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Practica 4: Fuentes de Corriente Mosfet y

Amplificadores Diferenciales
Andres Pinilla, afpinillat@unal.edu.co, cod.262148
Laura Moreno, laamorenoro@unal.edu.co, cod. 262069

I.

I NTRODUCCI ON

Dado que en la naturaleza generalmente las senales

electricas que deben ser adquiridas o procesadas son de
muy baja intensidad, es de estricta necesidad realizar una
amplificacion para e ste tipo de ondas. Por tal motivo es
fundamental el estudio y uso de amplificadores en el trabajo
electronico.
Dado que el trabajo en entornos modernos, donde abundan
las fuentes de ruido electromagnetico, hacen que, ademas de
las senales que deseamos captar, se adquieran multiples ondas
de ruido que generalmente son mucho mayores que la misma
senal a estudiar. Por tal motivo es indispensable, ademas
de realizar una amplificacion de la senal deseada, rechazar
de algun modo todas las senales de ruido electromagnetico
presentes en el ambiente con el fin de que no se amplifiquen
de la misma forma.

Lo primero que se hizo para esta parte del laboratorio

fue tener presente el valor de la corriente de salida
esperada. Luego que se tuvo esta corriente, se busco
el voltaje VGS para encontrar a su vez la corriente de
referencia. En este montaje no es adecuado considerar
que la corriente de referencia y de salida son las
mismas aunque tengan el mismo voltaje VGS ya que,
sus constantes K 0 p(W/L) son diferentes.
Teniendo el voltaje de compuerta del transistor Q1 se
puede conocer la resistencia de drenaje. Para hallar la
resistencia de carga maxima, se realiza un barrido de
parametro que evalua el cambio del voltaje VDS hasta
que entre en la zona de triodo.
Los parametros de diseno son:
Io = 5,5mA

El presente laboratorio pretende abordar los principios

teoricos de funcionamiento de los amplificadores diferenciales
con tecnologa BJT y algunas de sus principales topologas.
Para esto se plantea la realizacion de un amplificador
diferencial polarizado con una fuente de corriente Wilson y
con carga resistiva. Se realizaran variaciones en los circuitos
que permitiran conocer sus diferentes variaciones y su
respuesta en frecuencia. Igualmente se medira la respuesta
del amplificador a las senales de modo comun y de modo
diferencial.
Por otra parte, se realiza el diseno y analisis de una fuente
de corriente con tecnologa MOSFET para comparar sus
caractersticas principales con las fuentes de corriente BJT
trabajadas en la practica anterior.
II.

M ONTAJE Y P ROCEDIMIENTO

A continuacion se presenta el procedimiento que se puso

en practica para hallar los parametros experimentales de
cada uno de los montajes que se estipularon en la gua de
laboratorio. Los resultados presentados seran comparados
y analizados con los resultados teoricos y las simulaciones
realizadas en la seccion de analisis de resultados.
1. Espejo de Corriente Simple con MOSFET P:
Facultad de Ingeniera, Universidad Nacional
Ing. Juan Felipe Gutierrez.laboratorio de Electronica Analoga II

IREF = 5,2mA
RQ1 = 1,34k
RLM ax = 1,4k
En la sesion de laboratorio, se debe comprobar el valor
de la corriente con el valor de las resistencias halladas
en la teora. Ademas se debe variar la resistencia de
carga desde 100 hasta el maximo permitido.
2. Amplificador Diferencial BJT con carga resistiva:
En esta seccion se inicio por disenar la fuente de
corriente de 5mA necesaria para el amplificador
diferencial de la Figura 2. Al desconocer la resistencia
de salida del amplificador, se decidio utilizar el espejo
de corriente Wilson por ser la configuracion mas estable
independientemente de su carga.
Una vez realizado lo anterior, se procedio a disenar el
amplificador diferencial iniciando por su analisis DC
para encontrar los valores de las resistencias RC1 y RC2 .
Luego se realizo su analisis AC calculando teoricamente
la ganancia diferencial y de modo comun, para esto se
utilizaron las expresiones a continuacion:
Ad =

gm(r0 ||RC1 ||RL )

2

Los resultados obtenidos y su analisis se encuentran en

las secciones a continuacion.
III.

R ESULTADOS

A continuacion se presentan los datos obtenidos

mediante la simulacion de los circuitos disenados y las
mediciones realizadas en el laboratorio para cada una de las
configuraciones realizadas.
Igualmente, se presenta el calculo del error porcentual para
cada uno de los parametros principales de las configuraciones.
El error porcentual es calculado mediante la siguiente formula:
E% =
Figura 1: Simulacion espejo de corriente basico.

