UN

NIVERSID
DADE FEDERAL DO CEAR
CENTR
RO DE TE
ECNOLOGIA
DEPAR
RTAMENT
TO DE ENG
GENHARIA
A ELTRIC
CA

TUTORIIAL - PSIM
M SOFTWA
ARE

Auto
ores:

D
Daniel
da Silva Gomes
s
D
Davi
Rabelo
o Joca, M.S
Sc.

Verso 1.0
O
e 2015
Outubro de

SUMRIO

1. INTRODUO ........................................................................................................ 3
1.1. Objetivos ........................................................................................................... 3
1.2. Ambiente de Trabalho e Barra de Menu ........................................................... 3
1.3. Barra de Ferramentas ....................................................................................... 4
1.4. Barra de Elementos .......................................................................................... 5
1.5. Atalhos e Customizaes .................................................................................. 6
1.6. Salvar Imagens ................................................................................................. 7
1.7. Transformadores ............................................................................................... 8
2. SIMULAO ......................................................................................................... 12
2.1. Esquemtico e Montagem do circuito ............................................................. 12
2.2. Alteraes de parmetros dos componentes .................................................. 14
2.3. Simview ........................................................................................................... 17
2.4. Parmetros dos transformadores .................................................................... 22
2.5. Utilizao do Parameter Sweep ...................................................................... 23
3. ADIO DE COMPONENTES AO DATABASE E CLCULO DE PERDAS......... 27
3.1. Adicionar um IGBT especfico ao database e calcular suas perdas ............... 27
3.2. Adicionar um MOSFET especfico ao database e calcular suas perdas ......... 40
4. CONSIDERAES FINAIS .................................................................................. 49
5. REFERNCIAS ..................................................................................................... 49

O
1. INTRODU
Objetivos
1.1. O
Esse tuttorial tem como
c
finalid
dade mostrar as princ
cipais funes do software PSIM
M
(para
a verses 9 ou superio
ores), com e
enfoque nas
s barras de ferramentaas, menu, elementos
e
e
mediies, proccedimento para mod
dificar os parmetros dos com
mponentes, executarr
simu
ulaes e co
omo alterar os grficoss das formas
s de onda.
Traz ainda uma se
eo destina
ada adi
o de componentes eeletrnicos especficoss
(IGBTs e MOSF
FETs) ao da
atabase do programa, para serem
m utilizados nas simula
aes, alm
m
dos clculos de
d perdas desses co
omponentes
s atravs do
d recurso Thermal Module do
o
programa.

1.2. A
Ambiente de
d Trabalho e Barra d
de Menu
A figura 1.1 mostra o ambiente
e de trabalh
ho do softw
ware PSIM, com seu menu
m
(figura
a
1.2), sua srie de barras necessria
as na execuo das simulaes,
s
, cujas fun
es sero
o
n decorrerr do materrial e a re
ea de traba
alho, espao em bran
nco centrall
apressentadas no
destiinado mon
ntagem dos
s circuitos.
Figura 1.1 Ambi ente de trab
balho do so
oftware PSIM
M.

prio autor..
Fonte: Pr
Figura 1.2
2 Barra de
e Menu do PSIM.
P

Fonte: Pr
prio autor..
3

Barra de Ferramentas
s
1.3. B
A figura 1.3 mostra
a parte da chamada barra de fe
erramentas ou Toolba
ar, que trazz
fun
es para a construo e simula
o dos circu
uitos, explica
adas logo a seguir:
Figura 1.3 Toolbar do
d software PSIM.

Fonte: Pr
prio autor..

Item A: Utilizado para

p
desenh
har as trilhas dos circ
cuitos. Por padro, as
s cores dass
s vermelh
has para cirrcuitos de potncia,
p
ve
erdes para ccircuitos de
e controle e
trilhas so
marronss para circu
uitos mecn
nicos. Clican
ndo em Op
ptions >> Seettings >> aba
a Colors,,
possvvel modifica
ar as cores d
das trilhas em
e Color wires
w
by circu
cuit type.

Item B: Trata-se da
d Label, fu no para realizar
r
con
nexes entrre diversos pontos doss
circuitoss (geralmen
nte distante
es entre si) sem utiliza
ao de trillhas, o que
e possibilita
a
uma ma
aior facilida
ade na ve rificao das conexe
es, alm dde organiza
ao. Para
a
garantir as conex
es, as lab
bels devem
m estar igualmente noomeadas. No
N simpless
o mostrado na figura 1 .4, a fonte V1
V est con
nectada ao resistor R1 atravs da
a
exemplo
label VA
A, assim com
mo V2 a R2
2 atravs de
e VB.
Figura 1.4 Exem
mplo simples
s de utiliza
o de labeels.

prio autor..
Fonte: Pr

Item C: So as ferrramentas d
de zoom co
om fator fixo
o, valor quee pode ser alterado
a
em
m
gs >> Zoom
m factor na aba Genera
al. So utiliizados para
a aproximarr
Optionss >> Setting
ou recua
ar o circuito
o como um ttodo ou ape
enas parte dele.
d
4

Item D: Tambm so
s ferrame
entas de zo
oom, mas com
c
regulao do nve
el de zoom
m
entao do m
mouse.
atravs da movime

Item E: Utilizado pa
ara efetivam
mente simullar o circuito
o presente nna rea de trabalho.

1.4. B
Barra de Elementos
1.4.1
1. Localiza
o da Barrra e Pesqu
uisa por Co
omponente
es
Na parte inferior do ambien
nte de trabalho, enc
contra-se a chamada
a barra de
e
elem
mentos, na qual
q
esto os
o compone
entes e ferrramentas mais utilizadoos nas simu
ulaes e
mosttrada em de
estaque na figura 1.5.
Caso sejja necessrrio utilizar a
algum item que
q no se encontre nna barra de elementos,,
uma opo prrocur-lo na
a seo Elem
ments (mos
strada aps
s iniciar um novo projetto, clicando
o
em F
File na barra
a de menu e ento em
m New ou ento
e
no co
one ( ) naa barra de fe
erramentass
localizada abaixxo do menu), ou ento na bibliotec
ca de eleme
entos, clicaando em Vie
ew na barra
a
de m
menu e selecionando Library Bro
owser caso
o ela no esteja
e
aparrente no am
mbiente de
e
traba
alho, e asssim os elem
mentos pod
dem ser en
ncontrados atrves daa barra de
e busca da
a
biblio
oteca. A bib
blioteca de elementos
e
mostrada na figura 1.6.
Figura 1.5 Barra de Elementos do PSIM.

Fonte: Pr
prio autor..
Figu
ura 1.6 Biiblioteca de
e elementos do PSIM.

Fonte: Pr
prio autor..
5

Para reu
utilizar algum compone
ente de forrma rpida sem necesssidade de uma nova
a
buscca, deve-se procur-lo na barra d
de itens rec
centes mosttrada em deestaque na
a figura 1.7..
Em algumas verses
v
do
o software , essa ba
arra est localizada abaixo da barra de
e
ferramentas.
Figura 1.7
7 Barra de
e itens rece
entes.

Fonte: Pr
prio autor..

