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ASSOCIAO EDUCACIONAL DOM BOSCO

Faculdades de Engenharia de Resende


Curso de Engenharia Eltrica com nfase em Eletrnica

RELATRIO DE ELETRNICA I

VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR


COM A TEMPERATURA. TRANSISTOR COMO CHAVE E FONTE DE
CORRENTE.

BIANCA AZEVEDO SALGADO

14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO

13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES

14270088

RESENDE
2015

BIANCA AZEVEDO SALGADO

14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO

13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES

14270088

EXPERINCIA 06

VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR


COM A TEMPERATURA. TRANSISTOR COMO CHAVE E FONTE DE
CORRENTE.

Relatrio apresentado Associao Educacional Dom


Bosco, Faculdade de Engenharia de Resende, como
elemento de avaliao parcial da disciplina Eletrnica I,
no 3 ano do curso de Engenharia Eltrica/Eletrnica.

Orientador (a): Professora Bruna Tavares.

RESENDE
05 de Agosto de 2015
RESUMO
. Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em
1948, na Bell Telefone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um
dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja,
um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de transistor. Neste relatrio
falaremos sobre a influncia da temperatura nos parmetros do transistor. Poderia se pensar
que o problema de temperatura facilmente contornvel, bastando retirar o aparelho que
contenha semicondutores da regio que se tem uma temperatura diferente da sua temperatura
de operao. Porm no to fcil quanto parece, pois podemos usar como exemplo a Nasa
ao enviar um rob para o espao como ela controlaria a temperatura sobre o mesmo haja vista
que a temperatura da terra e do espao so diferentes, ou seja, todos os parmetros devem ser
testados ainda na fase de projeto para que no haja problemas quando o produto j estiver
sendo utilizado na atividade fim.
Palavras chaves: semicondutores, diodos, transistorres

SUMRIO
1. INTRODUO......................................................................................................................4
2. OBJETIVOS GERAIS............................................................................................................4
3. FUNDAMENTAO TERICA..........................................................................................4
3.1. PARMETROS DOS TRANSISTORES........................................................................4
4. MATERIAIS UTILIZADOS..................................................................................................5
5. METODOLOGIA RESULTADOS.........................................................................................6
5.1. VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR
COM A TEMPERATURA......................................................................................................6
5.2. TRANSISTOR FUNCIONANDO COMO CHAVE........................................................9
5.3. TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE........................................................10
6. CONCLUSO......................................................................................................................12
REFERNCIAS........................................................................................................................12

1. INTRODUO
Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em
1948, na Bell Telefone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um
dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja,
um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de transistor. O impacto do
transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos
permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos
energia, substitusse as vlvulas na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu
para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetados
hoje em dia usam componentes semicondutores.
Neste relatrio falaremos sobre a influncia da temperatura nos parmetros , Vbe e Ico
do transistor e tambm sobre sua utilizao como chave ou fonte de corrente.

2. OBJETIVOS GERAIS

Verificao da variao dos parmetros VBE e hFE do transistor com a temperatura;


Mostrar a utilizao, principio de funcionamentos, e mostrar alguns fatos dos transistores

funcionando como chave e como fonte de corrente;


Analisar a potncia dissipada nos transistores funcionando como chave e como fonte de
corrente.

3. FUNDAMENTAO TERICA
3.1. PARMETROS DOS TRANSISTORES
Poderia se pensar que o problema de temperatura facilmente contornvel, bastando
retirar o aparelho que contenha semicondutores da regio que se tem uma temperatura
diferente da sua temperatura de operao. vivel fazer isto, por exemplo, em uma
siderrgica. Um aparelho de medio de temperatura eletrnico pode ficar a dezenas de
metros de distncia de um alto-forno que opera a altas temperaturas somente recebendo os

sinais de um sensor, sem que a alta temperatura do alto-forno o afete. Mas h situaes que
isto se torna invivel. A NASA no tem como mandar um rob para Marte, onde a
temperatura mais baixa que na Terra, e deixar os semicondutores que fazem parte de seu
circuito eletrnico aqui na terra. Outro exemplo so robs que so usados em perfurao
submarina: a temperatura a quilmetros de distncia da superfcie muito baixa. Nestes dois
casos citados acima, a variao de temperatura deve ser levada em conta nos clculos do
projeto para que os dispositivos que contenham semicondutores funcionem normalmente. Os
dois exemplos citados acima so casos extremos, mas a influncia da temperatura no
comportamento dos semicondutores afeta o dia-a-dia das pessoas. Aparelhos eletrnicos
operam de forma tal que a mudana de milsimos de volts em um de seus milhares de
transistores muda completamente o funcionamento do mesmo. Desta forma, um celular
produzido para funcionar em um pas nrdico como a Finlndia no funcionar em pases
tropicais como o Brasil. Entre estes pases observa-se uma variao de temperatura mdia
30C o que ocasionaria uma variao de tenso de 60mV, uma variao de tenso desta
magnitude comprometeria gravemente o funcionamento do aparelho. Este fato faz com que as
empresas no apenas adaptem seus aparelhos ao clima em que o mesmo ser utilizado, como
tambm no caso de aparelhos de alta preciso produzam estes aparelhos na regio em que o
mesmo ser utilizado.
Para que esses problemas citados acima no venham acontecer em um projeto, deve-se
estudar o comportamento do componente em diversas faixas de temperatura e observar como
o mesmo se comporta definindo uma melhor regio de operao.
A estabilidade de um sistema e a medida da sensibilidade de um circuito a variao
dos seus parmetros. Em qualquer amplificador que empregue o transistor, a corrente de
coletor sensvel a cada um dos seguintes parmetros:
- aumenta com o aumento da temperatura.
- VBE diminui cerca de 7,5mV por grau Celsius (C) de aumento de temperatura.
- ICO (Corrente de saturao reserva): Dobra de valor para cada 10 C de aumento de
temperatura.
4. MATERIAIS UTILIZADOS

