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INTRODUCCION
A diario y en la mayora de los dispositivos y sistemas
electrnicos se hace necesario amplificar diferentes seales.
Esta amplificacin se puede llevar a cabo por medio de
dispositivos como transistores que trabajando bajo ciertas
condiciones entregan a su salida una seal de mayor
intensidad.
En el actual laboratorio se utiliza un circuito integrado por
dos diferentes transistores: FET y BJT, unipolar y bipolar
respectivamente.
I D =I DSS (1
V GS 2
)
V GS (off )
V DS =V DDI D (R D + R S )
V DS =8,388 V
Con los valores de
Av =gm ( Zout )
Av =0,657
Vout =AvVin
Vout=32,85 mV
Segunda Etapa: Amplificacin con BJT
Ahora en la segunda etapa, se considera a partir del divisor
de tensin donde R3 ser R1 y R4 ser R2. El voltaje de
entrada a la base de mi BJT, ser el voltaje de salida del
Drain del JFET. Se realizar un anlisis en DC y AC.
Anlisis en DC (continua):
I sat =
V cc
20 V
=
=6,25mA
Rc + 2,2 k+1 k
Vb=
Grfico 1. Identificacin de la zona de operacin del
transistor JFET.
A travs del grfico 1 y la imagen 3, se pudo identificar que
la recta de carga esttica describe que el transistor est
presente en la zona activa.
Teniendo las siguientes ecuaciones caractersticas del
anlisis del JFET:
2(I DSS )
gmo=
V GS (off )
gmo=1,667 mS
V b - V BE IcRe=0
Ie Ic=
V R 2V BE
=4,07 mA
V CE =6,976 V
la Tabla 1.
Teniendo Vb:
V CE =V CC I C (RC + R E )
V
gm=g mo (1 GS )
V GS (off )
puedo determinar el valor del
V CCR2
=4,77 V
R1 + R2
gm=0,95 mS
Estudio en AC (alterna):
Vm
25 mV
r e=
=
=6,63
I D Is 3,77 mA
'
Z out =Rc R L
Z out =2,2 k
Av =
Zout
r e
Av =358,3
Vout =AvVin
Vout=(358,3)(32,85 mV )
Vout =11,77 V
Teniendo en cuenta la teora planteada anteriormente sobre
las regiones (corte, saturacin y activa) del BJT, se puede
hallar y determinar en qu zona se encuentra operando el
transistor. Dado que tenemos los valores de Isaturacin, Ic,
Vce, Vcc.
Donde mi punto Q (Vce, Ic)
Punto Q: (6,976V , 4,07mA)
V CE(sat)=2,18V
Y as ubicando las coordenadas se obtiene la grfica 3.
Figu
ra 3. Seal de entrada y acople de 25 mV
En la figura 4 se muestra la seal de entrada del circuito
25mVp, y la ganancia obtenida de 32mVp, este valor de
ganancia es el producido por el FET 2N5457.
Fi
gura 4. Seal de entrada y ganancia de la primera etapa de
amplificacin
En la figura 5 se muestra la seal de entrada de la segunda
etapa, producida por el Drain del FET 2N5457 con un valor
de 32mVp. Adems se muestra la seal de ganancia
producida por el circuito luego de las dos etapas con un
valor de 5,6Vp.
REFERENCIAS
[1] Jose Andrs Mergarejo. EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT).
Publicado: sbado, 30 de junio de 2012.
Disponible el da 11 de Mayo de 2014. Enlace:
http://electronicapractica2012.blogspot.com/2012/06/el-transistorbipolar-bjt.html
ANEXO: