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Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica
Curso
Autor
Co-Autor:
2001
Indice
1.
1.1
EQUIPOS DE RECTIFICACIN....................................................................... 4
Introduccin ....................................................................................................................................... 4
1.2
Estndares C 34.2 Rev. 73 e IEEE 519. ............................................................................................ 4
1.2.1
IEEE 519 Rev. 1992....................................................................................................................... 4
1.2.2
Reglamento Elctrico Chileno ...................................................................................................... 6
1.2.3
ANSI C 34.2 Rev. 73...................................................................................................................... 7
1.3
Puente y Doble Puente a Diodos. Transformadores Poligonales, Reactores de Interfase............ 8
1.3.1
Rectificador Puente de Diodos ..................................................................................................... 8
1.3.2
Rectificador Doble Puente de Diodos........................................................................................... 9
1.4
Rectificadores Controlados Cudruple Estrella y Doble Puente a Tiristores............................. 11
1.4.1
Introduccin................................................................................................................................. 11
1.4.2
Rectificadores de 12-pulsos......................................................................................................... 12
1.4.3
Rectificadores de 24-pulsos......................................................................................................... 18
1.4.4
Discusin ...................................................................................................................................... 25
1.4.5
Conclusin.................................................................................................................................... 25
1.5
Transformadores Poligonales.......................................................................................................... 25
1.6
Reactores de Interfase...................................................................................................................... 28
1.7
Electrnica de Sincronismo y Control............................................................................................ 31
1.7.1
Circuito de Excitacin................................................................................................................. 31
1.7.2
Mtodo de sincronismo Rampa.................................................................................................. 32
1.7.3
Circuito de distribucin de pulsos.............................................................................................. 33
1.7.4
Circuito de amplificacin y aislacin. ........................................................................................ 33
1.8
Armnicos ac, Factor de Potencia................................................................................................... 35
1.8.1
Armnicos ac ............................................................................................................................... 35
1.8.2
Factor de Potencia ....................................................................................................................... 37
2.
2.1
Control Secuencial Optimizado para Rectificador de Altas Corrientes de Electro-Obtencin de
Cobre 38
2.1.1
Introduccin................................................................................................................................. 38
2.1.2
Topologa y Control del Convertidor......................................................................................... 40
2.1.3
Modelacin del Sistema de Rectificacin................................................................................... 42
2.1.4
Descripcin de la Estrategia de Control Propuesta.................................................................. 44
2.1.5
Resultados .................................................................................................................................... 47
2.1.6
Evaluacin.................................................................................................................................... 50
2.1.7
Discusin ...................................................................................................................................... 52
2.1.8
Conclusin.................................................................................................................................... 53
2.2
Rectificacin Modulada PWM: Situacin Actual y Tendencias en Aplicaciones de Altas
Potencias.......................................................................................................................................................... 54
2.2.1
2.2.2
2.2.3
2.2.4
2.2.5
2.3
3.
Introduccin................................................................................................................................. 54
Rectificacin................................................................................................................................. 55
Rectificacin en Altas Potencias................................................................................................. 62
Tendencias en rectificacin de altas potencias.......................................................................... 64
Conclusin.................................................................................................................................... 67
Referencias........................................................................................................................................ 67
3.1
3.2
4.
4.1
4.2
Regulacin de Voltaje, Factor de Potencia y Distorsin ............................................................... 76
4.2.1
Interrelacin factor de potencia regulacin de voltaje distorsin ..................................... 77
4.2.2
Ejemplo de compensacin de factor de potencia ...................................................................... 78
4.2.3
Distorsin de voltaje.................................................................................................................... 84
4.3
Diseo y dimensionamiento de filtros sintonizados de etapas mltiples...................................... 85
4.3.1
Consumo de potencia (Situacin antes de modificaciones)...................................................... 85
4.3.2
Consumo de potencia (Situacin con modificaciones).............................................................. 86
4.3.3
Compensacin de reactivos......................................................................................................... 87
4.3.4
Compensacin con condensadores............................................................................................. 89
4.3.5
Compensacin con filtros sintonizados...................................................................................... 90
4.3.6
Filtros sintonizados...................................................................................................................... 91
4.3.7
Corriente de Inrush..................................................................................................................... 91
4.4
4.5
4.6
5.
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
Captulo 1
1. Equipos de Rectificacin.
1.1 Introduccin
En este captulo se discuten los rectificadores convencionales de altas corrientes.
Estos equipos de conmutacin natural y de fase controlada inyectan armnicos a la red.
Esto es la circulacin de corrientes de frecuencias mltiplos de la fundamental en el sistema
elctrico (p.ej. 250, 350, 550, 650 Hz) provocando distorsin del voltaje del sistema de
distribucin industrial. En el primer punto de este captulo se revisan los estndares que
norman los niveles mximos de inyeccin armnica permitida. Estos estndares son el
IEEE 519 y el Reglamento Elctrico Chileno. Adems se revisa el estndar ANSI C34.2 en
el que se establecen las caractersticas operacionales que deben cumplir los rectificadores a
diodos y tiristores.
En el punto 2 se analiza el rectificador puente de diodos y el doble puente de diodos,
se muestran sus formas de onda de corriente/voltaje en la red y en la carga y los parmetros
de diseo ms relevantes. En este mismo punto se analiza la configuracin de
transformadores poligonales para producir operacin multipulso. Se establece el criterio de
diseo para los reactores de interfase que posibilita conectar equipos rectificadores en
paralelo.
En el punto 3 se estudian los rectificadores de fase controlada Cudruple Estrella y
Doble Puente de Tiristores. En el punto 4 se presenta el mtodo rampa de sincronismo y
control de rectificadores que es el ms utilizado industrialmente.
En el punto 5 se estudian los componentes armnicos inyectados por un rectificador
de altas corrientes en AC y DC. Tambin se discute sobre el factor de potencia en equipos
rectificadores de fase controlada.
respetar. Esto tambin es un estndar ANSI (American National Standard Institute). Una
particularidad del estndar es que los niveles mximos de inyeccin de armnicas dependen
del tamao relativo entre el sistema elctrico y el cliente. Para determinar esto, se calcula la
razn entre la corriente de cortocircuito y la corriente nominal (Isc/IL) en el Punto de
Contacto Comn (PCC) o empalme.
Los niveles permisibles de inyeccin de armnicas, segn el voltaje de trabajo, se
muestran en la Tabla 1-1, Tabla 1-2 y Tabla 1-3. Los niveles de distorsin mxima del
voltaje en entregado por el sistema elctrico se muestra en la Tabla 1-4.
Adems, se define el ndice de Distorsin Total (THD) como:
THD =
ISC/IL
<20
20 - 50
50 - 100
100 - 1000
>1000
n<11
4.0
7.0
10.0
12.0
15.0
I
n=2
2
n
IL
THD
5.0
8.0
12.0
15.0
20.0
Tabla 1-1.- Lmite de corrientes armnicas en el PCC para cargas no lineales con voltajes entre 120[V] y
69[KV] en [%] respecto de la fundamental.
ISC/IL
<20
20 50
50 - 100
100 - 1000
>1000
n<11
2.0
3.5
5.0
6.0
7.5
THD
2.5
4.0
6.0
7.5
10.0
Tabla 1-2.- Lmite de corrientes armnicas en el PCC para cargas no lineales con voltajes entre 69[KV] y
161[KV] en [%] respecto de la fundamental.
ISC/IL
<50
>50
n<11
2.0
3.0
35<n
0.15
0.22
THD
2.5
3.75
Tabla 1-3.- Lmite de corrientes armnicas en el PCC para cargas no lineales con voltajes mayores a
161[KV] en [%] respecto de la fundamental.
