MOSFET

Fabin Andrs Lozano Vargas

e-mail: f.andresl@hotmail.com
Jeisson Andrs Lpez Velsquez
e-mail: andreslopez-92@hotmail.com
Leonardo Conde Crdenas
e-mail: j.leonardoccf@live.com

ELECTRONICA DE POTENCIA, convertidores, aplicaciones y diseo.

(Mohan)

MOSFET de potencia:
Los MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) o transistores de efecto
de campo por semiconductor de xido metlico son utilizados en aplicaciones de
electrnica de potencia ya que cuentan con apreciable capacidad de conduccin de corriente
en estado activo y buena capacidad de tensin de bloqueo en estado pasivo.
El MOSFET tiene una estructura de orientacin vertical del dopaje alterno de tipo p y n. La
+
n
estructura + pn se denomina MOSFET de canal n, la estructura inversa se denomina
n
MOSFET de canal P. Las zonas

+
n

son llamadas fuente y drenaje, la capa tipo

llamada cuerpo y ah es donde se establece el canal entre fuente y drenaje, la capa

la regin de arrastra del drenaje.

es

es

a) Smbolo del circuito para un canal

n

b)
c) Smbolo del circuito para un canal
p

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d) Respecto al smbolo la flecha en el cable que va a la zona del cuerpo indica el sentido de
flujo de corriente, si la unin pn de cuerpo-fuente es de polarizacin directa por romper
el cortocircuito se le aplica tensin de polarizacin. La flecha para un Mosfet de canal n y
cuerpo p apunta hacia dentro; para un Mosfet de canal p apunta hacia afuera. [1]
e)
f) Referencia: N. M. -. T. M. U. -. W. P. Robbins, MOSFET DE POTENCIA, de
ELECTRONICA DE POTENCIA convertidores, aplicaciones y diseo, Minnesota- Impreso
Mexico, Mc Graw Hill, 2009, p. 722.
g)
h)
i)
ANALISIS BASICO BASICOS DE CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS
j)
k) La unin PN en los transistores MOSFET:
l) Para lograr que circule corriente entre drenador y la fuente es necesario un canal, este le dar
el nombre al transistor. Existen dos tipos de transistores MOSFET:
Canal n (NMOS) compuestos por una amplia zona de P entre dos pequeas zonas de N.

Canal

p (PMOS) compuestos por una amplia zona de N entre dos pequeas zonas de P.

m)

n)
o) Estructura de transistor NMOS de enriquecimiento
p) Para los transistores MOSFET de canal n (NMOS), se necesita generar una diferencia de
voltaje positiva entre los terminales G y S , este valor deber ser mayor al voltaje de
V GS >0
V GS 0
umbral para que se cree el canal
. Dado el caso
no abra paso de
corriente entre D y S aunque

V DS > 0

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q)

r) Cuando la tensin en G es lo suficientemente positiva, por efecto del campo elctrico

V GS
asociado a
la puerta atrae a los electrones libres que hay en P . Estos electrones no
pueden atravesar el aislante (xido), se recombina con los huecos prximos a este. Los
electrones libres empiezan a circular de D hacia S es decir circulara una corriente
desde el drenador hacia la fuente.

s)
t) Estructura de transistor NMOS de empobrecimiento
u) La diferencia de los transistores de enriquecimiento a los de empobrecimiento es el canal, ya
que este siempre existe desde el proceso de fabricacin. Si se aplica un voltaje entre D y
S

siempre circulara una corriente as

V GS=0

. El funcionamiento es diferente a los

transistores de enriquecimiento. En este caso la compuerta

es polarizada de manera

que estreche el canal de ah parte su nombre (empobrecimiento). Para esto se establece un

voltaje negativo entre G Y S .

v)

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w) Al existir una tensin negativa en G hay una fuerza de repulsin sobre los electrones
libres de la zona N , estos se movern hacia la zona P . Cuando la puerta sea los
suficientemente negativa el canal tipo N se estrechara hasta desaparecer, al igual que la
corriente que circula entre D
V GSoff
estrangulamiento
. [2]

S . Lo anterior se logra con un Voltaje de

x)
y)
z) Referencia : Txelo RUIZ Vsquez, Olatz Arbelaitz Galllego, Izaskun Etxeberria Uztarroz
analisis basico de circuitos electricos y electronicos.Analisis basico de circuitos elctricos
y electrnicos, Universidad del pas Vasco - Facultad informatica, editorial PEARSON,
PRENTICE HALLmadrid 2004 - PAGINA 584 PDF- PAGINA 566 LIBRO- CAPITULO A3
electronica basica-Unin de transistores Mosfet
aa)
ab)

