PRTICA 5: TBJ OPERANDO COMO CHAVE

Darieldon de Brito Medeiros

darieldonbm99@outlook.com
Resumo A prtica consiste em verificar o
funcionamento de um transistor TBJ tipo NPN como uma
chave fechada na regio de saturao, e chave aberta na
regio de corte.
Palavras - chave TBJ, Chave, Saturao.

I.

INTRODUO

O TBJ opera em quatro modos de operao, sendo eles

o modo ativo, inverso, saturao e corte.
O modo ativo ocorre quando a juno base-emissor est
diretamente polarizada, ou seja VBE superior a tenso de
limiar (0,7V), e a juno base-coletor inversamente
polarizada. Neste modo o TBJ funciona como um
amplificador de sinal de tenso. Neste modo vale a relao do
em relao corrente de coletor e a de emissor.
O modo inverso ocorre quando a juno base-emissor
reversamente polarizada e a juno base-coletor est
diretamente polarizada. Este modo no utilizado pelo fato
de que o coletor e o emissor no suportarem os mesmos nveis
de tenso suportadas no modo ativo, ento isso gera uma
possvel queima do componente.
O modo de saturao ocorre quando ambas as junes
esto diretamente polarizadas, logo isso produz um efeito de
uma chave fechada com uma pequena queda de tenso (0,2V
para transistores de silcio).
O modo de corte ocorre quando as duas junes esto
polarizadas reversamente. Com isso, temos que o TBJ ir
operar como uma chave aberta.
A seguir na figura 1, h a representao do TBJ nos
modos de saturao e de chave.

Fig. 2. TBJ operando como chave aberta

Fig. 3. TBJ operando como uma chave fechada.

II.

METODOLOGIA

A) Materiais Utilizados

Fig.1. Representao Simblica do TBJ como chave.

Para uma aplicao de chave, o TBJ deve somente estar
polarizado no modo de saturao para chave fechada e no
modo de corte para chave aberta. A seguir nas figuras 2 e 3,
temos os circuitos de anlise para o modo de saturao e de
corte para o TBJ operando como chave.

Multmetro;
Osciloscpio;
Fonte de tenso CC;
Fonte de sinal;
Transistor NPN BC548;
Resistores de 15 K e 5,6 K;
Protoboard;
Jumpers;

B) Procedimento Experimental.
Durante a prtica, foi montado o circuito mostrado na
figura 4, mostrada a seguir.

Fig. 4. Circuito montado durante a prtica.

A partir deste circuito e do uso de simulaes, montou-se o
circuito experimental. Para isso, as fontes Vbb e Vcc foram
desligadas.
Para isso, teve que ser calculado os valores das resistncias
de base e de coletor, para isso, foram utilizadas as equaes 1
e 2 para isso.

=
(1)

(2)

Onde Vbb, a tenso aplicada na base com amplitude de

2,2V e Vcc, a tenso aplicada no coletor. Vbe a tenso entre
coletor e emissor, que uma juno pn (diodo), logo
aproximadamente 0,7V. Ib neste caso 100A que foi obtido
atravs do mtodo das correntes de malha, e o VCEsat a tenso
de coletor-emissor no modo de saturao, que para o transistor
BC548 de 0,25V. Com esses valores, foram obtidos os
valores de Rb de 15k e o Rc de 5,875k.
A partir destes valores, temos como calcular os valores de
VRc, e de Vce. No modo de saturao, temos que o Vce
saturado de 0,25V, como o emissor est aterrado, ento a
tenso no coletor de 0,25V. Ento o valor de VRc dado pela
equao 3.
=
(3)
Logo, o valor de VRc igual a 11,75V. No modo de corte,
no h corrente, ento VRc=0V logo Vcc=Vc, logo Vc=12V,
e como o emissor est aterrado, logo Vce=12V.
Aps isso, foi ligada a fonte de tenso Vbb que gera uma
onda quadrada, e foi ajustado o valor da sua tenso para que
fosse polarizada a juno base-emissor do TBJ, a fonte de
tenso contnua Vcc, foi ajustado o seu valor entre 0 e 15V
aplicado ao circuito de sada, para observar com um
osciloscpio as formas das tenses de sadas de VRc, Vce, e
Vcc.
III.

Fig. 5. Circuito Simulado atravs do Multisim

Os valores de Rc e de Rb foram calculados no tpico
anterior. A partir desta simulao, foi obtida as formas de
onda correspondentes a Vbb, Vce e VRc. A seguir nas figuras
6, 7 e 8 so mostrados os grficos de Vbb, Vce e VRc,
respectivamente.

Fig. 6. Forma de onda simulada da tenso Vbb simulado.

Fig. 7. Forma de onda simulada da tenso Vce simulado

RESULTADOS E DISCUSSO

Neste tpico ser mostrado os grficos obtidos por meio

de simulao e os grficos experimentais obtidos a partir do
osciloscpio. A comparao destes dados ser feita mais
detalhadamente na concluso.
A seguir na figura 5 temos o circuito simulado atravs
do software Multisim.

Fig. 8. Forma de onda simulada da tenso VRc simulado.