1.4.2
2. Compone
entes da Barra
B
de Ele
ementos
Conform
me supracita
ado, na barrra de eleme
entos esto localizadoss os componentes que
e
so g
geralmente mais utiliza
ados em sim
mulaes de
e circuitos:
Tabe
ela 1 Com ponentes da
d Barra de Elementos .
Sm
mbolo

Fu
uno
Terra (Referncia)
Ressistor
Indutor
Cap
pacitor
Dio
odo
Tiristor
Inte
erruptor MO
OSFET
erruptor IGB
BT
Inte
Pon
nte monofs
sica de diod
dos
Pon
nte trifsica de diodos
ock para
Gerrador de clo
inte
erruptores
ntrole liga/d
desliga para
a
Con
inte
erruptores
m relao ao
o
Voltmetro (em
terrra)
erencial
Voltmetro dife
Am
mpermetro
Oscciloscpio de
d 2 canais
d 1 canal
Oscciloscpio de

Smbolo

F
Funo
Fo
onte de tensso CC
Fo
onte de tensso senoida
al
Fo
onte de tensso triangular
Fo
onte de tensso quadra
ada
Fo
onte de Deggrau de tenso
Se
ensor de te nso
Se
ensor de coorrente
Bloco de gannho proporc
cional
Co
ontrolador pproporciona
alintegrador
Su
ubtrator
omador
So
omparador
Co
Limitador
Po
orta inversoora (NOT)
Multiplicador
Divisor
Fonte: Pr
prio autor..

Atalhos e Customiza
C
es
1.5. A
Os atalhos presente
es no softw
ware so de grande vallia nas simuulaes porr agilizarem
m
a exe
ecuo de certas
c
fun
es e tamb m na sele
eo de com
mponentes. Para acess
sar a seo
o
de attalhos, deve
e-se clicar em
e Optionss no menu e ento em Customizee Keyboard//Toolbar ou
u
6

Custtomize Keyyboard dep

pendendo d
da verso do software, apareceendo assim
m a janela
a
mosttrada na figura 1.8.
Figura
F
1.8 Seo de Atalhos do PSIM.

Fonte: Pr
prio autor..
Os atalh
hos so mo
ostrados em
m Current shortcut ke
eys, e paraa criar novo
os atalhos,,
deve
e-se selecio
onar o comp
ponente na seo Elem
ments em Add
A Shortcuut key ou a funo na
a
se
o Comman
nds, e ento
o digitar qu
ual tecla ou combina
o de teclass que ser seu atalho
o
na ba
arra Press new
n
shortcu
ut key e cliccar em Assiign para adicionar lissta de atalho
os.
Caso se
eja necess
srio salva r as custo
omizaes para sereem usadas em outro
o
comp
putador, de
eve-se utilizar as fun
es Save Custom
C
Settings e Loadd Custom Settings
S
em
m
Optio
ons da barra de Menu.

Salvar Imagens
1.6. S
piar o esqu
uemtico do
o circuito, deve-se
d
clic
car em Editt na barra de menu e
Para cop
ento
o seleciona
ar Copy to Clipboard
C
,n
na qual tem
m trs ope
es :

Metafile format: Fo
ormato de imagem com
c
a melhor qualidaade e que
e pode serr
especficos.
utilizado em outros softwares e

mato comu
um de imag
gem com qualidade
q
uum pouco inferior ao
o
Color Biitmap: Form
Metafile..

Black an
nd White: Formato d
de arquivo parecida com
c
Color Bitmap, mas
m
com o
esquem
tico em pre
eto e brancco.

Outra op
po atra
avs do priintscreen, podendo
p
se
er til desa bilitar os pontos e ass
as de folha
as que aparrecem norm
malmente na
a rea de trrabalho, dessmarcando
o as opess
borda
Displlay Grid e Show
S
Print page
p
borde
ers em Optio
ons >> Settings >> Genneral.

1.7. T
Transformadores
s no PSIM podem serr acessados
s de duas m
a
maneiras: atravs da
Os transsformadores
barra
a de menu em Elemen
nts >> Powe
er >> Trans
sformers ou
u ento ir V
View na barrra de menu
u
e selecionar Lib
brary Brows
ser para vissualizar a biblioteca
b
de
e elementoos (figura 1..6) no caso
o
e
aparrente na
rea de trabalho do PSIM, e ento pes
squisar porr
em que no esteja
c
descrito no item 1
1.4.1 desse
e material.
Transformers, como
O modelo do transfo
ormador m
mostrado na figura 1.9
9:
Figura 1.9 Modelo do
d transform
mador.

Fonte: [1]]
Tabela 2 Compo nentes do modelo
m
do transformad
t
dor.
mponente
Com
Rp
Xp
Xm
Rc
Rs
Xs

Repre
esentao
Resistnc
cia do enrollamento prim
mrio
Reatncia
a devido a iindutncia de
d dispers
o do primrrio
Reatncia
a associada
a a indutnc
cia de magn
netizao
Resistnc
cia associad
da as perda
as no ncleo
o e por histeerese
Resistnc
cia do enrollamento sec
cundrio
Reatncia
a associada
a a indutnc
cia de dispe
erso do seecundrio
Fonte: Pr
prio autor..

Dentre os
o modelos de transforrmadores, est
e
o Ideall Transform
mer, o modelo simplista
a
dor, o quall desconsid
dera todos
s os fluxos
s de dispe rso, resis
stncia noss
do transformad
cleo, alm da correntte necess
ria para a
enrolamentos, perdas porr histerese e no nc
netizao do
d transformador. As duas polaridades esto dispon veis, como
o mostra a
magn
figura
a 1.10.
8

Figura 1.10 Transsformadores

s ideais do software
s
PS
SIM.

Fonte: Pr
prio autor..
Ainda co
om base na
n figura 1..10, poss
svel visualizar o 1-phh Transform
mer e 1-ph
h
Transformer (in
nverted), qu
ue se trata m de trans
sformadores monofsiicos no id
deais cujoss
parmetros ser
o tratados mais adian
nte, na se
o Simula
o.
Na biblio
oteca de ele
ementos ain
nda existem
m transformadores com
m mais de uma
u
bobina
a
no prrimrio e/ou
u secundrio, os quais so mostra
ados na figu
ura 1.11.
Fiigura 1.11 Transform
madores mo
onofsicos com
c
mais de
e uma bobinna no prim
rio e/ou
secund
rio.

Fonte: Pr
prio autor..
Os transsformadores
s mostradoss na figura 1.12 so trifsicos com
m bobinas do
d primrio
o
e do
o secundrio no cone
ectadas, do
os quais o designado 3 ph - Traansformer (saturation))
apressenta fluxo
o residual e saturao
n
possuir vaalores da corrente
c
de
e
o, sendo necessrio

magn
netizao em
e funo da indutn cia de mag
gnetizao que defineem a caractterstica do
o
transsformador, alm
a
da frequncia de operao e da fase do
o fluxo residdual.
Figura 1.12 Tipos de transform
madores trif
sicos com enrolamenttos do prim
mrio e
secun
ndrio no conectados
c
s.

prio autor..
Fonte: Pr
Os transsformadores
s trifsicos seguintes, mostrados
s na figura 1.13, apre
esentam oss
seuss enrolamen
ntos conecta
ados em triingulo () ou em estrrela (Y), poddendo ainda possuir o
terci
rio.
Figura 1.13 Transforma
T
adores trifssicos com bobinas
b
do primrio,
p
seecundrio ou tercirio
conectad
das em estre
ela ou tring
gulo.