Caractersticas del Mosfet

ac)
ad) Mosfet es un dispositivo de 3 terminales controlado por voltaje que tiene un nodo y un
ctodo llamado respectivamente drenaje D, fuente S y compuerta G. Cuando se mantiene un
VGS voltaje compuerta-fuente de aproximadamente 12 voltios se inicia la corriente I D, la
conduccin se detiene cuando VGS est por debajo del lmite umbral que puede ser 1 voltio.
Requiere de muy poca potencia para excitar el Mosfet ya que las corrientes de IG son muy
pequeas. [3]
ae)
af)
ag) Referencia T. Wildi, maquinas electricas y sistemas de potencia, Pearson - Educacin,
traduccin 2007 - Mexico, pp. 525- elements fundamentales de la electrnica de potencia.
ah)
ai)

aj) En el transistor MOSFET el movimiento de carga se produce nicamente por la

existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo, estos transistores se
crean en la poca de los aos sesenta cuando se produce el relevo del material de
Germanio (Ge) al Silicio (Si), cuando D. Kahng y J. Atalla realizan el primer
transistor de efecto de campo.
ak) Este dispositivo tiene 4 terminales: la puerta (G), el drenador (D), la fuente (S) y el
sustrato (B). La corriente al interior de un MOSFET fluye desde la fuente hasta el
drenador, siendo controlada por la puerta; esta corriente puede ser en forma de
huecos o de electrones. La patilla de sustrato se usa para precisar la tensin umbral
del transistor, aplicando un voltaje constante.
al)

am)
Ref17.
http://www.iuma.ulpgc.es/~benito/Docencia/TyCEyF/PDF/apuntes/teoria/Cap4.pdf
an)

ao)
5

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Ventajas sobre los BJT

ap)
aq)Los MOSFET tiene ciertas ventajas sobre los transistores BJT, entre ellas estn:
- Generan menos ruido.
-

Son ms fciles de fabricar.

Tienen una alta impedancia de entrada.

No son tan sensibles a la radiacin.

Pueden conmutar grandes corrientes.

ar) As como tiene ventajas tambin tiene algunas desventajas con respecto a los
transistores BJT:
- Tienen una pobre linealidad.
-

Tienen pobre respuesta en frecuencia.

Son sensibles a la electricidad esttica.

as)
- Ref 16 http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase1/tema-4.-transistores-de-efecto-campo.pdf
at)
au)
Tipos de MOSFET
av)
aw)
Hay varios tipos de MOSFET, estn los de acumulacin y el de deflexin.
ax) El fundamental es el MOSFET de acumulacin, que ha permitido los rpidos
avances que se han producido durante los ltimos aos en la electrnica.
ay) Los MOSFET requieren menor espacio de integracin, por lo tanto permiten una
mayor solidez de aparatos, el funcionamiento de estos transistores depende
nicamente de la circulacin de portadores mayoritarios. Por lo tanto es un
dispositivo unipolar.
az)
ba)Dichos transistores permiten tambin que sean utilizados como conmutadores
bilaterales simtricos y tambin como elementos de memoria, a travs de cargas
almacenadas en capacidades internas.
bb)
bc) A pesar de estas caractersticas, posee dos grandes inconvenientes, que son su
poco producto de ganancia por ancho de banda y su poca velocidad de
conmutacin cuando se trabaja con cargas capacitivas.
bd)
be)Referencia:
http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets_datos/tema_6_transistores_mosfet.pdf
bf)
bg)

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La estructura de un MOSFET est formada por tres capas y dos terminales: un

substrato de silicion, poco dopado de material n o p, sobre el que se genera una
capa de Oxido de sislicio (SiO 2), que posee caractersticas aislantes o dielctricas.
Por ltimo, sobre esta capa se coloca otra de METAL, ya sea aluminio o polisilicio,
que tiene caractersticas conductoras.

