Precio Grafeno

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno
Pg. 1
Pg. 2
Anejos
Sumario
SUMARIO____________________________________________________ 2
A. INFORMACIN COMPLEMENTARIA ___________________________ 3
A.1. Condiciones de la deposicin qumica de vapor sobre cobre .......................... 3
A.2. Precios de venta de grafeno (Avanzare) .......................................................... 5
A.3. Precios de venta de grafeno (Graphenea)........................................................ 6
A.4. Evolucin del coste de produccin de grafeno por CVD .................................. 7
A.5. Diagrama de fase Cu - C ................................................................................... 8
A.6. Influencia de la limpieza del substrato de cobre en CVD ................................. 9
A.7. Comportamiento del adhesivo trmico ........................................................... 10
A.8. Sistemas de deposicin qumica de vapor ..................................................... 11
A.9. Laboratorio de Graphene Platform Corp. (Japn) .......................................... 12
A.10. Mdulos del Parc Tecnolgic del Valls ....................................................... 14
B. COMPARATIVA DE PROCESOS ______________________________ 15

B.1. Ponderacin de los criterios de comparacin ................................................. 15
B.2. Puntuaciones individuales del anlisis ............................................................ 16
C. ANLISIS TCNICO ________________________________________ 17

C.1. Compatibilidad del equipo respecto el flujo de gas ........................................ 17
C.2. Necesidades del proceso de produccin ........................................................ 19
D. ANLISIS ECONMICO_____________________________________ 21
D.1. Presupuesto del reactor de deposicin qumica de vapor ............................. 21
D.2. Presupuesto de equipamiento adicional ......................................................... 22
E. ANLISIS MEDIOAMBIENTAL _______________________________ 23

E.1. Estimacin de las emisiones generadas......................................................... 23
E.2. Anejo III de la Ley 16/2002 .............................................................................. 26
Pg. 3
A. Informacin complementaria
A.1. Condiciones de la deposicin qumica de vapor sobre
cobre
Condiciones de crecimiento
Condiciones
de recocido
Grosor
del
Precursor
de
cobre
carbono
Nmero de
lminas de
Presin
(mbar)
Temperatura
(C)
Tiempo
(min)
Ritmo de
enfriamiento
C2H2
0,52
800
10
1, 2, 3
50 m
CH4
66,7
850 a 900
10
10 C/s
Pocas
25 m
Hexano
0,667
950
1, 2
(Srivastava
et al., 2010)
CH4
0,4
1000
0,5 a
30
9 C/min
1, 2
(Mattevi et
al., 2011)
25 m
CH4
0,667
1000
1 a 60
100 a
450
CH4
0,133
a
1000
Referencia
grafeno
1. Ar (20
sccm, 0,55
mbar, 12
min).
206
2. H2 (20
nm
(Lee y Lee,
2010)
sccm, 0,4
mbar, 1,25
min, hasta
766C).
H2 (900C,
13,33 mbar,
30 min)
(Cai et al.,
2009)
Ar/H2 (prevaco, 400

