Fisica de Semiconductores

Captulo I: Fundamentos de Semiconductores
1.1. El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de

cristales en semiconductores
Desarrollo de los dispositivos semiconductores
Muchas tecnologas importantes de semiconductores han sido desarrolladas a
partir de procesos inventados algunas centurias atrs. Por ejemplo, el
proceso de litografa fue inventado en 1798; en este primer proceso, el
patrn, o imagen era grabado en piedra y transferido o impreso desde esta
placa a la superficie donde se deseba reproducir. En esta seccin,
consideraremos algunas tecnologas que fueron aplicadas en un principio en
el proceso de fabricacin de dispositivos semiconductores
Algunas tecnologas de semiconductores son listadas en la tabla 1 en orden
cronolgico.
En 1918, Czochralski desarroll una tcnica de crecimiento de monocristales
lquido-slido. El proceso de crecimiento de cristales de Czochralski es el ms
usado para la produccin de obleas de
silicio (Si). Otra tcnica de
crecimiento fue desarrollada por Bridgman en 1925. La tcnica Bridgman ha

sido usada ampliamente para la obtencin del arseniuro de galio (GaAs) y
Instituto Tecnolgico de Lzaro Crdenas.
Academia de Ingeniera Elctrica y Electrnica

compuestos cristalinos semiconductores. Sin embargo las propiedades del
semiconductor de silicio (Si) han sido ampliamente estudiadas desde 1940,
mientras que el estudio de los semiconductores compuestos ha sido mucho
despus. En 1952 Welker not que el GaAs y los compuestos relativos a las
columnas III-V de la tabla peridica de los elementos qumicos son
semiconductores. l predijo sus caractersticas y posteriormente las prob.
Desde entonces la tecnologa y dispositivos de los cristales semiconductores
compuestos han sido activamente estudiados.
La difusin de tomos de impureza en un semiconductor es importante en la
fabricacin de dispositivos. La teora bsica del proceso de difusin fue
considerada por Fick en 1855. La idea de usar tcnicas de difusin para
alterar el tipo de conductividad del silicio (Si) fue establecido y patentado por
Pfann, en 1952. En 1957, el antiguo proceso de litografa fue aplicado en la
fabricacin de dispositivos semiconductores por Andrus. l us polmeros
fotosensibles resistivos (fotorresistencias)
para transferir patrones. La
litografa es la base tecnolgica para la industria de los semiconductores. El

crecimiento continuo de la industria ha sido resultado directo de la
implementacin
de
tcnicas
litogrficas.
La
litografa
es
tambin
un
importante factor econmico, ya que generalmente representa sobre el 35%

del costo de manufactura de un circuito integrado.
Tabla 1: Tecnologas clave de los semiconductores
Ao
Tecnologa
Autor(es)/inventor(es)
1918
Crecimiento de cristales de Czochralski
Czochralski
1925
Crecimiento de cristales de Bridgman
Bridgman
1952
Compuestos III-V
Welker
1952
Difusin
Pfann
1957
Foto resistencia litogrfica
Andrus

1957
Mscara de xido
Frosch y Derrick
1957
Crecimiento epitaxial CVD
Sheftal, Kokorish y Krasilov
1958
Implantacin de iones
Shockley
1959
Circuitos integrados hbridos
Kilby
1959
Circuitos integrados monolticos
Noyce
1960
Proceso planar
Hoerni
1963
CMOS
Wanlass y Sah
1967
DRAM
Denard
1969
Compuerta autoalineada de polisilicio
Kerwin, Klein y Sarace
1969
MOCVD
Manasevit y Simpson
1971
Gravado en seco
Irving, Lemon y Bobos
1971
Crecimiento epitaxial con haz molecular
Cho
1971
Microprocesador 4004
Hoff y otros
1982
Barrera aislante
Rung, Momose y Nagakubo
1989
Pulido qumico y mecnico
Davari y otros
1993
Interconectado de cobre
Paraszczak y otros
El mtodo de la mscara de xido fue desarrollado por Frosch y Derrick en

1957. Ellos encontraron que una capa de xido evita la difusin de tomos
de impureza a travs de ella. En el mismo ao, el proceso de crecimiento
epitaxial basado en una tcnica qumica de deposicin de impurezas
vaporizadas fue desarrollado por Sheftal. Epitaxi viene de las palabras
griegas epi, que significa sobre, y taxis que significa arreglo, y describe una
tcnica de crecimiento de un cristal formando una delgada capa de material
semiconductor sobre la superficie de un cristal adquiriendo
una estructura
reticular idntica a la del cristal base. Este mtodo es importante para la

implementacin de nuevos dispositivos.
En 1958, Shockley propuso el mtodo de implantacin de iones para dopar
los semiconductores. La implantacin de iones tiene la capacidad de

controlar con precisin el nmero de tomos de
impurezas dopantes. La
difusin y la implantacin de iones pueden complementarse una a la otra en

la impurificacin de semiconductores. Por ejemplo, el proceso de difusin
puede ser usado a altas temperaturas en procesos de fabricacin de uniones
profundas, mientras que la implantacin de iones puede ser usado a bajas
temperaturas en procesos de fabricacin de uniones poco profundas
En 1959, un circuito integrado (CI) rudimentario fue hecho por Kilby. ste
contena un transistor bipolar, tres resistores, y un capacitor, todo hecho de
germanio (Ge) y conectado con alambre laminado un circuito hbrido.
Tambin en1959, Noyce propuso el CI monoltico fabricando todos los
dispositivos en un solo sustrato semiconductor (monoltico significa una sola
piedra) y conectando los dispositivos con metalizado de aluminio. La Fig 1
muestra el primer CI monoltico de un circuito flip-flop que consta de seis
dispositivos. Las lneas de interconexin de aluminio fueron hechas con una
capa de aluminio previamente evaporado y gravada sobre las superficies de
xido usando las tcnicas de litografa. Este invento puso los fundamentos
para el rpido desarrollo de la industria de la microelectrnica
El proceso planar fue desarrollado por Hoerni en 1960. En este proceso,
una capa de xido es formada sobre la superficie del semiconductor base o
sustrato. Con la ayuda del proceso litogrfico, porciones de xido pueden ser
removidas y cortada en ventanas predeterminadas en l. Los tomos de
impureza se difundirn solamente sobre las superficies del semiconductor
expuestas libres de xido, dando como resultado una unin p-n.
Como la complejidad de los CIs se increment, tenemos que movernos de la
tecnologa NMOS (MOSFET canal n) a la CMOS (MOSFET complementario), lo

cual implica a ambos NMOS y PMOS (MOSFET canal p) para formar
elementos lgicos.
Fig. 1 Primer circuito integrado monoltico. (Fotografa cortesa del Dr. G. Moore)
El concepto CMOS fue propuesto por Wanlass y Sah en 1963. Las ventajas
de la tecnologa CMOS es que los elementos lgicos consumen corriente
significativa slo durante la transicin de un estado a otro (por ejemplo de 0
a 1) y jala poca corriente entre transiciones (cuando se mantiene en 0 o 1),
por lo que el consumo de potencia es mnima. La tecnologa CMOS es la
tecnologa dominante para CIs avanzados. En 1967, un importante circuito
de dos elementos fue inventado por Dennard, la memoria dinmica de
acceso aleatorio (DRAM). Una celda de memoria contiene un MOSFET y un
capacitor que almacena carga. El MOSFET sirve como un interruptor para

cargar o descargar el capacitor. Sin embargo la DRAM es voltil y consume
relativamente alta potencia.
Para mejorar el desempeo de los dispositivos fue propuesto el proceso de
autoalineado de compuerta en el polisilicio por Kerwin y otros en 1969. Este
proceso no solamente mejora la confiabilidad del dispositivo, sino que
tambin reduce las capacitancias parsitas. Tambin en 1969, el mtodo de
la deposicin de vapor qumico metalorgnico (MOCVD) fue desarrollado por
Manasevit y Simpson. Esta es una tcnica de crecimiento epitaxial de
cristales muy importante para semiconductores compuestos tales como el
GaAs.
Conforme las dimensiones de los dispositivos se fueron reduciendo, la tcnica
del gravado en seco se fue desarrollando para remplazar la tcnica de
gravado qumico mojado y
ser aplicados en patrones de transferencia de
alta fidelidad. Esta tcnica fue iniciada por Irving y otros en 1971 usando una
mezcla de gas de CF4-O2 para gravar obleas de silicio. Otra tcnica
importante desarrollada en este mismo ao fue la del haz molecular para
crecimiento epitaxial hecha por Cho. Esta tcnica tiene la ventaja de tener un
control vertical casi perfecto en los compuestos y en la aplicacin de
impurezas en dimensiones atmicas. Es la tcnica responsable de la creacin
de numerosos dispositivos fotnicos y de efecto cuntico.
En 1971, el primer microprocesador fue fabricado por Hoff y otros. Ellos
pusieron toda la unidad central de proceso (CPU) de una computadora simple
en un chip o trozo de material semiconductor. Este fue un microprocesador
de cuatro bits (Intel 4004), mostrado en la Fig. 2 en un trozo de 3 mm x 4
mm que contiene 2300 MOSFETs. Este fue fabricado en canal p usando un
proceso

de compuerta en polisilicio y dimensiones de 8 m de precisin. Este
microprocesador
le
produjo
alrededor
de
$300,000.00
dlares
en
computadoras
Fig. 2 El primer microprocesador. (Fotografa cortesa de Intel Corp.)
a la IBM a principio de los aos 60s. Este fue el mayor impacto para la
industria
de
los
semiconductores.
Actualmente
los
microprocesadores
constituyen uno de los ms grandes segmentos de la industria.

Desde principios de los aos 80s muchas nuevas tecnologas se han estado
desarrollando para satisfacer los requerimientos de miniaturizacin de los
dispositivos. Consideraremos tres tecnologas importantes: la de aislamiento

por canalizacin, pulido qumico-mecnico, e interconexin de cobre. La
tecnologa de de aislamiento por canalizacin fue introducida por Rung y
otros en 1982 para aislar dispositivos CMOS. Esta aplicacin reemplaza
eventualmente todos los otros mtodos de aislamiento. En 1989, el mtodo
de pulido qumico-mecnico fue desarrollado por Davari y otros para obtener
una planarizacin global de los dielctricos entre capa y capa. Este es un
proceso clave para la metalizacin de multinivel. A dimensiones de
submicrones sucede el mecanismo de falla conocido como electromigracin,
el cual es el transporte de iones metlicos a travs de un conductor al paso
de una corriente elctrica. El aluminio ha sido usado desde el comiezo de los
aos 60s como el material de interconexin a pesar de que sufre
electromigracin a altas corrientes elctricas. La interconexin con cobre fue
introducida en 1993 por Paraszczak y otros, para reemplazar el aluminio y
aprovechar mejor el espacio con longitudes de hasta 100 nm
Tcnica bsica de crecimiento de cristales
Consideraremos cmo crece un cristal semiconductor, especficamente el
cristal de silicio
debido a que el 95% de los materiales usados por la
industria electrnica es el silicio.

El material de partida para la obtencin de silicio es la cuarzita que es una
arena relativamente pura (SiO2). sta se mezcla con varias formas de carbn
lo cual permite que se pueda obtener silicio con un 98% de pureza:
SiC + SiO2
Si (slido) + SiO (gas) + CO (gas)
(1)
El producto de silicio obtenido se hace reaccionar con cido clorhdrico

formando el triclorosilicato,
Si (slido) + 3 HCl (gas)
SiHCl3 (gas) + H2 (gas)
(2)
el triclorosilicato es descompuesto usando una corriente elctrica dentro de

un ambiente controlado, produciendo silicio policristalino ultrapuro (es decir,
material de silicio
que contiene diversas estructuras cristalinas con
diferentes tamaos y con orientacin diferente una de la otra).

SiHCl3 + H2 (gas)
Si (slido) + 3 HCl (gas)
(3)
El silicio policristalino est listo ahora para el proceso de crecimiento de

cristal.
El mtodo de crecimiento de cristal ms comn es la tcnica de Czochralski.
Fig. 3 Dibujo esquemtico simplificado del jalador de Czochralski. En sentido de las manecillas del reloj (CW), en
sentido contrario de las manecillas del reloj (CCW).

La Fig. 3 muestra un dibujo esquemtico del jalador de cristal de Czochralski.
El crisol contiene el silicio policristalino el cual es calentado, ya sea por
induccin de radio frecuencia o por el mtodo de una resistencia trmica,
hasta llegar al punto de fusin del silicio (1412 C) el crisol rota durante el
crecimiento para prevenir la formacin de calor local o regiones fras, para
una mejor distribucin de la temperatura.
La atmsfera alrededor del aparato para hacer crecer el cristal o jalador de
cristal es controlada para prevenir la contaminacin del silicio fundido. El
argn es el gas a menudo usado para tener un ambiente adecuado. Cuando
la temperatura del silicio se ha estabilizado, un pedazo de silicio con una
orientacin deseada (por ejemplo, <111>), el cual es llamado cristal semilla,
es bajado por medio de la flecha porta semilla hasta el silicio fundido lo cual
es el punto de partida para el subsecuente crecimiento hasta obtener un
cristal mucho ms grande. Como la parte baja del cristal semilla empieza a
fundirse en el silicio fundido, el movimiento hacia abajo del bastn o flecha
cargadora se invierte hacia arriba. Como el cristal semilla es lentamente
jalado desde la fundicin, el silicio fundido adherido al cristal ms fro o
solidificado toma la estructura cristalina del cristal semilla, que le sirve de
patrn o plantilla. El cristal semilla es, por lo tanto, usado para iniciar el
crecimiento del lingote de silicio monocristalino con la orientacin correcta
del cristal. La flecha cargadora contina su movimiento hacia arriba
formando un cristal regular ms grande. El crecimiento del cristal termina
hasta que el silicio del crisol es totalmente vaciado. Por medio de un
cuidadoso control de la temperatura del crisol y la velocidad de rotacin del
crisol y de la flecha cargadora, el dimetro del lingote puede ser controlado
y mantenido con precisin
10
1.2. Materiales semiconductores

Los materiales de estado slido pueden ser agrupados en tres clases
aislantes, semiconductores, y conductores. La Fig. 4 muestra los rangos de
conductividad elctrica (y la correspondiente resistividad =) asociada
con algunos de los materiales ms importantes de cada una de las tres
clases. Aislantes tales como cuarzo fundido y el vidrio tienen muy bajas
conductividades del orden de 10-18-10-8 S/cm; y conductores tales como el
aluminio y plata tienen muy altas conductividades, tpicamente de 10 4 a 106
S/cm. Los semiconductores tienen
Fig. 4
Rangos tpicos de conductividades para aislantes, semiconductores, y conductores.
conductividades entre los aislantes y los conductores. La conductividad de un

semiconductor es generalmente sensible a la temperatura, iluminacin,
campo magntico, y a la cantidad de tomos de impureza con que haya sido
impurificado (tpicamente, alrededor de 1 g a 1 g de tomos de impurezas
en 1 kg de material semiconductor). Esta sensibilidad en conductividad hace
11

de los semiconductores uno de los materiales ms importantes para
aplicaciones electrnicas.
El estudio de los materiales semiconductores empez en los aos de 1900. Al

paso de los aos una gran cantidad de semiconductores han sido
investigados. La tabla 2 muestra una porcin de la tabla peridica de los
elementos
qumicos
relativa
los
semiconductores.
Los
elementos
semiconductores que estn compuestos de una sola especie de tomos, tales

como el silicio (Si) y el germanio (Ge), pueden ser encontrados en la
columna IV. A principios de los aos 50s, el germanio fue el material
semiconductor ms usado. Desde principio de los aos 60s el silicio sustituy
prcticamente
el
germanio
como
material
para
la
fabricacin
de
semiconductores. La razn principal por la que ahora se usa silicio es que los
dispositivos de silicio exhiben mejores propiedades a temperatura ambiente,
y de que el dixido de silicio de alta calidad puede ser crecido trmicamente.
Hay tambin consideraciones econmicas. Los dispositivos
Tabla
Porcin
de
la
Tabla
Peridica
Relativa
los
Semiconductores
Perido
Columna II
IV
VI
Boro
Carbono
Nitrgeno
Oxgeno
Mg
Al
Si
Magnesio
Aluminio
Silicio
Fsforo
Asufre
III
Zn
Ga
Ge
As
Se
Zinc
Galio
Germanio
Arsnico
Selenio
Cd
In
Sn
Sb
Te
Cadmio
Indio
Tin
Antimonio
Teluro
Hg
Pb
Mercurio
Plomo
12

de silicio graduado cuestan mucho menos que de cualquier otro material. El
silicio en la forma de slica y silicatos comprende un 23% de la corteza
terrestre, y es el segundo, despus del oxgeno en abundancia. Actualmente,
el silicio es uno de los elementos de la tabla peridica ms estudiados; y la
tecnologa de silicio es con mucho la ms avanzada de entre todas las
tecnologas de semiconductores.
En aos recientes a un nmero de semiconductores compuestos les han
encontrado
aplicacin
en
varios
dispositivos
electrnicos.
Los
semiconductores compuestos ms importantes de dos elementos y ms

estn listados en la tabla 3. Los compuestos binarios son una combinacin de
dos elementos de la tabla peridica. Por ejemplo, el arseniuro de galio
(GaAs) es un compuesto de las columnas III-V, respectivamente; es la
combinacin del galio (Ga) de la columna III y el arsnico de la columna V.
Adems de los compuestos binarios, los compuestos ternarios y cuaternarios
son fabricados para aplicaciones especiales. La aleacin semiconductora
AlxGa1-xAs, la cual contiene Al y Ga de la columna III y As de la columna V,
es un ejemplo de compuesto ternario, mientras que los compuestos
cuaternarios de la forma AxB1-xCyD1-y pueden ser obtenidos de combinacin
de varios semiconductores binarios y ternarios. Por ejemplo, GaP, InP, InAs
ms GaAs pueden ser combinados para obtener la aleacin semiconductora
GaxIn1-xAsyP1-y. Comparado con los semiconductores de elementos, la
preparacin
de
los
semiconductores
compuestos
en
un
solo
cristal
usualmente involucra procesos mucho ms complejos.