Nota: Los armnicos pares se limitan al 25[%] de los impares y la Distorsin Armnica
Voltaje en PCC
Menor que 69kV
69kV a 161kV
Mayor a 161kV
Distorsin de Voltaje,
armnicas individuales
3.0
1.5
1.0
Distorsin armnica
Total (THD).
5.0
2.5
1.5
Tabla 1-4.- Lmite de armnicas de Voltajes en el PCC para los distribuidores de potencia, en [%] respecto
de la fundamental.
Orden
Orden
2
4
6
8
10
12
>12
Pares
Voltaje (%)
<= 110 kV
>110 kV
2
1.5
1
1
0.5
0.5
0.5
0.4
0.5
0.4
0.2
0.2
0.2
0.2
Tabla 1-6.- Lmite de armnicas de Voltajes en el PCC para los productores de potencia, en [%] respecto de
la fundamental.
circuitos rectificadores, con sus nombres aprobados (estandarizados) y los diagramas de las
distintas topologas. Otro aspecto muy importante que cubre este estndar, en el punto 5,
son los requerimientos generales que debe cumplir cualquier equipo rectificador,
estableciendo as una norma para fabricantes, instaladores y usuarios de estos equipos. Con
esta norma se puede establecer condiciones en los contratos de compra e instalacin, ya que
se definen los requerimientos que debe cumplir un rectificador para asegurar que trabaja en
condiciones normales, por ejemplo la temperatura a la cual debe trabajar, factor de
potencia, anlisis armnico y prdidas. Tambin en este punto se plantean las pruebas que
se deben aplicar al equipo, como por ejemplo para determinar los lmites de desbalance en
las corrientes entre diodos, o unidades paralelas.
idc
1
vdc
4
3 2
Vdc =
iLL =
idiodo =
VLL = 1.35 v LL
2
I dc
3
1
I dc
3
VA = 3 v f i f =
Va
Vb
Vc
D3
D1
D5
ia
D1
D2
D6
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
D6
D4
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
ib
0.0383
Vo
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
ic
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
Io
D1
0
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.035
0.0367
0.0383
0.0383
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.015
0.0167
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
D4
0.0183
D6
0.005
0.0067
0.0083
0.0117
0.0133
0.015
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0383
VD3
D6
0
0.0033
0.01
D5
D5
D6
0.0017
0.0083
D4
D5
0.0067
VD1
D3
0.0017
0.005
D2
D3
0.0033
D1
0.01
D2
0.0083
0.0017
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0383
El Rectificador Doble Puente de Diodos esta formado por la conexin paralela de dos
Puentes de Diodos de 6p con la ayuda de un reactor de interfase, lo que permite aumentar la
capacidad de corriente de salida idc y disminuir la distorsin armnica inyectada a la red. En
la Figura 1-3 se muestra la configuracin de este rectificador de 12 pulsos. El voltaje medio
de salida sigue siendo el voltaje medio de salida del rectificador puente mencionado en el
punto anterior. La corriente idc se distribuye en los dos rectificadores aportando a la
corriente de cada secundario del transformador. Finalmente la corriente del primario es la
resultante de la interaccin que producen las corrientes de una pierna del transformador
9
trifsico. Los secundarios estn desfasados 30 entre s, lo que permite formar un sistema de
12 pulsos, por lo tanto, la corriente de entrada al primario tendr las frecuencias armnicas
dominantes en valores mas altos.
i dc
1: a
vdc
-
2 Secundarios
Primario
1: a
Reactor de
Interfase
Vo
Puente A
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
ia
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
Vo
Puente B
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
ica
Vo
Rectificador de 12p
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
ip
Vreactor
0.0083
0.015
0.0167
0.0183
0.02
0.0217
0.0233
0.025
0.0267
0.0283
0.03
0.0317
0.0333
0.035
0.0367
0.0383
0.04
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
10
voltaje de salida
corriente rms por diodo
corriente rms de alimentacin
Vdc =
3 2
idiodo =
iLL =
VLL = 1.35 v LL
1 I dc
3 2
1
I dc
6
VA = 3 v f i f =
VA = 3 v fp i fp =
( 3 + 1)
6 2
11
[v1]rst
[i1]rst
1: a
[vs]rst
[is]rst
[vf]rst
[ii]rst
Ls
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst
f13 rst
f17 rst
1: a
5a
7a
11a
13a
+vdc
[v2]rst
R
L
C
idc
[i2]rst
17a
Vrms
a, a
V dc =
Voltaje dc
Corriente dc
VA Secundarios
VA Primario
2 aV rms
Idc
I dc 6
I dc 2 3
V dc I dc
V dc I dc
3
Tabla 1-7.- Parmetros de diseo rectificador DPG
13.8 kV
10.5 MVA
10 MW
3.5 MVar
250 V
42 kA
2.4 m, 10 mH, 150 V
En particular la Figura 1-5 muestra cinco bancos sintonizados a la 5a, 7a, 11a, 13a, y
17 armnicas. La Tabla 1-7 muestra los principales parmetros de diseo del DPG. Con el
propsito de mostrar las principales caractersticas de operacin del convertidor, se ha
simulado una planta de electro-obtencin con los parmetros mostrados en la Tabla 1-8. En
la Figura 1-6 se muestran las formas de onda de las tensiones y corrientes de alimentacin
vsr e isr (Figura 1-6a), y la tensin y corrientes dc vdc e idc (Figura 1-6b). La Figura
1-7 muestra las tensiones y corrientes en los secundarios del transformador. En la Figura
1-7a) se muestra el voltaje v1rs y la corriente i1rs del secundario en delta, y en la Figura
1-7b) el voltaje v2r y la corriente i2r del secundario conectado en estrella. Finalmente, en la
Figura 1-8 se muestran las curvas caractersticas de la operacin del convertidor en funcin
de la corriente de carga dc. La Figura 1-8a) muestra el consumo de potencia reactiva y la
Figura 1-8b) muestra la distorsin armnica total de corriente (THD).
a
13
a) 1000
[V] / [A]
500
vsr/13
isr
0
-500
-1000
0
[V] / [A]
b) 300
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
14
16
18
20
vdc
200
idc/200
100
10
12
Tiempo [ms]
Figura 1-6.- Formas de onda caractersticas de rectificador DPG operando a 88% de la tensin nominal. a)
Voltaje y corriente de alimentacin vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 300
[V] / [A]
200
v1rs
100
i1rs/100
0
-100
-200
-300
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
14
16
18
20
b) 300
[V] / [A]
200
100
i2r/100
v2r
-100
-200
-300
10
12
Tiempo [ms]
Figura 1-7.- Formas de onda caractersticas de rectificador DPG operando a 88% de la tensin nominal. a)
Voltaje y corriente de secundario en delta v1rs e i1rs. b) Voltaje y corriente de secundario en estrella v2r e i2r.
14
a)
b)
3.5
8
Distorsion Armonica Total de Corriente [%]
2.5
1.5
0.5
10
20
30
Corriente dc [kA]
40
7
6
5
4
3
2
1
0
10
20
30
Corriente dc [kA]
40
Figura 1-8.- Curvas caractersticas de rectificador DPG operando en planta de electro-obtencin (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsin armnica total de corriente (THD).