Fonte: Pr
prio autor..
10
0

s restantes,, mostrados
s na figura 1.14,
1
so trrifsicos com
m 3, 4 ou 6
Os transsformadores
enrolamentos (d
desconectados).
Figu
ura 1.14 Transformad
T
dores trifsicos com 3, 4 ou 6 enroolamentos.

prio autor..
Fonte: Pr

11

O
2. SIMULAO
Esquemtiico e Monta
agem do ciircuito
2.1. E
Para rea
alizar simulaes, devve-se inicialmente clicar em File na barra de
d menu e
ento
o em New ou
o ento no
o cone ( ) na barra de
d ferramen
ntas para inniciar um no
ovo projeto,,
e en
nto pesquisar os componentes que sero
o utilizados
s e arrast-los da bib
blioteca de
e
elem
mentos para
a a rea de
e trabalho o
ou clicando
o no compo
onente na bbarra de elementos e
clicando em algum local na
a rea de tra
abalho.
importtante posicionar os co
omponentes
s de forma organizadaa a fim de facilitar ass
o compone
entes e con
nsequentem
mente as verificaes ddessas liga
es. Caso
o
ligaes entre os
seja necessrio
o espelhar ou rotacio nar um componente, deve-se uutilizar as fe
erramentass
gura 2.1.
mosttradas na fig
amentas utilizadas nas
s simulaees.
Figura 2.1 Ferra

prio autor..
Fonte: Pr
Tabela 3 Referente aos smbolos mostrad
dos na figurra 2.1.
Smbolos
s

Funo
o
Habilita
ar na simula
ao um (ns
s) compone
ente (s) seleecionado (s)
Desabilitar na sim ulao um (ns) compo
onente (s) seelecionado (s)
Rotacio
onar 90 se ntido horriio um comp
ponente seleecionado
Espelhar algum co
omponente selecionado na horizoontal
Espelhar algum co
omponente selecionado na verticaal
Fonte: Pr
prio autor..

Para conectar os componente

c
es, deve-se
e utilizar o item A m ostrado na
a figura 1.3
3
dessse tutorial ou
u caso se te
enha criado
o um atalho
o (ver item 1.5),
1
pressioonar o bot
o referente
e
ao ite
em. Ser fe
eito um exe
emplo de s imulao de um circuito, com o sseu esquem
mtico com
m
base
e na figura 2.2.
2
Figura 2.2
2 Esquemtico do circuito.
S111

S12

S133

S14

VDC
100
1 V

Fonte: Pr
prio autor..
12
2

Deve-se selecionar os elementos necessrios para a simulao do circuito na barra

de elementos (resistor, fonte de tenso contnua, controlador liga-desliga das interruptores e
no caso das interruptores, optou-se por utilizar MOSFETs), posicion-los na rea de
trabalho e os conectar, como sugerido na figura 2.3.
Para o controle das interruptores, foi utilizado um gerador de onda quadrada e ainda
2 labels (ver item 1.3) e uma porta NOT para garantir que ocorra o acionamento correto das
interruptores, evitando um curto circuito na fonte de alimentao contnua.
necessrio ainda adicionar a referncia terra, encontrada na barra de elementos e
adicionada no terminal negativo da fonte. possvel adicionar outras referncias para
tenso no circuito, clicando em Elements >> Sources >> Ground, Ground (1) ou Ground (2)
na barra de menu.

Figura 2.3 Montagem do circuito em questo na rea de trabalho.

100
Vdc
B

V
VControle
10
0.5

Fonte: Prprio autor.

13

Alteraes
s de parmetros dos c
componentes
2.2. A
Antes de executar a sim
mulao, necessrio analisar e//ou modificcar os parmetros doss
comp
os quais podem se
ponentes utilizados,
u
er vistos com
c
um cclique duplo
o sobre o
comp
ponente em
m questo, como
c
mostrrado na figu
ura 2.4 para
a o resistor.
Figu
ura 2.4 Pa
armetros do
d resistor (Modelo 1).

prio autor..
Fonte: Pr
Em Nam
me, poss
svel atribui r um nome
e ao resisttor, e preeenchendo a marcao
o
Displlay o nome atribudo
o aparecer
na rea de trabalho prximo do compo
onente. Em
m
Resis
istance deve
e ser coloca
ado a resisttncia em Ohm
O
().
Na op
o Current Flag,
F
caso sseja coloca
ado valor 1 , a formaa de onda da
d corrente
e
no ccomponente
e fica dispo
onvel para
a visualiza
o ao realizar a sim
mulao. Ex
xistem doiss
mode
elos para a resistncia
a, que pode
em ser esco
olhidos em Model
M
Leveel (no dis
sponvel em
m
todass as verse
es do softwa
are). O Leve
el 1, aprese
enta o mode
elo mais sim
mplista do re
esistor.
Analisan
ndo agora os
o parmetrros da fonte
e contnua de
d alimentaao, atrav
s do clique
e
duplo
o no smbollo da fonte, aparecend
do a janela mostrada
m
na
a figura 2.55.

Figura 2.5 Pa
armetros da fonte de tenso
t
CC.

Fonte: Pr
prio autor..
14
4

Em Nam
me, atribui-se um nome
e fonte de
e tenso, da
a mesma forrma que no
o parmetro
o
do re
esistor ante
eriormente descrito.
d
Em
m Amplitude
e, colocado o valor do nvel de
e tenso da
a
fonte
e em V. Em Series Res
sistance, colocado um
u valor de resistnciaa srie relattivo fonte,,
caso
o seja necesssrio, em , assim ccomo em Se
eries Inducttance, ondee deve ser colocado o
valorr de indutn
ncia srie as
ssociada fonte.
Dando clique
c
duplo
o na interru
uptor MOSF
FET, aparec
cer a janeela conforme mostra a
figura
a 2.6.
SFET.
Figura 2.6 Parmetros do MOS

prio autor..
Fonte: Pr
e, deve ser colocado o valor de resistncia do MOSFET quando
o
Em On Resistance
colocado a resistnciia do diodo
este est em estado de co
onduo. E
Em Diode Resistance,
R
o
anti-paralelo
o. Initial Pos
sition determ
mina o esta
ado inicial do MOSFET
T: 0 para de
esligado e 1
em a
para ligado. Ca
aso seja co
olocado o vvalor 1 em Current Fllag, a correente no MO
OSFET fica
a
onvel para ser facilme
ente visualizzada na sim
mulao. Diiode Forwaard Voltage trata-se da
a
dispo
tens
o no diodo
o enquanto conduz.
Dando clique
c
duplo na fonte d e onda qua
adrada, apa
arecer a jaanela conforrme mostra
a
a figu
ura 2.7.
Figu
ura 2.7 Pa
armetros da
d tenso de
e controle.

Fonte: Pr
prio autor..
15
5

Em Vpe
eak_peak, deve
d
ser co
olocado o valor da te
enso de ppico a pico da tenso
o
quad
drada, ou seja,
s
a sua amplitude em V. Frequency con
nsiste no va
valor da freq
quncia da
a
onda
a gerada em Hz e Duty Cycle o valor da
d razo cclica.
c
Em DC Offsett, deve serr
coloccado um va
alor de tens
so contnu
ua correspo
ondente ao offset, senndo o valor mnimo da
a
tens
o, caso a amplitude seja
s
positivva, ou o vallor mximo caso a am
mplitude seja negativa..
Tstarrt utilizado para espe
ecificar o te
empo, em segundos,
s
a partir do qqual a onda
a passar a
ser g
gerada, tend
do valor igu
ual a zero a
at atingir o tempo especificado. E
Em Phase Delay,
D
deve
e
ser ccolocado o valor
v
do atraso de fase
e em graus na onda ge
erada.
Com to
odos os parmetros
p
s conforme
e anteriorm
mente mostrados,
ajustados
nece
essrio adiccionar os vo
oltmetros e
e/ou ampermetros enc
contrados nna barra de elementoss
para obter as fo
ormas de on
nda em pon
ntos deseja
ados, alm de
d adicionaar o Simulattion Controll
na
rea de trrabalho, qu
ue pode sser enconttrado clican
ndo em S
Simulate no
o menu e
segu
uidamente em Simula
ation Contro
rol, o qual deve ser colocado nna rea de
e trabalho,,
abrin
ndo-se uma janela confforme mosttrada na figura 2.8.