Muchos de los semiconductores compuestos tienen propiedades elctricas y
pticas diferentes al silicio. Estos semiconductores, especialmente el GaAs,
son usados principalmente en dispositivos
electrnicos de alta velocidad y
13

aplicaciones
fotnicas. Sin embargo no se conoce ms acerca de la
tecnologa de los semiconductores compuestos que acerca del silicio, los

avances en la tecnologa del silicio han apoyado el progreso de la tecnologa
de los semiconductores compuestos. En este trabajo nos enfocaremos
principalmente
con
los
dispositivos
fsicos
en
la
tecnologa
del
procesamiento del silicio y arseniuro de galio.

Los materiales semiconductores los estudiaremos como un solo cristal, esto
es, los tomos estn en arreglos peridicos en tres dimensiones. Los arreglos
peridicos de tomos en un cristal son llamados redes o retculas. En un
cristal, un tomo nunca se sale o se aleja de una posicin fija. La vibracin
trmica asociada a los tomos est centrada respecto a esta posicin. Para
un semiconductor dado, hay una celda unitaria que es representativa de su
propia retcula; por repeticin de la celda unitaria por todo el cristal se
genera la red entera.
Tabla 3
Materiales Semiconductores
Clasificacin general
Semiconductor
Smbolo
Elemento
Nombre
Si
Silicio
Ge
Germanio
IV-IV
SiC
Carbonato de silicio
III-V
AlP
Fosfato de aluminio
AlAs
Arseniuro de aluminio
AlSb
Antimonio de aluminio
GaN
Nitruro de galio
GaP
Fosfuro de galio
GaAs
Arseniuro de galio
GaSb
Antimonio de galio
InP
Fosfuro de indio
InAs
Arseniuro de indio
InSb
Antimonio de indio
ZnO
xido de zinc
Compuestos binarios
II-VI
14
IV-VI
Compuestos ternarios
Compuestos cuaternarios
ZnS
Sulfuro de zinc
ZnSe
Selenuro de zinc
ZnTe
Teluro de zinc
CdS
Sulfuro de cadmio
CdSe
Selenuro de cadmio
CdTe
Teluro de cadmio
HgS
Sulfuro de mercurio
PbS
Sulfuro de plomo
PbSe
Selenuro de plomo
PbTe
Teluro de plomo
AlxGa1-xAs
Arseniuro de galio aluminio
AlxIn1-xAs
Arseniuro de indio aluminio
GaAs1-xPx
Fosfuro de arsnico galio
GaIn1-xAs
Arseniuro de indio galio
GaxIn1-xP
Fosfuro de indio galio
Alx Ga1-x Asy Sb1-y
Antimonio de arsnico galio aluminio
Gax In1-x As1-y Py
Fosfuro de arsnico indio galio
Estructuras bsicas cristalinas

Existen en la naturaleza siete formas cristalina fundamentales: cbica,
tetragonal, ortorrmbica, hexagonal, trigonal o rombohdrica, monoclnica, y
triclnica. De donde se derivan las 14 redes de Bravais: cbica simple (cs),
cbica centrada en el cuerpo (bcc), cbica centrada en la cara (fcc);
tetragonal simple, y tetragonal centrada en el cuerpo; ortorrmbica simple,
ortorrmbica centrada en la base, ortorrmbica centrada en el cuerpo, y
ortorrmbica centrada en la cara; hexagonal simple; trigonal simple;
monoclnica simple y monoclnica centrada en la base; y triclnica simple.
El enfoque de este trabajo est dirigido hacia el silicio monocristalino, y
algunos compuestos cristalinos semiconductores cuyas estructuras cristalinas
son de la familia de las cbicas.
En la Fig. 5 se muestran algunas celdas unitarias cristalinas bsicas. La Fig
5a muestra un cristal con estructura de cbica simple (cs); sta tiene un
15

tomo en cada esquina de la red cbica, y cada tomo tiene seis tomos
equidistantes ms cercanos. La dimensin a es llamada constante reticular.
En la tabla peridica, solamente el polonio es cristalizado con una retcula
cbica simple. La Fig. 5b es un cristal con estructura de cbica centrada en el
cuerpo (bcc), que adems de los ocho tomos en las esquinas, de una cbica
simple, consta de un tomo centrado en el cubo. Los cristales que exhiben
una retcula bcc son el sodio y el tungsteno. La Fig. 5c muestra un cristal de
cbica centrada en la cara (fcc) que tiene un tomo centrado en cada una de
las seis caras del cubo adems de los ocho tomos de las esquinas. En este
caso, cada tomo tiene 12 tomos equidistantes ms cercanos. Un gran
nmero de elementos exhibe la forma de la retcula fcc, incluyendo el
aluminio, cobre, oro, y platino.
Fig. 5 Tres celdas unitarias cristalinas. ( a ) Cbica simple. ( b ) Cbica centrada en el cuerpo. ( c ) Cbica
centrada en la cara.
La estructura diamante o diamantina

Los elementos semiconductores, silicio y germanio, tienen una estructura
reticular diamantina como se muestra en la Fig. 6a. Esta estructura forma
parte de la familia de los cristales fcc y puede ser vista o considerada como
dos subretculas interpenetradas, una en la otra, con una de las subretculas
16

desplazada una de la otra por un cuarto de la distancia a lo largo de la
diagonal del cuerpo del cubo (por ejemplo a 3 4 ). Si bien los dos conjuntos
de tomos son idnticos qumicamente las dos subretculas son diferentes
desde el punto de vista de las estructuras cristalinas al considerar sus
propias caractersticas. Esto puede ser visto en la Fig. 6a que si un tomo de
la esquina tiene un tomo ms cercano en direccin de la diagonal del
cuerpo, entonces ste no tiene un tomo ms en la direccin opuesta.
Consecuentemente, se requieren estos dos tomos en la celda unitaria. La
celda unitaria de una estructura reticular diamante es un tetrahedrn en la
cual cada uno de estos cuatro tomos est rodeado por otros cuatro tomos
equidistantes ms cercanos, uno en cada esquina (referidos a la esfera
conectada con barras obscuras en la figura).
Fig. 6 ( a ) Red o retcula diamante. ( b ) Red zincblende
Muchos de los semiconductores compuestos
de las columnas III-V (por
ejemplo el GaAs) tienen una retcula zincblende o zincblenda, mostrada en la

figura 5b, la cual es idntica a la retcula diamante excepto en que una de las
subretculas fcc tiene tomos de la columna III (Ga) y la otra tiene tomos
de la columna V (As).
17
Planos de un cristal e ndices de Miller

En la Fig. 5b notamos que hay cuatro tomos en el plano ABCD y cinco el
plano ACEF (cuatro tomos en las esquinas y uno en el centro) y que el
espacio interatmico es diferente en cada uno de los dos planos. Por lo tanto
las propiedades del cristal respecto a cada plano son diferentes, y las
caractersticas elctricas del dispositivo adems de otras pueden depender
de la orientacin del cristal. Un mtodo conveniente de definir los varios
planos en un cristal es el uso de los ndices de Miller. Estos ndices son
obtenidos siguiendo los siguientes pasos:
1. Determinar las intercepciones del plano en los tres ejes cartesianos en
trminos de la constante reticular.
2. Tomar los recprocos de estos nmeros y hay qu reducirlos a tres
enteros guardando la misma relacin.
3. Encierre el resultado en un parntesis (hkl) como el ndice de Miller
para el plano.
1.3. Modelo de Enlace Covalente

Como ya fue estudiado en la seccin 1.2, cada tomo de la retcula
diamantina est rodeado de cuatro tomos equidistantes ms cercanos. La
Fig. 7a muestra las valencias o enlaces qumicos de esta red. Una forma
simple de representar el tetrahedrn es el diagrama de tomos con sus
enlaces en dos dimensiones, como se muestra en la Fig. 7b. Cada tomo
tiene cuatro electrones en su ltima rbita y cada tomo comparte estos
electrones
de
valencia
con
los
cuatro
tomos
ms
cercanos.
Este
compartimiento de electrones es conocido como enlace covalente; cada par

de electrones constituye un enlace covalente. El enlace covalente ocurre
entre dos tomos del mismo elemento o entre dos tomos de elementos
18

diferentes que tengan en su ltima capa electrnica la misma configuracin.
Cada electrn permanece igual cantidad de tiempo con cada ncleo. Sin
embargo, ambos electrones permanecen la mayor parte de su tiempo entre
los dos ncleos. La fuerza de atraccin ejercida por ambos ncleos sobre los
electrones mantiene a los dos tomos unidos.
El arseniuro de galio
se cristaliza como una retcula zincblende, la cual
tambin tiene un enlace de tetrahedrn. La fuerza de mayor enlace en el

GaAs es
Fig. 7 ( a ) Enlaces de un tetrahedrn. ( b ) Representacin esquemtica en dos dimensiones de los enlaces de un

tetrahedrn.
debido tambin al enlace covalente. Sin embargo, el arseniuro de galio tiene

una contribucin inica menor esto es una fuerza de atraccin electrosttica
entre cada in de Ga+ y sus cuatro iones ms cercanos de As-, o entre cada
in de As- y sus cuatro iones ms cercanos de Ga+. Electrnicamente, esto
significa que los pares de electrones de enlace consumen ligeramente ms
tiempo en el tomo de As que en el tomo de Ga.
19

A bajas temperaturas, los electrones estn enlazados en su propia red a base
de tetrahedrones; consecuentemente, ellos no estn disponibles para la
conduccin; y son llamados electrones de valencia. A temperaturas ms
altas, las vibraciones trmicas pueden llegar a romper el enlace covalente.
Cuando el enlace es roto o parcialmente quebrado, resulta un electrn libre
que puede participar en la conduccin de corriente; llamado electrn de
conduccin. En la Fig. 8a se muestra que un electrn de valencia en el silicio
puede llegar a ser un electrn libre. Quedando una deficiencia de electrn en
el enlace covalente. Esta deficiencia puede ser detectada y ocupada por
alguno de los electrones de valencia ms cercanos, lo cual da como resultado
que la deficiencia cambie de lugar, desde la posicin A a la posicin B, segn
se muestra en la figura 8b. Por lo tanto podemos considerar esta deficiencia
como una partcula similar a un electrn. Esta partcula ficticia es llamada
hueco. La cual es portadora de carga positiva y si se le aplica un campo
elctrico se mueve bajo la influencia de l, en direccin opuesta a la de un
Fig. 8 Representacin bsica de enlaces del silicio intrnseco. ( a ) Enlace roto en la posicin A, resultando un
electrn y un hueco de conduccin. ( b ) Un enlace roto en la posicin B.
20

electrn. Por lo tanto, ambos el electrn y el hueco contribuyen a la corriente
elctrica total. El concepto de hueco es anlogo al de una burbuja en un
lquido. Aunque es el lquido el que realmente se mueve, es mucho ms fcil
hablar acerca del movimiento de la burbuja en direccin opuesta.
1.4. Materiales Intrnsecos, Materiales Extrsecos

Ahora derivaremos la concentracin de portadores de carga en condiciones
de equilibrio trmico, esto es, en condicin de estado estable a una
temperatura dada sin ninguna excitacin externa tal como luz, presin, o
campo elctrico. A una temperatura dada, como resultado de la continua
agitacin trmica y la excitacin de los electrones desde la banda de valencia
hasta la banda de conduccin se generan un nmero igual de huecos en la
banda de valencia (pares electrn-hueco). Un semiconductor intrnseco es
aquel en que la cantidad de impurezas que contiene es relativamente
pequea comparada con la cantidad de pares electrn-hueco generados
trmicamente. Por lo que se considera a un semiconductor intrnseco como
un cristal puro o prcticamente puro
Para obtener la densidad de electrones (es decir, el nmero de electrones
por unidad de volumen) en un semiconductor intrnseco, primero evaluamos
la densidad de electrones en un incremento de energa dE. La densidad n(E)
est dada por el producto de la densidad de estados N(E), esto es, la
densidad
de
estados
energticos
permitidos
(considerando
el
spin
electrnico) por rango de energa por unidad de volumen y por la

probabilidad de ocupacin en este rango de energa F(E). Por lo tanto, la
densidad de electrones en la banda de conduccin est dada por la
integracin de N(E) F(E) dE desde la parte baja de la banda de conduccin
21

(Ec que inicialmente es tomada E = 0 por simplicidad) a la parte alta de la
banda de conduccin Etop:
Etop
n( E )dE
Etop
(4)
N ( E ) F ( E )dE
donde n est dada en cm-3, y N(E) en (cm3-eV)-1
En la seccin 1.6 se ver con ms detalle que para un semiconductor

intrnseco, el nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de
conduccin es igual al nmero de huecos por unidad de volumen en la banda
de valencia, esto es, n = p = ni donde ni es la densidad intrnseca de
portadores de carga. Esta relacin de electrones y huecos es descrita en la
Fig. 15d. Note que el rea sombreada en la banda de conduccin es la misma
que la de la banda de valencia.
La densidad intrnseca de portadores de carga es obtenida a partir de las
Ecs. 16,17 y 19
np ni
(20)
ni N C NV exp E g kT
(21)
ni N C NV exp E g 2kT
(22)
As como tambin se ver en la seccin 1.7 que cuando un semiconductor es

dopado o contaminado con impurezas, el semiconductor se convierte en
22

extrnseco y son introducidos niveles de energa por dichas impurezas. La
Fig. 16a muestra esquemticamente que si un tomo de silicio es
reemplazado (o sustituido) por un tomo de arsnico con cinco electrones de
valencia. El tomo de arsnico forma enlaces covalentes con sus cuatro
tomos de silicio ms cercanos. El quinto electrn tiene relativamente una
pequea energa de enlace con su tomo de arsnico y puede ser ionizado y
convertirse en un electrn de conduccin a temperaturas moderadas.
Decimos que estos electrones han sido donados a la banda de conduccin.
El tomo de arsnico es llamado donador y el silicio se convierte en un
semiconductor tipo n por la adicin de portadores de carga negativos
semiconductor extrnseco tipo n. Similarmente, la Fig. 16b muestra que
cuando un tomo de boro con tres electrones de valencia sustituye un tomo
de silicio, un electrn adicional es aceptado para completar cuatro
electrones covalentes en torno al boro, y as una carga positiva hueco es
creada en la banda de valencia. Este es un semiconductor tipo p, y el boro es
un aceptor tenemos ahora un semiconductor extrnseco tipo p.
1.5. Modelo de bandas de energa