1.4.2.2 CEI
idc
1: a
[i1]rst
[vs]rst
[is]rst
Ls
[v1]rst
[if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst
f13 rst
f17 rst
1: a
R
L
C
5a
[-i1]rst
[ii]rst
[vf]rst
[if5]rst
7a
11 a
+v dc
13 a
17 a
[-v1]rst
[-i2]rst
[i2]rst
[-v2]rst
[v2]rst
Vrms
a
V dc =
Corriente dc
3a
3
V rms
Idc
I dc 12
I dc 4 3
2
V dc I dc
3
VA Secundarios
VA Primarios
3,1
Voltaje dc
(1 + k1 + k 2 )Vdc I dc
6
Tabla 1-9.- Parmetros de diseo rectificador CEI
16
a) 1000
vsr/13
[V] / [A]
500
isr
0
-500
-1000
0
[V] / [A]
b)
10
12
Tiempo [ms]
300
14
16
18
20
14
16
18
20
vdc
200
100
idc/200
10
12
Tiempo [ms]
Figura 1-10.- Formas de onda caractersticas de rectificador CEI operando a 88% de la tensin nominal. a)
Voltaje y corriente de alimentacin vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 400
v1r
[V] / [A]
200
i1r/100
0
-200
-400
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
16
18
20
b) 400
-v1r
[V] / [A]
200
0
-i1r/100
-200
-400
10
12
Tiempo [ms]
14
Figura 1-11.- Formas de onda caractersticas de rectificador CEI operando a 88% de la tensin nominal. a)
Voltaje y corriente del secundario positivo v1rs e i1rs. b) Voltaje y corriente del secundario desfasado en 180 v1r e -i1r.
17
b)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
9
Distorsion Armonica Total de Corriente [%]
a)
10
20
30
Corriente dc [kA]
40
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
20
30
Corriente dc [kA]
40
Figura 1-12.- Curvas caractersticas de rectificador CEI operando en planta de electro-obtencin (Tabla
1-9). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsin armnica total de corriente (THD).
18
Vrms
a, a 3
23,
23
( 3 1) 2
V dc =
Corriente dc
2 aV rms
Idc
I dc 12
I dc 4 3
VA Secundarios
VA Primarios
V dc I dc
(1 + k1 + k 2 )Vdc I dc
21 MVA
18.75 MW
Potencia de Filtros
7 Mvar
Voltaje dc
250 V
Corriente dc
75 kA
19
1: a
[v1]rst
[v2]rst
[vs]rst
[is]rst
[vf]rst
[ii]rst
Ls
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst
f13 rst
f17 rst
1: a
[i2]rst
idc
+vdc
3
_
[v3]rst
R
L
C
[i1]rst
[i3]rst
1: a
5a
7a
11a
13a
17a
[v4]rst
1: a
[i4]rst
20
a) 1500
1000
vsr/8
[V] / [A]
500
isr
0
-500
-1000
-1500
0
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
14
16
18
20
[V] / [A]
b) 250
vdc
150
idc/400
50
0
10
12
Tiempo [ms]
Figura 1-14.- Formas de onda caractersticas de rectificador DPG-24 operando a 88% de la tensin
nominal. a) Voltaje y corriente de alimentacin vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a)
b)
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
10
20 30 40 50 60
Corriente dc [kA]
70
10
20 30 40 50 60 70
Corriente dc [kA]
Figura 1-15.- Curvas caractersticas de rectificador DPG operando en planta de electro-obtencin (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsin armnica total de corriente (THD).
21
1.4.3.2 CEI-24
Vrms
a, a
23,
23
( 3 1) 2
3,1
1
23
( 3 1) 2 ,
V dc =
23
aV rms
Idc
I dc 24
I dc 8 3
2
V dc I dc
3
6
VA Primario
1 + k j V dc I dc
12 j =1
VA Secundarios
22
1: a
[i1]rst
[-i1]rst
[v1]rst
[-v1]rst
idc
1: a
[-i2]rst
[i2]rst
[v2]rst
[vs]rst
[is]rst
[vf]rst
Ls
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst
f13 rst
f17 rst
1: a
7a
11a
[-v2]rst
[ii]rst
R
L
C
5a
+vdc
13a
17a
[i3]rst
[-i3]rst
[v3]rst
1: a
[-v3]rst
[i4]rst
[-i4]rst
[v4]rst
[-v4]rst
23
a) 1500
1000
vsr/8
[V] / [A]
500
isr
0
-500
-1000
-1500
0
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
14
16
18
20
[V] / [A]
b) 250
vdc
150
idc/400
50
0
10
12
Tiempo [ms]
Figura 1-17.- Formas de onda caractersticas de rectificador CEI-24 operando a 88% de la tensin nominal.
a) Voltaje y corriente de alimentacin vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a)
b)
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
10
20 30 40 50 60
Corriente dc [kA]
70
10
20 30 40 50 60 70
Corriente dc [kA]
Figura 1-18.- Curvas caractersticas de rectificador CEI operando en planta de electro-obtencin (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsin armnica total de corriente (THD).
24
1.4.4 Discusin
Transformadores Poligonales.
25
VNs sin(60 )
VNl + VNs cos(60 )
De esta forma el radio entre las vueltas del transformador poligonal esta dado por:
n=
VNl
V Ns
= tan 1
3
(1 + 2n)
26
Ns
+
N
p
+ i2 N s
i dc
i1 +
+15
vdc
-
i1
-15
Aplicando las ecuaciones para obtener el voltaje mayor y menor de cada polgono, se tiene:
2
2
V Nl =
VLS sin(60 ) =
380 sin(60 15) = 310[V ]
3
3
2
2
VNs =
380 sin(15) = 113[V ]
VLS sin( ) =
3
3
27
+15
0
-15
1.6
Reactores de Interfase.
Vo
Puente A
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
Vo
Puente B
0.0017
0.0033
Vo
Rectificador de 12p
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
28
ms un voltaje ac (que produce el ripple). El reactor se disea para limitar la corriente que
circular por causa de esta seal ac. La corriente dc que circula por el reactor es siempre la
mitad de la corriente que sale del reactor y su direccin cambia para cada mitad del reactor
como se puede observar en la Figura 1-23. Por criterio de diseo el ripple de corriente que
se permite es aproximadamente un 5% de la corriente dc que circula por el reactor.
idc /2
idc /2
idc
Ejemplo de diseo.
i dc /2
idc
+
vdc
-
29
Figura 1-25.- Variacin de la Amplitud de las armnicas presentes en el voltaje dc en funcin del ngulo de
disparo para convertidores de dos cuadrantes con conduccin continua.
v6h +
+
v6h
2v6h +
3 2
30
V6 h ,rms =
87.5
= 61.9[V ]
2
2 V6 h ,rms
wi
2 V6 h ,rms
2 f 6h i
2 61.9
= 262.7[H ]
2 300 250
31
Red
Circuito de Excitacin
Circuito de
Sincronismo
Ref.
Controlador
Circuito de
Generacin
de Pulsos
Circuito de
Distribucin
Amplificacin
y Aislacin
Convertidor
Esttico
Realimentacin
Carga
Existen varios mtodos de sincronismo para lograr el desfase correcto de los pulsos
de disparo respecto al punto = 0 del circuito de potencia, entre los cuales se encuentran
el mtodo del coseno, mtodo rampa, mtodo integral y otros.
De estos mtodos el ms utilizado industrialmente es el mtodo rampa, el cual genera
el pulso de disparo en el instante que una seal sincronismo (rampa) se interfecta con una
seal de control. El nivel ms alto de la rampa debe permitir obtener un = 0. En
este
mtodo se usa una rampa sincronizada con = 0 (una por fase) que se compara con la
referencia de control
Este mtodo no es autorregulado. Se opera en lazo cerrado para obtener una funcin
de transferencia lineal.
Vc
32
El mtodo rampa genera un pulso para cada SCR (una seal de sincronismo por
SCR). En la configuracin punte de tiristores, no basta disparar con un nico pulso, ya que
la corriente circula por dos tiristores. Esto obliga a distribuir los pulsos de forma tal, que
cada pulso dispare a dos tiristores en forma simultnea.