C T Me
100
Me

En donde CT corresponde al calculo teorico y Me a la

medicion experimental
1. Espejo de Corriente Simple con MOSFET P:
En la practica se obtuvieron los resultados que se
resumen en la tabla I. Sus errores porcentuales fueron
calculos con respecto a la simulacion. El analisis de
los mismos se llevara a cabo en la seccion Analisis de
Resultados.

RL
[]

VRL
[V]

Io
[mA]
Exp.

Io
[mA]
Sim.

Error

99

0.59

5.9

6.07

2,8 %

297

1.73

5.8

5.95

2,5 %

464

2.66

5.7

5.86

2,7 %

671

3.75

5.58

5.74

2,8 %

1k

5.28

5.34

5.57

4,1 %

1.19k

6.24

5.24

5.4

2,9 %

1.38k

6.97

5.0

5.3

5,6 %

2.2k

9.35

4.25

4.4

3,4 %

Figura 2: Amplificador diferencial BJT

ACM =

(r0 2Rss )RC2

r (RC2 + 2Rss + r0 ) + 2Rss (RC2 + ( + 1)r0 )

En seguida se procedio a realizar el montaje fsico

del circuito para encontrar experimentalmente su
ganancia diferencial y en modo comun. Lo anterior
se realizo conectando inicialmente la fuente AC a la
base del transistor Q1 como se muestra en la figura, se
registraron los datos y luego se conecto la fuente a la
base del transistor Q2. Finalmente la fuente se conecto
simultaneamente a los dos transistores para encontrar
la ganancia de modo comun.

Cuadro I: Mediciones fuente de corriente MOSFET

2. Amplificador Diferencial BJT con carga resistiva:

La fuente se utilizo a una frecuencia de 1kHz y la

amplitud seleccionada fue aquel valor maximo al cual
la senal de salida no se distorsionaba.

Utilizando el
la resistencia
funcionamiento
de 2,2K para

integrado 3086, se encontro que

mas adecuada para el correcto
de la fuente Wilson disenada es
una corriente de 4.8mA.

Para ambos casos, los parametros de diseno utilizados

fueron:
= 140

As mismo, para el diseno del amplificador diferencial

utilizando los transistores BJT de este mismo integrado,
se encontro:

VA = 100V

RC1 = RC2 = 2,2K

El diseno completo del amplificador se presenta en la

Figura 3.
En la tabla II se presentan los datos obtenidos al
verificar la polarizacion del amplificador diferencial
antes de iniciar su analisis en frecuencia. El error
presentado es el calculado entre el valor teorico y el
experimental.

Figura 4: Ganancia diferencial Q1

Figura 5: Ganancia diferencial Q2

Figura 3: Amplificador diferencial BJT

Parametro

Teorico

Simulado

Experimental

Error

VBEQ1

0.7V

0.93V

0.71V

1.4 %

VBEQ2

0.7V

0.93V

0.72V

2.8 %

IRC1

2.65mA

2.39mA

1.82mA

45 %

IRC2

2.65mA

2.75mA

2.4mA

10 %

Cuadro II: Mediciones polarizacion amplificador diferencial

En las imagenes 4, 5 y 6 se presentan los resultados
obtenidos al buscar la ganancia diferencial del
amplificador y en modo comun respectivamente.
Adicionalmente se presentan los datos numericos
arrojados por el osciloscopio para realizar un calculo
mas exacto de las ganancias. Los valores corresponden
a la tension pico a pico en cada caso.

Figura 6: Ganancia modo comun

V o = 5,44V
Vin
= 7,5V /V
Vo
Ganancia diferencial en Q2:
Ad1 =

Ganancia diferencial en Q1:

V f = 2,72V
V f = 2,6V

V in = 560mV

V in = 720mV

V o = 4,48V

Ad2 =

Vin
= 8V /V
Vo

Ganancia modo comun:

V f = 2,76V
V in = 440mV
V o = 200mV
Vin
ACM =
= 0,45V /V
Vo
Con los datos anteriores se calculo el valor de la relacion
de rechazo en modo comun CMRR:
CM RR = 20 log

salida va perdiendo su linealidad debido al acercamiento

y luego al cambio de zona de operacion. La segunda
figura brinda un analisis que muestra que en cuanto se
comienza a subir el valor de la resistencia de carga,
el voltaje debe comenzar a disminuir para seguir
entregando la misma corriente de salida. Este voltaje
disminuira hasta estar por debajo de VGS Vt y en ese
momento, pasara de la zona de saturacion a la zona de
triodo.

Ad
= 24,99dB
ACM

En la tabla III se presenta la comparacion entre los

valores de ganancia obtenidos teoricamente, mediante
simulacion y experimentalmente. El error presentado es
el encontrado entre el valor teorico y el experimental.
Parametro

Teorico

Simulado

Experimental

Error

Figura 7: Simulacion espejo de corriente basico.