Niveles de energa tomos aislados
En un tomo aislado, los electrones pueden tener niveles discretos de
energa. Por ejemplo, los niveles de energa de un tomo de hidrgeno
aislado estn dados por el modelo de Bohr:
E H m0 q 4 8 0 h 2 n 2 13.6 n 2
2
eV
(5)
donde m0 es la masa del electrn libre, q es la carga del electrn, eo es la

permitividad del espacio libre, h es la constante de Planck, n es un entero
23

positivo llamado nmero cuntico principal. La cantidad eV (electrn volt) es
la unidad de energa correspondiente a la energa ganada por un electrn
cuando su potencial es incrementado por un volt. Y es igual al producto de q
(1.6 x 10-19 coulomb) y un volt, o 1.6 x 10-19 J. Las energas discretas son 13.6 eV para el nivel energtico estado de reposo (n = 1), -3.4 eV para el
primer nivel energtico estado excitado (n = 2), etc. Estudios ms detallados
revelan que para nmeros cunticos principales ms altos (n 2), los
niveles de energa son compartidos de acuerdo a su nmero cuntico angular
(l = 0, 1, 2, ,n-1).
Ahora consideraremos dos tomos idnticos. Cuando ellos estn lejanos, los
niveles energticos asociados para un nmero cuntico principal (por
ejemplo, n = 1) tenemos un doble nivel degenerado, esto es, ambos tomos
tienen exactamente la misma energa. Cuando se acercan los tomos entre
s, los dobles niveles de energa degenerados se despliegan en dos niveles
energticos por la interaccin entre los dos tomos. Como un nmero N de
tomos aislados son unidos hasta formar un slido, las rbitas de los
electrones externos de diversos tomos se superponen interactuando entre s
con cada uno de ellos. Esta interaccin, incluyendo las fuerzas de atraccin y
repulsin entre tomos, causa un movimiento de los niveles de energa,
como en el caso de la interaccin de dos tomos. Por lo que, en vez de
generar dos niveles, se forman N niveles pero separados por pequeos
espacios. Cuando N es grande, el resultado es esencialmente una banda de
energa continua. Esta banda de N niveles se extiende a unos pocos eV
dependiendo de la distancia interatmica del cristal que se trate. La Fig. 9
muestra el efecto explicado anteriormente, donde el parmetro a representa
la distancia interatmica de equilibrio del cristal.
24
Fig. 9 Separacin de un estado degenerado en una banda de energas permitidas.
En realidad la distribucin de los niveles de energa o separacin entre ellos

es mucho ms complicada. La figura 10 muestra un tomo de silicio aislado
que tiene 14 electrones. De los 14 electrones, 10 ocupan niveles energticos
ms profundos cuyo radio orbital es mucho ms pequeo que la separacin
interatmica en el cristal. Los cuatro electrones de valencia restantes estn
dbilmente enlazados relativamente y pueden ser involucrados en reacciones
qumicas. Es por ello que necesitamos considerar solamente la capa ms
externa (el nivel n = 3) para los electrones de valencia, dado que las otra
dos capas internas estn completamente llenas y fuertemente enlazados al
ncleo. La subcapa 3s (es decir, n = 3, y l = 0) tiene dos estados cunticos
asociados por tomo. Esta subcapa contendr dos electrones de valencia a T
= 0 K. La subcapa 3p (es decir, n = 3, y l = 1) tiene seis estados cunticos
asociados por tomo. Esta subcapa contendr los otros dos electrones de
valencia de un tomo individual de silicio
25
Fig. 10 Representacin esquemtica de un tomo de silicio aislado
La Fig. 11 es un diagrama esquemtico de la formacin de de un cristal de

silicio de N tomos aislados. Cuando la distancia interatmica disminuye, las
subcapas 3s y 3p de lo N tomos de silicio interactuarn y se superpondrn.
A una distancia interatmica de
equilibrio, las bandas otra vez se
desplegarn, con cuatro estados cunticos por tomo en la banda baja y

cuatro estados cunticos por tomo en la banda superior. A una temperatura
de cero absoluto, los electrones ocupan los estados energticos ms bajos,
as que todos los estados de la banda de abajo (la banda de valencia) estar
llena y todos los estados de la banda superior (la banda de conduccin)
estarn vacos. La parte baja de la banda de conduccin es llamado Ec, y la
parte alta de la banda de valencia es llamada Ev. La banda de energa Eg
entre la parte baja de la banda de conduccin y la parte alta de la banda de
valencia (Ec Ev) es el ancho de la banda prohibida, como se muestra en la
parte izquierda de la Fig. 11. Fsicamente, Eg es la energa requerida para
26

romper un enlace en el semiconductor y liberar un electrn que pasa a la
banda de conduccin y deja un hueco en la banda de valencia.
Fig. 1 1 Formacin de las bandas de energa de un cristal con retcula diamante la cual es formada por tomos de
silicio aislados que fueron unidos.
Diagrama de Energa-Momento
La energa E de un electrn libre est dada por
p2
2m 0
(6)
donde p es el momentum o cantidad de movimiento lineal y mo es la masa

del electrn libre. Si graficamos E vs. P, obtenemos una parbola como se
muestra en la Fig. 12. En un cristal semiconductor, un electrn en la banda
de conduccin es similar a un electrn libre en donde es relativamente libre
de moverse dentro del cristal. Sin embargo, debido al potencial peridico de
27

los ncleos la Ec. 6 puede no ser totalmente vlida. Pero si queremos seguir
usando esta ecuacin remplazaremos
la masa del electrn libre por una
masa efectiva mn (el subndice n se refiere a la carga negativa de un

electrn), esto es,
p2
2m n
(7)
Fig. 1 2 La curva parablica para un electrn energa (E) vs momentum (p)
La
masa
efectiva
del
electrn
depende
de
las
propiedades
del
semiconductor. Si tenemos una relacin energa-momento descrita por la Ec.

7, podemos obtener la masa efectiva a partir de la segunda derivada de E
con respecto de p:
d 2E
m0 2
dp
(8)
por lo que podemos ver que a una parbola ms angosta corresponde una
segunda derivada ms grande y una masa efectiva ms pequea. Una
expresin similar puede ser escrita para los huecos (con masa efectiva mp
donde el sundice p se refiere a la carga positiva de un hueco). El concepto
28

de masa efectiva es ampliamente aceptado debido a que los electrones y
huecos son tratados esencialmente como partculas clsicas cargadas.
La Fig. 13 muestra una relacin simplificada
de energa-momento
semiconductor especial con una masa efectiva de sus electrones de
de un
mn =
0.25 mo en la banda de conduccin (la parbola superior) y una masa

efectiva de sus huecos en la banda de valencia (la parbola inferior). Note
que la energa de los electrones es medida hacia arriba y que la energa de
los huecos es medida hacia abajo. El espacio entre las dos parbolas en p =
0 es la banda prohibida Eg, mostrada previamente en la Fig. 11.
Realmente la relacin energa-momento (tambin llamado diagrama de
bandas de energa) para el silicio y el arseniuro de galio son mucho ms
complejas. Las cuales son mostradas en la Fig. 14 para dos cristales.
Notemos que las caractersticas generales de esta figura son similares a las
de la Fig. 13. Primero que todo, hay una banda prohibida Eg entre la parte
baja de la banda de conduccin y la parte alta de la banda de valencia.
Segundo, cerca del mnimo de la banda de conduccin o del mximo de la
banda de valencia, las curvas E-p son esencialmente parablicas. Para el
silicio, Fig. 14a, el mximo en la banda de valencia ocurre en p = 0, pero el
mnimo en la banda de conduccin ocurre en la direccin [100] en p = pc. Es
por esto que, en el silicio, cuando un electrn hace una transicin desde el
punto mximo de la banda de valencia al punto mnimo de la banda de
conduccin, no solamente requiere un cambio de energa (>Eg) sino que
tambin un cambio en el momentum ( pc).
29
Fig. 1 3 Un diagrama esquemtico de energa-momentum para un semiconductor con mn = 025 m0 y mp = mn
Para el arseniuro de galio, Fig. 14b, el mximo en la banda de valencia y el

mnimo en la banda de conduccin ocurre en el mismo momentum (p = 0).
As, un electrn puede hacer su transicin desde la banda de valencia a la
banda de conduccin sin un cambio de momentum
El arseniuro de galio es llamado semiconductor directo, por que no requiere
un cambio de momentum para la transicin de un electrn desde la banda de
valencia a la banda de conduccin. El silicio es llamado semiconductor
indirecto, porque un cambio de de momentum es requerido en una
transicin. Esta diferencia entre una estructura cristalina de banda directa e
indirecta es de consideracin y de suma importancia en el funcionamiento de
los diodos emisores de luz y los semiconductores lasers. Estos dispositivos
requieren semiconductores directos para una eficiente generacin de fotones.
30
Fig. 1 4 Estructura de bandas de energa del Si y del GaAs. Los crculos ( ) indican huecos en la banda de valencia
y los puntos () indican electrones en la banda de conduccin.
Podemos obtener la masa efectiva desde la Fig. 14 usando la Ec. 8. Por

ejemplo, para el arseniuro de galio en donde la banda de conduccin tiene la
forma de una parbola muy angosta, la masa efectiva es 0.063m0, y para el
silicio, con la banda de conduccin parablica ms ancha, la masa efectiva es
0.19m0.
Conduccin en metales, semiconductores, y aislantes
La
enorme
variacin
de
la
conductividad
elctrica
de
los
metales,
semiconductores, y aislantes mostrada en la Fig. 4 puede ser explicada

cualitativamente en trminos de sus bandas de energa. Veremos que la
ocupacin de electrones de la banda ms alta o de las dos bandas ms altas
determina la conductividad de un slido. La Fig. 15 muestra los diagramas de
31

bandas de energa de tres clases de slidos- metales, semiconductores, y
aislantes.
Fig. 1 5 Representacin esquemtica de las bandas de energa. (a ) Un conductor con dos posibilidades (ambas, la
banda de conduccin parcialmente llena mostrada en la parte superior o las bandas traslapadas mostradas en la
porcin de abajo), (b) Un semiconductor, y (c) Un aislante.
1.6. Distribucin de Fermi-Dirac y Distribucin de MaxwellBoltzmann

La probabilidad de que un electrn
ocupe un estado electrnico permitido
con energa E est dado por la funcin de distribucin de Fermi- Dirac, la

cual es tambin conocida como funcin de distribucin de Fermi
F (E)
1
1 e
( E EF ) kT
(10)
Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta
en
grados Kelvin, y EF es la energa del nivel Fermi. La energa Fermi es la

energa en la cual la probabilidad de ocupacin (de un estado energtico) por
un electrn es exactamente un medio. La distribucin de Fermi es ilustrada
32

en la Fig. 16 para diferentes temperaturas. Note que F(E) es simtrica
respecto de la energa de Fermi EF. Para energas que estn 3kT por arriba o
por debajo de la energa de Fermi, el trmino exponencial de la Ec. 10 llega
a ser ms grande que 20 o ms pequeo que 0.05, respectivamente. La
funcin de distribucin de Fermi-Dirac pude por lo tanto ser aproximada a
expresiones ms simples:
F(E) = e-(E EF)/kT
para
(E - EF) > 3kT
(11a)
F(E) = 1- e-(E EF)/kT
para
(E - EF) < - 3kT
(11b)
la ecuacin 11b puede ser interpretada como la probabilidad de que un

hueco ocupe un estado con energa E.
La Fig. 17 muestra esquemticamente de izquierda a derecha el diagrama de
bandas, la densidad de estados N(E), la cual vara con
efectiva del electrn dada, la
E para una masa
funcin de distribucin de Fermi, y la
concentracin de portadores de carga para un semiconductor intrnseco. La

concentracin de portadores de carga puede ser obtenida grficamente de la
Fig. 17 usando Ec. 9; esto es, el producto N(E) de la Fig. 17b y F(E) de la
17c que da la curva n(E)-versus-E (curva superior) de la Fig. 17d. El rea
superior sombreada de la Fig. 17d corresponde a la densidad de electrones.
Hay un gran nmero de
estados energticos permitidos en la banda de
conduccin. No obstante, para un semiconductor intrnseco no habr muchos

electrones en la banda de conduccin. Por lo que, la probabilidad de que un
electrn ocupe uno de estos estados es pequea. Hay tambin un gran
nmero de estados permitidos en la banda de valencia. Por el contrario, la
33

mayora de stos estn ocupados por electrones. Por lo tanto, la probabilidad
de que un
Fig. 16 Funcin de distribucin de Fermi-Dirac F(E) vs (E - EF) para varias temperaturas
Fig. 1 7
Semiconductor intrseco.
(a) Diagrama esquemtico de bandas. (b) Densidad de estados. ( c ) Funcin de
distribucin de Fermi.( d ) Concentracin de portadores de carga.
electrn ocupe uno de estos estados en la banda de valencia es muy cercana

a la unidad. Habr unos pocos estados electrnicos desocupados, esto es,
huecos, en la banda de valencia. Como puede verse, el nivel Fermi est
localizado en la parte media de la banda prohibida (es decir, EF est muchas
34

veces kT por debajo de Ec). Sustituyendo la ltima ecuacin del apndice H
y la ecuacin 11a en la Ec. 4
N C kT
3 2
E 1 2 exp E EC kT dE ,
(12)
Donde
N C 12 2mn kT h 2
2 2mn kT h 2
32
32
para el Si
(13a)
para el GaAs
(13b)
Tomamos ETop como porque F(E) llega a ser muy pequea cuando (E - EC)
>>
kT
Si hacemos x E kT , la Ec. 12 nos da
N C exp E F kT x1 2 e x dx .
(14)
La integral de la Ec. 14 es de la forma estndar y es igual a

nos queda
2 . Por lo que
n N C exp E F kT
(15)
Si ahora nos referimos a la parte baja de la banda de conduccin como EC

en vez de E = 0. Obtenemos para la densidad de electrones en la banda de
conduccin
n N C exp EC E F kT
(16)
35

Donde la NC definida en la Ec. 13 es la densidad efectiva de estados en
la banda de conduccin. A temperatura ambiente (300 K). NC es 2.86 x
1019 cm-3 para el silicio y 4.7 x 1017 cm-3 para el arseniuro de galio.
Similarmente puede ser obtenida la densidad de huecos p en la banda de
valencia
p NV exp E F EV kT
NV 2 2m p kT h 2
32
(17)
(18)
donde NV es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia

para ambos semiconductores Si y GaAs. A temperatura ambiente NV es 2.66
x 1019 cm-3 para el silicio y 7.0 x 1018 cm-3 para el arseniuro de galio.
Para un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones por unidad de
volumen en la banda de conduccin es igual al nmero de huecos por unidad
de volumen en la banda de valencia, esto es, n = p = ni donde ni es la
densidad intrnseca de portadores de carga. Esta relacin de electrones y
huecos es descrita en la Fig. 17d. Note que el rea sombreada en la banda
de conduccin es la misma que la de la banda de valencia.
1.7. Nivel de Fermi en Materiales Intrnsecos y Extrnsecos

El nivel Fermi para un semiconductor intrnseco es obtenido igualando la Ec.
16 y la Ec. 17:
EF Ei EC EV 2 (kT ) 2 ln NV N C
(19)
36