El pulso al gate debe cumplir los requerimientos de ste, que en general exceden las
capacidades de los circuitos integrados utilizados. Por ello se requiere una amplificacin
utilizando transistores. Cada pulso de corriente debe estar referido al ctodo del tiristor. Ya
sea para que la tensin del circuito de potencia no est referida en el circuito de control y
porque los distintos ctodos estn a un potencial distinto, es que los pulsos deben ser
aislados galvnicamente. Para cumplir este propsito se utilizan transformadores de pulso.
33
34
Va
ia
0.0017
0.0033
0.005
0.0067
0.0083
0.01
0.0117
0.0133
0.015
0.0167
0.0183
0.02
Figura 1-31.- Forma de onda del Voltaje y corriente de entrada a un rectificador tipo puente de diodos.
Utilizando las Series de Fourier, se puede representar cualquier seal peridica como
una suma de componentes senoidales de distintas frecuencias. Cada una de estas seales
representa el contenido armnico de una forma de onda especfica. La Serie de Fourier se
defini como:
an .cos ( w .n .t )
f(t) = a0
bn .sin( w .n .t )
Donde n=1, 2, 3, 4, .
n =1
con,
a0 =
bn =
1.
T 0
1.
T 0
f ( t ) dt
an=
,
1.
T 0
f ( t ) .cos ( w .n .t ) d t
f ( t ) .sin( w .n .t ) d t
35
20
f(t) =
n =1
2 .A .
1
cos .n .
6
( .n )
cos
5. .
n
6
.sin( w .n .t )
f ( t ) = 2.
A . .
3 sin( w .t )
2. A . .
3 sin( 5 .w .t )
5
2.A . .
3 sin( 11 .w .t )
11
2. A . .
3 sin( 7 .w .t )
7
2.A . .
3 sin( 13 .w .t )
13
...
2.A . .
3 sin( 17 .w .t )
17
....
2.A . .
3 sin( 19 .w .t )
19
36
fp =
P
S
Cuando un convertidor funciona conectado a una red dbil, es decir, la potencia real
es superior al 1% de la potencia de cortocircuito de la red, el clculo de la potencia activa P
debe considerar no solamente la forma de onda no senoidal de la corriente, sino tambin la
forma de onda no senoidal de la tensin. El factor de potencia fp es entonces:
1
v(t ) i (t )dt
P T
fp = =
S
V I
En cambio, para una potencia inferior al 1% de la potencia de cortocircuito de la red,
la forma de onda de la tensin en los bornes de red del convertidor puede suponerse
senoidal. Para una corriente no senoidal y una tensin senoidal, el factor de potencia fp se
puede calcular a partir del contenido de fundamental Gi de la corriente y del factor de
desfase (factor de potencia de la componente fundamental) cos(1 ) en base a la siguiente
frmula.
fp = Gi cos(1 ) =
I1
cos(1 )
I
37
Captulo 2
2.1 Control Secuencial Optimizado para Rectificador de Altas Corrientes de ElectroObtencin de Cobre
2.1.1 Introduccin
38
39
Alimentacin ac en
Media Tensin
Filtro Sintonizado
Transformador de
Potencia
1 : a1
Rectificadores de 6-Pulsos
R1
+vR1
[is]rst
[vf]rst
Ls
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst
f13 rst
f17 rst
[ii]rst
+vR2
Vce
[i2]rst
5a
7a
11a
13a
17a
Rdc
Ldc
R2
R
L
C
[-i1]rst
[-v1]rst
[v1]rst
a
1: 2
+vdc
R1
[i1]rst
[vs]rst
Carga
idc
[v2]rst
[-i2]rst
[-v2]rst
Figura 2-1.- Rectificador de altas corrientes con control secuencial optimizado (RSO).
40
Este tiristor permite operar al convertidor slo con R1, ya que provee de un camino
alternativo a la corriente de carga cuando R2 se encuentra apagado. De esta manera es
posible operar el convertidor como dos rectificadores con control de fase secuencial.
Primero se controla R1 hasta alcanzar su tensin nominal, y luego se conecta R2 hasta
alcanzar la tensin nominal del convertidor completo. La razn de potencia de los
primarios, as como el ngulo de desfase de estos se determinan mediante la utilizacin de
algoritmos genticos. El uso de esta tcnica permite optimizar el diseo para minimizar el
consumo de potencia reactiva y minimizar la distorsin armnica inyectada por el
convertidor.
Aplicar control secuencial optimizado en este convertidor resulta natural y evidente
al conocer el tipo de carga que representan las celdas de electroobtencin. stas se modelan
generalmente como una carga activa tipo R-L-V, donde V es el potencial de reaccin de las
celdas (Vce en Figura 2-1). Este potencial evita que circule corriente en el rectificador antes
de superar el 60% de su tensin nominal. Lo que permite en forma inmediata pensar en un
rectificador que simplemente iguale el potencial de reaccin de las celdas. De esta manera
se reducira el consumo global de reactivos, ya que la potencia reactiva consumida sera
una fraccin de la potencia consumida por el segundo rectificador conectado en serie que
aportara el 40% restante de la tensin nominal.
El tercer elemento de este convertidor es el filtro de entrada. Como se muestra en la
Figura 2-1 el filtro consiste de cinco filtros sintonizados a la 5a, 7a, 11a, 13a y 17a
armnicas. La caracterstica principal es que este banco es de operacin fija, y no requiere
de conectores automticos ni de un controlador de reactivos con sus respectivos sensores
para su operacin. Esto es posible gracias al reducido y prcticamente constante consumo
de potencia reactiva que presenta el convertidor. Como se aprecia, el filtro de este
convertidor acta bsicamente para filtrar corrientes armnicas. La compensacin de
reactivos pasa a ser un objetivo secundario. Esto es al contrario de los rectificadores de
altas corrientes industriales, que al presentar un consumo elevado y fuertemente variante de
reactivos requieren de mltiples secciones de filtros para mantener un nivel de reactivos
constante.
|
En la Tabla 2-1 se indican los principales parmetros de diseo del rectificador
propuesto. Ntese que la tensin producida por R2 e indicada en la Tabla 2-1 es vlida slo
cuando ste est conectado, lo que ocurre cuando el voltaje de carga requerido es mayor
que KvrVdc. En caso contrario la tensin de R2 es cero.
41
Vrms
Vdc
Idc
3 , a2
a1
0.95, 0.1
0.82
VR1 =
Voltaje dc R1 (VR1)
VR 2 =
3a1
3a2
Vrms = K vrVdc
Vrms = (1 K vr )Vdc
Vdc = VR1 + VR 2 =
Voltaje dc
Corriente dc
3(a1 + a2 )
Vrms
Idc
I dc 6
I dc 2 3
2
Vdc I dc
3
VA Secundarios
{K vr + (1 K vr )(k t1 + k t 2 )}Vdc I dc
3
VA Primario
Tabla 2-1.- PARMETROS DE DISEO RECTIFICADOR PROPUESTO
2
2
[ ]
42
Ltp
+vp
Rtp
Rts
1:a
Lts
+vs
LM
Figura 2-2.- Modelo equivalente de fase empleado para modelar el transformador.
donde [ip]rst es el vector de corrientes de lnea [ipr ips ipt]T del secundario positivo o en fase
con las tensiones del primario, [in]rst es el vector de corrientes de lnea [inr ins int]T del
secundario negativo o en contra-fase con las tensiones del primario, [vt]rst es el vector de
voltajes de fase [vtr vts vtt]T del secundario positivo, y la Funcin de Transferencia
Generalizada (FTG) de los rectificadores de media onda positivos y negativos ([hp]rst y
[hn]rst) son los vectores [hpr hps hpt]T y [hnr hns hnt]T respectivamente.
