Instituto Politcnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en

Ingeniera y Tecnologas Avanzadas

Ingeniera Mecatrnica
Fundamentos de Electrnica
Prctica #4
Grupo: 1MV6
Integrantes:
Melndez Rivera ngel Uriel

Prez Gonzlez Rodrigo

Martnez Bedolla David

Daniel

Vargas Belman Rodrigo

Profesor: Hermilo Manuel Snchez Domnguez

Fecha de Realizacin:
Mxico, D.F. a 08 de octubre de 2015
Fecha de Entrega:
Mxico, D.F. a 13 de octubre de 2015

NDICE
OBJETIVOS
RESUMEN
MARCO TERICO
1. Polarizacin en transistores bipolares

PRCTICA EN EL LABORATORIO
Material
Desarrollo experimental
Resultados

CONCLUSIONES

Martnez Bedolla David Daniel

Melndez Rivera ngel Uriel
Prez Gonzlez Rodrigo
Vargas Belman Rodrigo

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
ANEXOS

OBJETIVOS
Al trmino de la lectura de este texto sobre polarizacin de transistores bipolares, ser capaz de:

Analizar el funcionamiento general de los transistores bipolares.

Conocer los parmetros que debemos tomar en cuenta en el momento de utilizar los
transistores bipolares.
Conocer los cambios que sufre el funcionamiento del transistor debido a las condiciones de
trabajo.
Reconocer algunas de las formas para polarizar un transistor bipolar.
Determinar qu tipo de polarizacin es ms estable ante cambios en las condiciones de
trabajo.

RESUMEN
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor,
colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de
dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los smbolos de
circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un
transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del
terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Adems, en
funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente
que circula por el emisor del transistor.

El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en
la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta
regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor.

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y
el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar
como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en
inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta
como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.

MARCO TERICO
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida
en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia).
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre base y emisor, polarizado
en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: IC = IB, es decir, la ganancia de corriente cuando >1. Para transistores
normales de seal, vara entre 100 y 300.
Existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de
tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en
tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin:

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una
tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin y
la corriente de emisor es:

.
La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base:

La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como >> 1, se puede aproximar:

Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas
tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de
tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que
puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el
caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de
entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de
salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente
de seal.

MATERIAL
-

1 transistor BJT BC-547 (=442)

R=390
R=820
R=6.8k
R=10k
R=560K
1 fuente de CD variable de 9 a 12 V

DESARROLLO EXPERIMENTAL
Esta prctica consisti en poder analizar dos circuitos, los cuales polarizaban correctamente
a nuestro transistor, siendo uno ms complejo que otro. Al armarlos se fueron midiendo los
valores correspondientes para poder ver la variacin de niveles entre ambos circuitos y poder
optar por el ms apto para nuestras necesidades.
Igualmente a ambos circuitos, se le puso a prueba en el aspecto de calentar el transistor para
ver que drsticamente cambiaban los valores en este. Al observar los distintos valores
podemos concluir cual es ms estable en cuanto a cambios de temperatura, y as poder
empezar a usar circuitos especficos para cada aplicacin que vayamos a usar.
(Circuito 1)
Las mediciones obtenidas son las siguientes:
Temperatura
Ambiente
50C

IC

VCE

Eb

VBE

10.2mA

3.88V

4.76V

0.665V

11.1mA

3.45V

4.78V

IC

VCE

VBE

0.488V

0.9mA

0.43V

0.177V

IC

VCE

VBE

0.24V

0.14V

(Circuito 2)
Las mediciones obtenidas son las siguientes:
Temperatura

IC

VCE

Eb

VBE

Ambiente

6mA

4.09V

0.6V

0.6V

50C

8.5mA

1.85V

0.52V

0.52V

2.5mA

(Circuito 3)
Las resistencias calculadas fueron las siguientes:
CLCULOS
RB=220k
RC=300
RE=500
Temperatura
Ambiente
50C

PRCTICA
RB=220k
RC=330
RE=470

IC

VCE

Eb

VBE

10mA

4.09V

7V

0.7V

9mA

3.71V

7.13V

0.6V

IC

VCE

VBE

1mA

0.38V

0.1V

CONCLUSIONES
Martnez Bedolla David Daniel
Este elemento electrnico tiene la capacidad de incrementar la corriente con la cual se
alimenta. Este a su vez vara los parmetros elctricos alrededor suyo, como lo son las
tensiones de las resistencias del arreglo. En esta prctica, observamos cmo increment la
corriente de salida en un circuito de autopolarizacin al incrementar la temperatura del
transistor. Al ser de autopolarizacin, la corriente no debiera ser alterada por pequeas
variaciones de temperatura, pero al acercarle un encendedor, el punto de operacin del
transistor cambi, incrementando la corriente de salida del dispositivo desde en 1 hasta 2.5.
Melndez Rivera ngel Uriel
Como hemos podido observar en la prctica existen varias maneras en que nosotros
podemos polarizar un transistor bipolar y es necesario utilizar las resistencias ms cercanas
a los valores calculados para que no varen demasiado nuestros resultados adems de que
debemos de tomar en cuenta la que posee el transistor, y tambin hemos podido analizar
los cambios que sufren ciertos valores como lo son I C, VBE y VCE al modificar las condiciones de
trabajo del transistor aumentando la temperatura de este, es por ello que hay que elegir la
polarizacin ms adecuada para que no afecte demasiado el trabajo del transistor, despus de
realizar la practica puedo concluir que el primer circuito es un poco ms estable comparndolo con
los otros dos, ante cambios de temperatura.

Prez Gonzlez Rodrigo

Los transistores son elementos que permiten aumentar la corriente y el voltaje dependiendo de su
configuracin, esta amplificacin ser proporcional a la beta, al igual que otros componentes son
sensibles a la variacin de calor. En los circuitos diseados en clase el ms estable cuando se
aument la temperatura fue el circuito 1, en este una menor disminucin de voltaje entre colector y
emisor, as como en la corriente de colector.

Vargas Belman Rodrigo

Podemos encontrar en primer anlisis un sinfn de aplicaciones para este dispositivo, y como hemos
visto es el principio de la electrnica moderna; para poder utilizarla es importante saber cmo opera y
bajo que parmetros este nos podr ser funcional. Se pudo verificar que al igual que el diodo este
dispositivo al sufrir cambios de temperatura cambian sus valores; as que debemos de verificar que
este siempre se encuentre en condiciones favorables.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
-

http://www.pesadillo.com/pesadillo/?p=6345
Principios de Electrnica. Albert Paul Malvino. Ed. Mc Graw Hill.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BC/BC547.pdf