sccm, 11-12
mbar, hasta
950C)
H2 (prevaco, 13
sccm,
0,1333
mbar, hasta
1000C, 30
25 m
125
m
min)
H2 (2 sccm,
0,053 mbar,
30 min)
H2 (prevaco, hasta
1000C)
nm
0,667
15 a
420
40 a 300
C/min
>95% 1
(Li et al.,
2009)
(Ismach et
al., 2010)
Pg. 4
Anejos
H2 (8 sccm,
0,12 mbar,
hasta
25 m
CH4
2,133
1000
30
CH4
14,7
1000
CH4
1013
1000
CH4
0,667
1000
2 a 10
10 C/s
20 C/min
>93% 1
10 C/s
1, 2
1000C, 30
(Bae et al.,
2010)
min)
Presin de
base (0,1333
mbar, cido
actico y H2
(50 a 200
sccm, 2,67
mbar, hasta
1000C, 25
500
nm
10 a
20
(Levendorf et
al., 2009)
25 m
min)
Calentamien
to hasta
1000C a
presin
ambiente,
luego He
700
(1000 sccm)
nm
(Lee et al.,
2010)
y H2 (50
sccm)
durante 30
min a
1000C.
H2 y Ar
(hasta
1000C, 30
min)
H2 (prevaco, hasta
1000C)
Lmin
a de
Cu
25 m
CH4
850 a 1050
15
Enfriamiento
rpido
Enfriamiento
rpido
(Robertson y
Pocas
Warner,
2011)
1, 2, 3
(Rmmeli,
2012)
Tabla A.1: Sumario de condiciones para la deposicin qumica de vapor sobre cobre
reportadas en diferentes estudios. (Fuente: Warner et al., 2013.)
Pg. 5
A.2. Precios de venta de grafeno (Avanzare)
Figura A.2: Precios de venta de los productos ofertados por la empresa Avanzare. (Fuente:
Avanzare.)
Pg. 6
Anejos
A.3. Precios de venta de grafeno (Graphenea)
Producto
Substrato
Superficie
Precio
Grafeno monocapa
SiO2/Si
10 mm x 10 mm (4 unidades)
175
Grafeno monocapa
SiO2/Si
1 pulgada x 1 pulgada
225
Grafeno monocapa
SiO2/Si
Oblea de dimetro 4 pulgadas
645
Grafeno monocapa
A eleccin del cliente
10 mm x 10 mm
135
Grafeno monocapa
25 mm x 25 mm
299
Grafeno monocapa
699
Grafeno bicapa
SiO2/Si
10 mm x 10 mm
459
Grafeno tricapa
SiO2/Si
10 mm x 10 mm
649
Grafeno monocapa
Cu
1 pulgada x 1 pulgada
89
Grafeno monocapa
Cu
95
Grafeno monocapa
Cu
Obleas de dimetro 12 mm (4 unidades)
99
Grafeno monocapa
Cu
299
Grafeno monocapa
Cu
60 mm x 40 mm
225
Grafeno monocapa
PET (poletileno)
175
Grafeno monocapa
PET (poletileno)
25 mm x 25 mm
225
Grafeno monocapa
PET (poletileno)
645
Grafeno monocapa
Cuarzo
645
Grafeno monocapa
Cuarzo
175
Grafeno monocapa
Suspendido sobre pelcula

Quantifoil para TEM
Pelcula de dimetro 3mm (4

unidades)
350
xido de grafeno
Suspensin en agua (250 ml, 4 mg/ml)
89
xido de grafeno
Suspensin en agua (1000 ml, 4 mg/ml)
299
xido de grafeno reducido
1 gramo
129
Tabla A.3: Precios de venta de los productos ofertados por la empresa Graphenea. (Fuente:
Graphenea.)
Pg. 7
A.4. Evolucin del coste de produccin de grafeno por CVD
Figura A.4: Evolucin anual del coste de produccin de grafeno por deposicin qumica de
vapor. Se compara con el coste actual del carburo de silicio (utilizado en otro mtodo de
fabricacin de grafeno), y el coste actual del silicio. (Fuente: Graphenea.)
Pg. 8
Anejos
A.5. Diagrama de fase Cu - C
Figura A.6: Diagrama de fase binario de cobre (Cu) y carbono (C). Se observa la baja
solubilidad del carbono en el cobre. (Fuente: Mattevi, Kim, Chhowalla, 2011.)
Pg. 9
A.6. Influencia de la limpieza del substrato de cobre en CVD
Figura A.5: Influencia de la limpieza del substrato de cobre sobre el grafeno producido por
deposicin qumica de vapor (imgenes por microscopio electrnico de barrido). Las figuras
de la izquierda (a y b) muestran el grafeno producido a partir de un substrato de cobre sin
limpiar, mientras que las de la derecha (c y d) corresponden a un producto obtenido a partir
de un substrato limpio. Tambin se observan imgenes del grafeno sobre un substrato de
SiO2/Si. (Fuente: Kim et al., 2013.)
Pg. 10
Anejos
A.7. Comportamiento del adhesivo trmico
Figura A.7: Comportamiento del adhesivo trmico de la empresa Nitto Denko Corporation.
Se ilustra la fuerza del adhesivo segn la temperatura. (Fuente: Nitto Denko Corporation.)
Pg. 11
A.8. Sistemas de deposicin qumica de vapor

Modelo
Fabricante
Dimensiones
Temperatura
Presin
de trabajo
de trabajo
Informacin adicional
-4 entradas de gas, ampliables hasta 12.
EasyTube
3000
First Nano
3000 mm x
840 mm
< 1100C
100 mtorr
-Potencia mxima: 12,5 kW.
700 torr
-Cmara tubular de cuarzo (de dimetro

7).
-Hasta 6 entradas de gas.
AS-Master
S20
AnnealSys
1104 mm x
1550 mm
-6
< 1150C
10 torr
ambiente
-Potencia mxima: 75 kW.

200m) o cuadrada de 200 mm x 200 mm.
-4 entradas de gas.
Planar
GROW-6E
planarTECH
1750 mm x
750 mm
-4
< 1450C
510 torr
ambiente
-Potencia mxima: 6,6 kW.

6).
GSL 1100X
MTI Corporation
1670 mm x
623 mm
-2
< 1100C
10 torr
ambiente
-Una entrada de gas y otra entrada para

gas refrigerante.
-Potencia mxima: 8 kW.
-Cmara de doble tubo de cuarzo (de
dimetros 1 y 8,5).
LPCVD
Angstrom
2020 mm x
System
Engineering
863 mm
< 1100C
100 mtorr
500 torr
-Hasta 12 entradas de gas.

-Cmara de tubo de cuarzo (de dimetro
variable, entre 50 mm y 200 mm).
Tabla A.8: Caractersticas de distintos reactores de deposicin qumica de vapor, de baja

presin.
Pg. 12
Anejos
A.9. Laboratorio de Graphene Platform Corp. (Japn)
Figura A.9.1: Interior del laboratorio de Graphene Platform. Se puede apreciar el reactor de
deposicin qumica (y equipamiento asociado), as como mesas para el tratamiento del
substrato y la transferencia del grafeno. (Fuente: Y. Jaret Lee, planarTECH.)
Figura A.9.2: Equipos de caracterizacin microscpica con los que se comprueban las
propiedades del grafeno producido. (Fuente: Y. Jaret Lee, planarTECH.)
Pg. 13
Figura A.9.1: Reactor de deposicin qumica de vapor del laboratorio de Graphene Platform.
Se observa el tubo de cuarzo por el que fluyen los gases, as como el aislamiento trmico
del sistema. (Fuente: Y. Jaret Lee, planarTECH.)
Pg. 14
Anejos
A.10. Mdulos del Parc Tecnolgic del Valls
Superficie
Precio
Servicios incluidos
[m ]
Servicios y gastos adicionales
[/mes]
-Programa de Creacin y Consolidacin de
-Acceso durante todo el ao, a cualquier
15
521,85 + IVA
hora.
privado.
-Costes
generales
del
edificio
climatizacin, iluminacin, vigilancia, etc.).

-Salas de reuniones: 4 horas gratuitas al
mes. Se ofrecen aulas y salas totalmente
1274,46 + IVA
equipadas de distinto tamao.
30 personas).
de
disponibilidad
transporte.
carga
de
(para
aos
de
-Fianza: depsito de dos meses de alquiler.

elctrico:
Trmino
potencia
(1,77/kW instalado) + Trmino energa

(0,098 /kWh consumido).
-Aparcamiento: 72 /unidadmes.
2
-Pequeos almacenes (11 m ): 101,5 /mes.
-Servicio de conexin a Internet: 30/mes.

-Copistera.
-Lavabos y duchas comunitarias.