bh)

bi)
bj) Esta combinacin se comporta similar a un condensador de placas paralelas en el
que G y B son las placas, en este caso el aislante sera el xido. Teniendo esto,
cuando VGB=0, la carga que se ha acumulado es cero y la distribucin de portadores
es aleatoria correspondiente al estado de equilibrio en el semiconductor.
bk) Si ahora VGB>0, en este caso aparece un campo elctrico entre la puerta y el
substrato, as la regin p crea una regin de empobrecimiento de cargas libres p+
(zona de deplexin), esto mismo sucedera en la regin P de unaunin PN cuando
estaba polarizada negativamente.
bl)

bm)
Referencia
:
http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets_datos/tema4_el
%20mosfet.pdf
bn)
bo)
bp)
bq)
br)
Existes dispositivos MOSFET de canal corto y canal largo, lo de canal corto,
son en los que el tamao del canal se puede comparar con otro parmetros del
dispositivo, por ejemplo la profundidad de las difusiones de fuente y drenador y el
espesor de sus regiones agotadas. Los de canal largo tiene un comportamiento
ajustable sin demasiado error a un modelo mono dimensional, con la corriente
fluyendo en la superficie del silicio. Si se quiere explicar los efectos del MOSFET de
canal corto es ms apropiado asumir un modelo bidireccional.
bs)
bt) Otro avance que ha permitido ser desarrollado gracias a los MOSFET es la
tecnologa VLSI. Esta es una escala que hace referencia a la reduccin metdica
de las dimensiones de los dispositivos, manteniendo aun las relaciones geomtricas
especficas de los dispositivos de mayores dimensiones. A pesar de esto, la
reduccin de las dimensiones fsicas debe conservar lo primordial de la operacin
de estos dispositivos, por ejemplo la relacin de tensin-corriente.
7

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bu)
bv) Estos dispositivos escalados presentan ciertas ventajas en cuanto a menor tamao,
menor consumo de potencia y mayor velocidad de operacin. Tambin han exigido
avanzar en todos los procesos relacionados con la metalizacin, aumentando en
gran forma el nmero de niveles de metal por cada nodo.
bw)
bx)

by) Referencia
ftp://wsdetcp.upct.es/FelixM/Doctorado/Diseno_Microelectronico/Tema_MOSFET.pdf

bz)
ca)
cb)

Una de las principales aplicaciones de los MOSFET, es como amplificador de seal,

ya sea en voltaje, corriente o potencia. La forma de uso es la misma utilizada con el
transistor bipolar, a travs de una red de polarizacin se consigue que el transistor
opere en la regin apropiada para amplificar, es decir, punto de trabajo del
transistor. Luego se aade a la entrada del circuito una pequea seal con
variaciones en el tiempo, que sera la seal a amplificar.

cc)
cd) El funcionamiento cambia un poco respecto a los BJT, ya que el MOSFET es capaz
de amplificar slo si trabaja en la regin de saturacin, de este modo, si el transistor
opera en zona de lineal o de corte, habr distorsin. Como sabemos, el BJT
amplifica si trabaja en la zona activa directa.
ce)
cf) Al igual que los BJT, para el anlisis, se debe conocer el punto Q de trabajo en
corriente continua, para as determinar los parmetros del MOSFET trabajando en
pequea seal, con esto se puede hacer un anlisis temporal de la forma correcta.
cg)
ch)

ci) Referencia: http://books.google.com.co/books?

id=DD6s9ZvfgtUC&pg=PA191&dq=transistores+mosfet&hl=es&sa=X&ei=4Y5NU8THMc
aQ0QGGw4H4Cw&ved=0CF4Q6AEwCQ#v=onepage&q=transistores%20mosfet&f=false
cj)
ck)
cl)
cm)
cn)
co)
cp)
cq)
cr)

Mosfet en Modo de Enriquecimiento:

cs)
ct) Los transistores mosfet de canal p tienen la compuerta metlica aislada
elctricamente del silicio por un aislante muy delgado, por lo general es un oxido.
Las siglas MOS significan metal-oxido-semiconductor, cada una de las capa
metlicas que se encuentran a lado y lado de la compuerta, se encuentra en
contacto elctrico con dos regiones P separadas, las cuales constituyen las fuentes
8

