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UNIVERSIDAD MAYOR

DE SAN ANDRS
FACULTAD DE
INGENIERIA

DOBLE CAPA
ELECTRICA
DOCENTE:
TERRAZA

ING. ALBERTO ALEJO

ESTUDIANTE: MIRANDA BAYRON OMAR


GABRIEL
C.I.
CARRERA:
MATERIA:

1. INTRODUCCION

FECHA:

4914894 LP
ING. METALURGICA
ELECTROMETALURGIA
6/10/2015

El

primer

modelo

de

a Helmholtz en 1879.

la

Trat

doble
la

capa

doble

elctrica

capa

se

elctrica

atribuye
desde

un

normalmente
punto

de

vista matemtico como un condensador, basado en un modelo fsico en el que una


capa de iones es adsorbida a la superficie. Helmholtz imagin que iones sodio (Na+)
estaban alineados con una capa de solvatacin intacta en la superficie del electrodo y
que estas cargas estaban compensadas en nmero de electrones del lado opuesto.
Propone la existencia de una capa de solvente sobre la superficie del electrodo e iones
adsorbidos (Plano interno de Helmholtz, IHP), seguida de una capa de iones con su
coraza de solvatacin intacta (Plano externo de Helmholtz, OHP), de tal forma que las
cargas inicas en la solucin son compensadas por cargas opuestas en la superficie del
electrodo.
Ms tarde Gouy y Chapman (entre los aos1910 y 1913) aportaron una serie de
modificaciones al considerar que los iones se acomodan a lo largo de un espesor de
solucin finito conocido como la capa difusa, ligada a la agitacin trmica y con la
funcin de balancear la carga del electrodo. En este modelo el potencial superficial
disminuye exponencialmente debido a la adsorcin de los contraiones presentes en la
disolucin.
Actualmente se utiliza el modelo de Gouy-Chapman-Stern, en el cual se combina la
capa adsorbida de Helmholtz con la doble capa difusa de Gouy-Chapman. Es as que se
destacan los aportes realizados por:

Helmholtz (1879)

Gouy (1910)

Chapman (1913)

Stern (1924)

Grahame (1947)

Estos estudios han tenido como propsito elaborar un modelo de doble capa que
permita interpretar como vara el potencial elctrico desde la superficie metlica hasta
el seno de la solucin.

2. MODELOS DE DOBLE CAPA ELCTRICA


2.1. Teora de Helmholtz

De acuerdo a esta teora la interfaz se considera similar a un condensador


elctrico, es decir dos placas paralelas cargadas y separadas una distancia d.
De acuerdo a esta analoga se puede definir la capacidad por unidad de rea
de la doble capa elctrica como:

De acuerdo con esa ecuacin la capacidad de la doble capa debera ser


independiente del potencial. Sin embargo experimentalmente puede verificarse
que no solo existe esa dependencia sino que tambin vara de acuerdo a la

concentracin inica de la solucin y a la naturaleza de sus componentes. Todo


lo anterior indica que el modelo presenta inconsistencias con la realidad por lo
que debe ser tenido en cuenta estos factores.

2.2. Teora de Gouy-Chapman


En la teora anterior se consideraba que al igual que en la superficie metlica
(electrodo) la carga se ubicaba en la superficie, del mismo modo se estableca
que el exceso de carga en la solucin se ubicaba en una capa de solucin.
Sin embargo esta ltima suposicin no es correcta puesto que existe una
distribucin de carga hacia el interior de la solucin que debe ser tenido en
cuenta. En la teora de Gouy-Chapman se define una capa difusa de iones hacia
el interior de la misma.
En esta interfase la cada de potencial no es funcin lineal de la distancia. En el
metal hay un plano de cargas del mismo signo, mientras que las de signo

opuesto se distribuyen del lado de la solucin a lo largo de una cierta distancia.


En esta teora se trabajan con dos ecuaciones fundamentales:

Potencial elctrico (Ley de Poisson):

Concentracin inica (Ecuacin de Maxwell-Boltzman):

Suponiendo que la doble capa se ajusta a una geometra de un paraleleppedo,


es decir que tenga superficies equipotenciales paralelas, se llega a la
expresin:

Resolviendo la ecuacin anterior y considerando valores de potencial pequeos


tal que se cumpla que:

Se llega a
Esta relacin es una buena aproximacin para:
A 25C.
De acuerdo a este anlisis, ahora el potencial elctrico establecido en la doble
capa elctrica resulta funcin de:

Distancia

Concentracin del electrolito

Valencia del electrolito

Constante dielctrica del medio

Temperatura

2.3. Teora de Stern


En la teora de Gouy-Chapman los iones se consideran como entidades
puntuales, y por lo tanto con posibilidad de acercarse arbitrariamente tanto
como se desee a la superficie del electrodo. Esta descripcin no es correcta en
la medida que los iones no pueden aproximarse a distancias menores que el
propio radio inico. Adems de lo anterior si se tiene en cuenta la solvatacin
de los mismos, el radio ahora ser mayor y por lo tanto la mxima
aproximacin ser menor todava.
Stern propuso un modelo de doble capa elctrica que consiste en la suma de
las dos estructuras mencionadas antes, es decir que la diferencia total de
potencial a travs de la interfase resulta ser entonces la suma de la cada lineal
de potencial en la doble capa de Helmholtz y la cada exponencial de potencial
en la doble capa difusa. Admitiendo incluso que las dos contribuciones sean del
mismo signo o de signo opuesto
En este modelo mas completo se define una capa interna, ms prxima al
electrodo, donde los iones se encuentran especficamente adsorbidos. Esta
capa se la conoce como: capa compacta, de Helmholtz o de Stern. El centro de
estos iones define un plano, conocido como plano interno de Helmholtz que se
encuentra a la distancia de menor acercamiento de los iones adsorbidos
especficamente.

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