-Zona
de
-Servicio de telefona IP: 7/mes.
-Cocina y comedor compartido (capacidad:
1847,39 + IVA
Tecnolgica
-Alquiler de mobiliario.
-Servicio de vigilancia y seguridad.
85
menos
-Consumo
(recepcionista, mantenimiento, limpieza,
55
Base
de
segundo, 5% durante el tercero.
-Limpieza, mantenimiento y climatizacin

(calefaccin y refrigeracin) del espacio
819,60 + IVA
de
empresas
antigedad): bonificacin de la renta de 30%

durante el primer ao, 15% durante el
-Acondicionamiento inicial del local.
30
Empresas
descarga
con
mecanismos
de
-Hotel 4*.
-Restaurante y catering.
Tabla A.10: Informacin de los distintos mdulos que se ofrecen en el Parc Tecnolgic del
Valls, segn su superficie. Se incluye la informacin de mayor pertinencia. (Fuente:
Montserrat Pujol, Parc Tecnolgic del Valls.)
Pg. 15
B. Comparativa de procesos
B.1. Ponderacin de los criterios de comparacin
Criterio
Valor
Dimensin
Justificacin
Es un criterio importante en el sentido que algunas aplicaciones requieren
muestras de grafeno de ciertas dimensiones, y no pueden utilizar hojuelas de
pequeas dimensiones.
Tamao de
grano
Es una medida de la cristalinidad del producto, lo que tiene implicaciones en las

distintas aplicaciones en las que puede utilizarse.
Producto
final
Nmero de
capas
Movilidad
electrnica
Da cuenta de la homogeneidad del grafeno obtenido. Es un criterio muy

importante ya que si se pretende comercializar un producto, sus caractersticas
deben ser replicables.
Muchas de las posibles aplicaciones del grafeno se basan en su gran
conductividad elctrica. No obstante, algunas de ellas (por ejemplo, su uso como

refuerzo mecnico) no dependen de esta caracterstica.
Si bien cada precursor tiene caractersticas diferentes, se ha querido priorizar el
Precursor
valor del producto final. El impacto del precursor sobre los costes puede cubrirse,
al menos parcialmente, con los mrgenes de beneficio que se consideren.
Un proceso que requiera de temperaturas elevadas conlleva una serie de
Temperatura
Proceso
de proceso
restricciones sobre el diseo de la planta. Sin embargo, en vista del rango de

temperaturas que se comparan, no se ha considerado que este criterio sea de
importancia capital.
Escalabilidad
Transferencia
Aplicaciones
Es uno de los criterios ms importantes, ya que algunos de los procesos no

pueden llevarse a volmenes de produccin elevados.
Si bien una etapa de transferencia puede tener implicaciones en la calidad final
del grafeno, casi todos los procesos que se comparan requieren de ella.
Este criterio evala el tipo de aplicaciones a las que cada alternativa puede
acceder. Se ha considerado un factor muy relevante por el impacto que podra
tener el grafeno, en un futuro, sobre distintos campos tecnolgicos.
Informacin
de mercado
Mercado
abarcable
La distribucin actual de la demanda de grafeno aporta informacin importante el

estado vigente de la industria.
Tabla B.1: Ponderacin de los criterios de comparacin del anlisis multicriterio. Se ha dado
prioridad a la calidad del grafeno producido, a la escalabilidad de la alternativa, y a la
informacin de mercado. Tambin se incluye una justificacin del valor del coeficiente
elegido en cada caso.
Pg. 16
Anejos
B.2. Puntuaciones individuales del anlisis

Producto final
Tamao de
Nmero de
Movilidad
grano
capas
electrnica
Dimensin
Exfoliacin
mecnica
Exfoliacin
qumica
Proceso
Precursor
Temperatura
Informacin de mercado
Mercado
Escalabilidad
Transferencia
Aplicaciones
de proceso
abarcable
Reduccin de
xido de
grafeno
Deposicin
qumica de
vapor
Crecimiento
epitaxial
sobre SiC
Tabla B.2: Puntuaciones individuales, entre 1 y 4, de los distintos criterios de comparacin para cada proceso de produccin. Se listan las
puntuaciones antes de aplicar los coeficientes de ponderacin.
Pg. 17
C. Anlisis tcnico
C.1. Compatibilidad del equipo respecto el flujo de gas
Se ha comprobado que la maquinaria elegida sea compatible con el flujo de gas requerido
en el proceso. En este sentido, el lmite viene impuesto por el dispositivo de adecuacin de
gases, que acepta un caudal de entrada mximo de 350 l/min. A partir de este valor y la
hiptesis de que los gases involucrados se comportan como gases ideales (esto servir
como una primera aproximacin), se calcula lo siguiente:
Recocido: Para esta etapa se utiliza un flujo de hidrgeno (810-3 l/min, en

