1.

Materiales fotovoltaicos

El elemento bsico de un mdulo fotovoltaico es la celda solar. Las celdas solares

basan su funcionamiento en el efecto fotovoltaico, descubierto por Henry
Becquerel en 1839, quien observ que se generaba una tensin cuando se
iluminaba uno de los electrodos en una solucin electroltica. Este efecto fue
observado por primera vez en un slido en el ao 1876 en experimentos con
selenio.
La celda fotovoltaica de silicio se conoce a partir de 1941, pero recin en 1954
fue instrumentada como fuente de potencia marcando una evolucin
considerable por ser la primera estructura fotovoltaica que lograba convertir luz
en electricidad con una eficiencia razonable (6% reportado por RCA y Bell
Telephone Laboratories). Desde 1958 y hasta la primera crisis del petrleo en
1973, las celdas solares tuvieron principalmente aplicaciones en los campos
espacial y militar. Algunos aos despus, los dispositivos fotovoltaicos de silicio
tuvieron un gran desarrollo, con un incremento considerable en el uso terrestre y
las reducciones en los costos llevaron a una continua expansin en las
aplicaciones comerciales. Hacia fines de la dcada del setenta, el volumen de
celdas producidas para usos terrestres haba superado ampliamente al destinado
para el uso espacial, lo que produjo una disminucin sustancial en los costos de
las celdas solares. A pesar de su potencial importancia, los pases desarrollados
invirtieron cifras extremadamente bajas en investigacin cientfica y tecnolgica
y en el desarrollo del mercado. En lo que se refiere al funcionamiento de los
dispositivos, la conversin fotovoltaica de la energa solar se basa en la
propiedad que tienen algunos materiales de absorber radiacin electromagntica
y convertirla en portadores de carga elctrica libres. Estos materiales, que son la
base de las celdas solares, son los llamados semiconductores.
Los semiconductores (SC) son materiales cuyas bandas de valencia y conduccin
se encuentran separadas por un "gap" de energa, el cual es significativamente
menor que en el caso de los aislantes. La cantidad de electrones disponibles a 0
K es tal que ocupan todos los niveles de la banda de valencia, dejando la banda
de conduccin vaca. Esto significa que el nivel de Fermi se encuentra dentro de
la banda prohibida (band gap), es as que un semiconductor puro y perfecto, a
0K, se comporta como un aislante. Con el aumento de la temperatura, algunos
electrones se liberan del enlace dejando un estado de energa vaco (hueco) el
cual puede ser ocupado por un electrn vecino. El movimiento de un electrn de
valencia a un hueco como as tambin de los electrones en la banda de
conduccin es lo que permite generar una corriente elctrica. As, dependiendo
de la relacin entre la posicin del fondo de la banda de conduccin y el tope de
la banda de valencia en la relacin de dispersin, los semiconductores pueden
dividirse en: semiconductores de "gap" directo o de "gap" indirecto. En
semiconductores absolutamente puros, la conduccin por electrones y huecos es
el producto de la rotura de los enlaces entre sus tomos. Entonces, la
concentracin de electrones n es igual a la concentracin de huecos p; a estas
concentraciones se denominan concentraciones intrnsecas de portadores, ni, de
un semiconductor. Cuando impurezas especiales, conocidas como dopantes, se
introducen en un semiconductor, pueden controlar la concentracin relativa de
electrones en la banda de conduccin y de huecos en la banda de valencia. Estas
impurezas pueden ser donadoras (cuando aportan electrones a la banda de
conduccin) o bien aceptoras (por defecto de electrones en la banda de
valencia). En el primer caso, la concentracin de electrones es mucho mayor que
la de huecos y debido a que la corriente se debe esencialmente a los electrones
se denomina semiconductores tipo n (negativo). En el segundo caso, la
concentracin de huecos es mucho mayor que la concentracin de electrones, los
portadores de la corriente son los huecos y el semiconductor es de tipo p
(positivo). Los portadores de estas bandas pueden por lo tanto difundir cuando la