Nesta prtica, a corrente de base foi fixada em

aproximadamente 100 A. Com isso foram obtidas as formas
de onda de Vce e de Vbb experimentais. No foi obtido o VRc
experimental, devido a ponteira de referncia do osciloscpio,
pois ela pode ser ligado somente terra do circuito, e o resistor
Rc no est conectado ao terra do circuito, mas o seu valor
experimental pode ser calculado pela Eq. (3), logo VRc uma
forma de onda quadrada com amplitude de aproximadamente
12V. A seguir a Fig. 9 e a Fig. 10 mostram as formas de onda
das tenses Vbb e Vce obtidas durante o experimento,
respectivamente.

3) Determine as perdas de conduo do TBJ usando a curva

caracterstica Ic = f(Vce).
Resposta: Na situao de chaveamento perdas so possveis,
durante a conduo e no estado em que est desligado. Em
baixas frequncias h poucas perdas, sendo expressa a seguir:
()
As perdas com o chaveamento contnuo causado pela fonte de
2,2V e 10kHz de frequncia, aumentam com a frequncia de
comutao.

()

6

Onde:
Vcc: tenso de polarizao do coletor (fonte de 12V)
Ic (max): mxima corrente de coletor
: durao do transitrio de chaveamento ( = ton ou = toff)
fs: frequncia de chaveamento

4) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.

Fig. 9. Forma de onda de Vbb experimental.

Fig. 10. Forma de onda de Vce experimental.

IV.

Resposta: Os transistores apresentam diversos tipos de

encapsulamento, onde os mais comuns so TO-92, TO-220 e
TO-3:
TO-92: um encapsulamento pequeno e muito
utilizado em amplificadores para pequenos sinais. A
seguir na figura 11, temos uma imagem deste
encapsulamento

QUESTES

Fig. 11. Encapsulamento TO-92.

TO-220: Este encapsulamento utilizado para
dissipao de potncia. A seguir, na figura 12 temos
uma imagem para este encapsulamento.

1) Traar as formas de onda de tenso experimental e

simulada para o TBJ: Vbb, Vce e VRC.
Resposta: As formas de onda simuladas e experimentais j
foram apresentadas em Resultados e Discusso.

2) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas na

questo 1 tomando como referncia o comportamento do
circuito e a curva caracterstica do circuito de sada.
Resposta: Na parte de metodologia, temos os valores de Vce
e de VRc. Com esses valores possvel prever os valores tanto
simulados como experimentais.

Fig. 12. Encapsulamento TO-220.

TO-3: Este encapsulamento utilizado para grandes

potncias. O seu dissipador de potncia est
conectado ao coletor. A seguir, na figura 13 temos
uma imagem para este encapsulamento.

Fig. 13. Encapsulamento TO-3

5) Pesquisar a respeito das principais especificaes do TBJ
encontradas na folha de dados dos fabricantes de modo que o
componente trabalhe como chave.
Resposta: Para operar como uma chave, o TBJ deve operar
nas regies de saturao ou de corte. Para o datasheet do
fabricante Fairchild, tem especificado os seguintes valores:
Ic=10mA, Ib=0,5mA e Vcesat=0,25V. O forado o valor
do ganho para a regio de saturao que dado pela razo de
Ic com Ib, logo o de 20. E ainda o Icbo=15nA (Para
Vcb=30V e Ie=0V)

Fig. 14. Dados fornecidos pelo fabricante para o BC548

6) Pesquise aplicaes que fazem uso do TBJ funcionando
como chave. A seguir na figura 14, temos uma imagem de
uma parte do datasheet.
Resposta: Existem vrias aplicaes para TBJs operando
como chave. Um deles funcionar como portas lgicas como
a porta AND, ou OR, das famlias 74XX.
So muito utilizados em construo de microprocessadores,
como chaveadores em multiplexadores internos.
V.

CONCLUSO

A tenso do resistor de coletor (VRc), mencionada

anteriormente em resultados e discusso, no foi obtida, dado
que a ponteira de referncia do osciloscpio pode ser ligado
somente ao terra do circuito, e com isso o valor
experimental de VRc foi estimado atravs de Vcc e de Vce.

Como no haviam resistores de 5,875k, logo foram

utilizados dois resistores em srie, um de 5,6k e um de 270
em srie.
Os valores simulados e experimentais so bem prximos,
pelo fato de os resistores utilizados em prtica so bem
prximos dos resistores calculados, com isso houve uma certa
preciso na medio dos valores. Mas a tenso aplicada no
transistor gera um aumento de temperatura, fazendo com que
influencie na tenso de base-emissor, assim, afetando a
medio.
Mesmo assim, o experimento ocorreu de uma maneira
esperada pela teoria, sendo que o TBJ no modo de saturao
realmente funciona como uma chave fechada com uma
pequena queda de tenso, e quando est em modo de corte
funciona realmente como uma chave aberta. As formas de
onda simuladas e experimentas foram semelhantes, e com o
Vbb sendo um sinal de onda quadrada, o TBJ funcionou como
uma chave que comuta a uma frequncia de 10kHz
REFERNCIAS
[1] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Dispositivos
Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 8 Edio, Prentice Hall,
2004.
[2] A. Sedra, K. Smith. Microeletrnica. Pearson Prentice
Hall, 5 edio, 2007.