Figu
ura 2.8 Pa
armetros do
d Simulatio
on Control.

Fonte: Pr
prio autor..
ep represe
enta o passso de clc
culo, ou o tempo en tre cada clculo
c
dass
Time ste
vari
veis durantte a simula
ao, tendo seu valor padro em 0,00001s. Total time o tempo
o
total de simulao (Caso seja
s
marca do Free Ru
un, a simulao aconttecer em tempo
t
real,,
endo ser uttilizados os
sciloscpioss de 1 ou 2 canais para
p
visualizzao das formas de
e
pode
onda
a).
Print Tim
me determin
na o tempo
o em segun
ndos at qu
ual os dadoos da simula
ao sero
o
salvo
os e Print Step,
S
caso seu valor sseja 1, todo
os os ponto
os da simuulao sero salvos, e
caso
o seja 10, apenas
a
1 a cada 10 po
ontos so salvos.
s
Os parmetross Load/Sav
ve Flag so
o
utiliza
ados para salvar/carregar os va
alores da simulao com
c
extenso ssf. Em
m Hardware
e
Targ
get especifficado um hardware
h
pa
ara se gerar um cdigo
o usando SiimCoder.
16
6

Alterando-se o tem
mpo total de
e simulao
o para 0,05
5 segundoss, e clicand
do em Run
n
Simu
ulation na barra
b
de ferrramentas o
ou simplesm
mente aperttando F8, feita a sim
mulao do
o
circu
uito.

2.3. S
Simview
A ssimulao ser
s
gerada
a, sendo en to aberta uma janela do Simview
w, conforme mostrada
a
na fig
gura 2.9.
Figura 2.9 Va riveis disp
ponveis na simulao.

Fonte: Pr
prio autor..
ables availa
able so mo
ostradas as
s variveis que
q esto ddisponveis para serem
m
Em Varia
visua
alizadas, e para isso, deve-se se
elecion-la e clicar em Add e ent
to OK. Caso mais de
e
uma seja seleciionada, esta
as iro apa
arecer no mesmo grfic
co. Para meelhor visualizao dass
forma
as de onda
a, ser inicia
almente sel ecionada apenas
a
V1 (name do voltmetro utilizado
u
na
a
tens
o de contrrole), aparecendo a jan
nela mostra
ada na figurra 2.12. Ainnda possvel realizarr
opera
aes entre
e as varive
eis, devend
do-se selec
cion-la e clicar na setta para baix
xo na parte
e
inferiior, e selecionar as operaes necessria
as clicando
o no blocoo com as operaes,,
clicando OK no final para mostrar
m
seu grfico.
C
mostrada na fiigura 2.10, possvel fazer
f
as segguintes alte
eraes:
Na aba Curves,
Em Labe
el, possv
vel modifica
ar o nome dado ao grrfico, em C
Color altera
ar a cor da
a
curva
a do grfico
o, em Line Thickness alterar a espessura
e
das
d linhas dda curva e em Markerr
symb
bol modifica
ar o tipo de marcador n
nas linhas da
d curva.
17
7

Figura
a 2.10 Altteraes po
ossveis na aba
a Curvess.

prio autor..
Fonte: Pr
Na aba Screen,
S
mostrada na fiigura 2.11, possvel fazer
f
as segguintes alte
eraes:
Em Fore
eground color, possvvel alterar a cor das marcaes dde tempo e das bordass
dos g
grficos, em
m Backgrou
und color p
pode-se alte
erar a cor de
d fundo daa rea de trabalho
t
do
o
Simvview. A opo Grid Color
C
permitte modificar a cor das
s linhas poontilhadas da
d rea de
e
traba
alho e Fon
nt permite modificar a fonte, es
stilo e tama
anho das letras mostradas noss
grficcos. Marcan
ndo-se as opes
o
Hide
e grid e Hid
de axis text, as linhas ppontilhadas e os textoss
nos g
grficos sum
miro, respe
ectivamente
e.
Para visualizar a fo
orma de on
nda VP1 (name
(
do voltmetro
v
coonectado ao
a resistor),,
pode
e-se clicar em
e Screen na barra d
de menu e ento em Add Screeen, aparece
endo assim
m
uma janela igua
al mostrada na figura
ra 2.9. Deve
e-se agora selecionar VP1, clicarr em Add e
o OK, obten
ndo-se as fo
ormas de o nda conform
me mostrad
da na figuraa 2.13.
ento

18
8

Figura
a 2.11 Altteraes po
ossveis na aba
a Screenn.

Fonte: Pr
prio autor..
Figura 2.12 Fo
orma de ond
da do sinal de controlee.

Fonte: Pr
prio autor..

19
9

Figura 2.13 Forma de onda de te

enso de co
ontrole e de sada do ccircuito em questo.
q

Fonte: Pr
prio autor..
Para rea
alizar altera
es nos grrficos na ja
anela do Sim
mview, devve-se clicar em um doss
grficcos (apareccendo assim
m um quad rado de cor vermelha na direita ssuperior do
o grfico), e
ento
o com o botto direito do
d mouse, a
aparecer um
u menu co
onforme moostrado na figura
f
2.14.
Fig
gura 2.14 Menu para
a alterar os grficos.

Fonte: Pr
prio autor..
Em Add
d/Delete Curves,
C
possvel adicionar
a
ou
o removeer curvas no grfico
o
seleccionado, ap
parecendo a janela m
mostrada na
n figura 2.9
2 (pode-sse acess-la tambm
m
atravvs do cone
e Add/Delete Curves (
figura
a 2.16).

) na barrra de ferramentas do Simview, mostrada

m
na
a

s possvel modificar os
o limites do
os eixos doos grficos, Move Up e
Em Y Axxis e X Axis
Move
e Down tem
m funo de
e alterar a posio do
o grfico no
o Simview. D
F Screen
n
Display in Full
apressenta o gr
fico selecio
onado em to
oda a rea de
d trabalho do Simview
w.

20
0

Para ana
alisar as forrmas de on
nda, pode ser til a barrra localizadda na parte
e inferior do
o
Simvview, conforrme mostrada na figura
a 2.15.
Figura 2
2.15 Barra
a de medi
o.

prio autor..
Fonte: Pr
Tabela 4 Smbo los e funes da Barra
a de medio.
Smb
bolo

Funo
Alterrar entre ba
arras de
medio apenas verticais o
ou
verticais e horiz
zontais.
Mosstrar valor mximo
m
glob
bal

Smbolo

Funno
Calcular a mdia dos valo
ores
abso
olutos da vaarivel
Ir pa
ara um ponnto sucessiv
vo

Mosstrar valor mximo

m
maiis
prxximo
Mosstrar valor mnimo
m
glob
bal

ar para um ponto anterior

Volta
cular o fatorr de potnciia
Calc

Mosstrar valor mnimo

m
maiss
prxximo
m
da
Calccular valor mdio
vari
vel
Calccular valor eficaz
e
da
vari
vel

cular potnccia ativa (W

W)
Calc
cular potnccia aparente
e
Calc
(VA))
Calcular ndicee de distor
o
harm
mnica
Fonte: Pr
prio autor..

