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Introduo
Em 1947, John Bardeen e Walter Brattain, sob a superviso de William Shockley no AT&T
Bell Labs, demonstraram que uma corrente fluindo no sentido de polaridade direta sobre uma juno
semicondutora PN poderia controlar a corrente de polaridade reversa sobre um terceiro eletrodo
montado muito prximo ao primeiro contato. Este dispositivo de controle de corrente recebeu o nome
de transistor como uma forma contrada das palavras resistor de transferncia (do ingls, TRANSfer
reSISTOR) e como ele opera com eltrons e lacunas como portadores de carga recebeu o nome de
transistor bipolar. Um outro dispositivo semicondutor de controle o transistor de efeito de campo
FET (Field Effect Transistor), cujo controle da corrente realizado por meio de um campo eltrico
induzido na regio condutora como ele opera majoritariamente com apenas um tipo de portador,
tambm denominado de transistor unipolar.
Fig. 1 Fotografia do aparato experimental de teste do primeiro transistor, inventado em 1947, por
Brattain, Bardeen e Shockley.
Tipos de transistores
Os transistores podem ser classificados de acordo com o tipo de portador de carga utilizado
para transporte de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de transistores: os bipolares e
os unipolares. Enquanto os bipolares utilizam-se de eltrons livre E lacunas como portadores de carga,
os transistores unipolares utilizam-se de eltrons livres OU lacunas como portadores de carga. A Fig. 2
ilustra os tipos de transistores bipolares e unipolares existentes, que sero descritos neste captulo.
ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da
polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que
negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos
dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
POLARIZAO:
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes,
da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar,
seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores:
OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre
base e emissor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a
bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs
das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de
baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a
0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto
que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica,
VCC assume valores maiores do que VEE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios
provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes:
a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do juno reversamente polarizada
coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume valores extremamente baixos
que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do
tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o
tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de forma
que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de variam de 0,9 a 0,99.
Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao coletor2.
Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que
a corrente de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
1
2
1-
ICBO
. IC
1-
1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92
0,92
=
=
= 11,5
1 - 0,92
0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
100
=
=
= 0,99
1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4
Temos ento:
IC
IC
=
e =
IB
IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem
de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de
1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos
considerar para fins prticos:
IC = IE
3
4
CARACTERSTICAS:
EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre
coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais
alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito
elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito
baixa
10
das setas.
Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERSTICAS:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como:
regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser
escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as
regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como
amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos
de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no
sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
11
12
13
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas
principais caractersticas:
14
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de sada:
VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
IB =
VCC
IC
ou ainda: IB =
R B RE
IE = ( + 1)IB
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
15
VCC
R B RC
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
VCE = 0,5VCC
RE =
0,5VCC
IE
IE = IB
IB =
VCC
R B RE
16
RB2 . VCC
RB1 RB2
RTH =
RB1 . RB2
RB1 RB2
IE
VTH - VBE
, temos: IE =
RTH
1
RE
1
RTH
, podemos simplificar a frmula:
1
17
VTH - VBE
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que
equivale dizer que:
RTH 0,1RE
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RB1 =
RBB . VCC
ou
VBB
RB2 =
RB1 . RBB
ou
RB1 - RBB
RB1 = RBB .
RB2 =
VCC
VBB
RBB
VBB
1VCC
IE
- ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
( 1)
IC = IB + ( + 1)ICBO onde:
( + 1)ICBO = ICEO
IB =
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
18
IB ICBO
1- 1-
IEBO:
ICEO:
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais
adiante.
ICBO:
Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para cada
10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e base, com o
emissor aberto.
DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
19
3mA
IC
=
= 30A
100
Clculo de RE
VRE
1,2V
RE =
=
= 400
3mA
IE
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC
4,8V
RC =
=
= 1,6k (equivalente a 4RE)
3mA
IC
Clculo de R1
RBB . VCC
4.000 . (12)
48.000
R1 =
=
=
= 23.762
VBB
2,02
2,02
Clculo de R2
R1 . RBB
(23.762).(4.000) 95.048
R2 =
=
=
= 4.817
R1 - RBB
23.762 - 4.000
19.762
Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:
RBB
4.000
4.000
4.000
R2 =
=
=
=
= 4.809 4.817
VBB
2,02
1 - 0,1683 0,8317
11VCC
12
RESPOSTAS:
RC
RE
R1
R2
IB
IE
IC
1,6k
400
23,762k
4,817k
30A
3mA
3mA
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
20
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92
0,92
11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
VRC
RC =
VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
RC =
5,8V
= 1.54k (1.544,6)
3,755mA
Clculo de RE
VRE
1,2
RE =
=
= 300
4mA
IE
Clculo de RB
VRB
RB =
VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB =
= 41,84k (41.836,7)
245A
21
ICEO
IC
IB
RC
RE
RB
11,5
75A
3,755mA
245A
1.54k
300
41,84k
Clculo de IB
VCC
15
15
15
IB =
72,12A
RB RE 100k 40(2,7k) 100k 108k 208k
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
IB
IE
VCE
VRE
72,12A
2,96mA
7V
8V
22
Clculo de IB
VCC
15
15
15
IB =
20,27A
RB RC 270k 100.4k7 270k 470k 740k
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
IC = 2,027mA
IB = 20,27A
VCE = 5,473V
Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
23
15 - 8,18
5,68k (5.683,3)
1,2mA
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
14,216V
RB =
= 2,37M (2.369.333,33)
6A
RESPOSTAS:
IC = 1,2mA
IE = 1,2mA
RC = 5,68k
RB = 2,37M
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga,
definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de
operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para CA ser
abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor opera
na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga, se
quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
24
VCC
25V
20mA
RC RE 1,25k
25
375
IB
30A
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = (11,25mA).1k = 11,25V
VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais prximo da regio
de saturao, por exemplo IB = 45A, teremos um aumento da corrente de coletor e uma
diminuio de VCE; para um ponto quiscente (Q2) mais prximo da regio de corte, por
exemplo IB = 10A, teremos uma diminuio da corrente de coletor e um aumento de VCE,
conforme ilustra a figura abaixo:
26
400
IB 45A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)
VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
Para Q2:
IC 2,5mA
=
250
IB 10A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA)
VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V
A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou
emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de uma reta de
carga para uma montagem em base comum.
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
27
25mA
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento
desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico.
Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas: uma para o
circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de sada (base-coletor). Veja a figura
abaixo:
28
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso garantir
sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de funcionamento;
variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de
base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga, conforme
mostra a figura abaixo:
5,65k
IB
IB
2mA
2mA
VCC 12V
600
IC
20mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC =
29
925
IC
20mA 20mA
5V - 0,7V
0,915mA
4,7k
15V
10mA
IC =
1,5k
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.
IB =
30
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.
Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
31
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
RE =
860
IE
IE
5mA
5mA
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os
dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para RC = 10 VRC = 10.(5mA) = 0,05V
Para RC = 1k VRC = 1k.(5mA) = 5V
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar, assim
sendo temos:
Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito
grande de RC (100 vezes).
Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se RC
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
32
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma luminosidade
ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma queda de 2,5V.
Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda,
pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no
acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a corrente
de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
RE =
33
30mA
RE
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
Reta de carga de L-2
1 ponto:
VCC - Vled 6V - 2,5V
23,3mA
IC =
RE
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
34
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o
elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da
o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:
VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
os
35
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
onde: IZ(MAX) =
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ
( III)
R
VIN(MIN) - VZ
( IV )
R
IZ(MAX)
VIN(MAX) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as
seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V
IC(MAX) 6> IL(MAX) no caso 1,5A
PC(MAX) 7> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual do
fabricante tem as especificaes:
6
7
36
IC(MAX) =
IC(MAX)
( MIN)
logo:
IC(MAX) = IL(MAX) -
IC(MAX)
( MIN)
1,5
1,5
1,5
IL(MAX)
1,46A
=
1
1
1 0,025 1,025
1
1
( MIN)
40
0,5W
73,53mA
6,8V
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.
IZ(MAX) =
37
IC(MAX) 1,46A
36,5mA
( MIN)
40
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) =
. 8mA 36,5mA
10,8V - 6,8V
IZ(MAX) =
6,4V
. 44,5mA 71,2mA
4V
Como IZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser
utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
R=
87,04
IZ( MAX)
73,53mA
73,53mA
VIN(MIN) - VZ
10,8V - 6,8V
4V
89,89
IB(MAX) IZ(MIN) 36,5mA 8mA 44,5mA
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor
comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
E2
P=
R
0,45W
P=
=
91
91
R
38
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) IC(MAX) ( I )
R1
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
VIN(MIN) - VZ - VBE
IZ(MIN)
R1
IC(MIN)
IL(MAX) ( II )
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I
39
VIN(MAX) - VZ - VBE
. (IZ(MIN IC(MIN) IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos
projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.
