en este caso 455kHz. La entrada del amplificador de
RF debe estar entonada en conjunto con el oscilador local pero la alineacin no es
crtica. El circuito para recepcin de
RF superheterodino se ilustra a continuacin:
de la antena
entrada de RF
amplificadores de RF entonados
detector
de AM
? ? ?
,
,
amplificador de audio
D
N
entonacibn simultnea
32
que
compaas
o instituciones
asociada
distintas
a
especialidades
del
diseo
electrnico formulen clases derivadas para propsitos ms especficos, como un tipo de
amplificador de potencia de alto desempeo diseado en 1975, el cual se considera
unasubclasederivadadelasclasesprincipales,denominadaClaseE-A,lacual
permiti a los creadores realizar un amplificador de potencia de alto desempeo para
altas frecuencias. Este modo de operacin propuesto en ese entonces permiti disear
RF y microondasutilizando
muchosde los circuitosqueseutilizanactualmenteen
amplificadoresqueestnbasadosenunareddecargasintetizadaparatener
respuestas transitorias que maximizen la eficiencia en potencia an si
los tiempos de
conmutacin del dispositivo activo son fracciones substanciales del ciclo de AC. Para
esteamplificador los diseadoresmidieronunporcentajedeeficienciadel
96% a
3.9MHz con una salida de 26W utilizando transistores 2N3735
TO-5 de Motorola.
Las ventajas de esta Clase (nueva en ese entonces) son su alta eficiencia, diseo a
priori,bajasensibilidadacaractersticasdedispositivosactivos
y potencialpara
operacin de alta eficiencia en altas frecuencias mejorando el desempeo de circuitos
con amplificadores operando en Clase O, que es otra derivacin que surgi por esas
mismas fechas.
El circuito con el que se implement este amplificador, que es un miembro elemental de
la Clase E-A, entrega una potencia de 20W a 10MHz con los valores mostrados en el
siguiente diagrama. Un diagrama del circuito se muestra a continuacin.
c2
Dispositivo
activo de
r-----------l
200pF
L2
carga
I
I
I
I
I
I
Entrada
Q :
I
I
I
I
I
I
I
c1
I
I
-+
I
I
I
I
a .
"
""""""
1'"
Red de carga
33
Este amplificador emplea un triodo conectado a tierra sin polarizacin. Los tubos de
vaco an se emplean en los amplificadores alta potencia paraRF debido a que ningn
dispositivo del estado slido puede servir como acoplo para su desempeo. Un ejemplo
8973 queentrega 1.5MW a 5OMHz. Larejillaatierrano
eseltriododepotencia
requiereneutralizacin y elcircuitodesalidaeslared
pi convencionalquees
conducida por el capacitor de bloqueo
CS.CS,L4 y C ~ forman
O
la red actual con sus
valores determinados por la frecuencia de resonancia, la transformacin de impedancia
y la Q (factor de calidad5) cargada deseadas.
3CxlOOOOA7
Entrada
de 50Q
L1
35 c1
'V,Pmnm
Q es el factor de calidad
y mide la agudeza de la resonancia.
34
35
-&
Salida R F
Entrada de RF
:c12
Figura14.Amplificadordepotenciaparauntelfonocelularusandotransistoresde
banda ancha de quinta generacin. (TL- Transmition Line)
Tabla 2.
Medida de las impedancias
de la
potencia.
Transistor Condiciones
fuente (a)
BFG425W
12+0.7j
BFG21W
9.1-9.5j
R2
R,
18
RFde
_"
Los decibeles tambin seusan para indicar niveles de potencia absolutos agregando
una tercera letra ala notacin.
Si el nivelde referenciaes de ldiwatt la potencia se expresa en 'decibeles por encimade 1 miliwatt' (&m)
36
c
1
2
Transistores
QI
1 2p
.~
Q2
Q3
-.
Qd
BFG425W
BFG21w
PUMTI
PUMTI
~-
Lneas de transmisin
Laggo 6.5mm; ancho
0.5mm
TL1
"_
.
Largo 6.5mm;
ancho
0.5mm
TL2
..
. -~~.
Largo
6.5mm;
ancho
0.5mm
TL3
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
TL4
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
T4
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
TL6
~~
"
"~
Funcionamiento
El diseo opera desde 3.6V e incluye un circuito de polarizacin para el ajuste de
la
carga de potencia y un interruptor de encendido/apagado. El amplificador proporciona
26dBm' de potencia a la salida logrando una ganancia de potencia de 29dB eficiencia
50%.
de potencia agregada global que excede el
La amplificacin de potencia enRF se logra usandosolo dos de los nuevos dispositivos
de banda ancha. El transistor Q1 opera en clase A con unVCEde 3V y una corriente de
colector de 30mA. Bajo estas condiciones proporciona 18dB de ganancia y un nivel de
potencia de salida de 15dBm para una entrada deRF de -3dBm. El transistor Q2 es un
transistor de potencia media que opera en modo clase AB. Este maneja el circuito de la
antena directamente. Q2 est polarizado a un voltaje de base de0.7V el cual resulta en
una corriente fija de colector demA
1 aproximadamente. Este transistor proporciona una
ganancia de potencia de 11 dB y un nivel de salida de 26dBm.
Bajo estas condicionesla eficiencia de su colector es tpicamente del
55%.
37
Conunasligerasmodificacionesesteamplificadordepotenciaesapropiadopara
usarse en telfonos PHs, aunque estos requieren una salida de potencia de RF menor
deunos 2ldBm en vezde26dBm.
No obstanteestostelfonosrequierenunmejor
desempeo lineal.
38
9.
Biblioarafa
Artculos
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