Con las primera ecuaciones y el modelo equivalente por fase del transformador
mostrado en la Figura 2-2 (considera impedancias de fuga y de magnetizacin), es
posible escribir las ecuaciones que modelan el rectificador de la Figura 2-1 como se
muestra continuacin.
[vs ]rst
= Rs [i s ]rst + Ls
d [i s ]rst
dt
[ ]rst
d i fk
[v f ]rst = R fk [i fk ]rst + L fk
dt
[ ]
+ vf
rst
1
C fk
[i fk ]rst d
[v f ]rst [v f ]str =
[vt1 ]l
rst
[vt 2 ] rst
l
[ ]
Rt 2 it 2 lrst
d [it1 ] rst
l
= Lm1
= Lm 2
{([ ]
dt
d [it 2 ]lrst
dt
Lm1
+ Lt 2
d [it 2 ]lrst
dt
+ [vt 2 ]lrst
{([ ]
([ ]
d
h1 p
dt
rst
) }2a 3
1
d
[h2n ]rst k t1i dc h2 p
[h2n ]trs k t 2 i dc
h2 p
rst
trs
dt
T
[vt1 ]lrst h1 p rst [h1n ]rst a1 +
2 3
a2
lT
lT
= R dc idc + Ldc
k t1 [vt 2 ]rst k t 2 [vt 2 ]str h2 p rst [h2n ]rst
2 3
Lm 2
([ ]
([ ]
}2a23
didc
+ Vce
dt
Donde [vs]rst es el vector de voltajes de fase de alimentacin [vsr vss vst]T, [is]rst es el
vector de corrientes de lnea de alimentacin [isr iss ist]T, [ifk]rst es el vector de corrientes de
43
fase [ifkr ifks ifkt]T en cada uno de los bancos de filtros sintonizados (k = 5, 7, 11, 13, y 17),
[vf]rst es el vector de voltajes de fase [vfr vfs vft]T del banco de filtros, y el subndice str indica
un cambio en el ordenamiento del vector, [it1]lrst es el vector de corrientes de fase [it1rs it1st
it1tr]T del primario del transformador de R1, [it2]lrst es el vector de corrientes de fase [it2rs it2st
it2tr]T del primario del transformador de R2, [vt1]lrst es el vector de voltajes de lnea [vt1rs vt1st
vt1tr]lT del primario del transformador de R1, [vt2]lrst es el vector de voltajes de lnea [vt2rs vt2st
vt2tr]lT del primario del transformador de R2, [hp1]rst y [hn1]rst son los vectores [hp1r hp1s hp1t] y
[hn1r hn1s hn1t] de la FTG del rectificador R1, [hp2]rst y [hn2]rst son los vectores [hp2r hp2s hp2t] y
[hn2r hn2s hn2t] de la FTG del rectificador R2, y el subndice trs indica un cambio en el
ordenamiento del vector, idc es la corriente de carga del bus dc, y Vce es el voltaje de
reaccin de las celdas de electro-obtencin. Las constantes a1 y a2 son las razones de
transformacin de los respectivos primarios de R1 y R2, y las constantes kt1 y kt2 son las
razones de vueltas de los devanados del primario en conexin polgono para lograr el
desfase de 5 (Tabla 2-1).
K vr =
Voltaje R1
.
Vdc
0 PS 30
44
constantes de los devanados kt1 y kt2 que determinan el desfase de los devanados. Estos
parmetros son funcin de Kvr y PS, como se muestra a continuacin.
2 K vr Vdc
3
Vl
2 (1 K vr ) Vdc
a2 =
3
Vl
k t1 = cos PS
+ k t 2 cos 2
180
3
sin PS
180
kt2 =
sin 2
3
a1 =
(
(
(
)
Una vez que el modelo del convertidor se encuentra determinado para el punto de
operacin en cuestin se procede a determinar la mxima demanda de potencia reactiva y la
mxima distorsin armnica. Esto se hace en forma reitaritiva para cada punto de diseo
del espacio de soluciones, y se hace mediante la simulacin del convertidor en todo el
rango de operacin, esto es de potencia cero a nominal. La demanda de potencia reactiva y
distorsin armnicas se determinan segn las siguientes expresiones.
2
1T
Q(I dc ) =
V sk I sk v sk (t ) i sk (t )dt
T
k =r ,s,t
0 k =r , s,t
THD(I dc ) =
30
1
I2
3 I N k =r , s ,t h = 2 skh
Donde Idc fija el punto de operacin, Vs e Is son los valores rms del voltaje y
corrientes de alimentacin, y donde vs e is son los valores instantneos de estas mismas
variables.
45
a)
b)
Superficies de optimizacin en funcin de los parmetros ngulo de desfase (PS) y razn de voltaje (Kvr). a)
Superficie de demanda mxima de potencia reactiva. b) Superficie de mxima distorsin armnica de
corriente (THDS).
c)Superficie Optima (OS) obtenida mediante la unin ponderada de las superficies de optimazacin QS y
THDS.
Figura 2-3
46
OS (K vr , PS ) = k p
QS (K vr , PS )
+
max{QS (K vr , PS )}
(K vr , PS )
(1 k p ) maxTHDS
{THDS (K , PS )}
vr
min {OS (K vr , PS )} .
La optimizacin realizada arroj como resultado una razn de voltajes Kvr de 0.85, y
un desfase PS de 5.
2.1.5 Resultados
2.1.5.1 Simulaciones
47
300
[V] / [A]
a)
200
vdc
100
idc/1000
b) 300
10
12
Tiempo [ms]
14
16
18
20
14
16
18
20
14
16
18
20
vdc
[V]
200
vR1
100
vR2
0
0
c)
1000
10
12
Tiempo [ms]
vr/13
[V] / [A]
500
ir
0
-500
-1000
10
12
Tiempo [ms]
Figura 2-4.- Formas de onda de convertidor operando a 88% de potencia nominal. a) Voltaje y corriente de
carga dc (vdc, idc). b) Voltaje de rectificadores R1 y R2 (vR1, vR2) y voltaje de carga. c) Voltaje de fase y
corriente de lnea de alimentacin (vr, ir).
48
a)
vdc
b)
vR1
vdc
TT
TT
TT
4>
TT
3>
8>
TT
4>
6>
1>
c)
idc
vR2
d)
vr1
vr2
TT
vr
TT
1>
TT
7>
ir2
3>
ir
TT
ir1
4>
TT
TT
2>
Figura 2-5.- Formas de onda experimentales del prototipo de laboratorio operando a 88% de potencia
nominal. a) Voltaje de carga vdc (4> 50 V/div, 2 ms/div) y voltaje de rectificadores R1 y R2, vR1 (3> 50 V/div, 2
ms/div)y vR2 (1> 50 V/div, 2 ms/div). b) Voltaje y corriente de carga dc vdc (4> 50 V/div, 2 ms/div), idc (6> 5
A/div, 2 ms/div). c) Voltajes de fase vr1 (8> 100 V/div, 5 ms/div), vr2 (7> 100 V/div, 5 ms/div) y corrientes de
lnea ir1 (2> 10 A/div, 5 ms/div) ir2 (3> 10 A/div, 5 ms/div) de los rectificadores R1 y R2. d) Voltaje de fase vr
(1> 200 V/div, 5 ms/div) y corriente de lnea de alimentacin ir (4> 10 A/div, 5 ms/div).
2.1.5.2 Experimentales
49
1
RSO
Factor de Potencia
0.95
0.9
DPG
0.85
CEI
0.8
0.75
10
15
20
25
Corriente dc [kA]
30
35
40
Figura 2-6.- Factor de potencia de rectificadores RSO, DPG, y CEI en funcin de la corriente de carga de la
planta de electro-obtencin en evaluacin.