Na parte
e superior do Simview
w, existe a barra de ferramentas
f
s, que mostrada
m
na
a
figura
a 2.16.
arra de Ferrramentas do
d Simview.
Figura 2.16 Ba

prio autor..
Fonte: Pr
bela 5 Sm
mbolos e fun
nes da ba
arra de ferra
amentas doo Simview.
Tab
Smb
bolo

Funo
Ab
brir algum arquivo
a
salvvo
mprimir a forma de ond
da
Im
piar os grficos da rea
a de
Cop
trabalho do Simview
Desfazer altera
ao de movve e
zoo
om
R
Recarregar
um arquivo
o

Smbolo

Funno
Aproximao ppor um fato
or de
10%
%
Afas
stamento poor um fato
or de
10%
%
Apro
oximao oou afastam
mento
mod
dificando oss eixos x e y
simu
ultaneamennte.
Apro
oximao oou afastam
mento
mod
dificando um
m dos eixo
os e
man
ntendo o outtro constante.
Realizar movvimentao do
grfiico
21

Refazer os grficos
Alterar entre modo de zoo
om e
medio
A
Alterar
limite
es no eixo x
A
Alterar
limite
es no eixo y
Adicionar ou re
emover curvvas
Ad
dicionar um novo grficco
Zoo
om seleciona
ando uma
rea
retangular no grfico

Habilitar o mod o medio

valores das
Mostrar os
coorrdenadas ((X, Y) de um
pontto selecionaado
Realizar
a
transform
mada
rpid
da de Fourrier da forma de
onda
a
Mostrar o grffico no dom
mnio
do te
empo
Inserir um textoo no grfico
Salvar configuuraes
temp
porrias
Carrregar configguraes
temp
porrias
Fonte: Pr
prio autor..

2.4. P
Parmetros
s dos trans
sformadore
es
Alm de
e modificarr os parm
metros das
s fontes, resistnciass e das in
nterruptoress
eletr
nicas, im
mportante ta
ambm a al terao dos
s parmetro
os dos transsformadores, que ser

feito inicialmente considera

ando o mod
delo ideal do
o transforma
ador.
m
>> Power
P
>> T
Transformerrs >> Ideall
Indo entto em Elements (na barra de menu)
c
o na rea de trabalho e dan
ndo um cllique duplo
o sobre o
Transformer, colocando-o
ponente, ap
parecer a janela como
o mostrada na figura 2.17.
comp

Figurra 2.17 Pa
armetros do
d transform
mador ideal..

prio autor..
Fonte: Pr
C
Como se tra
ata do mod
delo simplissta do trans
sformador, necessrrio apenas fornecer o
nme
ero de voltas
v
no enrolamen
nto do primrio (N
Np(primary))) e do secundrio
o
(Np(ssecondary)).

22
2

Adiciona
ando agora o 1-ph Tra
ansformer rea de trrabalho e ddando um clique
c
duplo
o
sobre
e o compon
nente, apare
ecer a jane
ela conform
me mostra a figura 2.188.

Figura
a 2.18 Tra
ansformado
or monofsic
co no ideaal.

prio autor..
Fonte: Pr
Tabela 6 Compo nentes do modelo
m
do transformad
t
dor.
Denomin
nao
Rp (prim
mary)
Rs (secon
ndary)
Lp (pri.lea
akage)
Ls (sec.lea
akage)
Lm (magne
etizing)
Np (prim
mary)
Ns (secon
ndary)

Representtao
Resistncia
R
do enrolam
mento prim
rio
Resistncia
R
do enrolam
mento secun
ndrio
In
ndutncia d
de disperso
o do primrrio
In
ndutncia d
de disperso
o do secund
drio
In
ndutncia d
de magnetiz
zao
Nmero
N
de vvoltas do enrolamento primrio
Nmero
N
de vvoltas do enrolamento secundrioo
Fonte: Pr
prio autor..

Caso o transform
mador apre
esente o enrolamento
e
o tercirio,, a sua resistncia,,
induttncia de disperso e nmero
o de volta
as so representadaas por Rt, Lt e Nt,,
respe
ectivamente
e. Os valore
es de todass as resistn
ncias e indu
utncias soo referidos ao primrio
o
do tra
ansformado
or.
2.5. U
Utilizao do Parame
eter Sweep
p
O Param
meter Swe
eep trata-se
e de uma ferramenta
a importannte de simulao porr
posssibilitar a variao de
e um parm
metro do circuito
c
den
ntro de um
m intervalo de valoress
defin
nidos, sendo
o usado, po
ortanto, para
a analisar a influncia desse parmetro no ciircuito.
Podem ser utilizad
dos para p
parametriza
ar resistnc
cias, indutncias, cap
pacitncias,,
ganh
ho de bloccos proporc
cionais, con
nstante de tempo de
e blocos inntegradores
s, ganho e
23
3

consstante de te
empo de co
ontroladoress do tipo PII, alm de ganho
g
e baanda de passagem de
e
filtross de segund
da ordem.
Para ace
ess-lo, pode-se ir na
a barra de menu do PSIM
P
e ir E
Elements >>
> Other >>
>
Para
ameter Swe
eep ou pesq
quisando na
a biblioteca de elemen
ntos (ver iteem 1.4.1), colocando-o
c
o
ento
o na rea de
d trabalho.
Um simp
ples exemp
plo ser utillizado para mostrar a utilizao ddo Parame
eter Sweep,,
mosttrado na figura 2.19.
9 Montag
gem do circu
uito utilizado
o como exeemplo.
Figura 2.19

Fonte: Pr
prio autor..
m clique duplo sobre o resistor R1,
R aparecer a janella mostrada
a na figura
a
Com um
2.20..
Figura 2.2
20 Parme
etros do res
sistor.

prio autor..
Fonte: Pr
ve ser coloccado um no
ome para identificar o pparmetro, no caso do
o
Em Resiistance, dev
exem
mplo, foi utilizado Ro identificar a resistncia
a do resisto
or R1.
m clique dup
plo sobre o Param Sw
weep, aparecer a janeela mostrad
da na figura
a
Com um
2.21..

24
4

Figu
ura 2.21 P
Parmetros do Parameter Sweep.

prio autor..
Fonte: Pr
Em Starrt Value, de
eve ser colo
ocado o va
alor inicial do
d parmetrro, e em End
E Value o
I
Step
S
determ
mina o pass
so de increm
mento de clculo e em Parameterr
seu vvalor final. Increment
to be
e Swept, de
eve ser colocado o no
ome do parrmetro que
e assumir os valores
s dentro do
o
intervvalo determ
minado, no exemplo,
e
R
Ro.
Simuland
do ento o circuito e adiciona
ando todas
s as correnntes calculadas para
a
visua
alizao, s
o obtidos os grficoss das corre
entes, como
o mostra a figura 2.2
22, para oss
valorres das resiistncias va
ariando de 1 at 11 .
Fig
gura 2.22 Grficos da
as correntes
s obtidas.

Fonte: Pr
prio autor..
obtida
a tambm a curva de I1 vs Ro, valor
v
da co
orrente do ccircuito em funo do
o
valorr da resistn
ncia de Ro, como pode
e ser vista na
n figura 2.2
23.
25
5

Figura 2.23 Gr
fico I1 vs Ro.