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(S) y sumidero (D). El voltaje aplicado al terminal del substrato casi siempre da a
cada unin una polarizacin inversa o nula, esto se logra uniendo los terminales del
substrato y la fuente.
cu)
cv) Normalmente la longitud del canal (l) es la distancia que divide las regiones
contaminadas de la fuente y sumidero, la longitud del canal oscilara entre 4m, la
anchura del canal (W) es el ancho de cada regin en la superficie
perpendicularmente a la longitud del canal, oscila entre 50 m. Cuando se tiene un
dispositivo de potencia que deba ser asiento de una corriente intensa el ancho del
canal debera ser ms ancho.
cw)
cx) Referencia:
cy)
cz) Circuitos electrnicos: digitales y analgicos
da)Charles A. Holt
db)Editorial revert S.A.
dc)
dd)
Zonas de trabajo
de)
df) Los transistores mosfet de alta potencia deben ser fabricados con dopajes no muy
altos, esto significa limitar la conductividad, lo cual dar como resultado la reduccin
de la resistencia en teora, esta con la subida de temperatura subir, y as
constituye una de las caractersticas ms importantes del transistor.
dg)
dh)
Zonas de trabajo del mosfet
Zona de corte (cutoff): En esta el voltaje en la terminal de control no alcanza el
valor umbral necesaria para la puesta en conduccin del dispositivo, sin esta
tensin el dispositivo se comporta como un circuito abierto soportando la tensin de
alimentacin

Zona activa: En esta zona la caracterstica es prcticamente horizontal y en la que

la coincidencia de voltaje y corriente generan una alta potencia

Zona hmica: en esta se da la de saturacin del transistor bipolar, en la que el

comportamiento del dispositivo entre el drenador y surtidor es igual al de una
resistencia de bajo valor.

di) El control realizado por un mosfet en alta potencia a diferencia de los transistores
bipolares esta dado porque mientras los mosfet lo hacen por control de la tensin
de puerta los bipolares lo hacen por corriente de base.
dj)
dk) Referencia:
dl)
dm)
Fundamentos bsicos de la electrnica de potencia
dn)Editorial universidad politcnica de valencia

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do)Autores: Salvador segui chilet, Carlos Sanchez Diaz, Fco. J. Gimeno Sales,
Salvador Ortiz Grau
dp)
SOI
dq)
dr) En la tegnologia SOI (silicon on insulator) nos da algunas ventajas sobre la
normalmente usada de substrato de silicio, varias ventajas son: eliminacin de
corrientes parasitas, tiempos de conmutacin, reduccin de la potencia disipada,
minimizacin de los efectos de las fotocorrientes debidas a radiaciones ionizantes
entre otras.
ds) Existen dos maneras de distinguir los transistores mosfet de fabricaion SOI, estas
son gracias al ancho de la zona de carga espacial.
Fully-depleted: La zona ocupa toda la capa activa
Partially-depleted: El potencial de la zona neutra de la capa activa es flotante
dt)
du)

dv) Referencia:
dw)
Microelectrnica
92:
tecnologas,
diseo, aplicaciones
dx) Editores: A. M. Burn Romero, J.A. Michell Martin, J.M. Solana Quiros, G.A. Ruiz
Robredo
dy) Servicio de publicaciones de la universidad de Cantabria. 1993
dz)

Estructura:
ea)
eb)Estructura de metal-oxido-semiconductor (MOS), es obtenido haciendo crecer una
capa de dixido de silicio sobre un sustrato de silicio, y luego una capa de metal,
siendo el segundo el ms utilizado, debido a que el dixido de silicio es un material
dielctrico.
ec) Cuando es aplicado un potencial a travs del mos, este voltaje modifica la
distribucin de cargas en el semiconductor. Si se considera un semiconductor de
tipo P, un voltaje positivo aplicada de la compuerta al sustrato crea una regin de
agotamiento, esto gracias a que lo huecos cargads positivamente son repelidos
dela interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto da espacio a
una zona libre de portadoras, la cual es constituida por lo iones de los atomos que
aceptan cargas negativas. Si la potencia aplicada en Vgb es lo suficientemente
grande, al tener una alta concentracin de portadores de carga negativa se dar
forma a una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la
interfaz entre el semiconductor y el aislante.
ed)

ee)Referencia :
ef)
eg)Electrnica de potencia, dispositivos y aplicaciones
eh)Tercera edicin
ei) Autor: Muhammad H. Rashid
ej) Pearson educacin, mexico 2004
10