perturbacin sea apropiada. Existen distintos tipos de semiconductores. Los

semiconductores covalentes son elementos de la columna IV de la tabla
peridica, como el Si y el Ge. Otros semiconductores son los compuestos
formados por relaciones estequiomtricas de elementos de las columnas III y V
(GaAs, InSb, InAs), por elementos de los grupos II y VI (ZnSe); as como
compuestos ternarios (GaInP2 , GaInAs2), entre otros. Los semiconductores cuyas
propiedades fsicas dependen de la presencia de impurezas se denominan
extrnsecos. Para obtener semiconductores de este tipo se introduce en el cristal
cierto nmero de impurezas con una concentracin mucho menor que la del
constituyente bsico. A este proceso se lo llama dopaje. Si bien el desarrollo
tecnolgico de la industria microelectrnica trajo aparejado el mayor nfasis en la
investigacin y desarrollo de las celdas solares de Si, existen otros materiales
ms apropiados que el Si con los cuales se obtienen celdas de eficiencias muy
buenas [19]. Los materiales semiconductores que tradicionalmente han sido
utilizados y que continan en investigacin para usos fotovoltaicos son:

Silicio cristalino (mono y policristalino)

Silicio amorfo hidrogenado (a-si:h)
Materiales del tipo iii-v con gaas, inp, gainp, algaas
Materiales del tipo ii-vi: cds, cdte
Materiales compuestos: cu2ingase4, cuinse2 (cis), cuingase (cigs)

La tabla muestra las eficiencias de conversin de energa solar en electricidad de

las celdas de mayor inters en la actualidad. Eficiencia de conversin () de
energa electromagntica en elctrica.
1.1.

Silicio cristalino

Las celas de Si cristalino son las ms desarrolladas y usadas comercialmente,

aunque las caractersticas de este material no son ptimas. En cuanto a los
requerimientos de pureza del Si para celdas, es menor que el que se requiere en
la industria electrnica, pudindose utilizar el material de descarte de sta ltima
para los dispositivos solares. Otra de las razones de la mayoritaria utilizacin y
desarrollo de las celdas de Si es que ste es uno de los elementos ms
abundantes en la Tierra.
Tanto las celdas de Si monocristalino como las de policristalino se elaboran a
partir de obleas cortadas de lingotes (mono o policristalinos). Los lingotes de Si

monocristalino pueden ser de dos tipos: Czochralski (CZ) o Zona Flotante (FZ). El
mtodo Czochralski es el ms usado comercialmente y el ms econmico. El
crecimiento CZ consiste en fundir el Si en un crisol con trazas del dopante (por
ejemplo boro para obtener un material tipo p), y usando una semilla cristalina
con la orientacin requerida, y bajo condiciones controladas de temperatura y en
ambiente de argn se extraen de la fundicin lingotes cristalinos de hasta 20
pulgadas de dimetro y 2 metros de largo.
Los cristales tipo zona flotante son mucho ms costosos y de mayor pureza.
Estos se obtienen por una refundicin en forma localizada ( 2 a 3 cm) del
lingote. De esa forma las impurezas del cristal son expulsadas hacia la superficie
del mismo, de tal manera que eliminando sta se obtiene un lingote de mayor
calidad que el original.
Una vez obtenido el lingote se cortan las obleas de un espesor de 300 m
aproximadamente, siendo el desperdicio ocasionado por el corte uno de los
problemas que inciden en el costo de las celdas de este material.
Su estabilidad temporal de la eficiencia es superior a 30 aos, son las celdas ms
desarrolladas y estudiadas debido a los avances tecnolgicos de la industria
electrnica, la industria est bien establecida y son celdas utilizadas
comercialmente, porque sus cualidades elctricas, qumicas y mecnicas son
uniformes, los costos de mantenimiento e inversin son bastante bajos y, en
comparacin con otros materiales fotovoltaicos (celdas de a-Si:H, CdTe y CIS), el
silicio posee una eficiencia relativamente alta.
1.2.

Silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H)

El Si amorfo difiere del cristalino en que no posee un orden de largo alcance en la

estructura atmica del material. Los ngulos entre las ligaduras son similares a
las del Si cristalino, pero pequeas desviaciones resultan en la rpida prdida del
orden de largo alcance. Por ello, existen dentro de la estructura del cristal,
ligaduras no saturadas que producen una gran densidad de defectos dentro de la
banda prohibida.
El silicio amorfo puede depositarse sobre distintos sustratos, tales como metal,
vidrio o Si cristalino facilitando la interconexin de los dispositivos. Para el
crecimiento de la pelcula de a-Si:H se utiliza la deposicin qumica en fase vapor
asistido por plasma (PECVD-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) a
relativamente baja temperatura (alrededor de 200C) siendo tpicamente el
espesor de pelcula obtenido del orden de las decenas del nm.
Dado que la conductividad de los materiales que conforman el emisor es baja, se
deposita un contacto transparente, comnmente xido de indio dopado con
estao, ITO (Indium Tin Oxide), sobre la cara frontal, el cual acta tambin como
capa antirreflectante. La tcnica ms usual para el depsito del mismo es el
sputtering con el sustrato a una temperatura de alrededor de 250.
Las celdas basadas en a-Si:H permiten obtener dispositivos de eficiencia
razonable con tcnicas sencillas. Entre las ventajas que presenta este tipo de
celdas se encuentran el bajo costo del material debido al poco requerimiento del
mismo en la celda y la posibilidad de depositar el a-Si:H en reas grandes (del
orden del m2 ). Entre las desventajas de este material para su uso en dispositivos
fotovoltaicos se encuentran, por ejemplo que la eficiencia del mdulo disminuye
de un 10 a 30% hasta alcanzar su valor estable y la relativamente baja eficiencia
de las celdas elaboradas a escala industrial.
1.3.

Arseniuro de galio (GaAs)

El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor cuyo ordenamiento cristalino se

denomina estructura zinc-blende similar a la estructura diamante y del Si
cristalino pero con dos tomos diferentes por celda unidad del cristal. Sus

propiedades electrnicas permiten lograr celdas con mayor eficiencia de

conversin. En particular, poseen un "gap" ms apropiado y un coeficiente de
absorcin de la radiacin solar ms elevado. Las celdas solares con mayor
eficiencia estn realizadas a partir de este material.

Eficiencia de una celda solar en funcin del ancho del gap

Dado que el GaAs es un semiconductor de gap directo, la luz es absorbida muy
cerca de la superficie del dispositivo, necesitando unos pocos micrones de
espesor para la fabricacin de una celda. Como desventajas se pueden
mencionar la escasez del galio en la naturaleza, lo que hace que el GaAs sea un
material costoso, y la toxicidad del arsnico involucrado en la fabricacin. Por ello
es importante estudiar cuidadosamente las consecuencias ambientales de la
instalacin de grandes sistemas solares basados en este semiconductor.
La formacin del arseniuro de galio se realiza en un horno en el cual se colocan el
Ga y el As en distintas naves y a distintas temperaturas (1238C y 610C,
respectivamente). Se transporta el vapor de As en cantidad controlada hacia el
Ga, formando GaAs. En general, en este proceso se obtiene un material
policristalino. Este policristal puede ser recristalizado por distintas tcnicas y
obtener GaAs monocristalino. Los dopantes utilizados comnmente para el GaAs
son Zn y Cd, tipo p, y Te, Se, S y Sn como dopante tipo n. La formacin de la
juntura en el GaAs se realiza mediante crecimiento epitaxial en lugar de por
difusin de dopantes.
2. Tintas y pelculas fotovoltaicas
2.1. Tintas fotovoltaicas
La tinta fotovoltaica por lo general est hecha a base de silicio y sirve para
mejor la captacin de energa solar por medio de los paneles
semiconductores. La idea con la inyeccin de tinta fotovoltaica es que el
panel aumente su receptividad pudiendo producir una mayor cantidad de
energa. Por lo general, la idea con los modelos nuevos de paneles
solares es que estos reciban de manera directa una inyeccin de
tinta fotovoltaica durante su fabricacin de manera que su efectividad
se vea aumentada.
Tenemos que pensar que la mejora en la productividad que se alcanz fue
pasar de un rendimiento de placas del 10 al 18%. Si lo pensamos un 18% no
es un rendimiento tan alto, sin embargo es verdad que un 8% de aumento
cuando el rendimiento era del 10% es bastante. Por esta razn se rescata el
mrito de las diferentes experiencias con tinta fotovoltaica. Por lo general,
con la tinta fotovoltaica la creacin de paneles solares cada vez ms
fcil, debido a que los paneles solares se imprimen. De manera similar