Fonte: Pr
prio autor..

26
6

DIO DE COMPONE
ENTES AO DATABAS
SE E CLCULO DE PE
ERDAS
3. AD
3.1. A
Adicionar um
u IGBT especfico a
ao databas
se e calcula
ar suas perrdas
3.1.1
1. Device Database
D
Ed
ditor
Para de
eterminar as perdass de um determinad
do componnente, necessrio
o
inicia
almente adicion-lo ao
o database do program
ma utilizando o Devicee Database Editor, que
e
pode
e ser encon
ntrado em Utilities no menu do PSIM
P
e ento em Deevice Datab
base Editor,,
apare
ecendo asssim uma jan
nela conform
me a figura 3.1.
Figura 3.1
1 Device Database
D
Editor.
E

Fonte: Pr
prio autor..

3.1.2
2. Criar um Device Fille
Inicialme
ente, deve ser
s criado u
um arquivo para
p
salvar o componeente, clicand
do em File
>> N
New Device File, aparecendo uma
a janela conforme mosttra a figura 33.2.

27
7

Figura 3.2
2 Criando um Device
e File.

Fonte: Pr
prio autor..
Deve se
er colocado
o um nome
e para o arquivo
a
e selecionado
s
o a pasta Device do
o
e do arquivo
o salvo apaarecer na lista
l
de File
e
programa, clicando-se assim em Salvvar. O nome
me. Seguida
amente, com
m o nome do arquivo
o seleciona
ado, clicar em Device
e no menu,,
Nam
apare
ecendo as opes con
nforme mosstra a figura 3.3.
Figura 3.3 Opes da
d seo Device.

prio autor..
Fonte: Pr
28
8

Tabela 7 Opes da
d seo De
evice.
Opo
o
N
New Diode
N
New IGBT
N
New IGBT- Diode
D
N
New MOSFE
ET
S
Save Device
e
S
Save Device
e As
D
Delete Devicce

Funo
Adicionar
A
um
m diodo
Adicionar
A
um
m IGBT
Adicionar
A
um
m IGBT com
m diodo
antiparalelo
a
Adicionar
A
um
m MOSFET
T
Salvar
S
o disp
positivo
Salvar
S
o disp
positivo em um arquivo
o com
outro
o
nome
Deletar
D
o dis
spositivo seelecionado
Fonte: Pr
prio autor..

3.1.3
3. Adiciona
ar informa
es do dis
spositivo IG
GBT
Clica
ando em Ne
ew IGBT, de
evem ser prreenchidas informae
es presentess na figura 3.4.
Fig
gura 3.4 In
nformaes
s sobre o dis
spositivo.

prio autor..
Fonte: Pr

29
9

Em Man
nufacturer, especifica-sse qual o fabricante
e do dispoositivo a ser criado. A
ttulo
o de exem
mplo, ser escolhido o dispos
sitivo SEMiiX151GD0666HDs da Semikron,,
consstitudo de 6 IGBTs. Em
m Part Num
mber, colo
ocado o nome do disppositivo e em Package
e
qual o tipo de en
ncapsulame
ento, que no
o exemplo, ser 6-pac
ck.
Com basse no datas
sheet do co
omponente, so obtido
os os valorees mximos
s de tenso
o
minal (Ic) e temperatu
ura de juno. Na fig
gura 3.5
colettor-emissor (Vce), corrrente nom
mosttrada a seo Absolute Maximum
m Ratings do
d dispositiv
vo escolhidoo com as in
nformaess
requisitadas em
m destaque.
gura 3.5 Valores
V
mx
ximos de te nso e corrrente do dis
spositivo SE
EMiX151GD
D066HDs.
Fig

Fonte: [2]..
Com basse na figura
a 3.5, obtm
m-se que Vcemax
V
600
6 V, Icmaax 150 A e Tjmax
175 C. Tambm
m sero necessrias a
as curvas ca
aracterstica
as do dispoositivo, obtid
das atravss
do da
atasheet. A figura 3.6 mostra
m
a cu
urva Vce vs
s Ic do dispo
ositivo escoolhido.
Figura 3.6 Curva caracterstica Vce vs Ic.

Fonte: [2]..

30
0

Para adiicionar essa

a curva, em
m Electrical Characteriistics Trannsistor >> Vce(sat)
V
vss
Ic, clica-se em Edit
E e apare
ecer a ima
agem mostra
ada na figura 3.7.
Fiigura 3.7 Adicionand
A
o uma curv
va caracters
stica do disspositivo.

prio autor..
Fonte: Pr
ente, deve-s
se clicar em
m Add Curv
ve, aparece
endo a janeela mostrada na figura
a
Inicialme
3.8.

31

Figura 3.8 A
Adicionando
o a curva Vce
V vs Ic.

Fonte: Pr
prio autor..
Deve-se ento copiiar a image m da curva
a caractersttica do dataasheet e clicar na seta
a
p
superior para collar na rea da janela. Aps a col agem da curva, deve-azul direita na parte
anela e entto clica nov
osicion-la no centro da
d rea da ja
vamente naa seta azul direita.
se po
uida, deve-s
se clicar prrimeiro no canto
c
inferio
or esquerdoo do grfico
o (utilizar o
Em segu
boto
o direito do
o mouse parra zoom) e ento no canto
c
superior direito ddo grfico, aparecendo
a
o
assim
m um retng
gulo de cor azul nas exxtremidades do grfico
o, conformee mostra a figura 3.9.

32
2

Figurra 3.9 Sellecionando a curva carracterstica..

prio autor..
Fonte: Pr
o novamente na seta a
azul direita, deve-se agora colocarr os valores
s mnimos e
Clicando
ariveis no eixo x e y. No exemplo
o, X0 = 0 e Xmax = 4; Y0 = 0 e Ymax = 300..
mxiimos das va
e-se atenta
ar se o X-a
axis e Y-a
axis (figura 3.10) est
o de acorrdo com as variveiss
Deve
prese
entes na cu
urva, e caso
o no esteja
a, marcar em
m Invert gra
aph.
Figura 3.10 Corrrespondnc
cia das vari
veis e eixoos.

prio autor..
Fonte: Pr
Para adiicionar a cu
urva corres pondente a temperatu
ura de juno de 25 C
C, digita-se
e
25 em Junction Temperatture, e ent
o clicar na seta azul direita.
Em segu
uida, nece
essrio cliccar em vrio
os pontos da curva de 25C (utiliz
zar o boto
o
direitto do mouse para zoom
m, e esc pa
ara sair do zoom), para que estess pontos se
ejam salvoss
e a ccurva seja construda,
c
a qual vai ssendo dese
enhada em linhas verm
melhas, com
mo mostra a
figura
a 3.11. Ca
aso seja ne
ecessrio de
eletar parte
e da curva, em Enter vvalues in th
he following
g
forma
at: (x1, y1) (x2, y2) (x3
3, y3) ..., de
eve-se delettar os ponto
os correspoondentes e ento
e
clicarr
em R
Refresh.

33
3

gura 3.11 Adicionand

do a curva de
d 25 C.
Fig

Fonte: Pr
prio autor..
Com a obteno
o
da
a curva para
a Tj = 25C, clica-se no
ovamente nna seta azul, obtm-se
e
c
mostra a figu
ura 3.12.
a currva obtida conforme
Figura
F
3.12 Curva obttida para T = 25C.