A temperatura ambiente, el segundo trmino es mucho menor que la banda
prohibida. De aqu que el nivel intrnseco de Fermi Ei de un semiconductor
intrnseco generalmente est muy cercano a la parte media de la banda
prohibida.
La densidad intrnseca de portadores de carga es obtenida a partir de las
Ecs. 16,17 y 19
np ni
(20)
ni N C NV exp E g kT
(21)
ni N C NV exp E g 2kT
(22)
donde E g EC EV .
Donadores y aceptores
Cuando un semiconductor es dopado o contaminado con impurezas, el
semiconductor se convierte en extrnseco y son introducidos niveles de
energa por dichas impurezas. La Fig. 18a muestra esquemticamente que si
un tomo de silicio es reemplazado (o sustituido) por un tomo de arsnico
con cinco electrones de valencia. El tomo de arsnico forma enlaces
covalentes con sus cuatro tomos de silicio ms cercanos. El quinto electrn
tiene relativamente una pequea energa de enlace con su tomo de arsnico
y puede ser ionizado y convertirse en un electrn de conduccin a
temperaturas moderadas. Decimos que estos electrones han sido donados
a la banda de conduccin. El tomo de arsnico es llamado donador y el
37

silicio se convierte en un semiconductor tipo n por la adicin de portadores
de carga negativos semiconductor extrnseco tipo n. Similarmente, la Fig.
18b muestra que cuando un tomo de boro con tres electrones de valencia
sustituye un tomo de silicio, un electrn adicional es aceptado para
completar cuatro electrones covalentes en torno al boro, y as una carga
positiva
hueco
es
creada
en
la
banda
de
valencia.
Este
es
un
semiconductor tipo p, y el boro es un aceptor tenemos ahora un

semiconductor extrnseco tipo p.
Podemos estimar la energa
de
ionizacin ED para los donadores
reemplazando m0 con la masa efectiva del electrn y tomando en

consideracin la permitividad del semiconductor es en el modelo del tomo
de hidrgeno de la Ec. 5:
Fig. 1 8 Dibujos esquemticos de enlaces para ( a ) Silicio tipo

aceptor (boro)
n con donador (arsnico) y ( b ) Silicio tipo p con
38
E D 0
D
mn
m0
E H
(23)
La energa de ionizacin para los donadores medido desde el filo de la banda

de conduccin, calculado a partir de la Ec. 23 es 0.025 eV para el silicio y
0.007 eV para el arseniuro de galio. El clculo del nivel de ionizacin de los
aceptores respecto del tomo de hidrgeno es igual que para los donadores.
Consideramos la banda de valencia desocupada como una banda llena por un
hueco en un campo elctrico con fuerza de un aceptor con carga negativa. La
energa de ionizacin calculada, medida desde el filo de la banda de valencia,
es de 0.05 eV para el silicio y el arseniuro de galio.
Este modelo simple del tomo de hidrgeno no puede tomar en cuenta los
detalles
de
la
energa
de
ionizacin,
particularmente
para
los
semiconductores con niveles de impureza profundos (es decir, con energas

de
ionizacin
3kT ).
Sin
embargo,
los
clculos
hechos
predicen
correctamente el orden de la magnitud de las energas de ionizacin

verdaderas para niveles de impureza superficiales. La Fig. 19 muestra las
medidas de la energa de ionizacin para varas impurezas en el silicio y en el
arseniuro de galio.8 Note que esto es posible para un solo tomo que tiene
muchos niveles; por ejemplo, el oxgeno en el silicio tiene dos
niveles donadores y dos niveles aceptores dentro de la banda de energa
prohibida.
Semiconductores no degenerados
En la discusin previa, hemos asumido que la concentracin de electrones y
huecos es mucho ms pequea que la densidad efectiva de estados en la
39
Fig. 1 9 Energas de ionizacin dadas en (eV) para varias impurezas en Si y GaAs. Los niveles por abajo del centro
de la banda prohibida son niveles aceptores y estn medidos desde la parte alta de la banda de valencia y solamente
los indicados por D son niveles donadores. Los niveles por arriba de la lnea de centro de la banda prohibida son
niveles donadores y estn medidos desde la parte baja de la banda de conduccin y nicamente los indicados por A
son niveles aceptores.
banda de conduccin o en la banda de valencia, respectivamente. En otras

palabras, el nivel Fermi E F est no ms de 3kT por arriba de EV o no ms de
3kT por debajo de EC . Para tales casos, el semiconductor es referido como
un semiconductor no degenerado.
Para donadores superficiales en el silicio y en el arseniuro de galio,
usualmente es suficiente la energa trmica para suplir la energa de
ionizacin E D en todas las impurezas donadoras a temperatura ambiente y
as proveer el mismo nmero de electrones en la banda de conduccin. Esta
condicin es llamada ionizacin completa. Bajo una condicin de ionizacin
completa, podemos escribir la densidad de electrones como
40
n ND ,
(24)
donde N D es la concentracin de impurezas donadoras. La Fig. 20a , ilustra la

ionizacin completa donde el nivel de donadores E D es medido con respecto
de la parte baja de la banda de conduccin y tambin son mostrados igual
concentracin de electrones (los cuales son mviles) y los iones donadores
(los cuales estn inmviles). A partir de las Ecs. 16 y 24, obtenemos el nivel
Fermi en trminos de la densidad efectiva de estados N C y la concentracin
de donadores N D :
EC E F kT ln( N C N D )
(25)
Similarmente, para aceptores superficiales como se muestra en la Fig. 20b , si

todos ellos estn completamente ionizados la concentracin de huecos es
p NA
(26)
Donde N A es la concentracin de aceptores. Podemos obtener el nivel Fermi

correspondiente de las Ecs. 17 y 26:
Fig. 20 Representacin esquemtica de las bandas de energa de un semiconductor extrnseco con ( a ) donadores
ionizados y ( b ) aceptores ionizados.
41
(27)
E F EV kT ln( NV N A )
De la Ec. 25 podemos ver que a una mayor concentracin de donadores,

disminuye la diferencia de energa ( EC E F ) , esto es, el nivel Fermi se
mover cerca de la parte baja de la banda de conduccin; entre ms sea la
concentracin
de
donadores,
ms
se
acerca
el
nivel
Fermi
EC .
Similarmente, entre mayor sea la concentracin de aceptores, el nivel Fermi

ms se acerca a la parte alta de la banda de valencia. La Fig. 21 ilustra el
procedimiento para obtener la concentracin de portadores de carga. Esta
figura es similar a la mostrada en la Fig 17. Pero ahora, el nivel Fermi est
ms cercano a la parte baja de la banda de conduccin, y la concentracin de
electrones (rea sombreada superior) es mucho ms grande que la
concentracin de huecos (rea sombreada inferior).
Fig. 21
Semiconductor tipo n. ( a ) Diagrama esquemtico de bandas ( b ) Densidad de estados ( c ) funcin de
distribucin de Fermi ( d ) Concentracin de portadores de carga. Ntese que
np ni .
2
Es muy usual expresar la densidad de electrones y huecos en trminos de la

concentracin de portadores de carga intrnsecos
ni
y el nivel Fermi
42

intrnseco E i ya que E i es frecuentemente usado como un nivel de referencia
en el estudio de semiconductores extrnsecos. De la Ec. 16 obtenemos
n N C exp EC E F kT ,
N C exp ( EC Ei ) kT exp ( EF Ei ) kT ,
o
n ni exp ( E F Ei ) kT ,
(28)
p ni exp ( Ei E F ) kT
(29)
y similarmente,
Note que el producto de n y p de las Ecs. 28 y 29 es igual a ni . Este

2
resultado es idntico al caso intrnseco, la Ec. 20. Esta Ec. Es llamada ley de
masa activa, la cual es vlida para ambos tipos de semiconductores
intrnsecos y extrnsecos bajo conduccin en equilibrio trmico. En un
semiconductor extrnseco, el nivel Fermi se mueve hacia la parte baja de la
banda de conduccin (tipo n) o hacia la parte alta de la banda de valencia
(tipo p). Cualquiera de los dos tipos de portadores de carga n o p dominar,
pero el producto de los dos tipos de portadores permanecer constante a una
temperatura dada.
EJEMPLO
Un lingote de silicio es dopado con 3.7 x 1016 tomos de arsnico/cm3.
Encontrar la concentracin de portadores de carga y el nivel Fermi a
temperatura ambiente (300 K).
43
SOLUCIN
A 300 K, podemos asumir que los tomos de impurezas
estn ionizados completamente. Tenemos

n N D 3.7 x1016 cm 3
De la Ec. 20
p ni
N D (9.65x109 ) 2 3.7 x1016 2.51x10 2 cm 3
El nivel Fermi medido desde la parte baja de la banda de conduccin

est dado por la Ec. 25
EC E F kT ln( N C N D )
0.0259 ln 2.86 x1019 3.7 x1016 0.172eV
El nivel Fermi medido desde el nivel intrnseco de Fermi est dado por
la Ec. 28
n ni exp ( E F Ei ) kT ,
E F Ei kT ln( N D ni )
0.0259 ln 3.7 x1016 9.65x109 0.393eV
Estos resultados son observados en la Fig. 22.

Si
ambas
impurezas
donadoras
aceptoras
estn
presentes
simultneamente, la impureza que est en mayor concentracin determina el

tipo
de
conductividad
en
el
semiconductor.
El
nivel
Fermi
deber
autoajustarse para preservar la neutralidad de carga, esto es, las cargas
44

negativas totales (electrones y aceptores ionizados) debern ser iguales a las
cargas positivas totales (huecos donadores ionizados). Bajo la condicin de
ionizacin completa, tenemos
n N A p ND ,
(30)
resolviendo las Ecs. 20 y 30 considerando la concentracin de electrones y

huecos equilibrada en un semiconductor tipo n :
n 1 N D N A
2
N D N A 2 4ni 2 ,
p n n i nn
2
(31)
(32)
El subndice n se refiere al semiconductor tipo n . Porque los electrones son

los portadores de carga dominantes, estos son llamados portadores de carga
Fig. 22 El diagrama de bandas muestra el nivel Fermi EF y el nivel intrnseco de Fermi E i.
mayoritarios. Los huecos en el semiconductor tipo n son llamados portadores

de carga minoritarios. Similarmente, obtenemos la concentracin de huecos
45

(portadores de carga mayoritarios) y electrones (portadores de carga
minoritarios) en un semiconductor tipo p :
p 1 N A N D
2
N A N D 2 4ni 2
(33)
n p ni
(34)
pp
El subndice p se refiere al semiconductor tipo p .
1.8. Conductividad, Movilidad, Proceso de Difusin

Movilidad
Consideraremos una muestra de semiconductor tipo n con una concentracin
uniforme de donadores en equilibrio trmico. Como ya se estudi en
secciones anteriores la conduccin de electrones en un semiconductor en la
banda de conduccin es esencialmente por partculas libres, as que no estn
asociadas con alguna retcula partcula o localizacin de los donadores. La
influencia de la retcula del cristal est incorporada en la masa efectiva de los
electrones de conduccin, la cual difiere de la masa del electrn libre. Bajo
equilibrio trmico, el promedio de energa trmica de un electrn de
conduccin puede ser obtenido a partir del teorema de equiparacin de
energa, 1 2 kT unidades de energa por grado de libertad, donde k es la
constante
de
Boltzmann
es
la
temperatura
absoluta.
En
un
semiconductor los electrones tienen tres grados de libertad; ellos pueden

moverse en las tres dimensiones del espacio. Por lo tanto, la energa cintica
de los electrones est dada por
46
1
3
mn vth2 kT
2
2
(35)
donde mn es la masa efectiva de un electrn y vth es la velocidad trmica

promedio. A temperatura (300 K) la velocidad trmica promedio de los
electrones en la Ec. 35 es alrededor de 10 7 cm/s para el silicio y el arseniuro
de galio.
Es por esto que los electrones en un semiconductor estn movindose
rpidamente en todas direcciones. El movimiento trmico de un electrn
individual puede ser visualizado como una sucesin de movimientos
aleatorios y de colisiones con los tomos de la retcula, tomos de impureza,
y otros centros de dispersin, como se ilustra en la Fig. 23a. El movimiento
aleatorio de los electrones da un desplazamiento neto cero de un electrn en
un perodo de tiempo suficientemente largo. La distancia promedio entre
colisiones
es llamada trayectoria media libre, y el tiempo promedio libre
entre colisiones es llamado tiempo medio libre c . Un valor tpico para la

trayectoria promedio libre es de 10-5 cm , c es alrededor de 1 ps (es decir,
10 5 vth 10 12 s ).
Cuando es aplicado un
pequeo campo elctrico E a una muestra de
semiconductor, cada electrn experimentar una fuerza qE debido al

campo y ser acelerado a lo largo del campo (en direccin opuesta al campo)
durante el tiempo entre colisiones. Por lo tanto, una componente de
velocidad adicional ser superpuesta sobre el movimiento trmico de los
electrones. Esta componente adicional es llamada velocidad de arrastre. El
desplazamiento combinado de un electrn del movimiento trmico aleatorio y
47

la componente de arrastre es ilustrado en la Fig. 23b. Note que hay un
desplazamiento neto del electrn en direccin opuesta al campo aplicado.
Fig. 23 Trayectoria esquemtica de un electrn en un semiconductor. ( a ) Movimiento trmico aleatorio. ( b )

Movimiento combinado debido a un movimiento trmico aleatorio y a un movimiento por un campo elctrico
aplicado.
Podemos obtener la velocidad de arrastre
vn
por la igualacin del
momentum (fuerza x tiempo) aplicado a un electrn durante el trayecto libre

entre colisiones y el momentum ganado por el electrn en el mismo perodo.
La igualacin es vlida porque en estado estable todo el momentum ganado
entre colisiones se pierde en la red al chocar. El momentum aplicado por el
campo elctrico a un electrn est dado por qE c , y el momentum ganado
es mn vn . Tenemos
qE C mn vn
(36)
o
vn
q c
E
mn
(36a)
La ecuacin 36a establece que la velocidad de arrastre del electrn es

proporcional al campo elctrico aplicado. El factor de proporcionalidad
depende del tiempo medio libre y de la masa efectiva. El factor de
48

proporcionalidad es llamado movilidad del electrn n
en unidades de
cm 2 V s o
q c
.
mn
(36)
vn n E
(37)
n
as,
La movilidad es un parmetro importante para el transporte de portadores

de carga porque sta describe cmo es de fuertemente influenciado el
movimiento de un electrn al aplicar un campo elctrico. Una expresin
similar puede ser escrita para los huecos en la banda de valencia:
v p p E
(38)
donde v p es la velocidad de arrastre de los huecos y p es la movilidad de

huecos. El signo negativo es quitado en la Ec. 38 porque los huecos son
arrastrados en la misma direccin del campo elctrico aplicado.
En la Ec. 36 la movilidad est
relacionada directamente al tiempo medio
libre entre colisiones, el cual en su momento es determinado por varios

mecanismos de dispersin. Los dos mecanismos ms importantes son
dispersin por la retcula y dispersin por impurezas. La dispersin por
impurezas resulta de la vibracin trmica de los tomos de la red a cualquier
temperatura por encima del cero absoluto. Estas vibraciones provocan
disturbios en el potencial peridico de la red y la energa permitida es
transferida entre los portadores y la retcula. Como la vibracin de la red se
incrementa cuando la temperatura se incrementada, la dispersin por la red
llega a ser dominante a temperaturas altas; por lo que la movilidad decrece
49

cuando la temperatura se incrementa. Un anlisis terico muestra que la
movilidad debido a la dispersin por red L decrecer en proporcin a T 3 2 .
La dispersin por impurezas resulta cuando un portador de carga viaja cerca
de una impureza dopante (donador o aceptor). La trayectoria de los
portadores de carga ser deflectada por la interaccin las fuerzas de
Coulomb. La probabilidad de la dispersin por impurezas depende de la
concentracin total de impurezas ionizadas, esto es, la suma de la
concentracin de cargas negativas y positivas. Por lo que, a diferencia de la
dispersin por red, la dispersin por impurezas llega a ser insignificante a
altas temperaturas. A altas temperaturas, los portadores de carga se
mueven ms rpido; ellos pasan cerca del tomo de impureza por un tiempo
corto y son entonces menos efectivamente dispersados. Puede ser mostrado
tericamente que la movilidad debido a la dispersin por impurezas I vara
como T 3 2 N T , donde N T es la concentracin total de impurezas.
La probabilidad de que una colisin tome lugar por unidad de tiempo es, 1 c ,
que es la suma de las probabilidades de colisin debido a los varios
mecanismos de dispersin:
c ,red
c ,impureza
(39)
(40)
50