Cabos banana jacar;


01 Protoboard;
01 Multmetro;

01 Fonte de alimentao;
Resistor de 1K;
Resistor de 470K;
Resistor de 10K;
Resistor de 220 ;
Resistor de 10 ;
01 LED,
Transistor BC548.
5. METODOLOGIA RESULTADOS
A experincia no laboratrio foi dividida em Etapas:
5.1. VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR
COM A TEMPERATURA.
Esta etapa teve como objetivo de fazer uma observao qualitativa do efeito da
temperatura sobre alguns parmetros do transistor quando este est exposto a variaes de
temperatura.
Foi montado o circuito da figura 1 no protoboard.

Figura 1 - Circuito de Polarizao Fixa.

Mediu-se e foram anotados os valores de VCE, VBE e VR1 na tabela 1.


Regulou-se a fonte de alimentao para 10 V de sada e a corrente limitada em 1,2 A.
Alimentou-se a resistncia de 10 com 10 V. Aviso: No seguramos diretamente
sobre a resistncia, pois o efeito joule causado, pode provocar queimaduras se exposto a
qualquer parte do corpo humano.
Colocou-se uma das extremidades da resistncia em volta do transistor sobre
verificao (a resistncia tem o ncleo vazado e esse procedimento simula um forno).

Fizemos circular o ar do interior da resistncia na direo do transistor e para isso,


sopramos um pequeno fluxo de ar pela outra extremidade da resistncia.
Mediu-se novamente os valores de VCE, VBE e VR1 e anotou-se na tabela 1.
Tabela 1 - Valores de Medio dos Parmetros dos Transistores

Parmetros
VCE
VBE
VRI

Valores com temperatura

Valores com o transistor

ambiente (25C)
6,27 V
0,7 V
11,32V

aquecido
5,45 V
0,683V
11,30V

Com os valores indicados na tabela 1, foi possvel calcular o hFE em temperatura


ambiente e aquecido.
Primeiro foi calculado a corrente de Coletor IC, utilizando a seguinte equao de
malha:
IC =

V ccV CE
R2
Equao 1 - Corrente de coletor.

Com a equao 1, foi possvel calcular a corrente de coletor:


IC na temperatura ambiente:
IC =

V ccV CE 126,27
=
=5,73 mA .
R2
1000

IC com o transistor aquecido:


IC =

V ccV CE 125,45
=
=6,55 mA .
R2
1000

Depois foi calculado a corrente de base IB, utilizando a seguinte equao de malha:
I B=

V cc V BE
R1
Equao 2 - Corrente de Base.

Com a equao 2, foi possvel calcular a corrente de base:


IB na temperatura ambiente:
I B=

V ccV BE 120,7
=
=24,04 A .
R1
470 K

IB com o transistor aquecido:


I B=

V ccV BE 120,683
=
=24,08 A .
R1
470 K

Sabendo que o hFE ou a razo entre a corrente de coletor e corrente de base. Assim:
h FE==

IC
IB
Equao 3 - hFE.

Com a equao 3, foi possvel calcular o hFE:


h FE na temperatura ambiente:
h FE==

h FE

I C 5,73 mA
=
238,35.
I B 24,04 A

com o transistor aquecido:

h FE==

I C 6,55 mA
=
272,01.
I B 24,08 A

Comparando os valores calculados de hFE na temperatura ambiente e com o transistor


aquecido pode-se notar que conforme a teoria o valor de hFE aumentou com o aumento de
temperatura. Isto :
h FE=hFE hFE
f

Equao 4 - Variao do hFE.

Dessa forma, a variao foi:


h FE=hFE hFE =272,01238,35=33,66.
f

Utilizando a relao da variao do VBE foi possvel estimar a temperatura que o


transistor foi exposto.
Como VBE diminui 7,5mV por grau Celsius de aumento de temperatura tem-se a
seguinte relao:
7,5 mV 1 C

V BE C
Equao 5 - Variao da Temperatura.

Utilizando a equao 5:

7,5 mV 1 C
(0,7 V 0,683V ) C

C=

17 mV C
=2,27 C
7,5 mV

Logo, a temperatura estimada que o transistor foi submetido : 25+2,27 = 27,27 C.