Fonte: Prrprio autorr

34
4

Clicando
o em Other Test Condiitions, apare
ecer a jane
ela mostradda na figura 3.13.
Figura 3.1
13 Other Test Condittions.

prio autor..
Fonte: Pr
oram obtido
os com baase no data
asheet, em
m
Os valorres mostrados na figu
ura 3.13 fo
desta
aque na figu
ura 3.14.
Fig
gura 3.14 Informae
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..
Clicando
o ento em OK para ad
dicionar a curva
c
de 25 C, deve-see clicar em Add Curve
e
e rea
alizar o messmo proced
dimento parra adicionar a curva ca
aractersticaa com temp
peratura de
e
jun
o de 150C
C.

35
5

Aps a adio da curva de V

Vce(sat) vs
s Ic, devem
m ser adicioonadas outtras curvass
prese
entes no datasheet,
d
em
e procedim
mento sem
melhante ao anterior. A
Ao se clicar em Otherr
Test Conditionss para esttas curvas,, aparecer
o novos parmetross a serem inseridos,,
confo
orme mostrra a figura 3.15,
3
os qua
ais devem ser
s obtidos do
d datasheeet do comp
ponente. Oss
valorres de DC Bus
B Voltage
e e Gate ressistance pod
dem ser vis
sto em destaaque na figura 3.16.
Figura 3.1
15 Other Test Condittions.

Fonte: Pr
prio autor..
Fig
gura 3.16 Informae
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..
As curva
as relaciona
adas com o diodo antiparalelo pre
esentes noo datasheet devem serr
adicionadas na seo Electrical Cha
aracteristics Diode, em
e procedim
mento sem
melhante ao
o
anterriormente descrito.
d
Ao clicar em O
Other Test Conditions,, uma janelaa aparecer
conforme
e
mosttrada na figura 3.17.
36
6

Figu
ura 3.17 P
Parmetros do diodo an
ntiparalelo.

Fonte: Pr
prio autor..
Os valorres mostrados na figu
ura 3.17 fo
oram obtido
os com baase no data
asheet, em
m
desta
aque na figu
ura 3.18.
Fig
gura 3.18 Informae
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..
As inform
maes a respeito
r
do tamanho do
d dispositiv
vo e das caaracterstica
as trmicass
(Thermal Caraccteristics) n
o so utiliizadas para
a clculo de
e perdas. A
Aps as curvas serem
m
adicionadas e o dispositivo
o salvo em S
Save Device, este est
adicionadoo ao databa
ase.

3.1.4
4 Utilizar o IGBT (da
atabase) em
m um proje
eto e calcullar suas peerdas
necessrio que o programa
a seja reinic
ciado para que seja poossvel utiliizar o novo
o
dispo
ositivo adicionado. Para utilizar e
em um nov
vo projeto, deve-se
d
ir na barra de menu do
o
PSIM
M, em Elem
ments >> Po
ower >> The
ermal Modu
ule e escolh
her IGBT(daatabase) e adicion-lo
o
re
ea de trab
balho. Com um clique
e duplo no dispositivo
o escolhidoo, aparecerr a janela
a
mosttrada na figura 3.19.

37
7

Figu
ura 3.19 In
nformaes
s do IGBT (d
database).

prio autor..
Fonte: Pr
Em Freq
quency, de
eve ser co
olocado o valor
v
de frrequncia qque ir de
eterminar o
intervvalo para o qual ser
o calculad
das as perd
das. Caso esta seja iigual freq
quncia de
e
interrruptoramen
nto, as perdas calculad
das sero pa
ara cada cic
clo de interrruptoramen
nto.
Em Num
mber of Parrallel Devicces, deve ser
s colocad
do o nmerro de dispo
ositivos em
m
paralelo no circcuito. Calib
bration Facttors so fa
atores para corrigir oss valores obtidos
o
dass
as na simu
ulao com valores ob
btidos mediante experiimentao. Pcond_Q se refere a
perda
perda
a de cond
duo do transistor, P
Psw_Q a perda
p
por interruptoraamento do transistor,,
Pcon
nd_D a perda
p
por conduo
o do diodo antipara
alelo e Pssw_D a perda porr
interrruptoramen
nto no diodo
o.
Clicando
o-se ento no
n cone co
om reticnciias em Dev
vice, apareccer a janela conforme
e
mosttrada na figura 3.20.
u
e clicar
c
em O
Ok. O esquemtico do
o
Deve-se selecionarr o disposittivo a ser utilizado
dispo
ositivo, com
mo mostra a figura 3. 21, aprese
enta 4 sadas extras qque corresp
pondem ass
perda
as dos 6 IG
GBTs e na ta
abela 8, a e
especifica
o de cada sada.

38
8

Figura 3.20
0 Selecionar o dispositivo.

Fonte: Pr
prio autor..
Figu
ura 3.21 E
Esquemtico
o do IGBT (database).

prio autor..
Fonte: Pr
39
9

Tabela 8 Especifica
aes das s adas para clculo de perdas do IIGBT (datab
base).
Sada
1
2
3
4

ecificao
Espe
Pe
erdas por co
onduo no
os transistorres
Pe
erdas por intterruptoram
mento nos trransistores
Pe
erdas por co
onduo no
os diodos an
ntiparalelos
Pe
erdas
po r
interrup
ptoramento
nos
diodos
antiparalelos
Fonte: Pr
prio autor..

Por proccedimento do
d prprio p
programa, as
a medidas
s dessas saadas devem
m ser feitass
ando ampe
ermetros conectados
c
s sadas, obtendo assim as fformas de onda e ass
utiliza
potn
ncias refere
ente as perd
das, como m
mostrado na
a figura 3.22.

Figura 3
3.22 Clculo de perdas.

prio autor..
Fonte: Pr
Adicionar um
u MOSFE
ET especfiico ao data
abase e calcular suass perdas
3.2. A
3.2.1
1. Adiciona
ar informa
es do dis
spositivo MOSFET
M
Para realizar a adio
a
de um MOSF
FET ao da
atabase doo programa
a, deve-se
e
inicia
almente criar um Dev
vice File cconforme mostrado
m
no
o item 3.1..2, clicando
o em New
w
MOS
SFET nas opes
o
de Device mo
ostradas na
a figura 3.3
3, aparecenndo assim uma
u
janela
a
confo
orme mostrrada na figura 3.23.

40
0

Figura
F
3.23 Adicionando um MO
OSFET.

Fonte: Pr
prio autor..
Figura 3.24 Inform
maes sob
bre o dispos
sitivo IRFP 4460.

Fonte: Pr
prio autor..
Em Man
nufacturer, especifica-sse qual o fabricante
e do dispoositivo a ser criado. A
o de exemp
plo, ser es
scolhido o d
dispositivo IRFP460
I
da
a Internatioonal Rectifie
er. Em Partt
ttulo
Num
mber coloccado o nom
me do dispo
ositivo e em
m Package qual o tipoo de encap
psulamento,,
que n
no exemplo
o, Discrete
e (n channe
el), com bas
se no datasheet do dis positivo.
Com basse ainda no
o datashee
et, so obtid
dos os valo
ores mxim
mos de tens
so coletor-emisssor (Vce), corrente no
ominal (Ic) e temperatu
ura de jun
o. Na figuura 3.25 mostrada
m
a
se
o Absolute Maximum Ratings do dispositivo
o escolhido com as infoormaes re
equisitadass
em d
destaque.
41

Figura 3.25 Informaes prresentes no

o datasheet do disposittivo IRFP46
60.

Fonte: [3]..