EJEMPLO
Calcular el tiempo medio libre de un electrn que tiene una movilidad de
1000 cm 2 V s a 300 K; tambin calcular la trayectoria media libre. Asuma
que mn 0.26m0 en estos clculos.
SOLUCIN
De la Ec. 36, el tiempo medio libre est dado por
mn n (0.26 x0.91x10 30 kg) x(1000 x10 4 m 2 V s)
q
1.6 x10 19 C
1.48x10 13 s 0.148 ps
La trayectoria media libre est dada por

l vth c (10 7 cm s)(1.48x10 13 s 1.48x10 6 cm)
14.8nm
Resistividad y Conductividad
Ahora
consideraremos
la
conduccin
en
un
material
semiconductor
homogneo. La Fig. 25a muestra un semiconductor tipo n y su diagrama de

bandas de energa en equilibrio trmico. La Fig. 25b muestra el diagrama de
bandas correspondiente cuando un voltaje de polarizacin es aplicado en la
terminal derecha. Asumimos que los contactos de las terminales izquierda y
derecha son hmicos, esto es, hay una insignificante cada de voltaje en cada
uno de los contactos. Hemos mencionado previamente que cuando un campo
elctrico es aplicado a un semiconductor, cada electrn experimentar una
fuerza qE provocada por el campo. La fuerza es igual al menos gradiente
de energa potencial, esto es:
51
Fig. 24 Movilidad y difusividad en el Si y el GaAs a 300 K como una funcin de la concentracin de impurezas.
qE -(gradiente de energa potencial del electrn)
dEC
dx
(41)
Hay que recordar que ya se ha establecido previamente que la parte baja de

la banda de conduccin EC corresponde a la energa potencial de un
electrn. Como estamos interesados en el gradiente de la energa potencial,
podemos usar cualquier parte del diagrama de bandas que sea paralela a EC
(por ejemplo, E F , Ei , oEv , como se muestra en la Fig. 25b). Es conveniente
usar
el
nivel
intrnseco
de
Fermi
Ei
porque
usaremos
Ei
cuando
consideremos una unin p n en siguiente captulo. Por lo tanto de la Ec. 41

tenemos
52
Fig. 25
voltaje
Proceso de conduccin en un semiconductor tipo n. ( a ) En equilibrio trmico y ( b ) Bajo condicin de
1 dEC 1 dE i
q dx
q dx
(42)
Podemos definir una cantidad relativa como el potencial electrosttico

cuyo gradiente negativo es igual al campo elctrico:
d
dx
(43)
Ei
q
(44)
Comparando Ecs. 42 y 43 tenemos
la cual proporciona una relacin entre el potencial electrosttico y la energa

potencial de un electrn. Para un semiconductor homogneo como se
muestra en la Fig. 25b, la energa potencial E i decrece linealmente con la
53

distancia; mientras que el campo elctrico es una constante en la direccin
de x negativa. Cuya magnitud es igual al voltaje aplicado dividido por la
longitud de la muestra.
Los electrones en la banda de conduccin se mueven hacia el lado derecho
como se observa en la Fig. 25b. La energa cintica corresponde a la
distancia desde el perfil de la banda (es decir, EC para los electrones).
Cuando un electrn sufre una colisin, pierde algo o toda su energa cintica
en la red hasta caer a su posicin de equilibrio trmica. Despus de que el
electrn ha perdido algo o toda su energa cintica, empezar otra vez a
moverse hacia la derecha, y el mismo proceso ser repetido muchas veces.
La conduccin por huecos puede ser visualizada de manera similar pero en
direccin opuesta.
El transporte de portadores de carga bajo la influencia de un campo elctrico
produce una corriente llamada corriente de arrastre. Consideremos una
muestra de semiconductor mostrada en la Fig. 26, la cual tiene una seccin
transversal de rea
A , una longitud
y una concentracin de
electrones cm 3 . Supongamos que ahora aplicamos un campo elctrico E a la

muestra. La densidad de corriente J n que fluye en la muestra puede ser
encontrada por la sumatoria del producto de la carga (q) de cada electrn
por su velocidad sobre todos los electrones por unidad de volumen n :
Jn
n
In
(qvi ) qnvn qn n E
A i 1
(45)
donde I n es la corriente debida a los electrones. Hemos empleado la Ec. 37

por la relacin entre v n y E .
54

Un argumento similar se aplica a los huecos. Por lo ya hablado la carga de
los huecos es positiva, por lo que tenemos
J p qpv p qp p E
(46)
La corriente total que fluye en la muestra semiconductora debido al campo

elctrico aplicado E puede ser escrita como la suma de las componentes de
corriente de electrones y huecos:
J J n j p (qn n qp p ) E
(47)
La cantidad en parntesis es conocida como conductividad:
q(n n p p )
(48)
Las contribuciones de los electrones y huecos a la conductividad son

simplemente aditivas.
Fig. 26 Corriente de conduccin en una barra semiconductora uniformemente dopada con longitud L y con rea de
seccin transversal A.
La resistividad correspondiente del semiconductor, la cual es el recproco de
, est dada por
55
1
qn n p p
(49)
Generalmente, en un semiconductor extrnseco, slo uno de los componentes

en la Ec. 47 o 48 es significativo porque la diferencia en magnitud es de
varios rdenes entre las dos densidades de portadores de carga. Es por esto
que la Ec. 49 se reduce a
1
qn n
(50)
para un semiconductor tipo n (donde n >> p ), y
1
qp p
(51b)
Para un semiconductor tipo p (donde p >> n )
Difusin de portadores de carga

Proceso de difusin
En la seccin precedente, consideramos la corriente de arrastre, esto es, el
transporte de portadores de carga cuando es aplicado un campo elctrico.
Otra componente importante de la corriente puede existir si hay una
variacin espacial
de la concentracin de portadores en el material semiconductor. El proceso
de difusin es la tendencia de los portadores de carga de moverse desde una
regin de alta concentracin a una regin de baja concentracin. Esta
componente de la corriente es llamada corriente de difusin.
56
Para entender el proceso de difusin, debemos asumir una densidad de
Fig. 27 Concentracin de electrones versus distancia; l es la trayectoria media libre. La direccin de los electrones
y de la corriente fluyen como es indicados por las flechas.
electrones que vara en la direccin x , como se muestra en la Fig. 27. El

semiconductor est a temperatura uniforme, tal que el promedio de energa
trmica de los electrones no vara con x , solamente vara la densidad n(x) .
Consideremos el nmero de electrones que cruza el plano x 0 por unidad de
tiempo y por unidad de rea. Debido a que a temperatura es finita, los
electrones tienen movimiento trmico aleatorio con una velocidad trmica vth
y una trayectoria media libre l (note que l vth c , donde c es tiempo medio
libre). Los electrones en x l , una de las trayectorias medias libres del lado
izquierdo, tienen la misma oportunidad de moverse hacia la derecha o hacia
la izquierda; y en un tiempo medio libre c , la mitad de ellos se movern a
travs del plano x 0 . El porcentaje promedio de flujo de electrones por
unidad de rea F1 que cruza el plano x 0 desde la izquierda es entonces
57
1
n(l )l
1
2
F1
n(l )vth
c
2
(52)
Similarmente, el porcentaje promedio de electrones que fluyen por unidad de

rea F2 en x l que cruzan el plano x 0 desde la derecha es
F2
1
nl v th
2
(53)
El porcentaje neto de portadores de carga que fluyen de izquierda a derecha

es
F F1 F2
1
vth n(l ) n(l ). .
2
(54)
Aproximando las densidades en x l a los dos primeros trminos de la serie

de Taylor, obtenemos
1
dn
dn
F v n(0) l n(0) l
2 th
dx
dx
vth l
donde
Dn vth l
dn
dn
,
Dn
dx
dx
(55)
es llamado coeficiente de difusin o tambin llamada
difusividad. Ya que cada electrn porta una carga de q , el flujo de

portadores da como resultado la densidad de corriente
58
J n qF qDn
dn
,
dx
(56)
La corriente de difusin es proporcional a la derivada de la densidad de

electrones. La corriente de difusin resulta del movimiento trmico aleatorio
de los portadores de carga de un gradiente de concentracin. Para una
densidad de electrones que crece con x , el gradiente es positivo, y los
electrones se difundirn en la direccin de x negativa. La corriente es
positiva y fluye en la direccin opuesta a la de los electrones, como indica la
Fig. 27.
EJEMPLO
Asuma que, en un semiconductor tipo n a T= 300 K. La concentracin de
electrones vara linealmente de 1 x 1018 a 7 x 1017 cm 3 en una distancia de
0.1 cm . Calcule la densidad de corriente de difusin si el coeficiente de
difusin de los electrones es Dn 22.5 cm 2 s
SOLUCIN
J n,dif qDn
La densidad de corriente de difusin est dada por
dn
n
qDn
dx
x
1x1018 7 x1017
10.8
1.6 x10 19 22.5
0.1
A cm 2
Relacin de Einstein
La Ec. 56 puede ser escrita en una forma ms usual usando el teorema de
equiparacin de energa para este caso unidimensional. Podemos escribir
1
1
2
mn vth kT ,
2
2
(57)
59
de las Ecs. 36,55, y 57 y usando la relacin l vth c , obtenemos
m
Dn vth l vth vth c vth2 n n
q
kT n mn

mn q
kT
Dn n
q
(58)
(59)
La Ec. 59 es conocida como la relacin de Einstein. Esta relaciona dos

importantes coeficientes (difusividad y movilidad) que caracterizan el
transporte de portadores de carga por difusin y por arrastre en un
semiconductor. La relacin de Einstein tambin se aplica a los valores entre
D p y p . Los valores de la difusividad para el silicio y el arseniuro de galio
son mostrados en la Fig. 24.

EJEMPLO
Portadores de carga minoritarios (huecos) son inyectados dentro de una
muestra semiconductora homognea tipo n . Un campo elctrico de 50 V/cm
es aplicado a travs de la muestra, y el campo mueve estos portadores
minoritarios una distancia de 1 cm en 100 s . Encontrar la velocidad de
arrastre y la difusividad de los portadores minoritarios.
SOLUCIN
vp
1cm
10 4
6
100 x10 s
vp
Dp
kT
p 0.0259 x200 5.18
q
10 4
200
50
cm s ;
cm 2 V s ;
cm 2 s
60
Ecuaciones de densidad de corriente

Cuando un campo elctrico est presente junto con un gradiente de
concentracin de portadores de carga, ambas corriente de arrastre y
corriente de difusin fluirn. La densidad de corriente total en cualquier
punto es la suma de la componente de arrastre y la de difusin:
J n q n nE qDn
dn
,
dx
(60)
donde E es el campo elctrico en la direccin x .

Una expresin similar puede ser obtenida para la corriente debida a los
huecos:
J p q p pE qD p
dp
,
dx
(61)
Usamos el signo negativo en la Ec. 61 porque para un gradiente de

concentracin de huecos positivo, stos se difundirn en la direccin de x
negativa.
La densidad de corriente de conduccin total est dada por la suma de las
Ecs. 60 y 61:
J cond J n J p .
(62)
61

Las tres expresiones (Ecs. 60-62) constituyen las ecuaciones de densidad de
corriente. Estas ecuaciones son importantes para el anlisis de la operacin
de los dispositivos bajo campos elctricos pequeos.
1.9. Ecuaciones de Continuidad

Ecuacin de Continuidad
Ahora consideraremos el caso cuando en un material semiconductor ocurren
simultneamente el arrastre, la difusin, y la recombinacin. La ecuacin que
los gobierna es llamada ecuacin de continuidad.
Para obtener la ecuacin de continuidad en una dimensin para los
electrones, consideraremos una rebanada de espesor infinitesimal
dx
localizada en x como se muestra en la Fig. 28. El nmero de electrones en la

rebanada o volumen difrencial puede incrementarse debido a la corriente
neta que fluye dentro de ella y la generacin neta de portadores en la
rebanada. El porcentaje total del incremento de electrones es la suma
algebraica de los cuatro componentes: el nmero de electrones fluyendo
dentro de la rebanada en x , menos el nmero de electrones fluyendo fuera
en x dx , ms el porcentaje al cual los electrones son generados, menos el
porcentaje al cual ellos son recombinados con los huecos dentro del espesor
diferencial dx .
Los dos primeros componentes son encontrados dividiendo la corriente en
cada lado del elemento diferencial por la carga del electrn. Los porcentajes
de
generacin
recombinacin
son
designados
por
Gn
Rn ,
respectivamente. El total del porcentaje de cargas en el nmero de

electrones en el volumen diferenciales entonces
62
J ( x) A J n ( x dx) A
n
Adx n
(Gn Rn ) Adx ,
t
q
q
(63)
Donde A es el rea de la seccin transversal Adx es el volumen de la

rebanada o elemento diferencial. Expandiendo la expresin para la corriente
en x dx en la serie de Taylor
J n ( x dx) J n ( x)
J n
dx
x
(64)
As obtenemos la ecuacin de continuidad bsica para electrones:

n 1 J n
(Gn Rn )
t q t
(65)
Fig. 28 Flujo de corriente y procesos de generacin-recombinacin en un volumen diferencial de espesor dx
Una ecuacin de continuidad similar puede ser derivada para huecos,

excepto que el signo del primer trmino del lado derecho de la Ec. 65 es
cambiado debido la carga positiva asociada con los huecos:
63
p
1 J p
(G p R p )
t
q t
(66)
Podemos sustituir las expresiones de corriente de arrastre por campo

elctrico, la de difusin y por recombinacin en las Ecs. 65 y 66 para el caso
de una dimensin bajo condiciones de baja inyeccin, las ecuaciones de
continuidad para portadores minoritarios (esto es, n p en semiconductores
tipo p o p n en semiconductores tipo n ) son
n p
n p
2np
n p n po
E
n p n
n E
Dn
,
n
t
x
x
n
x 2
(67)
p n
p
2 pn
p p no
E
pn p
p E n Dp
Gp n
,
2
t
x
x
p
x
(68)
En adicin a las ecuaciones de continuidad, la ecuacin de Poisson
dE s
dx s
Deben
ser
satisfechas,
donde
es
(69)
la
permitividad
dielctrica
del
semiconductor y s es la densidad de carga espacial dada por la suma

algebraica de las densidades y la concentracin de impurezas ionizadas,
q( p n N D N A ) .
En principio, las Ecs. 67- 69 junto con condiciones apropiadas de frontera

tienen una solucin nica. Debido a la complejidad algebraica de este
64

conjunto de ecuaciones, en la mayora de los casos las ecuaciones son
simplificadas con aproximaciones fsicas antes de obtener la solucin.
Resolveremos las ecuaciones de continuidad para tres casos importantes.
Inyeccin de Portadores de Estado Estable por un Lado
La figura 26a muestra un semiconductor tipo n donde es inyectado un
exceso de portadores por un solo lado por medio de iluminacin. Es asumido
que la penetracin de luz es insignificantemente pequea (es decir,
suponemos campo elctrico cero y cero generacin cero para x > 0 ). En
estado estable hay un gradiente de concentracin cerca de la superficie. De
la Ec. 68 la ecuacin diferencial para los portadores de carga minoritarios
dentro del semiconductor es
pn
2 pn pn pno
0 Dp
dt
p
x 2
Las
condiciones
de
frontera
son
pn ( x 0) pn (0) valor
(70)
constante
pn ( x ) = pno . La solucin de pn (x) es

pn ( x) pno pn (0) pno e
La longitud L p es igual a
x Lp
(71)
D p p y es llamada longitud de difusin. La Fig.
29a muestra la variacin de la densidad de los portadores de carga

minoritarios, la cual decae con una longitud caracterstica dada por L p .
Si ahora cambiamos la segunda condicin de frontera como se muestra en la

Fig. 29b tal que todos los portadores excedentes en x W son extrados, esto
es, pn (W ) pno , entonces obtenemos una nueva solucin para la Ec. 70:
65
Fig. 29 Inyeccin de portadores de estado estable por un lado. ( a ) Muestra semiinfinita. ( b ) Muestra con espesor
W
W x
senh
p .
pn ( x) pno pn (0) pno
senh(W L p )
(72)
La densidad de corriente en x W est dada por la expresin de corriente de

difusin, Ec. 61 con E 0 :
66
J p qD p
pn
x
q pn (0) pno
W
Dp
1
.
L p senh(W L p )
(73)
Portadores Minoritarios en la Superficie

