Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin

Universitaria
Fundacin Misin Sucre
Aldea Universitaria PEDRO ZARAZA
Zaraza Edo Gurico

Profesor:
Alumnos:
Cristian Reyes

Teora
semic
onduc
tor

Jos Garca

C.I 21.363.675
Jos Miguel Torrealba

C.I

24.469.015
Ervin J. Meneses

C.I

24.469.239
Jos Gregorio
Villegas

C.I 26.037.111

Jess Barrera

C.I

25.451.232
Nelson Rojas
ELECTRICIDA
D SECCIN: B
Octubre de 2015

Semiconductor
Semiconductor es un elemento que se comporta
como un conductor o como un aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. El
elemento semiconductor ms usado es el silicio, el
segundo el germanio. Posteriormente se ha comenzado a
emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes.
Banda de Energa y Conductividad Elctrica del
Cristal
El nivel energtico de cada electrn puede estar
situado en la "banda de valencia" o en la "banda de
conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel
dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del

cristal y no puede moverse libremente a travs de l,

mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de
conduccin, el electrn puede moverse libremente por
todo el cristal, pudiendo formar parte de una corriente
elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe
una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser
ocupados por ningn electrn del cristal. La magnitud de
esa banda prohibida [Eg] permite definir otra diferencia
entre los semiconductores, aislantes y conductores. Y
tiene por unidad de energa al Electrn- Voltio [eV], la cual
es igual a la energa que adquiere una partcula cargada,
cuando es acelerada en el vaco, a travs de una
diferencia de potencial de 1 voltio.
Tipos de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una
estructura tetradrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus tomos. Cuando el cristal se
encuentra a temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energa necesaria para saltar a la
banda de conduccin dejando el correspondiente hueco
en la banda de valencia.

Semiconductores extrnsecos
Se

caracteriza

impurezas,

es

por

un

decir,

pequeo

elementos

porcentaje

de

trivalentes

pentavalentes, y se dice que est dopado. Evidentemente,

las impurezas debern formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte
por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin
del material.
Dependiendo

de

si

est

dopado

de

elementos

trivalentes, o pentavalentes, se diferencian dos tipos:

Semiconductores extrnsecos tipo n: Son los que
estn dopados, con elementos pentavalentes, lo que
hace que al formarse la estructura cristalina, un
electrn quede fuera de ningn enlace covalente,
quedndose en un nivel superior al de los otros
cuatro.
Semiconductores extrnsecos de tipo p: Son los
que estn dopados con elementos trivalentes, lo cual
hace que a la hora de formar la estructura cristalina,
dejen

una

vacante

con

un

nivel

energtico

ligeramente superior al de la banda de valencia,

pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.

Ley de Accin de Masas

Esta

ahora

hemos

observado

que,

al

aadir

impurezas de tipo n, disminuye el nmero de huecos. De

forma similar ocurre al dopar con impurezas tipo p,
disminuye la concentracin de electrones libres a un valor
inferior a la del semiconductor intrnseco, en condiciones
de equilibrio trmico, el producto de la concentracin de
las cargas positivas y negativas libres es una constante
independiente de la cantidad de tomo donador o
aceptador.
Ley de Neutralidad de Carga
En todo material semiconductor en circuito abierto se
debe cumplir que la suma de las cargas positivas debe ser
igual

la

suma

de

las

cargas

negativas.

As

la

concentracin de cargas positivas est constituida por la

suma de los iones positivos ND y los huecos p, ND + p. De
la misma manera la concentracin de cargas negativas
est constituida por la suma de los iones negativos NA y
los electrones n, NA + n
Movilidad y Conductividad
En los semiconductores la corriente elctrica es el
resultado del movimiento de ambas cargas, es decir, de

los electrones libre y los huecos, esto est asociado a dos

fenmenos fsicos.
Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga)
Corriente de Difusin.
Corriente de Arrastre
Este primer fenmeno se origina por el movimiento
de las cargas cuando se aplica un campo elctrico al
material semiconductor. Cuando las cargas son aceleradas
por el campo elctrico se producen que aumentan la
energa trmica la cual va a fomentar el movimiento de
las cargas en forma no aleatoria. Y los portadores e carga
se ven afectado de la siguiente manera:
Electrones libres: La fuerza que el campo elctrico
ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de
estos, en sentido opuesto al del campo elctrico aplicado.
De este modo se originar una corriente elctrica. La
densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que
atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo)
depender de la fuerza que acta (q*E), del nmero de
portadores existentes y de la movilidad con que estos se
mueven por la red.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin
una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces

covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn

perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco
salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin
en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se
repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este
movimiento se produce por los saltos de electrones,
podemos suponer que es el hueco el que se est
moviendo por los enlaces.
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo
tanto, se puede pensar en el hueco como una carga
positiva movindose en la direccin del campo elctrico.
Obsrvese en la figura 7 que los electrones individuales
de enlace que se involucran en el llenado de los espacios
vacantes por la propagacin del hueco, no muestran
movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos
electrones se mueve nicamente una vez durante el
proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se
mueve de forma continua en la direccin opuesta al
campo elctrico.
Corriente de difusin
En segundo lugar tenemos el fenmeno de difusin;
por regla las cargas electrones y huecos, se mueven en
sentido del gradiente de concentracin, van de regiones

de

mayor

concentracin

regiones

de

menor

concentracin para favorecer el equilibrio de las cargas;

este movimiento genera una corriente proporcional al
gradiente de concentracin. La difusin no depende del
valor absoluto de la concentracin de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su
gradiente la cual obedece Ley Fick es la relacin de
proporcionalidad entre la densidad de corriente y el
gradiente de concentracin de portadores de carga debido
al fenmeno de la difusin.
Relacin de Einstein
Establece la relacin entre la constante de difusin
(difusividad) y la movilidad de cada portador ya que
ambas son fenmenos estadsticos termodinmicas y no
son independientes. Esta relacin viene dada por la
ecuacin de Einstein
Dn Dp
= =V t
Un Up

Donde

Vt

es

el

Temperatura, definido por:

Potencial

equivalente

de

V t=

KT
q
23
k : Constante de Boltzmann (1,38* 10

J/ K); T:

19
Temperatura en Kelvin; q: Carga del electrn (1,6* 10

C)