42
2

Na ffigura 3.26 so
s mostradas as cara
actersticas eltricas do
o componennte IRF460.
Figura 3.26 Informaes prresentes no
o datasheet do disposittivo IRFP46
60.

Fonte: [3]..

Em Elecctrical Chara
acteristics - Transistor, as informaes esto organizada
as por
cond
dies de te
este, assim como no da
atasheet:
F
Figura
3.27 Condie
es de teste do compon
nente IRFP4460 (1).

prio autor..
Fonte: Pr
Figura 3.28 Inform
maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (1).

Fonte: [3]..

43
3

O valor do
d coeficien
nte de temp
peratura ( ) aproximado pode seer calculado
o com base
e
esistncia dreno-fonte ((RDS) e a te
emperatura de juno ((C), de aco
ordo com a
no grrfico da re
equa
ao 1:

s um valo
or de resisttncia de re
eferncia e Te a temp
peratura da
a
Na qual,, Re deve ser
jun
o correspo
ondente, e R um valorr de resist
ncia superrior e prxim
mo a refer
ncia e sua
a
respe
ectiva temp
peratura T.
Figura 3.29 Curva
a da resist ncia dreno--fonte (Rds)) e temperaatura de jun
o.

Fonte: [3]..

Figura 3.30
0 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (2).

prio autor..
Fonte: Pr

44
4

Figura 3.31 Inform

maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (2).

Fonte: [3]..

Figura 3.32
2 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (3).

Fonte: Pr
prio autor..
maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (3).
Figura 3.33 Inform

Fonte: [3]..

Figura 3.34
4 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (4).

Fonte: Pr
prio autor..
Figura 3.35 Inform
maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (4).

Fonte: [3]..
Figura 3.36
6 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (5).

Fonte: Pr
prio autor..

45
5

Figura 3.37 Inform

maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (5).

Fonte: [3]..

Em Elecctrical Chara
acteristics Diode:
Figura 3.38
8 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (6).

prio autor..
Fonte: Pr
Figura 3.39 Inform
maes pressentes no datasheet
d
do dispositivvo IRFP460 (6).

Fonte: [3]..
nda ser adic
cionadas ass curvas tpicas de corrrente de dreeno reversa
a vs tenso
Deve ain
(
Drain
D
Curren
nt vs Source
e-to-Drain Voltage),
V
em
m procedime
ento
de drreno-fonte (Reserve
seme
elhante ao mostrado
m
no item 3.1.3
3.
0 Condi
es de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (7).
Figura 3.40

Fonte: Pr
prio autor..

46
6

Figura 3.41
3
- Inform
maes pressentes no datasheet
d
do
o dispositivoo IRFP460 (7).

Fonte: [3]..
Aps oss parmetro
os serem ad
dicionados e o dispos
sitivo salvo em Save Device
D
(verr
figura
a 3.3), este estar adic
cionado ao database.

3.2.2
2. Utilizar o MOSFET (database)
(
) em um prrojeto e calc
cular suass perdas
necessrio que o programa
a seja reinic
ciado para que seja poossvel utiliizar o novo
o
dispo
ositivo adicionado. Para utilizar e
em um nov
vo projeto, deve-se
d
ir na barra de menu do
o
PSIM
M, em Elem
ments >> Power
P
>> T
Thermal Mo
odule e esc
colher MOS
SFET (data
abase) ser

utiliza
ado e adiccion-lo rea

de trab
balho. Com
m um clique
e duplo no dispositivo
o escolhido,,
apare
ecer a janela mostrad
da na figura
a 3.42.
Figura
a 3.42 Pa
armetros do MOSFET
T (database)).

Fonte: Pr
prio autor..
Em Devvice deve ser
s especificcado o MO
OSFET que
e foi adicionnado. Em Frequency,,
deve
e ser coloca
ado o valorr de frequ
ncia que irr determinar o intervaalo para o qual sero
o
calcu
uladas as perdas.
p
Cas
so este sejja igual frequncia
f
de interrupptoramento, as perdass
calcu
uladas ser
o para ca
ada ciclo d
de interruptoramento. VGG+ e V
VGG- referrem-se aoss
poten
nciais da te
enso Gate-Source. Rg
g_on o va
alor da resistncia da porta (gate
e) durante a
cond
duo e Rg_
_off o valor dessa resisstncia em estado de no
n conduo.
Em Num
mber of Parrallel Devicces, deve ser
s colocad
do o nmerro de dispo
ositivos em
m
paralelo no circcuito. Calib
bration Facttors so fa
atores para corrigir oss valores obtidos
o
dass
as na simu
ulao com valores ob
btidos mediante experiimentao. Pcond_Q se refere a
perda
47
7

perda
a de cond
duo do transistor, P
Psw_Q a perda
p
por interruptoraamento do transistor,,
Pcon
nd_D a perda
p
por conduo
o do diodo antipara
alelo e Pssw_D a perda porr
interrruptoramen
nto no diod
do. Por pa
adro, todo
os esses fatores soo iguais a 1, sendo
o
modiificados casso se obtenha valores experimenttais.
Com os parmetros
s adicionado
os, o dispositivo pode ser utilizaddo em simullao. Para
a
o cllculo das pe
erdas feito
o utilizando as 4 sadas extras.
O esque
emtico do dispositivo, como mos
stra a figura
a 3.43, apreesenta 4 sadas extrass
que ccorrespondem as perd
das do MOS
SFET, e na tabela 9, a especificao de cada
a sada.

Figura
a 3.43 Esq
quemtico do
d MOSFET
T (databasee).

Fonte: Pr
prio autor..
T
Tabela 9 Especifica
E
o das sad
das para clculo de perdas do MO
OSFET (dattabase).
Sada
1
2
3
4

o das perrdas
Especifica
Pe
erdas por co
onduo do
o transistor
Pe
erdas do inte
erruptorame
ento do tran
nsistor
Pe
erdas por co
onduo do
o diodo antip
paralelo
Pe
erdas por intterruptoram
mento do dio
odo antiparaalelo
Fonte: Pr
prio autor..

Por proccedimento do
d prprio p
programa, as
a medidas
s dessas saadas devem
m ser feitass
utiliza
ando ampe
ermetros conectados
c
s sadas,, obtendo assim
a
as foormas de onda,
o
e oss
valorres mdios delas sero
o as potnccias referen
nte as perda
as, da mesm
ma forma mostrada
m
na
a
figura
a 3.22.

48
8

4. CONSIDERAES FINAIS
Esse trabalho se props, como objetivo central, apresentar as principais
funcionalidades do software de simulao PSIM, iniciando com uma explanao sobre os
menus e as barras de ferramentas do programa e mostrando o procedimento para realizar
simulaes e obter de forma satisfatria as medidas e/ou formas de ondas, visando facilitar
o aprendizado aos usurios iniciantes.
A utilizao do recurso Thermal Module se mostrou importante na anlise e
avaliao de projetos eletrnicos pelo levantamento das perdas, apesar dos valores obtidos
nesse trabalho no terem sido confrontados com valores experimentais, visto que no foram
realizados testes experimentais a fim de certificar o desempenho do recurso.

5. REFERNCIAS
[1] CHAPMAN, Stephen J.; Fundamentos de Mquinas Eltricas, 5 edio,2013. Editora
McGraw-Hill.
[2] <http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheetsemix151gd066hds-27891210>. Acesso em 02/10/2015.
[3] < http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/68529/IRF/IRFP460.html>. Acesso em
02/10/2015.

49