Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
TRANSCONDUCTOR DE NAUTA
2.1.1. Fundamentos
Para la realizacin de filtros continuos de alta frecuencia MOS, se han
realizado muchas implementaciones usando integradores basados en
transconductores y capacidades para poder realizar integradores a alta
frecuencia. Y sin embargo se consiguen frecuencias de corte del orden de
del Megahercio. La propuesta que se describe a continuacin se basa en
un integrador implementado con
transconductor cargado con una
capacidad.
Uno de los principales problemas en filtros activos de alta frecuencia es el
error de fase en los integradores. Los factores de calidad Q de los polos y
ceros en el filtro son muy sensibles a la fase de los integradores en las
frecuencias de los polos y ceros. Para evitar eso se precisara una
ganancia DC lo suficientemente grande, mientras que las frecuencias de
los polos y ceros parsitos est por encima de de la frecuencia de corte de
los filtros para mantener las fase en -90. Esto implica una gran ganancia
DC y que los polos parsitos estn del orden de 100 veces por encima de
lo frecuencia de corte.
Se proponen dos tcnicas para conseguir esta combinacin de alta
ganancia DC y gran ancho de banda:
a. Si el elemento de transconductancia no tiene nodos internos, no
tendr polos ni ceros parsitos influenciando la funcin de transferencia.
b. Se puede incrementar la ganancia DC cargando al
transconductor con una resistencia negativa que compense la
resistencia de salida. Esto adems puede no necesitar un nodo
interno.
Una combinacin de estas dos tcnicas para implementar el
transconductor darn tericamente una ganancia DC y un ancho de banda
infinitos.
2.1.2.
Conversin V-I
I dn =
I dp =
n
2
p
2
(V
(V
Vtn )
gsn
V pn )
gsp
con n =
con p =
nCoxWn
Ln
p CoxW p
Lp
con
a=
1
( n p )
2
c=
1
p Vtn 2 (Vdd + Vtp )2
2
Vc =
n
1+
p
+ Vtn
1
1
2
1
1
2
2
1
1
2
2
O tambin:
Nodo de Salida
Resistencia de modo
comn
Resistencia
Diferencial
Vo1
1 ( gm5 + gm6 )
1 ( gm5 gm6 )
Vo 2
1 ( gm3 + gm4 )
1 ( gm4 gm3 )