condiciones estndar), trabajando bajo unas condiciones de 0,12 mbar y 1000C.
Atendiendo al comportamiento del gas ideal, se plantea la siguiente ecuacin:
1 1
1
2 2
2
Ecuacin C.1
Siendo P la presin, Q el caudal y T la temperatura, a la vez que se establece el

estado 1 como las condiciones estndar y el estado 2 como las condiciones de
trabajo, se calcula que:
2 =
1 1 2
1 2
1 8 103 / 1273,15
273,15 0,12 103
= 310,73 /
Se observa que para el recocido, el flujo de gas es menor a 350 l/min, por lo que
respecto esta fase la maquinaria elegida es compatible. Se aade, adems, que la
etapa de enfriamiento trabaja bajo las mismas condiciones que la de recocido, por lo
que no se analizar como un caso aparte.
Deposicin: En esta fase se hace fluir una mezcla gaseosa de hidrgeno (810-3
l/min, en condiciones estndar) y metano (2,410-2 l/min, en condiciones estndar)
bajo unas condiciones de trabajo de 2,133 mbar y 1000C. Los caudales de gas y la
densidad en condiciones estndar permiten obtener el flujo molar de ambos gases,
como se resume en la siguiente tabla:
Pg. 18
Anejos
Caudal [l/min]
Flujo molar [mol/min]
0,717
1,07310
0,0899
3,56710
-3
Metano (CH4)
810
-2
Hidrgeno (H2)
Densidad [kg/m ]
2,410
-3
-4
Tabla C.1: Valores en condiciones estndar del metano e hidrgeno utilizados en el

proceso que se propone.
A partir del flujo molar de cada gas y de la presin total de trabajo, se pueden
calcular las presiones parciales segn la ley de las presiones parciales, o ley de
Dalton (ecuacin C.2):
! = !"!#$ !
Ecuacin C.2
Siendo Pi la presin parcial del gas i y Xi su fraccin molar, se obtienen las presiones
parciales del metano y del hidrgeno en las condiciones de trabajo (donde Ptotal =
2,133 mbar):
Metano (CH4)
Hidrgeno (H2)
Fraccin molar
Presin parcial [mbar]
0,7505
1,6007
1-0,7505 = 0,2495
0,5323
Tabla C.2: Fraccin molar y presin parcial del metano e hidrgeno, en condiciones
de 1000C y una presin total de 2,133 mbar.
Finalmente, utilizando la ecuacin C.1, se obtiene el caudal de cada uno de los

gases. Se comprueba en la tabla C.3 que la suma de los dos (el caudal total) es
inferior al lmite de 350 l/min, por lo que la maquinaria sera compatible con el
proceso.
Caudal [l/min]
Metano (CH4)
69,884
Hidrgeno (H2)
70,0506
Caudal total [l/min]
139,935
Tabla C.3: Caudales parciales y caudal total de los gases durante la etapa de
deposicin qumica de vapor.
Pg. 19
C.2. Necesidades del proceso de produccin

A continuacin se han estimado las necesidades de la planta piloto, de acuerdo con las
variables del proceso de produccin, la informacin relativa a la maquinaria elegida, y la
capacidad estimada en el apartado 4.3.2, de 375 m2/ao de grafeno. Si bien las
estimaciones se han hecho en base a las consideraciones que se sealan, en la prctica se
prev aplicar a las necesidades un cierto margen de seguridad, para evitar, por ejemplo,
posibles paradas en la produccin.
Concepto
Necesidades
Consideraciones
-Maquinaria: Reactor (9,1 kW, suponiendo un factor de
potencia de 0,8), abatidor de gases (1,7 kW),
laminadora (1,5 kW).
-Iluminacin: Se ha estimado en 350 W, segn las
dimensiones del local.
Electricidad
15 kW
-Otros (compresor de aire, extractor, ordenador, tomas