2.1.6 Evaluacin
50
3.5
CEI
3
DPG
2.5
1.5
RSO
1
0.5
10
15
20
25
Corriente dc [kA]
30
35
40
Figura 2-7.- Consumo de potencia reactiva de rectificadores RSO, DPG, y CEI en funcin de la corriente de
carga de la planta de electro-obtencin en evaluacin.
51
CEI
DPG
RSO
5
4
3
2
1
0
10
15
20
25
Corriente dc [kA]
30
35
40
Figura 2-8.- Distorsin armnica total (THD) de corriente de rectificadores RSO, DPG, y CEI en funcin de
la corriente de carga de la planta de electro-obtencin en evaluacin.
2.1.7 Discusin
(1 + k1 + k2 )Vdc I dc ,
en que k1 y k2 son las constantes del desfase de los devanados. Para el DPG el valor de k1 y
k2 es 0.5, para el CEI es 0.58. En el RSO los VA del primario se encuentran definidos por
52
2.1.8 Conclusin
Se ha presentado en este captulo un rectificador de altas corrientes para electroobtencin de cobre con control secuencial optimizado mediante algoritmos genticos. El
convertidor logr reducir en un 62% el consumo de potencia reactiva con respecto a
convertidores de fase controlada de uso industrial, operando adems con una distorsin
armnica levemente inferior, y un factor de potencia superior a 0.95 en todo el rango de
operacin. Otra ventaja del esquema de rectificacin propuesto es que puede operar con un
banco de filtros fijo, de 62% menos potencia que los requeridos por sus pares
convencionales. Finalmente, la operacin del convertidor fue verificada mediante pruebas
en un prototipo de laboratorio de 2.5 kVA.
53
2.2.2 Rectificacin
2.2.2.1 Rectificacin de fase controlada en RFC
55
Figura 2-9.- Rectificador trifsico de fase controlada con carga fuente de corriente.
400
[V] / [A]
200
0
-200
-400
10
15
20
25
30
35
40
25
30
35
40
Time [ms]
[V] / [A]
600
400
200
10
15
20
Time [ms]
Figura 2-10.- Formas de onda alternas y continuas de rectificador tiristorizada de fase controlada
operanado con ngulo de disparo 0.
56
400
[V] / [A]
200
0
-200
-400
10
15
20
25
30
35
40
25
30
35
40
Time [ms]
[V] / [A]
600
400
200
10
15
20
Time [ms]
Figura 2-11.- Formas de onda alternas y continuas de rectificador tiristorizada de fase controlada
operanado con ngulo de disparo 30.
57
a)
b)
Figura 2-12.- Rectificadores con factor de desplazamiento cero. a) Puente de diodo con chopper dc, y b)
rectificador fuente de corriente (RFC) PWM.
La Figura 2-12 tambin muestra que el RFC requiere de un filtro de segundo orden
en sus terminales ac. Este filtro es de reducido tamao debido a la frecuencia de
conmutacin del convertidor, y tiene como fin presentar una caracterstica de fuente de
voltaje en los terminales ac del convertidor, adems de filtrar las armnicas de alta
frecuencia producidas por la conmutacin. Los reactores del filtro slo se utilizan para fijar
la frecuencia de resonancia del filtro y evitar as posibles resonancias entre los
condensadores y otros elementos reactivos del sistema.
La Figura 2-13 muestra las formas de onda del convertidor en operacin. En
particular se aprecian los voltajes y corrientes de alimentacin, los voltajes y corrientes en
los terminales ac del RFC, y el voltaje y corriente dc del convertidor. La Figura 2-13
muestra otra caracterstica importante de la rectificacin PWM, que es la capacidad para
operar con control de fase adems, lo que permite operar con factor de potencia unitario
o con fac58
a)
[V] / [A]
500
-500
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
[V] / [A]
500
-500
[V] / [A]
600
400
200
0
Time [ms]
b)
[V] / [A]
500
-500
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
[V] / [A]
500
-500
[V] / [A]
600
400
200
0
Time [ms]
Figura 2-13.- Formas de onda de RFC-PWM operando con factor de potencia unitario (a), y con factor de
potencia capacitivo (b) para compensacin de reactivos. Las formas de onda mostradas son tensin y
corriente de alimentacin, tensin y corriente PWM de los terminales alternos del convertidor, y voltaje
PWM y corriente continua de los terminales continuos del convertidor.
59
Voltage
Supply
Input Filter
PWM-VSR
DC-Link Filter
PWM-VSI
Motor Load
Figura 2-14.- Accionamiento de alterna fuente de voltaje con inversor (PWM-VSI) y rectificador fuente de
voltaje (RFV) modulados (PWM-VSR).
La rectificacin PWM con RFV nace del desarrollo del inversor fuente de voltaje.
El RFV corresponde simplemente a la conexin del VSI a los terminales de alimentacin en
vez de los terminales de la mquina. En consecuencia la operacin como rectificador
requiere de la utilizacin de reactores de lnea para suplir las inductancias de la mquina.
En este convertidor lo que se regula son los voltajes ac, lo que permite controlar la corriente
ac y en consecuencia el flujo de potencia activa hacia los terminales dc del convertidor, lo
que permite finalmente controlar el voltaje dc del RFV.
La Figura 2-14 muestra un esquema de un accionamiento fuente de voltaje, con
inversor y rectificador (RFV) PWM. En esta figura es posible apreciar el filtro inductivo en
los terminales ac como el condensador en los terminales dc, que acta como fuente de
voltaje para el convertidor. Una ventaja de este convertidor por sobre el RFC es que su
filtro ac es de primer orden, por lo tanto no presenta resonancias en su operacin. La Figura
2-15 muestra algunas formas de onda del convertidor en operacin. En particular se
aprecian los voltajes y corrientes de alimentacin, el voltajes en los terminales ac del RFV,
y el voltaje y corriente dc del convertidor. Tal como el RFC, este convertidor tambin
puede operar con factor de potencia capacitivo, operacin que es mostrada en la Figura
2-15.
60
a)
[V] / [A]
500
-500
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
[V] / [A]
1000
-1000
[V] / [A]
1000
500
Time [ms]
b)
[v] / [A]
500
-500
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
10
15
20
25
30
35
40
[v] / [A]
1000
[v] / [A]
-1000
800
600
400
200
0
-200
Time [ms]
Figura 2-15.- Formas de onda de RFV-PWM operando con factor de potencia unitario (a), y con factor de
potencia capacitivo (b) para compensacin de reactivos. Las formas de onda mostradas son tensin y
corriente de alimentacin, tensin PWM y corriente en los terminales alternos del convertidor, y corriente
PWM y voltaje continuo de los terminales continuos del convertidor.
61
Power Supply
Transformer
DC-Link
PWM Inverter
Load
PWM
CSI
62
Figura 2-17.- Semiconductor del tipo IGCT, tiristor controlado con gate-drive integrado.
teniendo una alta cada de tensin en conduccin. Por otro lado, el IGBT es un
semiconductor de la familia de los transistores, por lo que su comportamiento general con
altos niveles de tensin no es adecuado, especialmente en cuanto al bloqueo de tensiones
inversas. Tomando estas restricciones en consideraciones la empresa suiza ABB decidi a
comienzos de la dcada de los 90 desarrollar un nuevo semiconductor de la familia de los
tiristores, que se adecuase perfectamente a la operacin en altas potencias. As fue como
naci el IGCT, mostrado en la Figura 2-17.