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ek)
Un mosfet es un transistor unipolar en el cual la corriente fluye desde la fuente a
travs de un canal prximo a la superficie hasta el drenaje. Los transistores mosfet
pueden ser de canal N o canal P; los de canal N son aquellos que consisten en un
sustrato de tipo P en el se difunden dos regiones altamente dopadas de tipo N,
estas 2 regiones son las que actan como fuente y drenaje, se encuentran
ligeramente separadas, esta separacin se logra con una capa muy delgada de
dixido de silicio sobre la estructura. Luego se hacen agujeros para as hacer los
contactos de fuente y drenaje, al finalizar esto se coloca una un rea metlica
cubriendo por completo la zona del canal, ms conocida como Gate. El flujo de
corriente que va desde la fuente al drenaje es controlado por el nmero de
portadoras existentes en la zona del canal; este nmero a su vez est regulado por
el campo electrosttico producido por las cargas situadas sobre el Gate.
el)
em)
Referencia
en)Electrnica Digital y microprocesadores
eo)Eduardo santana
ep)Universidad pontificia comillas (ICAI-ICADE)
eq)
En un principio los mosfet estaban constituidos por elementos muy delicados, en los
cuales el fino aislante de dixido de silicio resultaba daado por alguna corriente
alta que circulara, hasta la carga esttica de una persona poda daar en un
principio esta tecnologa, para el ensamblaje de estos circuitos anteriormente se
haca necesario corto-circuitar las patas para realizar el respectivo ensamblaje.
er) Actualmente es relativamente ms fcil y seguro, ya que traen diodo internos para
proteger el aislante dela compuerta ; as, si la tensin de compuerta crece
demasiado los diodos entran en accin y comienzan a conducir, para as descargar
esta tensin minimizando el riesgo al mximo, no por esto se debe de olvidar su
trato delicado, ya que sigue siendo un objeto frgil.
es)
et) Referencia
eu)Electrnica principios y aplicaiones
ev) Charles A. Schuler
ew)
Serie revert de formacin profesional en electricidad y electrnica.
ex)
Un tipo de transistor mosfet es por fase; uno de ello es el conocido high-side (uno
de sus bornes se conecta a tierra) y el otro es el low-side (uno de sus bornes se
conecta a la lnea +12v), en la actualidad se pueden emplear dos tipos de
transistores: los convencionales y los conocidos como RDS (on).
ey) Llega a ser fcil encontrar las diferencias entre estos dos tipos, ya que los
tradicionales traen solo 3 patas, mientras que los RDS poseen 4 patas. La funcin
de este tipo de transistores es recibir una tensin relativamente baja, ofreciendo un
valor alto d voltaje. Las desventajas es que su repuesta resulta ser lenta para
frecuencias altas, razn por la cual se utiliza un driver para conmutar entre los dos
transistores.
ez)
fa) Referencia
11

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fb)
fc)
fd)
fe)
ff)
fg)
fh)

Motherboards
Autor: Javier Richarte

Referencia 8
La corriente fluye por un canal estrecho el cual es formado por la compuerta y el
sustrato, donde el SiO2 asla la compuerta del canal. Tenemos dos estados en este
tipo de transistores, en uno de ellos se fuerza fuera del canal a los portadores
mientras que en el siguiente sucede un caso opuesto pues se atrae a los
portadores hacia el canal.

fi)
fj) Los mosfet de potencia tiene una amplia gama de utilidades, entre ellas
encontramos iluminacin, motores, etc. Estos tienes la gran facilidad de que
trabajan en paralelo sin problema alguno dando mejor desempeo, a esto se le
anexa su rpida respuesta en conmutacin al no contener portadores minoritarios,
vale destacar que el transistor es normalmente abierto cuando la tensin en
compuerta es cero.
fk) Ref: http://linux0.unsl.edu.ar/~rvilla/c3m09/trp11.pdf
fl)
fm)
fn)
fo)
En el transistor MOSFET su principio de operacin se da donde dos uniones P y N,
no se tiene corriente entre drenador y fuente; luego de esto aparecen cargas
positivas en el gate las cuales inducen cargas negativas en la parte superficial del
silicio debajo del xido. Es un dispositivo tambin bilateral donde S y D son
indistinguibles.
fp)

fq)
fr) Ref: http://www2.imsecnm.csic.es/~gloria/documentos/CURSO_0708/ELECTRONICA/TEMAS_PDF/Tema
5_0708.pdf
fs)
ft)
fu)
fv) En este tipo de transistores no se forma unin semi-conductora entre canal y
puerta, esta puerta es separada mediante una capa de SiO2 en la cual el oxido
funciona como aislante, de esto se deriva que trabajen con seales muy pequeas.
12

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fw)
fx) Ref: http://www.uhu.es/adoracion.hermoso/Documentos/tema-1-transistor-fet.pdf
fy)
fz)
ga)
gb)
gc)

13

gd) RESUMEN: Se realizo la consulta en diferentes fuentes de informacin sobre electrnica,

recurriendo a textos, libros en pdf, pginas web.

ge)
gf)
gg)
gh)
gi)
gj)
gk)
gl)
gm)
gn)