Cuando una muestra semiconductora con una superficie de recombinacin en
un extremo es expuesta a la luz (Fig. 30), la densidad de corriente de huecos
fluyendo dentro de la superficie desde la parte de menor concentracin de
impurezas en el semiconductor est dada por qU s . En este ejemplo, es
asumido
Fig. 30 Superficie de recombinacin en x=0. La distribucin de portadores minoritarios cerca de la superficie es

afectada por la velocidad de recombinacin de la superficie.
que la muestra es iluminada uniformemente con generacin de portadores

de carga uniforme. La superficie de recombinacin lleva a una baja
concentracin de portadores de carga en la superficie. Este gradiente de
concentracin de huecos produce una densidad de corriente de difusin que
es igual a la corriente de la superficie de recombinacin. Por lo tanto, la
condicin de frontera en x 0 es
qD p
dpn
dx
qU s qS lr pn (0) p no .
(74)
x 0
67
La condicin de frontera en x est dado por la Ec. pn pno p GL . En

estado estable la ecuacin diferencial es
pn
2 pn
p pno
,
0 Dp
GL n
2
t
p
x
(75)
La solucin de esta ecuacin, sujeta a las condiciones de frontera previas, es
p S lr e x L p
pn ( x) pno p GL 1
L p p S lr
(76)
Una grfica de esta ecuacin para una S rl finita es mostrada en la Fig. 30.
cuando
S rl 0 ,
pnx ( x) pno p GL ,
como
fue
obtenido
propuesto
previamente. Cuando Slr , obtenemos
pn ( x) pno p GL (1 e
x Lp
),
(77)
De la Ec. 77 podemos ver que en la superficie la densidad de portadores

minoritarios se aproxima a su valor de equilibrio trmico pno .
Experimento de Haynes-Shockley
Uno de los experimentos clsicos en fsica de semiconductores es la
demostracin del arrastre y difusin de los portadores de carga minoritarios,
primeramente hecho por Haynes y Shockley. El experimento permite medir
independientemente la movilidad de los portadores minoritarios
y el
coeficiente de difusin D . El arreglo bsico del experimento de Haynes-
68

Shockley se muestran en la Fig. 31a. La fuente de voltaje V1 , establece un
campo elctrico en la direccin x en la barra de semiconductor tipo n . Un
exceso de portadores de carga es producido e inyectado efectivamente en la
barra semiconductora en el contacto (1) por un pulso. El contacto (2)
colectar una fraccin del exceso de portadores que fueron arrastrados a
travs del semiconductor. Despus de un pulso, la ecuacin de transporte
est dada por la Ec. 68 haciendo G p 0 y E t 0 (es decir, el campo
elctrico aplicado es constante a travs de la barra semiconductora):
pn
pn
2 p n pn pno
.
p E
Dp
t
x
p
x 2
(78)
Si no es aplicado un campo a lo largo de la muestra, la solucin est dada

por donde N es el nmero de electrones o huecos generados por unidad de
rea. La Fig. 31b muestra esta solucin como la difusin de los portadores a
lo largo de la muestra desde el punto de inyeccin y recombinacin.
Si es aplicado un campo elctrico a la muestra, la solucin es de la forma de
la Ec. 79, excepto que x es reemplazada por x p Et (Fig. 31c). As, todos
los portadores excedentes se mueven con la velocidad de arrastre p E . Al
mismo tiempo, los portadores son difundidos y recombinados desde el nuevo
punto como en el caso libre de campo elctrico.
pn ( x, t )
x2
N
t
exp
4D t
4D p t
p
p
pno ,
(79)
69
EJEMPLO
En el experimento de Haynes-Shockley, la amplitud mxima de los
portadores de carga minoritarios ocurre en t1 100s y en t 2 200s difiere en
un factor de 5. Calcular el tiempo de vida de los portadores minoritarios.
SOLUCIN
Cuando es aplicado un campo elelctrico, la distribucin de
portadores de carga minoritarios est dada por
( x p Et ) 2 t
N
p pn pno
exp
.
4
D
t
p
4D p t
p
En la amplitud mxima
t
N
exp .

4D p t
p
Por esto
200 100
t exp( t1 p )
p(t1 )
200
5
2
exp
( s)
p(t 2 )
100
t1 exp( t 2 p )
p
200 100
79s.
ln(5 2 )
70
Fig. 31 Experimento de Haynes-Shockley. ( a ) Instalacin experimental. ( b ) Distribucin de portadores sin

aplicar un campo. ( c ) Distribucin de portadores con campo aplicado
71
72
Captulo II: Unin p-n

2.1 Semiconductor p y Semiconductor n
En el captulo I, secciones 1.4 y 1.7 se estudiaron los materiales
semiconductores extrnsecos. Los materiales semiconductores extrnsecos
tipo
contaminados con impurezas donadoras y los semiconductores
extrnsecos tipo p contaminados con impurezas aceptoras. En la Fig. 1a,

vemos dos muestras de material semiconductor tipo p y tipo n que estn
uniformemente dopados y separados fsicamente antes de que la unin sea
formada. Ntese que el nivel Fermi E F est cerca del filo o perfil de la banda
de valencia en el material tipo p y cerca del perfil de la banda de conduccin
en el material tipo n . Mientras que el material tipo p contiene una gran
concentracin de huecos y pocos electrones, lo opuesto es verdadero para un
material tipo n . Cuando el semiconductor tipo p y n son unidos uno con el
otro, un gradiente de concentracin de portadores grande en la unin causa
una difusin de portadores. Huecos del lado p se difunden dentro del lado n ,
y electrones del lado n se difunden dentro del lado p . Como los huecos
72

continan dejando el lado p , algunos de los iones negativos aceptores ( N A ),
cerca de la unin quedan descompensados, dado que los aceptores estn
fijos en la retcula del semiconductor, mientras que los huecos estn mviles.
Similarmente,
algunos
descompensados
por
de
los
los
iones
electrones
positivos
que
donadores ( N D )
abandonan
el
quedan
lado
n.
Consecuentemente, se forma una carga espacial negativa en el lado p cerca

de la unin y tambin se forma una carga espacial positiva cerca de la unin.
Esta regin espacial cargada crea un campo elctrico que est dirigido desde
la carga positiva hacia la carga negativa, como es indicado en la ilustracin
superior de la Fig. 1b.
Fig. 1 ( a ) Semiconductores tipo p y tipo n uniformemente dopados antes de que la unin sea formada. ( b ) El
campo elctrico en la regin de agotamiento y el diagrama de las bandas de energa de la unin p-n en equilibrio
trmico.
El campo elctrico est en direccin opuesta a la corriente de difusin para

cada tipo de portador de carga. La ilustracin inferior de la Fig. 1b muestra
que la corriente de difusin de huecos fluye de izquierda a derecha, mientras
que la corriente de arrastre de huecos debida al campo elctrico fluye de
derecha a izquierda. La corriente de difusin debida a los electrones tambin
fluye de izquierda a derecha, mientras que la corriente de arrastre debida a
73

electrones fluye en direccin opuesta. Note que debido a su carga negativa,
la difusin de electrones es de derecha a izquierda, direccin opuesta a la
corriente de electrones.
2.2 Unin p-n en Estado de Equilibrio

En equilibrio trmico, esto es, en condicin de estado estable a una
temperatura dada con ninguna excitacin externa, la corrientes tanto de
electrones como huecos a travs de la unin son idnticamente cero. Esto
es, para cada tipo de portadores la corriente de arrastre provocada por el
campo elctrico cancela exactamente la corriente de difusin provocada por
el gradiente de concentracin. De la Ec. 61 del Captulo 1,
J p J p (arrastre) J p (difusin )
q p pE qD p
dp
dx
1 dEi
q p p
q dx
dp
kT p
0
dx
(1)
Donde hemos usado la Ec. 42 del Captulo 1 para el campo elctrico y la

relacin de Einstein D p (kT q) p . Sustituyendo la expresin de concentracin
de huecos
p ni e ( Ei EF ) kT
(2)
y su derivada
dp
p dEi dE F
dx kT dx
dx
(3)
74
Sustituidas en la Ec. 1 obtenemos la densidad de corriente de huecos neta
J p p p
dE F
0
dx
(4)
o
dE F
0
dx
(5)
Similarmente, obtenemos la densidad de corriente de electrones neta

J n J n (arrastre) J n (difusin )
q n nE qDn
n n
dn
dx
dE F
0
dx
(6)
Por lo tanto, para la condicin de cero corrientes netas tanto de electrones

como de huecos, el nivel Fermi deber ser constante (es decir, independiente
de x ) tal como es ilustrado en la muestra en el diagrama de bandas de
energa de la Fig. 1b.
2.2.1
Potencial de Contacto
El nivel Fermi constante requiri de un equilibrio trmico que da como resultado una
distribucin espacial de carga nica en la unin. Repetimos la unin p n en una
dimensin y su correspondiente diagrama de bandas de energa en equilibrio en las
Figs. 5a y 5b, respectivamente. La distribucin de carga espacial nica y el potencial
electrosttico estn dados por la ecuacin de Poisson:
75
d 2
dE
q
s ( N D N A p n)
2
dx
s
s
dx
(7)
Aqu asumimos que todos los donadores y todos los aceptores estn ionizados.
En regiones lejanas a la unin metalrgica, la neutralidad de carga se mantiene y la
densidad espacial de carga es cero. Para esta regin neutral podemos simplificar la
Ec. 7 a
d 2
0
dx 2
(8)
(9)
ND N A p n 0
Para una regin neutral tipo p , asumimos que N D 0 y p >> n . El potencial

electrosttico de la regin neutral tipo
p con respecto al nivel Fermi,
designado como p en la Fig. 2b, puede ser obtenido haciendo N D n 0 en

la Ec. 9 y sustituyendo el resultado ( p N A ) en la Ec. 2:
1
Ei EF x x p kT ln N A
q
q ni
(10)
Similarmente, obtenemos el potencial electrosttico de una regin neutral

tipo n con respecto al nivel Fermi
1
q
n ( Ei E F ) x x
n
kT N D
ln
q ni
(11)
El potencial electrosttico total es la diferencia entre las regiones neutrales

del lado p y el lado n en equilibrio trmico y es llamado potencial de
construccin o potencial de contacto Vbi :
76
Vbi n p
kT N A N D
.
ln
q ni 2
(12)
Movindonos desde la regin neutral de carga hacia la unin, encontramos

una regin angosta de transicin, mostrada en la Fig. 2c. Aqu la carga
espacial es debida a los iones de impureza que estn parcialmente
compensados por los portadores mviles. Ms all de la regin de transicin
entramos por completo a la regin de agotamiento donde las densidades de
portadores de carga son cero. Esta es llamada regin de agotamiento
(tambin llamada regin espacial de carga). Para una unin p n tpica de
silicio o arseniuro de galio, el ancho de cada regin de transicin es pequea
comparada con el ancho de la regin de agotamiento. Por esto, podemos
despreciar la regin de transicin y representar la regin de agotamiento por
una distribucin rectangular como se muestra en la Fig. 2d, donde x p y xn
denotan los anchos de las capas de agotamiento de los lados
p y n
completando la regin de agotamiento con p n 0 . Por lo que la Ec. 7 se

convierte en
d 2
q
N A N D .
2
s
dx
Las magnitudes de p
(13)
y n son calculadas con las Ecs. 10 y 11 y son
trazadas en la Fig. 3 como una funcin de la concentracin de impurezas del

silicio y el arseniuro de galio. Para una concentracin de impurezas dada, el
potencial electrosttico del arseniuro de galio es mayor que el del silicio
porque la concentracin intrnseca de portadores de carga ni es menor.
77
Fig. 2 ( a ) Una unin p-n con un cambio abrupto de dopado en la unin metalrgica. ( b ) Diagrama de bandas de
energa de una unin abrupta en equilibrio trmico. ( c ) Distribucin espacial de carga. ( d ) Aproximacin
rectangular de la distribucin espacial de carga.
EJEMPLO
Calcular el potencial de contacto de una unin p n de silicio con N A 1018 cm 3
y N D 1015 cm 3 a 300K.
78

SOLUCIN de la Ec. 12 obtenemos
1018 x1015
Vbi (0.0259) ln
0.774 V.
9 2
(9.65 x10 )
Tambin de la Fig. 3,
V bi n p 0.3V 0.47V 0.77V .
Fig. 3 Potencial de construccin en el lado p y en el lado n de una unin abrupta en el Si y en el GaAs como una
funcin de las impurezas
2.2.2
Campo Elctrico
La distribucin de la carga espacial de una unin abrupta es mostrada en la

Fig. 5a. En la regin de agotamiento, los portadores libres estn totalmente
agotados de tal modo que la ecuacin de Poisson, Ec. 13, se simplifica a
79

qN A
d 2
2
s
dx
para
x p x <0
(14a)
qN
d 2
D
2
s
dx
para
0< x x n
(14b)
La neutralidad de carga espacial de todo el semiconductor requiere que el

total de la carga espacial negativa por unidad de rea en el lado p debe ser
Fig. 4
Perfiles aproximados de dopado. ( a ) Unin abrupta ( b ) Unin linealmente graduada.
precisamente igual a la carga espacial total positiva por unidad de rea en el

lado n :
80

(15)
N A x p N D xn
El ancho total de la capa de agotamiento W est dado por

(16)
W x p xn
El campo elctrico mostrado en la Fig. 5b es obtenido por integracin de las

Ecs. 14a y 14b, lo cual da
qN A ( x x p )
d
dx
s
E ( x)
para
x p x <0
(17a)
0< x xn
(17b)
y
E ( x) Em
qN D x
qN D
( x xn ) para
Donde Em es el campo mximo que existe en x 0 y est dado por
Em
qN D xn
qN A x p
(18)
Integrando las Ecs. 17a y 17b en la regin de agotamiento da la variacin

total del potencial, llamado, potencial de construccin o potencial de contacto
Vbi :
xn
xp
xp
Vbi E ( x)dx E ( x)dx
qN A x 2p
2 s
xn
lado p
E ( x)dx
0
ladon
qN D xn2 1
EmW .
2 s
2
(19)
81

Por lo tanto, el rea del tringulo del campo en la Fig. 5b corresponde al
potencial de construccin.
Combinando las Ecs. 15 a 19 obtenemos el ancho de la capa de agotamiento
como una funcin del potencial de construccin o de contacto.
2 s N A N D
Vbi .
q N A N D
(20)
Cuando la concentracin de impurezas en uno de los lados en una unin

abrupta es mucho ms grande que la del otro lado, la unin es llamada
unin
abrupta
de
un
solo
lado
(Fig. 6a). La Fig. 6b muestra la
distribucin de la carga espacial de una unin abrupta de un solo lado
Fig. 5 ( a ) Distribucin de carga espacial en la regin de agotamiento en equilibrio trmico. ( b ) Distribucin del
campo elctrico. El rea sombreada corresponde al potencial de contacto.
p n , donde N A >> N D . En este caso, el ancho de la zona de agotamiento del

lado p es mucho ms pequeo que el ancho del lado n (es decir, x p << xn ),
y la expresin para W puede ser simplificada a
82
W xn
2 sVbi
.
qN D
(21)
La expresin para la distribucin del campo elctrico es la misma que la de la

Ec. 17b:
E ( x) Em
qN B x
(22)
Donde N B es la concentracin de impurezas menor (es decir, N D para una

unin p n ). El campo decrece hasta cero en x W . Por lo tanto,
Em
qN BW
(23)
E ( x)
qN B
W x Em 1
x
,
W
(24)
La cual es mostrada en la Fig. 6c.