de corriente).
-Coeficiente de simultaneidad: Si bien se trata de un
proceso no continuo, se ha considerado que las
distintas etapas podran llevarse a cabo en paralelo.
Por este motivo se ha supuesto un coeficiente de
simultaneidad unitario.
2
-Consumo del reactor: 2-3 kgf/cm , tubo de ; a partir

de la ecuacin de Bernoulli se ha calculado en 105
l/min.
-Consumo del abatidor de gases: 13 l/min.
3
Agua
1600 m /ao
-Limpieza de utensilios.
-Se ha estimado la utilizacin del equipo a partir de la
capacidad de produccin atribuida a la planta piloto,
as como la duracin de las etapas.
En condiciones estndar:
-Nitrgeno: Utilizado como gas de purga y durante la

limpieza del substrato de cobre.
-Nitrgeno: 30 m /ao
-Hidrgeno: Utilizado en las etapas de recocido y
Gases
-Hidrgeno: 0,62 m /ao

3
Metano: 1 m /ao
3
-Oxgeno: 2 m /ao
deposicin qumica de vapor.

-Metano: Precursor de grafeno utilizado en la
deposicin, as como combustible para la llama del
abatidor de gas (que tambin requiere oxgeno).
Pg. 20
Anejos
-Para la estimacin del consumo de sustancias

lquidas, se ha supuesto el uso de cubetas de la marca
Kartell, en particular el modelo de cubeta anticido de
-cido actico: 11,2 m /ao
cdigo 266, fabricadas en PVC y con las siguientes

dimensiones interiores: 530 mm x 675 mm x 100 mm.
-Agua desionizada: 22,4 m /ao

Lquidos
Se observa que da cabida a la totalidad del substrato

de cobre. Respecto el volumen hasta el que se
-Acetona: 11,2 m /ao
llenarn las cubetas, se ha estimado hasta un cuarto

de su altura.
-Alcohol isoproplico: 11,2 m /ao
-En el caso del cloruro frrico, se ha estimado su
-Cloruro frrico: 0,1 m /ao
consumo a partir de la reaccin estequiomtrica con el

cobre, suponiendo la disolucin de dos tercios del total
de ste.
-Se ha supuesto que el producto final se dividir en las
mismas
-Substratos:
cobre
(375
entre
los
tres
tipos
de
substratos. De este modo, nicamente se requerir
polietileno (125 m /ao), SiO2/Si (125
adhesivo trmico para las cantidades de grafeno que
m /ao).
Otros
proporciones
m /ao),
deben pasar por la fase de transferencia (es decir, dos

tercios de la capacidad total supuesta).
2
-Adhesivo trmico: 250 m /ao

-Respecto el embalaje del producto final, se ha
-Material de embalaje: espuma de
polietileno
(750
m /ao),
plstico (segn demanda).
cajas
de
supuesto un recubrimiento doble con espuma de

polietileno, a modo de proteccin, dentro de las cajas
de plstico.
Tabla C.4: Necesidades anuales del proceso de produccin. Se detallan por categoras,
atendiendo a las distintas consideraciones implicadas en su estimacin.
Pg. 21
D. Anlisis econmico
D.1. Presupuesto del reactor de deposicin qumica de vapor
Figura D.1: Presupuesto enviado por la empresa planarTECH para el reactor de deposicin
qumica de vapor elegido. (Fuente: Y. Jaret Lee, planarTECH.)
Pg. 22
Anejos
D.2. Presupuesto de equipamiento adicional
Figura D.2: Presupuesto enviado por la empresa CVD Equipment Corporation para sus
equipos de suministro y adecuacin de gases. Finalmente no se han contemplado en la
propuesta presentada. (Fuente: Scott Goldfarb, CVD Equipment Corporation.)
Pg. 23
E. Anlisis medioambiental
E.1. Estimacin de las emisiones generadas
Las emisiones generadas por la produccin de grafeno se han estimado a partir de las
necesidades de la planta piloto, establecidas en el anejo C.2.
A continuacin se calculan las cantidades de productos derivados de la combustin total del
metano:
! + 2! ! + 2!
Ecuacin E.1
Dixido de carbono:
! !
1 !
!
0,717 ! = 273,15 ; = 1
1
16,043 !
!
!
( )
44,01
= ,