Bsicamente el IGCT resuelve todos los problemas asociados a la operacin de los
GTO. Esto es, se controla con una mnima corriente de base, posee tiempos de transicin
elevadsimos por lo que puede operar a altas frecuencias de conmutacin, no requiere de
snubbers ni de otros circuitos auxiliares, y presenta reducidas prdidas de conmutacin y
conduccin. Adems, por ser un semiconductor de la familia de los tiristores posee
excelentes caractersticas de bloqueo inverso en altas tensiones, lo que lo hace la eleccin
obvia para operar en altas potencias. Segn la misma ABB, el IGCT se comporta como
tiristor en conduccin, y como IGBT durante el apagado.
El IGCT se desarroll en un comienzo como semiconductor para convertidores
fuente de voltaje, por lo que lleva integrado un diodo de potencia en antiparalelo, que
adems resulta clave en su operacin sin snubber. El xito alcanzado por este
semiconductor ha sido tal que ABB desarroll durante el ao 2000 el IGCT para
convertidores fuente de corriente. Este IGCT posee ciertas modificaciones como la
conexin de un diodo serie y la adaptacin de los circuitos drivers para operar en modo
fuente de corriente. La estructura del IGCT es la de un semiconductor simtrico, lo que le
permite bloquear voltajes inversos, pero no posee las limitaciones propias de uno de estos
dispositivos. stas son baja frecuencia de conmutacin y aumento del grosor y volumen
para poder soportar elevados niveles de tensin. Esto se logr mediante el uso de un GCT
asimtrico en serie con un diodo de potencia. De esta manera tanto el GCT como el diodo
pueden ser optimizados para minimizar su espesor, con mnimas prdidas de conduccin y
de a pagado, pudiendo adems operar a altas frecuencias de conmutacin por ser
intrnsecamente un dispositivo asimtrico.
63
Figura 2-18.- Integracin de dispositivos semiconductors de potencia en Power Electronics Building Blocks
(PEBB).
64
Figura 2-19.- Accionamiento fuente de voltaje en media tensin del tipo multinivel para mquinas de
induccin.
65
a)
MODULO
RFC-PWM
MODULO
MODULO
RFC-PWM
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
b)
Figura 2-20.- (a) Concepto de rectificador PWM de altas corrientes empleando PEBB de convertidores (b) y
de semiconductores con tecnologa IGCT simtrica.
66
2.2.5 Conclusin
67
[14]
S. Choi, A. von Jouanne, P. Enjeti, e I. Pitel, Polyphase Transformer
Arrangements with Reduced kVA Capacities for Harmonic Current Reduction in
Rectifier Type Utility Interface, IEEE Trans. on Pow. Elec., vol. 11, no. 5, pp. 680690, Sep. 1996 .
[15]
N. Zargari, Y. Xiao, y B. Wu, A Multi-Level Thyristor Rectifier with
Improved Power Factor, IEEE Trans. on Ind. Applicat., vol. 33, no. 5, pp. 1208-1213,
Sep./Oct. 1997.
[16]
D. Steeper, R. Stratford, Reactive Compensation and Harmonic
Suppression for Industrial Power Systems Using Thyristor Converters, IEEE Trans. on
Ind. Applicat., vol. 12, no. 3, pp. 232-254, May./Jun. 1976.
[17]
S. Mukhopadhyay, A New Concept for Improving the Performance of
Phase Controlled Converters, IEEE Trans. on Ind. Applicat., vol. 14, no. 6, pp. 594603, Nov./Dic. 1978.
[18]
E. Wiechmann, P. Ziogas, and V. Stefanovic, Generalized Functional
Model for ThreePhase PWM Inverter/Rectifier Converters, IEEE Trans. on Ind.
Applicat., vol. 21, no. 2, pp. 281-295, Mar./ Apr. 1987.
68
Captulo 3
120C para barras de corriente DIN 43673 por posible merma de control.
160C para superficies plateadas a ambos lados o de igual valor de las de barra de
corriente.
Segn esto se establece que el lmite ms bajo para la temperatura de barras de corriente
no dependientes de medios de operacin se encuentra a 85C, si motivos especiales no
exigen valores menores, como por ejemplo, mnimo requerido por exigencias de menos
costo de inversin y de prdidas.
69
Uno de los aspectos importantes que influyen en la capacidad de corriente de una barra
es su recubrimiento. El recubrimiento de un barra permite el traspaso de calor del metal al
ambiente en forma rpida o lenta, segn sea el recubrimiento, por ello se debe tener en
cuenta si las barras que se utilizarn para la instalacin del equipo rectificador estarn
pintadas o no, o si el cobre tiene un recubrimiento de oxido, etc.
La Norma DIN establece la corriente mxima que debe circular por una barra de cobre
segn sea la seccin de sta. A continuacin se muestran las tablas dadas por DIN 43 671
para corrientes continuas que provocan una temperatura de 65C en la barra con una
temperatura ambiente a 35C.
En la Tabla 3-1 se establecen los lmites de corriente para barras de E-Cu con seccin
rectangular en interiores a 35C de temperatura del aire y 65C de temperatura de la barra;
posicin vertical del ancho de la barra; paquetes de barras con pequeas distancias entre las
barras iguales al espesor.
En la Tabla 3-2 se establecen los lmites de corriente para barra de E-Cu con seccin
rectangular en interiores a 35C de temperatura de l aire y 65C de temperatura de barra;
posicin horizontal del ancho de la barra; paquetes de barras sin separacin entre los
conductores parciales.
En la Tabla 3-3 se muestra los limites de corriente para barras de E-Cu con seccin
circular en interiores a 35C de temperatura del aire y 65C de temperatura de la barra; en
corriente alterna la separacin media entre conductores principales es mayor o igual a 2
veces el dimetro de la barra.
En la Tabla 3-4 se establecen los lmites de corriente para barras de E-Cu con seccin
anular circular a 35C de temperatura del aire y 65C de temperatura de barra; en corriente
alterna la distancia entre conductores principales debe ser mayor o igual a 2.5 veces el
dimetro exterior de la barra.
70
Tabla 3-1
71
Tabla 3-2
Tabla 3-3
72
Tabla 3-4
73
donde:
X L : es la reactancia inductiva en Ohms []
f : es la frecuencia en Hertz [Hz]
Largo=1m
S2/0=67.43mm2
74
reactor de una sola vuelta implementado con barras de seccin rectangular se considera un
valor entre los 3 y 4 H .
m
Esta tcnica de implementar los reactores de interfase con la reactancia de las barras
se utiliza por ejemplo para construir el reactor que une los dos rectificadores doble estrella
de un cudruple estrella.
vdc
Reactor construdo con
las barras de conexin
75
Captulo 4
Los sistemas de potencia industrial (SPI) entregan la energa elctrica a los diversos
procesos productivos. Estos procesos contienen tanto equipamiento de control (PLC, PC,
comunicaciones) como equipamiento de fuerza (Convertidores y motores), los cuales
requieren de una energa de cierta calidad. Diversos factores afectan la calidad de la energa
elctrica, destacndose entre otros la regulacin de voltaje y la distorsin armnica.
Si bien la red elctrica provee una buena calidad de servicio, debido principalmente
a su robustez, existen equipos que permiten aumentarla, ya sea para prevenir fallas dentro
del propio sistema de potencia como para evitar multas por sobre pasar las normas. Los
filtros sintonizados tienen por finalidad mejorar el factor de potencia en los sistemas de
potencia, como adems aminorar algunas de las armnicas de corriente que el sistema
inyecta a la red de distribucin / transmisin.
Esta captulo revisa los aspectos ms importantes de los filtros sintonizados y
muestra, a partir de ejemplos reales, los efectos que estos tienen sobre los SPIs.
76
77
78
79
80
Ya que las posibles resonancias varan segn los filtros conectados, se calcula la
impedancia armnica al conectar los filtros de 5, 5 7, 5 7 11 y 5 7 11 13 armnicas.