IZ(MAX) =
Corrente em R2:
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) =
IC(MIN)
( MIN)
IC(MIN)
( IV )
( MIN)
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um
acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante,
essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:
IC(MAX) ( MIN) . IB(MAX)
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
IB(MAX) IZ(MAX) - IR2
portanto: IR2 = IZ(MIN) -
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2
VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE
1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)) ( MIN) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN) 1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
40
PZ(MAX) 1,3W
86,67mA
VZ
15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE
1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)) ( MIN) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN) 1
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) -
IC(MIN)
, IR2 = 20mA
( MIN)
IZ(MAX) =
. (620mA 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
41
PR2 =
ER2 2 0,72
R2
33
VBE
0,7V
35 (adotar 33)
20mA 20mA
0,49V
14,85mW
33
Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE
19,8V - 15V - 0,7V
4,1V
R1 =
6,613
IZ(MIN) IC(MIN) IL(MAX)
20mA 600mA
620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 =
3,94
IZ(MAX) IC(MAX)
86,67mA 2,073A 2,16
R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61
R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1:
VR1 2 VIN(MAX) - VZ - VBE 2 24,2V - 15V - 0,7V 2 8,5V 2 12,9W
PR1 =
R1
5,6
5,6
5,6
(adotar 15W - valor comercial)
42
FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao
da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar,
aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento
um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e
consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso
do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
43
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
(I)
R1
Considerando a tenso de entrada mnima
IZ(MAX) =
IZ(MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
R1
IL(MAX)
IL(MAX) IC(MAX) temos ento:
1( MIN)
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
( II )
1( MIN)
R1
dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
( III )
. IZ(MIN)
1( MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Clculo de R1
R1 >
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX)
R1 <
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IL(MAX)
IZ(MIN)
1( MIN)
44
VL - VZ - VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.IZ(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)
IZ(MIN) =
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IL(MAX)
- IB1(MAX) IB1(MAX) =
R1 (adotado)
1( MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL .
VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 R2
VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3
VR3.R2 = R3.(VL - VR3)
R3 =
VR3 . R2
(R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(VZ VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
45
255mA
VZ
5,1V
IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
. IZ(MIN)
1( MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V
800mA
27,5V - 12V - 0,6V
IZ(MAX) =
. 50mA
40
22,5V - 12V - 0,7V
14,9V
IZ(MAX) =
. 70mA 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
46
58,4
IZ(MAX)
255mA
255mA
R1 <
140
=
800mA
IL(MAX)
70mA
50mA
IZ(MIN)
40
1( MIN)
58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100
Calculando a potncia desenvolvida em R1:
(VIN(MAX) - (VL VBE(MIN)) 2 = (27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2 2,22W
PR1 =
100
100
R1 (adotado)
(adotar 5W)
Clculo de R2:
R2 >
VL - VZ - VBE2(MIN)
0,1.IZ(MAX)
IZ(MAX) =
R2 >
R2 <
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)
422,82
14,9mA
14,9mA
VL - VZ - VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
IZ(MIN) =
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
- IB1(MAX)
R1 (adotado)
47
794,87
7,8mA
7,8mA
70,88mW
560
560
Clculo de R3:
R3 =
VR3 . R2
5,7V . (560) 3.192
=
71,57mW
PR3 =
470
470
CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
48
0,4W
53,33mA
7,5V
IC(MAX)
( MIN)
logo:
IC(MAX) = IL(MAX) -
IC(MAX)
( MIN)
49
IC(MAX) =
1,5
1,5
1,5
IL(MAX)
1,497A
=
1
1 0,002 1,002
1 1
1
( MIN)
500
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) =
. IZ(MIN) IB(MAX)
VIN(MIN) - VZ
IB(MAX) =
IC(MAX) 1,497A
2,994mA
( MIN)
500
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) =
. 10mA 2,994mA
10,8V - 7,5V
IZ(MAX) =
5,7V
.12,994mA 22,44mA
3,3V
Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
R=
106,88
IZ( MAX)
53,33mA
53,33mA
VIN(MIN) - VZ
10,8V - 7,5V
3,3V
253,96
IB(MAX) IZ(MIN) 2,994mA 10mA 12,994mA
50
E2
R
P=
(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2
=
180,5mW
R
180
180
BIBLIOGRAFIA:
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Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
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Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE
CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos Editora
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Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
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Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
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Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990
51