!
Vapor de agua:
! !
1 !
!
0,717 ! = 273,15 ; = 1
2
16,043 !
!
!
( )
18,016
= ,
!
Las dems emisiones atmosfricas se han calculado partiendo de su consumo durante el

proceso y de las densidades en condiciones estndar:
Hidrgeno:
0,62
! !
( )
0,0899 ! = 273,15 ; = 1 = ,
Pg. 24
Anejos
Nitrgeno:
30
! !
( )
1,2506 ! = 273,15 ; = 1 = ,
El proceso propuesto tambin genera sustancias susceptibles de ser emitidas al agua, las
cuales se han cuantificado en masa multiplicando, en cada caso, las necesidades anuales
por la densidad:
Sustancia
Necesidades [m /ao]
Densidad [kg/m ]
Emisiones [kg/ao]
cido actico
11,2
1049
11.748,8
Agua desionizada
22,4
1000
22.400
Acetona
11,2
790
8.848
Alcohol isoproplico
11,2
786,3
8.806,56
Hierro y compuestos
asociados
0,1 (FeCl3)
2900 (FeCl3)
Cobre y compuestos
375 m /ao 25 m = 9,37510
asociados
-3
m /ao (lminas de Cu slido)
8960 (Cu)
223,4
168,48
Tabla E.1: Estimacin total de las sustancias susceptibles de ser emitidas al agua.
En la estimacin de metales y sus compuestos (en particular, hierro y cobre), se han tomado
en cuenta las siguientes consideraciones:
Cobre y sus compuestos: Durante la etapa de limpieza parte del cobre se pierde en
forma de xido de cobre reducido. Ms adelante, en la etapa de deposicin, parte
del cobre sublima, y luego es recogido por el depurador hmedo del abatidor de
gases. En ltimo lugar, en la etapa de transferencia se disuelven dos tercios del
consumo de cobre. No obstante, nicamente se ha calculado este ltimo caso, que
se considera el ms crtico:
Pg. 25
6,25 10!!
!

1 1 !
!
8960
134,45
!
63,546
1
!
( )
= ,
A las emisiones de cobre totales se aadirn 50 kg/ao a modo de contemplar las

prdidas durante la limpieza del substrato y aquellas por sublimacin en el reactor.
Hierro y sus compuestos: Durante la etapa de transferencia, parte del cloruro frrico
se transforma en cloruro de hierro (II), como muestra la ecuacin E.2:
2! + 2! + !
Ecuacin E.2
En concordancia con suposiciones anteriores, se ha contemplado la disolucin en

cloruro frrico de dos tercios de las necesidades de cobre:
6,25 10!!
285,88
!

1 2 !
8960
63,546
1
!
(! )
162,2
= 285,88

!
!
1 ! 2 !
!
126,75
162,2 !
2 !
!
( )
= ,
No se han considerado numricamente los posibles residuos de cloruro frrico, si

bien se podran encontrar trazas de l.
Pg. 26
Anejos
E.2. Anejo III de la Ley 16/2002

Lista de las principales sustancias contaminantes que se tomarn obligatoriamente en
consideracin si son pertinentes para fijar valores lmite de emisiones:
Atmsfera:
1. xido de azufre y otros compuestos de azufre.
2. xido de nitrgeno y otros compuestos de nitrgeno.
3. Monxido de carbono.
4. Compuestos orgnicos voltiles.
5. Metales y sus compuestos.
6. Polvos.
7. Amianto (partculas en suspensin, fibras).
8. Cloro y sus compuestos.
9. Flor y sus compuestos.
10. Arsnico y sus compuestos.
11. Cianuros.
12. Sustancias y preparados respecto de los cuales se haya demostrado que poseen
propiedades cancergenas, mutgenas o puedan afectar a la reproduccin a travs del aire.
13. Policlorodibenzodioxina y policlorodibenzofuranos.
Agua:
1. Compuestos organohalogenados y sustancias que puedan dar origen a compuestos de
esta clase en el medio acutico.
2. Compuestos organofosforados.
3. Compuestos organoestnnicos.
4. Sustancias y preparados cuyas propiedades cancergenas, mutgenas o que puedan
afectar a la reproduccin en el medio acutico o va el medio acutico estn demostradas.
Pg. 27
5. Hidrocarburos persistentes y sustancias orgnicas txicas persistentes y bioacumulables.