Integrando la ecuacin de Poisson una vez ms nos da la distribucin del
potencial
x2
constante.
( x) Edx Em x
0
2W
(25)
83
Fig. 6 ( a ) Unin abrupta de un solo lado (con NA>>ND) en equilibrio trmico. ( b ) Distribucin espacial de carga
( c ) Distribucin de campo elctrico ( d ) Distribucin del potencial respecto de la distancia, donde Vbi es el
potencial de contacto.
Con potencial cero en la regin neutral p como referencia, o (0) 0 , y

empleando la Ec 19.
( x)
Vbi x
2
2
W W
(26)
La distribucin del potencial es mostrado en la Fig. 6d

EJEMPLO
Para una unin abrupta de un solo lado con N A 1019 cm 3
y N D 1016 cm 3 ,
calcular el ancho de la capa de agotamiento y el campo elctrico mximo con

cero voltaje de polarizacin ( T 300 K).
84

SOLUCIN
De las Ecs. 12,21, y 23, obtenemos
1019 x1016
Vbi 0.0259 ln
0.895V
2
9.65 x109
W
Em
2.2.3
2 sVbi
3.41x10 5 0.343m
qN D
qN BW
0.52 x10 4 V / cm
Zona de Vaciamiento
Para resolver la ecuacin de Poisson, Ec. 13, debemos conocer la distribucin

de impurezas. Consideraremos dos casos importantes la unin abrupta y la
unin linealmente graduada. La Fig. 4a muestra una unin abrupta, esto es,
una unin p n formada por difusin de capas o implantacin de iones a baja
energa. La distribucin de impurezas de la unin puede ser aproximada por
una transicin abrupta de concentracin de impurezas entre las regiones tipo
n y p . La Fig. 4b muestra una unin linealmente graduada. Por difusin

profunda o por implantacin de iones a alta energa, el perfil de impurezas
puede ser aproximado a una unin linealmente graduada, esto es, la
distribucin
de
impurezas
vara
linealmente
travs
de
la
unin.
Consideraremos las regiones de agotamiento de ambos tipos de unin.
2.2.4
Carga Almacenada
La capacitancia por unidad de rea en la capa de agotamiento de la unin

est definida por C j dQ dV , donde dQ es el incremento de carga por unidad
de rea en la capa de agotamiento por un incremento en el voltaje aplicado
85

dV
(*La capacitancia es tambin referida como la capacitancia de la regin
de transicin).
Fig. 7 Unin linealmente graduada en equilibrio trmico. ( a ) Distribucin de impurezas. ( b ) Distribucin de del
campo elctrico. ( c ) Distribucin del potencial con la distancia. ( d ) Diagrama de bandas.
La Fig. 8 ilustra la capacitancia de la zona de agotamiento de la unin p n

con una distribucin de impurezas arbitraria. La distribucin de carga y del
campo elctrico indicado por las lneas slidas corresponde al voltaje V
aplicada al lado n . Si este voltaje es incrementado por una cantidad dV , la
distribucin de carga y campo se expander hasta la regin marcada por las
lneas punteadas. En la
86
Fig. 8
( a ) Unin p-n con un perfil de impurezas arbitrario bajo polarizacin inversa. ( b ) Cambio en la
distribucin de la carga espacial debido al voltaje aplicado. ( c ) Cambio correspondiente en la distribucin del
campo elctrico.
Fig. 8b, el incremento de carga dQ corresponde al rea coloreada entre las

dos curvas de la distribucin de carga a uno y otro lado de la regin de
agotamiento. El incremento de la carga espacial en el lado p y en el lado n
de la regin de agotamiento son iguales pero de carga con polaridad
opuesta, manteniendo as la neutralidad de carga global del dispositivo. Este
incremento de carga dQ causa un incremento en el campo elctrico por una
cantidad dE dQ s (de la ecuacin de Poisson). El cambio correspondiente
en el voltaje aplicado dV , representado por el rea sombreada en la Fig. 8c
es aproximadamente WdE , lo cual es igual WdQ s , de donde, la capacitancia
por unidad de rea est dada por
87

Cj
dQ
dQ
s
dQ W
dV
W
(27)
o
Cj
2.2.5
F cm 2
(27a)
Capacitancia
La Ec. 27 para la capacitancia por unidad de rea en la capa de agotamiento

es la misma expresin estndar que para un capacitor de placas paralelas
donde el espacio entre las dos placas est representado por el ancho de la
capa de agotamiento. La ecuacin es vlida para cualquier distribucin
arbitraria de impurezas.
Al obtener la Ec. 27 hemos asumido que solamente la variacin de la carga
espacial en la regin de agotamiento contribuye a la capacitancia. Esta es
ciertamente una buena suposicin para la condicin de polarizacin inversa.
Para polarizacin directa, sin embargo, puede fluir una corriente grande a
travs de la unin correspondiendo a un nmero grande de portadores
mviles presentes dentro de la regin neutral. El incremento de carga de
estos portadores mviles con respecto al voltaje de polarizacin contribuye a
un trmino adicional, llamada capacitancia de difusin.
Para una unn abrupta de un solo lado, obtenemos de las Ecs. 27 y x,
Cj
s
W
q s N B
2(Vbi V )
(28)
o
88
1 2(Vbi V )
.
Cj
q s N B
En la Ec. 29
(29)
se ve claro que si graficamos 1 C 2 contra V se produce una
lnea recta para una unin abrupta de un solo lado. La pendiente da la

concentracin de impurezas del sustrato N B , y la intercepcin (en 1 C 2 0 )
da Vbi .
EJEMPLO
Para una unin abrupta de un solo lado con N A 2 x1019 cm 3 y N D 8x1015 cm 3 ,
calcule la capacitancia de la unin con cero voltaje de polarizacin y 4V
(T=300 K).
SOLUCIN
De las Ecs. 12, 28, y 30, obtenemos con cero voltaje de
polarizacin
2 x1019 x8 x1015
Vbi 0.0259 ln
0.906V .
(9.65 x109 ) 2
W V 0
Cj
V 0
2 sVbi
2 x11.9 x8.85 x10 14 x0.906
3.86 x10 5 0.386m

19
15
qN D
1.6 x10 x8 x10
s
W V 0
q s N B
2.728 x10 8 F cm 2
2Vbi
De las Ecs. X, y 28, podemos obtener del voltaje de polarizacin inversa de 4

V:
W V 4
2 s (Vbi V )
2 x11.9 x8.85 x10 14 x(0.906 4)
8.99 x10 5 0.8.99m

19
15
qN D
1.6 x10 x8 x10
89
Cj
V 4
s
W V 4
q s N B
1.172 x10 8 F cm 2
2(Vbi V )
2.3 Condiciones de Polarizacin

El diagrama de bandas de energa en equilibrio, mostrado otra vez en la Fig.
9a, ilustra que el potencial electrosttico total en la unin es Vbi . La
diferencia de energa potencial correspondiente desde el lado p al lado n es
qVbi . Si aplicamos un voltaje positivo VF al lado p con respecto al lado n , se

dice que la unin p n est polarizada directamente, como se muestra en la
Fig. 9b. El potencial electrosttico total a travs de la unin decrece en V F ,
esto es, es reemplazado por Vbi VF . Por lo tanto, la polarizacin directa
reduce el ancho de la capa de agotamiento.
Por el contrario, segn se muestra en la Fig. 9c, si aplicamos un voltaje
positivo VR en el lado n con respecto al lado p , ahora se dice que la unin
p n est polarizada inversamente y el potencial electrosttico total a travs
de la unin se incrementa en VR , esto es, es reemplazado por Vbi VR . Aqu,

encontramos que el voltaje de polarizacin incrementa ancho de la capa de
agotamiento. Sustituyendo este voltaje en la en la Ec. 21 obtenemos el
ancho de la zona de agotamiento como una funcin del voltaje aplicado para
una unin abrupta de un solo lado:
2 s (Vbi V )
.
qN B
(30)
donde N B es la concentracin de impurezas menor de la unin, donde V es

positivo para polarizacin directa y negativo para polarizacin inversa. Note
90

que el ancho de la capa de agotamiento W vara con la raz cuadrada del
total de la diferencia de potencial electrosttico en la unin.
Fig. 9 Representacin esquemtica del ancho de la capa de agotamiento y diagrama de bandas de energa de una
unin p-n bajo varias condiciones de polarizacin. ( a ) Condicin de equilibrio trmico. ( b ) Condicin de
polarizacin directa. ( c ) Condicin de polarizacin inversa.
2.3.1
Polarizacin Directa
Caracterstica corriente- voltaje

Un voltaje aplicado a una unin p n causar disturbios al preciso balance
entre la corriente de difusin y la corriente de arrastre de electrones y
huecos. Bajo polarizacin directa, el voltaje aplicado reduce el potencial
electrosttico de la regin de agotamiento, como se muestra en la parte
media de la Fig. 10. La corriente de arrastre es reducida en comparacin de
la corriente de difusin. Tenemos un eriquecimiento de huecos por difusin
que van del lado p al lado n y electrones por difusin desde el lado n al lado
p . Por lo que, ocurre una inyeccin de portadores minoritarios, esto es, los
91

electrones son inyectados en el lado p , mientras los huecos son inyectados
en el lado n .
En equilibrio trmico, la densidad de portadores minoritarios en la regin
neutral es esencialmente igual a la concentracin de impurezas. Usaremos
los subndices n y p para denotar el tipo de semiconductor y el subndice o
para especificar la condicin de equilibrio trmico. Por lo tanto, nno y n po son
las densidades de electrones en equilibrio trmico en el lado n y en el lado
p , respectivamente. La expresin para el potencial de contacto de la Ec. 12
puede ser rescrita como
Vbi
kT p ponno kT nno
ln
ln
2
q
q n po
ni
donde la ley de masa activa p pon po ni
(31)
a sido usada. Rearreglando la Ec. 31
tenemos
n no n poe qV bi kT
(32)
p po pnoe qVbi kT
(33)
Similarmente, tenemos
Notamos en las Ecs. 32 y 33 que la densidad de electrones y huecos en los

dos lmites de la regin de agotamiento estn relacionadas a travs de la
diferencia de potencial electrosttico Vbi en equilibrio trmico. De nuestra
segunda suposicin esperamos que la misma relacin se mantenga cuando la
diferencia de potencial electrosttico sea cambiada por un voltaje aplicado
externo.
92
Cuando un potencial electrosttico directo es aplicado se reduce la diferencia
Vbi VF ; pero cuando se aplica un potencial electrosttico inverso se

incrementa el trmino Vbi V R . Por lo que la Ec. 32 se modifica a
nn n p e q (Vbi V ) kT
(34)
donde nn y n p son las densidades de desequilibrio en los lmites de la regin

de agotamiento en los lados n y p , respectivamente, con V positiva para
polarizacin directa y negativa para polarizacin inversa. Para una condicin
de baja inyeccin, la densidad de portadores minoritarios inyectados es
mucho menor que la densidad de portadores mayoritarios; por lo que,
nn nno . Sustituyendo esta condicin y la Ec 32 en la Ec. 34 tenemos la
densidad de electrones en el lmite de la regin de agotamiento en el lado p

(x x p ) :
n p n poe qV kT
(35)
n p n po n po e qV kT 1
(35a)
Similarmente, tenemos
(36)
pn pnoe qV kT
pn pno pno e qV kT 1
(36a)
en x xn para la frontera del tipo n . Las Figs. 10a y 10b muestra el diagrama
de bandas y concentracin de portadores de carga en una unin p n bajo
93

condiciones de polarizacin directa e inversa, respectivamente. Note que las
densidades de portadores minoritarios en las fronteras ( x p y xn ) se
incrementan sustancialmente por arriba de sus valores de equilibrio bajo
polarizacin directa, mientras que decrece por abajo de los valores de
equilibrio bajo polarizacin inversa. Las Ecs. 35 y 36 definen las densidades
de portadores minoritarios en los lmites de la regin de
Fig. 10 Regin de agotamiento, diagrama de bandas de energa y distribucin de portadores. ( a ) polarizacin

directa. ( b ) Polarizacin inversa.
agotamiento.
Estas
ecuaciones
son
las
condiciones
de
frontera
ms
importantes para las caractersticas de corriente-voltaje ideales.
2.3.2
Polarizacin Inversa
94

Bajo polarizacin inversa, el voltaje aplicado incrementa el potencial
electrosttico a travs de la regin de agotamiento como se muestra en la
parte media de la Fig. 10b. Esto reduce grandemente la corriente de
difusin, resultando una corriente inversa pequea
Bajo nuestras suposiciones ideales, no es generada corriente dentro de la
regin de agotamiento; todas las corrientes vienen de las regiones neutrales.
En la regin neutral n , no hay un campo elctrico, por lo que la ecuacin de
continuidad de estado estable se reduce a
d 2 pn pn pno
0
D p p
dx 2
(37)
La solucin de la Ec. 37 con las condiciones de frontera de la Ec. 36 y
pn ( x ) pno da
pn pno pno e qV kT 1 e
( x xn ) L p
(38)
donde L p , la cual es igual a D p p , es la longitud de difusin de los huecos

(portadores minoritarios) en la regin n . En x xn ,
J p xn qD p
dpn
dx
xn
qD p pno
Lp
qV kT
1 .
(39)
Similarmente, obtenemos para la regin neutral p
n p n po n po e qV kT 1e
x x p L n
(40)
95

y
J n x p qDn
dn p
donde Ln , la cual es igual a
dx
qDn n po
Ln
xp
qV kT
1 .
(41)
Dn p , es la longitud de difusin de los
electrones. Las densidades de portadores minoritarios (Ecs. 38 y 40) son

mostradas en la parte media de la Fig. 11.
Las
grficas
recombinan
ilustran
con
los
que
los
portadores
portadores
minoritarios
mayoritarios
mientras
inyectados
los
se
portadores
minoritarios se mueven ms all de las fronteras. Las corrientes de

electrones y huecos son mostradas en la parte baja de la Fig. 11. La
corriente de huecos y electrones en la frontera estn dadas por las Ecs. 39 y
41,
respectivamente.
La
corriente
de
difusin
de
huecos
decaer
exponencialmente en la regin n en la regin p con longitud de difusin L p ,

y la corriente de difusin de electrones decaer eponencialmenteen la regin
p con longitud de difusin L n .
La corriente total es constante a travs del dispositivo y es la suma de las

Ecs. 39 y 41:
J J p xn J n x p J s e qV kT 1 .
Js
qD p pno
Lp
qDn n po
Ln
(42)
(42a)
96
Fig. 11 Distribucin de portadores minoritarios inyectados y corrientes de electrones y huecos. ( a ) Polarizacin

directa. ( b ) Polarizacin inversa. La figura ilustra corrientes ideales. Para dispositvos prcticos, la corrientes no son
constantes a travs del espacio cargado.
Figs. 12a y 12b en el plano cartesiano y en
el plano de escala
semilogartmica. En la direccin directa con polarizacin positiva en el lado
p , para V 3kT q , la velocidad de crecimiento de la corriente es constante,

como se muestra en la Fig. 12b. A 300 K el cambio de corriente por dcada,
y el cambio de voltaje para un diodo ideal son 60 mV ( 2.3 kT q ). En la
direccin inversa, la densidad de corriente de saturacin es J s (tambin
llamada densidad de corriente de saturacin inversa).
97

EJEMPLO
Calcule la corriente de saturacin inversa ideal en una unin p n de silicio
con un rea de seccin transversal de 2 x10 4 cm 2 . Los parmetros del diodo
son
N A 5x1016 cm 3 ,
N D 1016 cm 3 ,
de la ecuacin 42a y L p D p p , obtenemos
SOLUCIN
qD p pno
Lp
p n 5x10 7 s
D p 10 cm 2 s ,
Dn 21cm 2 s ,
Js
ni 9.65x109 cm 3
qDn n po
Ln
1
qni2
ND
Dp
1
NA
Dn
,
n
2 1
10
1
21
1.6 x10 19 x 9.65 x109 16
7
16
5 x10
5 x10
5 x10 7
10
8.58x10 12 A cm 2
De la seccin transversal con rea A 2 x104 cm 2 , obtenemos
I s AJ s 2 x104 x8.58x1012 1.72 x10 15 A
2.4 Fenmenos de Ruptura

Cuando es aplicado un voltaje inverso suficientemente grande a una unin
p n , la unin rompe y conduce una corriente muy grande. Sin embargo el
proceso de rompimiento no es inherentemente destructivo, la corriente

mxima
debe
ser
limitada
por
un
circuito
externo
para
evitar
un
calentamiento excesivo de la unin. Dos importantes mecanismos de

rompimiento son el efecto tnel y el de multiplicacin avalancha.
98
Fig. 12 Caracterstica corriente- voltaje ideal. ( a ) Grfica en el plano cartesiano. ( b ) Grfica en plano de escala
semilogartmico.
Consideraremos primero el efecto tnel y ms ampliamente la multiplicacin

avalancha, porque el rompimiento avalancha impone un lmite superior en
polarizacin inversa para muchos diodos. El rompimiento avalancha tambin
limita el voltaje de colector de un transistor bipolar y el voltaje de dren de un
MOSFET. Adems, el mecanismo multiplicacin avalancha puede generar
potencia con microondas, con un diodo IMPATT, y detectar seales pticas,
con un fotodetector avalancha.
99

Efecto Tnel
Cuando un campo elctrico alto es aplicado a una unin p n en la direccin
inversa, un electrn de valencia puede hacer una transicin desde la banda
de valencia a la banda de conduccin como se muestra en la Fig. 13a. Este
proceso, en el cual un electrn penetra a travs de la banda de energa
prohibida, es llamado tnel.
Fig. 13 Diagramas de bandas de energa bajo condiciones de rompimiento de la unin. ( a ) Efecto tnel. ( b )
Multiplicacin avalancha.
El proceso tnel ocurre solamente si el campo elctrico es muy alto. El

campo elctrico tpico para el silicio y el arseniuro de galio es alrededor de
106 V cm
o ms. Para lograr tal campo elctrico, la concentracin de
impurezas para ambas regiones debern ser altas (> 5x1017 cm 3 ). El mecanismo
de rompimiento para las uniones de silicio y arseniuro de galio con voltajes
de rompimiento de menos que 4 E g q , donde E g es la banda prohibida, son el
resultado del efecto tnel. Para uniones con voltajes de rompimiento arriba
de 6 E g q , el mecanismo de rompimiento es el resultado de multiplicacin
avalancha. Para los voltajes entre 4 y
6 E g q , el rompimiento es debido a
una mezcla de ambos procesos multiplicacin avalancha y tnel.