Analisando os resultados encontrados pode-se concluir que apesar destes teste serem
feitos com baixa preciso e serem qualitativos, eles esto de acordo com as informaes
tericas presente no roteiro.
5.2. TRANSISTOR FUNCIONANDO COMO CHAVE
Com a placa CEB-02 instalada, mudou-se o posicionamento das chaves de modo que
somente a chave CH4 fique na posio fechada (ON) conforme Figura 2b e todas as demais
chaves fiquem na posio aberta. Nestas condies tem-se o circuito equivalente ao da Figura
2a.

Figura 2 - (a) Circuito com transistor como chave. (b) Posio das chaves na placa CEB-02.

Fechou-se e abriu-se sucessivamente a chave CH1. O LED acendeu e apagou devido a


polarizao do diodo base-emissor, atravs de R1 e a chave Ch1, que leva o transistor para

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corte e saturao, provocando o chaveamento eletrnico do coletor. Mediu e anotou-se na


tabela 2 os valores de VCE para as duas condies de CH1.
Tabela 2 - VCE para as condies de chave.

Chave aberta
VCE = 10,55V (corte)
VLED= -370,8 mV

Chave fechada
VCE = 38,1 mV (saturao)
VLED= 2,032V

Com o uso da equao 6 calculou-se a corrente de coletor e a potencia no transistor


para as duas situaes de CH1.

IC =

12(V CE +V LED )
R2
Equao 6 - Corrente IC.

Os resultados so encontrados na tabela 3.


Tabela 3 - Corrente de coletor e potncia dissipada no transistor.

Chave aberta
Ic med = 0A
Pd = 0W

Chave fechada
Ic med = 11,05 mV
Pd = 0W

5.3. TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE


O circuito do transistor na configurao fonte de corrente est esquematizado na figura
3.

Figura 3 - Circuito com transistor como fonte de corrente.

Sugeriu-se a

montagem em protoboard deste circuito, para melhor anlise e compreenso desta


configurao.

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Mediu-se a tenso VCE do circuito:


VCE = 4,53V
Mediu-se a corrente do coletor do transistor:
IC = 19,32mV
14. Calculou-se a potncia dissipada pelo transistor do circuito e comparou-se com a
potncia dissipada pelo transistor do circuito da Figura 2.
P = VCE x IC
P = 4,53 x 19,32m
P = 87,52mW
Pode-se notar que a potncia dissipada pelo transistor na configurao como chave
nula, pois, ele atua na regio de corte e saturao. E por definio o transistor quando opera
nestas regies no dissipa potncia.
A dissipao de potncia na juno base-emissor muito pequena em relao a
dissipao na juno coletor-base. Por esta razo, considera-se como potncia dissipada no
transistor apenas a potncia de coletor. Quando utilizados como chave, com uma corrente ou
tenso que garanta a plena conduo dissipam pouca potncia, pois a queda de tenso entre
seus terminais pequena. Ainda assim, para correntes muito altas, pode ser necessrio o uso
de um dissipador para garantir o bom funcionamento do componente.
Com a experincia pode-se notar que para especificar o transistor a ser utilizado em
um projeto primeiro tem que definir bem qual a funo do transistor no projeto, para assim
saber qual regio de atuao do componente. A partir destas informaes deve-se saber quais
so os parmetros mais importantes a serem considerados em cada aplicao. Assim como foi
visto neste relatrio para as aplicaes de chave e fonte de corrente.
O transistor funcionando como chave o modo mais simples de utilizao deste
dispositivo semicondutor, comparado com todas as outras aplicaes. Neste modo ele opera
nas regies de Corte e Saturao. Quando cortado, o transistor funciona como um contato
aberto entre os terminais de coletor e emissor, quando saturado funciona como um contato
fechado. Para garantir que o transistor funcione corretamente como chave para qualquer DC
(hFE), deve se usar uma saturao forte, isto e, o circuito deve estar projetado para que a
corrente de base seja de pelo menos 10% da corrente de coletor. O transistor como fonte de
corrente e outra forma bsica de uso deste componente. Neste modo de operao, a resistncia

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de base omitida e ao terminal de base e conectada diretamente uma fonte de tenso. Para
ajustar a corrente de coletor e colocada uma resistncia no emissor. Esta resistncia amarra o
emissor a base com a queda de tenso VBE fixa, fixando o valor da corrente atravs da carga
colocada entre o terminal de coletor e a fonte de alimentao.
6. CONCLUSO
Ao final desses procedimentos conseguimos absorver diversas informaes de grande
importncia para o planejamento de um projeto no qual seja usado transistores, pois com os
experimentos conseguimos visualizar a influncia da temperatura sobre os principais
parmetros do transistor como seu , Vbe , Ico(Corrente de saturao reversa). Logo podemos
concluir que para um bom funcionamento do componente a fase de projeto essencial, pois
nela que planejaremos sob quais condies o componente ir operar.

REFERNCIAS

BOYLESTAD e NASHELSKY, Robert L. e Louis. Dispositivos Eletrnicos e teoria dos


circuitos, 8 ed. So Paulo: Pearson, 2004.