UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
ELECTRNICA I
FSICA DE SEMICONDUCTORES
CATEDRTICO:
ING. JOS RAMOS LPEZ
ESTUDIANTE:
BR. AGREDA RIVAS, KAREN AMANDA

AR13008

CIUDAD UNIVERSITARIA, 5 DE OCTUBRE DE 2015

INTRODUCCIN.
El
diodo
semiconductor
est
constituido
fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un
terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos
de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto,
dejando al exterior los terminales que corresponden al
nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se
conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo
al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede
utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en
continua, a este procedimiento se le denomina
rectificacin
Las caractersticas de voltaje y corriente guardan una relacin exponencial:

=
Donde es el factor de escala, el cual generalmente est por el orden de 10-15 A, vara de 1 a 2
dependiendo del diodo y es el voltaje trmico, de 25.8 mV @ 25 C.
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene
huecos libres (ausencia o falta de electrones).
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son
empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P ms all de los lmites del
semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones
en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los
electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.
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El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo
al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente
como un corto circuito.
Polarizacin inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o
sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente
como un circuito abierto.
PARTE I.
1. Cuando no se aplica voltaje de polarizacin, se mueven los electrones a travs de la unin pn?
S. No fluye corriente, pero los electrones y huecos se mueven a travs de la unin. La corriente
de difusin est balanceada con la corriente de saturacin y se establece un equilibrio dinmico.
2. En qu direccin se difunden los electrones en una unin p-n?
Del lado n al lado p. En todo momento, unos cuantos electrones sern energticamente
suficientes para superar al campo elctrico en la direccin opuesta y difundirse a travs de la
regin de agotamiento del lado n al lado p. De igual forma, algunos huecos se difundirn en la
direccin opuesta. Esta corriente se llama corriente de difusin.

3. En qu direccin se satura los electrones?

Del lado p al lado n. El lado n siempre contiene algunos huecos generados trmicamente, y el
lado p, algunos electrones generados trmicamente. Estos transportadores minoritarios sern
intercambiados a travs de la unin por el campo elctrico en la regin de agotamiento. Esta
corriente se llama Corriente de saturacin.
4. Qu efecto tiene el voltaje de polarizacin en el ancho de la regin de agotamiento?
Reduce el ancho. Haciendo el lado p ms positivo que el lado n (V>0) reduce el ancho de la
regin de agotamiento. El campo elctrico a travs de la unin se reduce. Esto incrementa
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significativamente la corriente de difusin (debido a que muchos huecos y electrones pueden

ahora superar el campo). A esta situacin se llama Voltaje de polarizacin.

5. Qu efecto tiene el voltaje de polarizacin en la corriente de saturacin?

No tiene efecto sobre la corriente de saturacin. El campo elctrico a travs de la unin se
reduce. Esto incrementa significativamente la corriente de difusin pero no afecta a la corriente
de saturacin
6. Qu efecto tiene la polarizacin inversa en la corriente de difusin?
Reduce la corriente de difusin. Haciendo el lado n ms positivo que el lado p (V<0), la regin
de agotamiento se vuelve ms ancha. El campo elctrico a travs de la unin se incrementa.
Esto reduce significativamente la corriente de difusin pero no afecta la corriente de saturacin.
Esta situacin se llama voltaje de inversa y la corriente de la red Io se llama Corriente de
saturacin inversa.

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PARTE II.
1. Para una unin p-n abrupta de silicio ( = 1010 3 ) consiste de una regin tipo p
conteniendo 1016 3 tomos aceptadores y una regin tipo n conteniendo 5 1016 3
tomos donadores.
a. Calcular el potencial integrado de la unin p-n.
= ln (

) = 0.025 (

11016 51016

(1010 )2

) = 0.73

b. Calcular el ancho total de la regin de agotamiento si el voltaje aplicado es igual a

0, 0.5 y -2.5 V.
2 1
1
=
( + ) ( )

Donde s = 1.04x10-12 F/cm

q = 1.6x10-19 C
Na = 1x1016 cm-3
Nd = 5x1016 cm-3
2 1.041012
1
1
1 =
(
) (0.73 0) = 0.34
19
16 +
1.610
110
51016
2 1.041012

2 =

1.61019

1
11016

1
51016

) (0.73 0.5) = 0.19

2 1.041012
1
1
3 =
(
) (0.73 + 2.5) = 0.71
19
16 +
1.610
110
51016

c. Calcular el campo elctrico mximo en la regin de agotamiento en 0, 0.5 y -2.5 V.