Las siguientes figuras muestran como vara la impedancia armnica de la barra principal al
variar los esquemas de filtros conectados a ella.
81
82
83
Actual
Condensadores
Filtros
4
3
2
1
0
3
7 11 13 17 19 23 25 29 31 35 37 41 43 47 49
Figura 4-10.- Espectro del voltaje del sistema actual y del sistema con las distintas soluciones.
84
85
MVA
25.0
MW
20.0
MVAr
15.0
10.0
5.0
1-2-99
1:00
30-1-99
7:30
28-1-99
14:00
26-1-99
20:30
26-1-99
3:00
24-1-99
9:30
22-1-99
16:00
20-1-99
22:30
20-1-99
5:00
18-1-99
11:30
0.0
Mximo
42.1
33.9
26.0
Promedio
38.6
30.6
23.5
Mnimo
24.7
18.3
16.5
86
MVA
30.0
MW
20.0
MVAr
10.0
30-1-99
19:30
30-1-99
0:30
28-1-99
5:30
26-1-99
10:30
24-1-99
15:30
22-1-99
20:30
22-1-99
1:30
20-1-99
6:30
18-1-99
11:30
0.0
Mximo
52.3
42.1
31.9
Promedio
47.9
38.0
29.2
Mnimo
30.7
22.7
20.5
87
Opcin 1
Opcin 2
Opcin 3
Opcin 4
Opcin 5
Planta 3
100
0
100
100
100
Planta 4
100
100
100
62
100
Con las opciones definidas es posible determinar los MVA totales en funcin de la
potencia reactiva compensada. Esta informacin se muestra en la Figura 4-13.
55,000
50,000
MVA totales
MVA Opcin 1
MVA Opcin 2
45,000
MVA Opcin 3
MVA Opcin 4
40,000
MVA Opcin 5
35,000
39000
36000
33000
30000
27000
24000
21000
18000
15000
12000
9000
6000
3000
30,000
MVAr compensados
88
1.00
Nuevo factor de potencia
0.98
0.96
0.94
Nuevo FdeP 1
0.92
Nuevo FdeP 2
0.90
Nuevo FdeP 3
Nuevo FdeP 4
0.88
Nuevo FdeP 5
0.86
0.84
0.82
39000
36000
33000
30000
27000
24000
21000
18000
15000
12000
9000
6000
3000
0.80
MVAr compensados
89
La frecuencia de esta resonancia depende de los elementos del sistema, por lo que
requiere de un estudio detallado para encontrarla. Adems cualquier cambio en el sistema
puede variar la frecuencia de resonancia. La Figura 4-15 muestra la impedancia de la barra
principal al conectar un banco de condensadores de 17MVAr en el sistema en estudio.
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Zbarra [Ohms]
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700
distorsin de corriente, el voltaje que entrega el filtro contiene una menor distorsin y
consecuentemente todas las barras disminuyen su distorsin.
4.3.6 Filtros sintonizados.
Luego de analizar los otros factores que influyen en el diseo de los filtros
sintonizados se decidi utilizar un sistema de filtro de 5 etapas. Cada una de estas se
sintoniz en las armnicas 4, 5, 7, 11 y 13. Consecuentemente se aminoraron las armnicas
predominantes en el sistema, se compens la potencia reactiva, se doto al sistema de
capacidad de control de la potencia compensada y se limit la corriente de inrush de cada
etapa. Para esto, la potencia y frecuencia de sintona de cada etapa es la siguiente;
Etapa
1
2
3
4
5
Armnica
4
5
7
11
13
Frecuencia [Hz]
190
240
335
540
640
Potencia [MVAr]
6.60
6.60
4.18
2.86
1.76
91
Se puede apreciar, de la figura anterior, que las corrientes de inrush son menores a
2000[A]. Por su parte el voltaje de la barra se mantiene dentro de los rangos permitidos por
el equipamiento ms sensible.
En caso que los bancos anteriores fueran solamente condensadores se produciran una
corrientes de inrush muy superiores. En el caso del primer banco, la corriente de inrush
estara limitada solamente por la impedancia del sistema (corriente de cortocircuito). Sin
embargo, peores an son las corrientes al conectar un banco de condensadores en las
cercanas de otro. El banco entrante se comporta como un cortocircuito, mientras que el
banco (o los bancos) conectado son una gran fuente de energa reactiva. Luego ya que la
impedancia entre ellos es mnima las corrientes son tan elevadas que puede, incluso,
destruir los propios condensadores, hacer actuar las protecciones e influir muy
negativamente en la regulacin de voltaje.
92
Voltaje
Cambio de voltaje
Corriente
Factor de potencia
Potencia real
Potencia reactiva
Temperatura
Fecha
Hora
Da de la semana
93
Autotransformador
80%
80%
Des-conectado
Conectado
Directa
268
292
Desconectado
331
Conectado
5888
6350
5860
6420
6050
6.9
6544
6.1
6025
4.5
6550
4.0
Regulacin de voltaje
durante partida [%]
Regulacin de voltaje final
de partida [%]
89.2%
96.2%
88.8%
97.3%
91.7%
99.2%
91.3%
99.2%
354
94
Se puede apreciar la mejor regulacin de voltaje en ambos casos en que los bancos
de filtros se encuentran conectados. Este efecto positivo se debe principalmente a que los
filtros durante la partida de los motores les entregan a estos la energa reactiva necesaria.
95
96
97
98
99
Captulo 5
101
Figura 5-1. Actual configuracin caracterizada por conexin slida mediante barras de los electrodos en
celdas electrolticas.
102
103
Figura 5-2.- . Nueva Conexin de electrodos en celdas electrolticas caracterizada por la segmentacin de
las barras interceldas.
104
Rc
Rc
Rc
A
Rak
Rak
A
Rak
Rak
K
Rc
Rc
A
Rak
Rak
K
Rc
Rak
Rak
K
Rc
Rc
Para la obtencin de resultados se han variado los parmetros internos de las celdas segn
la siguiente tabla.
Parmetro
Rc
Rak
Vak
Valor Nominal
0.2 [m]
2.0 [m]
1.5 [V]
Variacin
50% aleatorio
Ninguna
Ninguna
Tabla 5-1.- Valores de los parmetros internos utilizados para la obtencin de resultados.
105
Figura 5-4.- Distribucin de corriente catdica en planta de 33 celdas con 20 ctodos por celda, y circuito de
distribucin convencional.
106
Figura 5-5.- Distribucin de corriente catdica en planta de 33 celdas con 20 ctodos por celda, y circuito de
distribucin convencional.
Figura 5-6.- Distribucin de corriente catdica en planta de 33 celdas con 20 ctodos por celda, y circuito de
distribucin multicircuital.
107
Figura 5-7.- Distribucin de corriente catdica en planta de 33 celdas con 20 ctodos por celda, y circuito de
distribucin multicircuital.
108
20
16
12 Cantidad de
ctodos
8
4
600
580
560
540
520
500
480
460
440
420
n
c i
l
ova
na
Inn
c io
n
e
nv
Co
400
Corriente [A]
Convencional
Innovacin
En la figura anterior, el trazo que presenta una mayor dispersin muestra como se
distribuyen las corrientes al conectar los electrodos en la forma convencional. El otro trazo
con la distribucin ms concentrada se obtiene con los electrodos conectados segn la
innovacin. Es evidente el estrechamiento de la dispersin de corrientes en torno al valor
medio. Por lo tanto, si en el proceso convencional son admisibles corrientes catdicas de
560[A], en el caso de la innovacin es posible aumentar la corriente media en un 5%
manteniendo el mismo rango admisible. Luego una planta puede producir, con la misma
inversin, un 105%.
109