a como realizamos las impresiones a travs de la computadora, a partir de la

tinta fotovoltaica se pueden imprimir los paneles. Estos paneles impresos se
colocan sobre un soporte y tienen el mismo poder que los paneles
tradicionales. La composicin de la tinta fotovoltaica para que esto sea
posible es bastante compleja.
Por un lado esta se encuentra compuesta por una suspensin que contiene
nanocristales de silicio.Para desarrolla estas impresiones fueron
necesarios muchos pasos y nuevos recursos para sortear los
problemas que los nanocristales traen. Uno de los principales problemas
es que debido a la gravedad estos se suelen ir al fondo de la tinta, por lo cual
se tuvo que desarrollar una sustancia aglutinante que los mantenga en la
superficie de manera que estos pudiesen tener un efecto. Como vemos la
creacin de la tinta fotovoltaica es muy compleja, por lo que si vamos a
comprar paneles impresos tendremos que asegurarnos de trabajar con
empresas que generen productos de la mayor calidad posible. Un punto
donde tendremos que tener cuidado son aquellas empresas que ofrecen
equipar nuestros paneles con tinta fotovoltaica.
Los paneles impresor a partir de tinta fotovoltaica son una respuesta que nos
permite aumentar el rendimiento de los paneles tradicionales, sin embargo, y
aunque esto signifique un progreso, no podremos quedarnos all sino que
tendremos que apuntar con la investigacin a lograr mayores niveles de
efectividad en las nuevas tecnologas.

El proceso
de
impresin
se
realiza
por
transferencia en
el
que polmerosorgnicos semiconductores con propiedades similares a las
del silicio utilizado en los paneles solares convencionales, se diluyen en
lquido para poder ser utilizados de forma similar a la tinta.
El soporte de impresin puede ser una lmina flexible de plstico
transparente (haciendo que el panel sea semitransparente) u otras
superficies
tales
como
el
acero.
Esto permitira cubrir con paneles solares impresos ventanas de edificios y
otras superficies de estos como fachadas y azoteas, proporcionando
electricidad a partir de la luz del sol.
Las empresas chinas LDK Solar y BYD trabajan en conjunto para elaborar
tinta solar basada en polisilicio, pues BYD tiene la intencin de crear en los
prximos aos una de las instalaciones solares ms grandes de China, un
pas que necesita tomar ms en serio la adopcin de energas alternativas y
sustentables.
Por otro lado, ingenieros de la Universidad de Texas en Estados Unidos han
desarrollado un mtodo de fabricacin de tinta solar 10 veces ms barato
que los paneles tradicionales. Esta tinta se basa en un material
semiconductor denominado CIGS (cobre, indio, galio y selenio).

