INGENIERIA CIVIL

GONZAGA DE ICA

UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS

INTRODUCCION
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a
partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos
dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el
comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello,
en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de
este tipo de materiales.
Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los
aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin
intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero
mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin,
adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores.
Los

materiales

semiconductores

de

uso

comn

en

la

tecnologa

microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de

elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de
elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente
es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho
elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu expuesto puede aplicarse a
cualquier semiconductor.
Los grandes avances de la humanidad han sido posibles gracias a un material
o a un conjunto de ellos. Para ejemplificar, citemos algunos de los avances ms
espectaculares de los aos recientes: los transistores, el rayo lser o la fibra
ptica.

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ENSAYO DE MATERIALES
SEMICONDUCTORES

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SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como
aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la
tabla siguiente.

Elemento

Grupo

Electrones
la ltima capa

Cd

II B

2 e-

Al, Ga, B, In

III A

3 e-

Si, Ge

IV A

4 e-

P, As, Sb

VA

5 e-

Se, Te, (S)

VI A

6 e-

en

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico

comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y
III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin
el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes,
teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
CONDUCCIN ELECTRICA:

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Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya

electrones que no estn ligados a un enlace determinado (banda de valencia),
sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conduccin). La
separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda
prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente. As
podemos considerar tres situaciones:

Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son

conductores.

Los aislantes (o dielctricos), en los que la diferencia existente entre las

bandas de energa, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales
el salto de los electrones.

Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del

orden de 1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la
electricidad; pero adems, su conductividad puede regularse, puesto
que bastar disminuir la energa aportada para que sea menor el
nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no
puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o ms
propiamente, poco variable con la temperatura.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES:
1. Semiconductores intrnsecos :
Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en
el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar
a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y
0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
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Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los

electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda
de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este
fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas
negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
Ni = n = p

Semiconductores intrnsecos

Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de

la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen
dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones
libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al
campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conduccin.
2. Semiconductores extrnsecos :
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Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo

porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Semiconductor tipo N :
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones
ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo
de agente dopante es tambin conocido como material donante ya
que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los
tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como
los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como
resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones
en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son
llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el
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semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y

el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta
final de cero.
Semiconductor tipo P :
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como
huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
En el caso del silicio, un tomo trivalente (tpicamente del grupo IIIA
de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando
as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada
hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por
lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en
general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la
red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta
razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos
son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los
portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules
(tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

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SEMICONDUCTORES ESTN EN TODAS LAS PARTES:

Los semiconductores ayudan a muchos productos funcionar:
o Auto/Anti-cerrar frenos
o Computadoras
o Satlites
o Juegos de video
o Telfonos porttiles
o Mquinas de fax
o Telfonos
o Estreos
o Luces de trfico (semforos)
o Aparatos auditivos

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EFECTO HALL:
Da una confirmacin experimental de la conductividad en los semiconductores
a la vez que permite medir el tipo de carga de los portadores y su
concentracin.
De su experimento segn varios parmetros nos da informacin sobre el tipo
de semiconductor que es.
PROPIEDADES:
Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder
modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios.
La razn primera de este comportamiento diferente reside en su estructura
atmica, bsicamente en la distancia interatmica de sus tomos en la red as
como el tipo de enlace entre ellos. As el enlace atmico depende del nmero
de electrones de valencia de los tomos formantes del enlace y de la
electronegatividad de los mismos.
Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que
determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar
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el carcter conductivo o no de l. En un semiconductor formado por dos

elementos qumicos diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetra conlleva en
general una cierta prdida de carcter covalente puro, en el sentido de
desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro tomo. El
parmetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad de los
tomos

constituyentes.

Cuanto

ms

diferente

sea,

mayor

ser

el

desplazamiento y el enlace ser ms inico que covalente.

La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque
puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La
estructura ms comn es la del diamante, comn a los semiconductores Si y
Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes
cristalinas cada tomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces
covalentes con simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras
cristalinas nicas, es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cmo se
obtengan ste puede presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo.
El comportamiento elctrico de los materiales semiconductores (resistividad y
movilidad) as como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del
material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando se
requiere la fabricacin de circuitos integrados y dispositivos electropticos
(lser, leds).
En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenmeno de las
colisiones de los portadores con otros portadores, ncleos, iones y vibraciones
de la red, disminuye la movilidad. Ello guarda relacin con el parmetro de la
resistividad (o conductividad) definido como la facilidad para la conduccin
elctrica, depende intrnsecamente del material en cuestin y no de su
geometra. As pues en los fenmenos de transporte en semiconductores y a
diferencia de los metales, la conduccin se debe a dos tipos de portadores,
huecos y electrones.
APLICACIONES:

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Las aplicaciones de los semiconductores se dan en diodos, transistores y

termisores principalmente.
Diodos:
Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenmeno de difusin
de cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de potencial que
impide a los dems electrones de la zona N saturar los restantes huecos
positivos de la zona.
Si unimos un generador como se indica en la figura los electrones libres de
la zona N son repelidos por el polo negativo y los huecos de la zona P por
el polo positivo, hacia la regin de transicin, que atraviesan. La corriente
pasa. No ocurrira esto si la conexin se hubiera hecho con la polaridad
invertida. El dispositivo es un diodo semiconductor y acta como
rectificador de corriente.
Transistores:
Un transistor est constituido por dos zonas:
1.- Dos N separadas por una P (transistor NPN), esta disposicin
proporciona al conjunto unas propiedades particulares, en especial
amplificadoras.
2.- Dos P separadas por una N (transistor PNP), permiten actuar sobre la
intensidad de la corriente electrnica que pasa entre dos cristales
semiconductores del mismo tipo, por medio de un electrodo metlico
aislado por una delgada capa de xido.
Un transmisor se emplea, sobre todo, como amplificador y tambin en
ordenadores, como interruptor rpido de la corriente.
Termisores:

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Se llama as a los semiconductores que son sensibles a los cambios de

temperatura, o mejor, a aquellos en que las variaciones tienen, frente a la
composicin, un gran valor. Los materiales ms usados son xidos de
Cobalto (CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio (MgO), Manganeso (MnO),
Nquel (NiO) y Titanio (TiO). Se utilizan en forma de bola, disco o varilla,
indicando con esto la forma en que se separa el material base del termisor.
En el de bola se aplica la mezcla de xido en forma viscosa entre dos hilos
paralelos de Platino con una pequea gotita, aproximadamente 1 mm. de
dimetro y por y por coccin queda sujeta a los hilos. Cuando se usan en
forma de discos o varillas se preparan por sintetizado.
Sus aplicaciones son para medir la temperatura, medidas de vaco y en los
circuitos de comunicaciones como reguladores de tensin y limitadores de
volumen.

Lseres de semiconductores.- Los lseres de semiconductores son los

ms compactos, y suelen estar formados por una unin entre capas de
semiconductores con diferentes propiedades de conduccin elctrica. La
cavidad del lser se mantiene confinada en la zona de la unin mediante
dos lmites reflectantes. El arseniuro de galio es el semiconductor ms
usado. Los lseres de semiconductores se bombean mediante la aplicacin
directa de corriente elctrica a la unin, y pueden funcionar en modo CW
con una eficiencia superior al 50%. Se ha diseado un mtodo que permite
un uso de la energa an ms eficiente. Implica el montaje vertical de
lseres minsculos, con una densidad superior al milln por centmetro
cuadrado. Entre los usos ms comunes de los lseres de semiconductores
estn los reproductores de discos compactos y las impresoras lser.
Los dispositivos semiconductores

tienen

muchas

aplicaciones

en

la

ingeniera elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido

pequeos Chips semiconductores que contienen cientos de miles de
transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de
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miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La aplicacin ms eficiente

de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de semiconductores de
metal-xido complementario o CMOS, que estn formados por parejas de
transistores de canal p y n controladas por un solo circuito.
Nanoestructuras de silicio (silicio poroso y nanopartculas).
Preparacin y caracterizacin de materiales semiconductores de amplio
espectro para aplicaciones de alta temperatura.
Crecimiento de nanoestructuras, siliciuros y capas tensadas para su
aplicacin en dispositivos electrnicos, optoelectrnicos y sensores.
Semiconductores policristalinos y amorfos para su aplicacin

en

dispositivos electrnicos y sensores.

Procesos de micromecanizacin en silicio.
Desarrollo de nuevos precursores organometlicos para la deposicin de
materiales electrnicos.

CONCLUSIONES
La importancia que los semiconductores tienen en las tecnologas actuales,
microelectrnica, comunicaciones, comunicaciones pticas y sensores, as
como su potencialidad en el futuro, hace que sea necesario mantener grupos
de investigacin en estos temas. Se potenciar la investigacin en materiales
directamente relacionado con el S que emitan suficiente radiacin para ser
utilizado como fuente luminosa, as como en materiales de gap ancho para
aplicaciones a alta temperatura.
A corto plazo se proponen otro tipo de actuaciones relacionadas con
semiconductores policristalinos y amorfos para el desarrollo de dispositivos y
sensores. Su potencial aplicacin al rea de dispositivos que pudieran apoyar
el desarrollo de grupos trabajando en cristales lquidos y en el rea de
sensores coloca a estos materiales prximos a una posible aplicacin.
Finalmente, se observa una actividad creciente en la utilizacin de compuestos
organometlicos como precursores para materiales electrnicos que podran
aplicarse en el rea de sensores y dispositivos.
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BIBLIOGRAFIA:
http://nanotecnologiayarquitectura.blogspot.com/2008/07/materiales-deconstruccin-para-el-siglo.html
http://sug.cesga.es/materiales.html
http://www.mailxmail.com/curso/excelencia/cienciamateriales/capitulo16.
htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductores
http://www.angelfire.com/la/SEMICONDUCTORES/ms.html
http://www.arquitectuba.com.ar/monografias-de-arquitectura/obraspublicas-materiales-modernos/
http://profesormolina2.webcindario.com/tutoriales/mater_semic.htm
"Semiconductor." Microsoft Student 2009. Microsoft Corporation, 2008.

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INDICE
INTRODUCCION..1
SEMICONDUCTORES.2
CONDUCCIN ELECTRICA...3
TIPOS DE SEMICONDUCTORES.....7
EFECTO HALL......8
PROPIEDADES..8
APLICACIONES...9
CONCLUSIONES.12
BIBLIOGRAFIA.13
INDICE14

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