Ad

88V/V

68.25V/V

8V/V

1000 %

ACM

0.404mV/V

0.009V/V

0.45V/V

99 %

CM RR

106.7dB

77.59dB

24.99dB

341 %

Cuadro III: Ganancias amplificador diferencial

IV.

A N ALISIS
DE RESULTADOS

1. Espejo de Corriente Simple con MOSFET P:

Teniendo en cuenta que el circuito esta disenado de tal
forma que el voltaje de compuerta sea el mismo de
drenaje y a su vez permita que el transistor Q1 siempre
cumpla la condicion de saturacion VDS VGS Vt ,
se esperaba que se mantuviera una corriente de salida
constante.
Como se observa en la tabla I, los errores que se
presentaron fueron pequenos y esto lleva a considerar
que la fuente de corriente MOS tipo P se realizo
correctamente. Las diferencias que se producen entre
las corrientes se explican bajo los cambios minusculos
de los voltajes de drenaje del transistor Q2, ya que al
haber un cambio de mas de 100mV , la corriente puede
llegar a disminuir o aumentar en ese mismo rango y
esto llevara a errores hasta del 6 % como es el caso de
la resistencia de 1,4K.
Se presentan a su vez, las relaciones entre la corriente
de salida y la resistencia de carga (Figura 7) y el voltaje
fuente-drenaje y la resistencia de carga (Figura 8).
En la primera figura se observa que conforme la
resistencia de carga va aumentando, la corriente de

Figura 8: Simulacion espejo de corriente basico.

El valor de la resistencia maxima de carga no fue
posible colocarlo pero para suplir esta condicion se
realizo la prueba con una resistencia menor y luego
una mayor al valor esperado. Cabe destacar que aunque
la exactitud de la resistencia no pudo ser probada, se
vio que luego de 1.4k los valores tienden a disminuir
considerablemente.
2. Amplificador Diferencial BJT con carga resistiva:
Al verificar la polarizacion del transistor se comprobo
que la mayora de los valores corresponden a los
esperados segun los calculos teoricos. El valor de la
corriente a traves de las resistencias de colector son
los valores que mayor discrepancia presentaron, pero
sin embargo se mantiene que la suma de estas dos
corrientes cumplen con los 4.8mA entregados por la
fuente de corriente Wilson. Lo anterior nos indica que
el amplificador diferencial se encontraba correctamente
polarizado, pero alguno de los parametros de los

transistores utilizados era diferente a los asumidos en

la teora.
Del analisis AC se observa que las ganancias obtenidas
en la teora y mediante simulacion no presentan un
error tan grande como el encontrado al compararlas
con las mediciones experimentales. Lo anterior es
debido a que en la simulacion, como en la teora, todos
los parametros del transistor son ideales, as como el
comportamiento del amplificador diferencial. Es decir,
en estos dos casos el valor maximo de la fuente de
entrada es superior, la ganancia diferencial se hace muy
grande y su ganancia en modo comun es practicamente
cero, lo que hace que el amplificador tenga una relacion
de rechazo muy alta.
Experimentalmente los valores de las ganancias
encontrados fueron significativamente menores, pero se
logra mantener la relacion de una ganancia en modo
comun mucho menor a la diferencial, por lo que la
relacion de rechazo del amplificador continua siendo
alta.
Adicionalmente, en las imagenes presentadas se observa
que las senales de entrada y salida se encuentran en
fase solamente al entrar por la base del transistor Q1,
en los otros dos casos (Q2 y modo comun) se presenta
un inversion de fase como se haba observado en las
simulaciones realizadas.
V.

C ONCLUSIONES

Los valores de los parametros tienen suma importancia

en el diseno de las fuentes de corriente tanto tipo N
como tipo P, ya que al trabajar con valores diferentes, la
teora y la realidad nunca se pareceran.
La fuente de corriente MOS tipo P tiene un rango de
operacion que depende enteramente de la resistencia de
drenaje del primer transistor, ya que el valor maximo de
carga siempre se encontrara cerca de esta. En el caso
puntual, la resistencia maxima era 20 % mas grande que
la resistencia presente en el drenaje de Q1.
Una excelente forma de eliminar el ruido de una senal
es mediante el uso de un amplificador diferencial, ya
que el ruido es una senal comun a las dos entradas
del amplificador y una caracterstica importante de los
amplificadores diferenciales consiste en atenuar bastante
la senal de modo comun y amplificar la senal diferencial
entre las entradas.
La polarizacion con la fuente de corriente Wilson tiene una ventaja fundamental, en cuanto a la resistencia
dinamica de la fuente que permite modelarla de manera aproximada como una fuente ideal de corriente ya
que esta resistencia dinamica es muy grande. Pero una
desventaja importante es que al no disenar la fuente de

corriente para una carga particular puede que no funcione

exactamente como se espera.
VI.

R EFERENCIAS

[1] A. Sedra, K. Smmith Circuitos Microelectronicos,

2010. A