Lo que se logra es una impresin de pelcula muy fina, pues sus

nanopartculas son 10 mil veces ms pequeas que el dimetros de un
cabello humano.
Un equipo de la Universidad de Oregon es el que ha concretado el uso de
estas impresoras de inyeccin de tinta solar de CIGS.
Los compuestos del CIGS, sobre todo el indio, son muy caros. Por esta razn,
este mtodo reduce el desperdicio de materiales hasta en un 90% pues la
tecnologa de impresin puede ser utilizada para crear patrones muy
precisos. De esta manera, aunque los materiales son caros, se reducen los
costos con un bajo desperdicio.
Tambin se avanz en el estudio sobre la viabilidad de dispositivos basados
en la calcopirita, un material muy eficiente en la conversin de luz en energa
elctrica. Una capa de uno o dos microns de espesor de este material es
capaz de producir tanta energa como una capa de 50 micrones de silicio.
Las primeras celdas construidas por medio de la inyeccin de calcopirita
tienen una eficiencia de conversin de energa del 5%, pero se cree que
puede mejorar hasta el 12%, lmite que se debe superar para que un
dispositivo de este tipo sea comercializable.
Al final de cuentas, el objetivo es poder generar tecnologa solar sencilla,
rpida, de bajo costo que sea comercializable y amigable con el medio
ambiente.

2.2. Pelculas fotovoltaicas

La pelcula fina solar es una de las reas de mas rpido crecimiento en el
mercado de paneles solares. Esto tiene mucho que ver con el costo de
la pelcula fina fotovoltaica.
La pelcula fina es mas barata que los tradicionales paneles de silicio. Hay
muchas razones para esto.
Una es que las clulas solares de pelcula fina utilizan mucho menos material
para la fabricacin de electricidad: silicio. El silicio es abundante, pero en su
forma pura, es caro. La pelcula fina utiliza capas extremadamente finas de
silicio, abaratando los costos.
La otra razn de que la pelcula fina fotovoltaica coste menos es el proceso
de fabricacin. La fotovoltaica tradicional requiere mucho trabajo manual
caro. El proceso de aplicar silicio al apoyo para la pelcula fina es similar al de
una maquina de impresin. Esto significa menores costos de trabajo y
produccin mas rpida.
La mayor desventaja de este tipo de paneles solares es que son menos
eficientes que las solares tradicionales. Esto significa que se necesita un rea
mayor para producir la misma cantidad de energa solar.

Una innovacin en esta rea son las tejas solares. Estas tejas estn
construidas con fotovoltaica, eliminando la necesidad de los paneles
tradicionales. Esto puede bajar los costos de instalacin.
En conclusin, la fotovoltaica de pelcula fina tiene ventajas en sus precios y
sus rangos de aplicaciones. Aunque no son tan eficientes como los paneles
de energa solar, se estn desarrollando rpidamente y de hecho podran
superar los tradicionales paneles de silicio.

Las fuentes de energa basadas en clulas fotovoltaicas orgnicas se han

hecho muy populares y han llamado la atencin de algunas empresas del
sector porque, a priori, es una tecnologa mucho ms barata de producir que
las clulas fotovoltaicas de silicio, que es el material ms extendido en la
actualidad
para
fabricarlas.
Esta pelcula orgnica fotovoltaica est hecha a partir de polmeros, que son
macromolculas (generalmente orgnicas) formadas por la unin de
molculas ms pequeas llamadas monmeras. En concreto, se trata de una
pelcula de material plstico hecho de dos tipos diferentes de polmeros. El
primer tipo tiene la propiedad de liberar electrones cuando es golpeado por
fotones de luz; mientras que el segundo lo que hace es admitir dichos
electrones.
Para que las clulas solares incrementen su produccin de electricidad, los
investigadores deben mejorar el diseo del material. Para hacer esto,
necesitan comprender mejor qu ocurre cuando la luz se convierte en
electrones
sobre
la
pelcula
de
polmeros.
Segn parece, la carga de electricidad negativa se queda en el primer tipo de
polmeros y la positiva en el otro. El gran reto es transportar los electrones
fuera del material hacia unos electrodos de metal para que puedan ser
volcados en la red elctrica convencional.