2( )

2(0.73 0)

1 ( = 0) =
6 = 4.29

0.3410
2(0.73 0.5)

2 ( = 0) =
6 = 2.42

0.1910
2(0.73 + 2.5)

3 ( = 0) =
= 9.09

0.71106
( = 0) =

d. Calcular el potencial a travs de la regin de agotamiento en el semiconductor tipo n

en 0, 0.5 y -2.5 V.
( )
=

1 =
2 =
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(0.73 0)11016

11016 + 51016
(0.73 0.5)11016
11016 + 51016

= 0.121
= 0.0383
4

3 =

(0.73 0)11016
11016 + 51016

= 0.538

2. Una unin p-n abrupta de silicio (ni =1010 cm-3) (NA =1016 cm-3 atomos aceptadores y ND =
5x 1016 cm-3 tomos donadores) es polarizada con Va = 0.6V. Calcular la corriente ideal del
diodo asumiendo que la regin n es mucho menor que la longitud de difusin con wn=1 m
y asumiendo una regin tipo p larga. Usar n = 1000 cm 2/V-s y p = 200 cm2/V-s. El tiempo
de vida de portadores minoritarios es 10 s y el rea del diodo es 10 m por 100 m.

0 0
] ( 1)
= [
+

2
= = 10000.025 = 25

2
= = 2000.025 = 5

2 1020
0 =
=
= 1104 3
1016
2 1020
0 =
=
= 1104 3
1016

= = 25 1010 6 = 158.11 = 15.8103

= 10106 100106 = 1109 2 = 1105 2
0.6
25104
52103
19
5 [
0.025 1) = 49.1
]
= 1.610
110
+
(
15.8103
1104

3. Considerar un diodo p-n abrupto con Na = 1018 cm-3 and Nd = 1016 cm-3. Calcular la
capacitancia a polarizacin cero. El rea del diodo es igual a 10-4 cm2.
El potencial integrado del diodo es igual a:
= ln (

11018 11016
)
=
0.025

(
) = 0.83
(1010 )2
2

El ancho de la capa de agotamiento con voltaje de polarizacin cero sera:

2
2 1.041012
( 0) =
=
(0.83) = 0.33106

1.61019 51016

La capacitancia de polarizacin cero es igual a:

1.041012
0 = =
= 3.17

0.33106

4. (a) calcular la capacitancia de difusin para el mismo diodo del problema 3 a polarizacin cero.
Usar n = 1000 cm2/V-s, p = 300 cm2/V-s, wp' = 1 m y wn' = 1 mm. El tiempo de vida
de portadores minoritarios es igual a 0.1 ms. (b) para el mismo diodo encontrar el voltaje para
el cual la capacitancia de la unin es igual a la capacitancia de difusin.
,0 =

Donde:
, =

, + , ,

0 0 ( ) (1.61019 )(104 )(1018 )(300)(0.025)

=
=

(300)(0.025)(0.1103 )

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= 4.38103
0 ( ) (1.61019 )(104 )(1016 )(1000)(0.025)
=
=
= 40103

1104
2

2
1104
=
=
= 21010
2 2(1000)(0.025)

Sustituyendo todo en la primera ecuacin:

,0 = 1.751019

5. Una celda solar de 1mc2 tiene una corriente de saturacin de 10-12 A y es iluminada por luz
solar produciendo una fotocorriente de cortocircuito de 25 mA. Calcular la eficiencia de la
celda solar y el factor de relleno (fill factor).
La mxima potencia generada por:

= 0 = ( 1) +

Donde Vm es voltaje corresponde al punto de mxima potencia

1 +

= (
)

1 +

Iterando e iniciando con un valor de 0.5 V obtenemos Vm = 0.5, 0.542, 0.540 V.

Eficiencia:

0.540.024
=|
|=
= 13%

0.1
Factor de relleno:
=

0.540.024
=
= 83%
0.620.025

PARTE III.
Para la simulacin del siguiente circuito se tomaron distintos valores para Ls (1 mH, 2 mH y 3 mH).

Figura 1. Circuito para la simulacin en PSpice.

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Para Ls = 1 mH

Figura 2. Formas de onda de corriente y voltaje para Ls = 1mH.

Figura 3. Detalle de la forma de onda de corriente para Ls = 1 mH.

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Figura 4. Espectro de la corriente con Ls = 1 mH.

Para Ls = 2 mH

Figura 5. Formas de onda de corriente y voltaje para Ls = 2mH.

FSICA DE SEMICONDUCTORES

Figura 6. Detalle de la forma de onda de corriente para Ls = 2 mH.

Figura 7. Espectro de la corriente con Ls = 2 mH

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Para Ls = 3 mH.

Figura 8. Formas de onda de corriente y voltaje para Ls = 3mH

Figura 9. Detalle de la forma de onda de corriente para Ls = 3 mH.

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Figura 10. Espectro de la corriente con Ls = 3 mH.

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