6. Cianuros.
7. Metales y sus compuestos.
8. Arsnico y sus compuestos.
9. Biocidas y productos fitosanitarios.
10. Materias en suspensin.
11. Sustancias que contribuyen a la eutrofizacin (en particular nitratos y fosfatos).
12. Sustancias que ejercen una influencia desfavorable sobre el balance de oxgeno (y
computables mediante parmetros tales como DBO, DQO).

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Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

B. COMPARATIVA DE PROCESOS ______________________________ 15

C. ANLISIS TCNICO ________________________________________ 17

E. ANLISIS MEDIOAMBIENTAL _______________________________ 23

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

Ar/H2 (prevaco, 400

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

A.2. Precios de venta de grafeno (Avanzare)

A.3. Precios de venta de grafeno (Graphenea)

Oblea de dimetro 4 pulgadas

A eleccin del cliente

A eleccin del cliente

A eleccin del cliente

Oblea de dimetro 4 pulgadas

Obleas de dimetro 12 mm (4 unidades)

Oblea de dimetro 4 pulgadas

Oblea de dimetro 4 pulgadas

Oblea de dimetro 4 pulgadas

Suspendido sobre pelcula

Pelcula de dimetro 3mm (4

Suspensin en agua (250 ml, 4 mg/ml)

Suspensin en agua (1000 ml, 4 mg/ml)

xido de grafeno reducido

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

A.4. Evolucin del coste de produccin de grafeno por CVD

A.5. Diagrama de fase Cu - C

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

A.6. Influencia de la limpieza del substrato de cobre en CVD

A.7. Comportamiento del adhesivo trmico

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

A.8. Sistemas de deposicin qumica de vapor

-Potencia mxima: 12,5 kW.

-Cmara tubular de cuarzo (de dimetro

-Potencia mxima: 75 kW.

-Potencia mxima: 6,6 kW.

-Una entrada de gas y otra entrada para

-Hasta 12 entradas de gas.

Tabla A.8: Caractersticas de distintos reactores de deposicin qumica de vapor, de baja

A.9. Laboratorio de Graphene Platform Corp. (Japn)

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

A.10. Mdulos del Parc Tecnolgic del Valls

Servicios y gastos adicionales

climatizacin, iluminacin, vigilancia, etc.).

equipadas de distinto tamao.

-Fianza: depsito de dos meses de alquiler.

(1,77/kW instalado) + Trmino energa

-Pequeos almacenes (11 m ): 101,5 /mes.

-Servicio de conexin a Internet: 30/mes.

-Lavabos y duchas comunitarias.

-Servicio de telefona IP: 7/mes.

-Cocina y comedor compartido (capacidad:

-Servicio de vigilancia y seguridad.

(recepcionista, mantenimiento, limpieza,

segundo, 5% durante el tercero.

-Limpieza, mantenimiento y climatizacin

antigedad): bonificacin de la renta de 30%

-Acondicionamiento inicial del local.

Estudio de viabilidad de una planta de produccin de grafeno

Es una medida de la cristalinidad del producto, lo que tiene implicaciones en las

Da cuenta de la homogeneidad del grafeno obtenido. Es un criterio muy

conductividad elctrica. No obstante, algunas de ellas (por ejemplo, su uso como

restricciones sobre el diseo de la planta. Sin embargo, en vista del rango de

Es uno de los criterios ms importantes, ya que algunos de los procesos no

La distribucin actual de la demanda de grafeno aporta informacin importante el