100
2.4.1
Ruptura por Multiplicacin o Avalancha
Cuando es incrementado el campo elctrico en un semiconductor por arriba

de un cierto valor, los portadores ganan suficiente energa cintica para
generar pares electrn-hueco por un proceso avalancha que es mostrado en
la Fig. 13b. Consideremos un electrn en la banda de conduccin (designado
por 1). Si el campo elctrico es suficientemente alto, este electrn puede
ganar energa cintica antes de colisionar con la estructura reticular. Al
impactarse con la red los electrones imparten mucha
de su energa para
romper un enlace, esto es, para ionizar un electrn de valencia de la banda

de valencia a la banda de conduccin de donde se genera un par electrnhueco (designado por 2 y 2'). Similarmente, el par generado empieza ahora
a acelerarse en el campo y a colisionarse con la retcula como lo indica la
figura. Que a su vez ellos generarn otros pares electrn-hueco, y as
sucesivamente. Este proceso es llamado proceso avalancha; el cual tambin
es llamado como el proceso de ionizacin por impacto
El proceso de multiplicacin-avalancha es ilustrado en la Fig. 13b. La unin
pn
tal como una unin abrupta de un solo lado
concentracin de impurezas de
N D 1017 cm 3
p n
con una
o menos que est bajo
polarizacin inversa.
Para derivar la condicin de rompimiento, asumiremos que la corriente I no
incide por el lado izquierdo de la regin de agotamiento de ancho W, como
se muestra en la Fig. 14. Si el campo elctrico en la regin de agotamiento
es suficientemente alto para iniciar el proceso de multiplicacin avalancha, la
corriente de electrones I n se incrementar con la distancia a travs de la
101

regin de agotamiento para llegar a un valor
M n I no en W , donde M n , el
factor de multiplicacin, es definido como
Mn
I n(W )
I no
(43)
Similarmente, la corriente de huecos I p se incrementa desde x W hasta

x 0 . La corriente total I ( I p I n ) es constante en estado estable. El
incremento diferencial de corriente de electrones en x es igual al nmero de

pares electrn-hueco generados por segundo en la distancia dx :
Fig. 14
Regin de agotamiento en una unin p-n con multiplicacin de una corriente incidente.
I I
I
d n n n dx P p dx
q q
q
(44)
dI n
p n I n p I
dx
(44a)
102

Donde n y p son las velocidades de ionizacin de los electrones y huecos,
respectivamente. Si usamos la suposicin simplificadora de que n p , la
solucin de la Ec. 44a es
I n W I n 0 W
dx
0
I
(45)
De las Ecs. 43 y 44, tenemos
W
1
dx .
0
Mn
(45a)
El voltaje de rompimiento avalancha est definido como el voltaje donde M n

tiende a infinito. Por lo tanto, la condicin de rompimiento est dada por
dx 1
(46)
Desde ambos la condicin de rompimiento descrita arriba y la dependencia

de la velocidad de ionizacin del campo (es decir, el mximo campo elctrico
de rompimiento) al cual el proceso avalancha tiene lugar. Usando las
cantidades n y p los campos elctricos Ec son calculados para uniones
abruptas de un solo lado de silicio y el arseniuro de galio como se muestra
en la Fig. 15 como funcin de la concentracin de impurezas del sustrato.
Tambin es indicado el campo crtico para el efecto tnel. Es evidente que el
efecto
tnel
solamente
ocurre
en
semiconductores
que
tienen
alta
concentracin de impurezas.
103

Con
el
campo
crtico
determinado,
podemos
calcular
el
voltaje
de
rompimiento. Como se discuti previamente los voltajes en la regin de

agotamiento estn determinados por la solucin de la ecuacin de Poisson:
Fig. 15
lado
Campo crtico de rompimiento contra el dopado bajo para el Si y el GaAs en una unin abrupta de un solo
E cW sEc2
N B 1
VB voltaje..de..ruptura
2
2q
(47)
para una unin abrupta de un solo lado y
2E W 4E
VB c c
3
3
32
2 s
12
a 1 2
(48)
para una unin gradual lineal, donde N B es la concentracin de impurezas

del lado ms bajamente dopado, s es la permitividad del semiconductor y a
es gradiente de impurezas.
104
2.4.2
Ruptura Zener
Donde el campo crtico es una funcin de variacin lenta de N B o a , el

voltaje de rompimiento, como una aproximacin de primer orden, varan con
NB
para una unin abrupta de un solo lado y con a 1 2 para una unin
graduada linealmente.
La fig. 16 muestra el clculo de voltajes de rompimiento avalancha para las
uniones de silicio y de arseniuro de galio. La lnea de puntos y rayas (a la
derecha) a altas concentraciones de impurezas o altos gradientes de
impurezas indica el comportamiento del efecto tnel. El arseniuro de galio
tiene un voltaje de rompimiento ms alto que el silicio para una N B o una a
dada, principalmente porque su banda prohibida es ms grande. Debido a la
banda prohibida ms grande, un campo crtico ms grande se requerir para
ganar suficiente energa cintica entre colisiones. Como las Ecs. 47 y 48 lo
demuestran, el campo elctrico grade, a su vez, da como resultado un
voltaje de rompimiento ms grande.
Los trazos de la Fig. 17 muestra la distribucin de una carga espacial de una
unin difundida con un gradiente lineal cerca de la superficie y un dopado
constante en el semiconductor. El voltaje de rompimiento se tiende entre los
dos casos lmite de una unin abrupta y una unin linealmente graduada
considerada previamente. Para una a grande y N B pequea , el voltaje de
rompimiento de la unin difundida est dado por la unin abrupta cuyos
105
Fig. 16 Voltaje de rompimiento avalancha contra concentracin de impurezas para una unin abrupta de un solo
lado y voltaje de rompimiento avalancha contra gradiente de impurezas para una unin linealmente graduda en Si y
GaAs. La lnea de lneas y puntos indica el comportamiento del mecanismo tnel.
resultados son mostrados en la lnea de inferior de la Fig. 17, mientras que

para a chica y N B grande, VB est dado por la unin linealmente graduada
cuyos resultados son indicados por las lneas paralelas de la Fig. 17
EJEMPLO
Calcular el voltaje de rompimiento para una unin abrupta de un solo lado
p n con N D 5x1016 cm 3
SOLUCIN
De la Fig. 15, vemos que el campo crtico de
rompimiento para una unin abrupta de un solo lado es alrededor de
5.7 x105 V m . De la Ec. 47, obtenemos

E cW sEc2
N B 1
VB voltaje..de..ruptura
2
2q
106
11.9 x8.85 x10 14 x 5.7 x105
2 x1.6 x10 19
5x10
2
16 1
21.4V
En las Figs. 16 y 17 estamos suponiendo la capa semiconductora es

suficientemente gruesa para soportar el ancho Wm de rompimiento de la capa
de agotamiento cuando es polarizada inversamente. Si la capa del
semiconductor W es ms pequea que Wm , como se muestra dentro de la
Fig. 18, el dispositivo ser ponchado o perforado antes de Wm o en su
transcurso; esto es, la regin de agotamiento alcanzar la interface n n
previo al rompimiento. Incrementando el voltaje de polarizacin inverso ms
all el dispositivo romper. El campo crtico
Fig. 16
Voltaje de rompimiento para una unin por difusin. Muestra la distribucin de la carga espacial.
Ec es esencialmente el mismo que se muestra en la Fig. 15. Por lo tanto, el
voltaje de rompimiento V B ' para este diodo perforado-corto es

107
VB' rea..sombraeda..de..Fig .18
EcWm 2
VB
W
W
2

W
W
m
m
(49)
El perforado-corto ocurre cuando la concentracin de impurezas N B llega a

ser suficientemente baja, como en un diodo p n o p n , en donde
es semiconductor tipo p dopado ligeramente y es un material tipo n

dopado ligeramente. El voltaje de rompimiento para tales diodos es calculado
de las Ecs. 47 y 49 y que es mostrado en la Fig. 18. Para un espesor dado, el
voltaje de rompimiento se aproxima a un valor constante cuando el dopado
decrece.
Fig. 17 Voltaje de rompimiento para uniones p n y p

dopada ligeramente ( ) o la regin tipo n dopada ligeramente ( ).
n . W es el espesor de la regin tipo p
108

EJEMPLO
Para una unin abrupta de un solo lado GaAs p n con N D 8x10 14 cm 3 ,
calcular el ancho de la capa de agotamiento de rompimiento. Si la regin tipo
de esta estructura es reducida a 20
m , calcular el voltaje de
rompimiento.
SOLUCIN
De la Fig. 16, podemos encontrar el voltaje de
rompimiento (VB ) es alrededor de 500 V, el cual es mucho ms grande

que el voltaje de construccin ( Vbi ). Y de la Ec. 30, obtenemos
W
2 s (Vbi V )
qN B
2x12.4x8.85 x10 -14 x500

2.93x10 -3 29.3m .
1.6x10 -19 x8x10 14
Cuando la regin tipo n es reducida a 20 m , el perforado ocurre

primero. De la Ec. 49, podemos obtener
VB' rea..sombraeda..de..Fig .18 W

W
2

EcWm 2
VB
W
W
m
m
W
W
20
20
2
500x
V B ' VB
2
449V
29.3
29.3
Wm Wm
Condicin de Equilibrio Trmico

La caracterstica ms importante de las uniones p n es que ellas rectifican,
esto es, ellas permiten que la corriente fluya fcilmente en una sola
direccin. La Fig. 18a muestra la caracterstica corriente-voltaje de una unin
p n tpica de silicio.
109
Fig. 18a
Caracterstica corriente-voltaje de una unin tpica de silicio
p n.
Cuando aplicamos un voltaje de polarizacin directo (es decir, un voltaje

positivo en el lado p ), la corriente se incrementa rpidamente cuando el
voltaje se incrementa. Sin embargo, cuando polarizamos inversamente,
virtualmente no fluye corriente inicialmente. Cuando la polarizacin inversa
es incrementada la corriente permanece muy pequea hasta que es
alcanzado el voltaje crtico, en tal punto la corriente se incrementa de
repente.
Este
incremento
repentino
de
corriente
es
referido
como
rompimiento de la unin. El voltaje directo aplicado es usualmente ms

pequeo que 1V, pero el voltaje crtico inverso, o voltaje de rompimiento,
puede variar de unos pocos volts a varios miles de volts dependiendo de la
concentracin de impurezas y de otros parmetros del dispositivo. Por lo que
la ruptura zener podr ser por un proceso de multiplicacin avalancha o por
un proceso tnel, dependiendo del voltaje de rompimiento.
110
2.5 Tcnicas de Fabricacin de Dispositivos de Unin

Pasos de Fabricacin Bsica
Fig. 8 ( a ) Una barra tipo n de una oblea de Si. ( b ) Una oblea de Si oxidada por oxidacin seca o mojada. ( c )
Aplicacin de resistencia. ( d ) Resistencia expuesta a travs de la mscara.
Hoy en da, la tecnologa planar es usada extensamente para la fabricacin

de circuitos integrados (CI). Las Figs. 19 y 20 muestran los pasos principales
del proceso planar. Estos pasos incluyen oxidacin, litografa, implantacin
111

inica, y metalizacin. Describiremos brevemente estos pasos en esta
seccin.
Fig. 9 ( a ) La oblea despus del revelado. ( b ) La oblea despus de la remosin del Si2O2. ( c ) El resulatado final
despus de completar el proceso litogrfico. ( d ) Una unin p-n es formada en el proceso de difusin o implantacin.
( e ) La oblea despus de la metalizacin. ( f ) Una unin p-n despus de completar el proceso.
Oxidacin
El desarrollo del dixido de silicio (SiO2) de alta calidad ha ayudado al
establecimiento del dominio del silicio en la produccin comercial de CIs.
Generalmente, el SiO2 funciona como un aislante en un buen nmero de
112

estructuras en dispositivos o como una barrera para difusin o implantacin
durante la fabricacin de dispositivos. En la fabricacin de una unin p n
(Fig. 19), la pelcula de SiO2 es usada para definir el rea de la unin.
Hay dos mtodos de crecimiento del SiO2, oxidacin mojada y seca,
dependiendo del ambiente que sea usado en el proceso con oxgeno seco o
vapor de agua. La oxidacin seca es frecuentemente usada para formar
xidos delgados en la estructura de un dispositivo por sus buenas
caractersticas de interface Si-SiO2, mientras que la oxidacin mojada es
usada para capas ms gruesas por su alta velocidad de crecimiento. La Fig.
19a muestra una seccin de una barra de
una oblea de Si lista para la
oxidacin. Despus del proceso de oxidacin, una capa de SiO2 es formada

sobre toda la superficie de la oblea. Por simplicidad, la Fig. 19b muestra
solamente la superficie superior de una oblea oxidada.
Litografa
Acerca de otra tecnologa, llamada fotolitografa, es usada para definir la
geometra de la unin p n . Despus de la formacin del SiO2, la oblea es
cubierta con un material sensible a la luz ultravioleta (UV) llamada
fotorresistencia, la cual es depositada sobre la superficie de la oblea por un
tejedor de alta velocidad. Despus del depsito de la fotorresistencia (Fig.
19c), la oblea es cocida en alrededor de 80- 100 C para quitar el solvente de
la resistencia, para endurecerla y mejorar la adhesin. La Fig. 19d muestra el
siguiente paso, el cual consiste en exponer la oblea a una luz ultravioleta que
pasa a travs de una mscara patrn. La regin expuesta de la cubierta de
material fotorresistente de la oblea experimenta una reaccin qumica
dependiendo del tipo de resistencia. El rea expuesta a la luz se polimeriza y
se dificulta removerla con cido.1 La regin polimerizada permanece cuando
1
Esta es una fotorresistencia negativa. Tambin podemos usar fotorresistencia positiva
113

la oblea es colocada en un revelador, mientras que la regin no expuesta
(bajo el rea opaca) es disuelta y lavada. La Fig. 20a muestra la oblea
despus del revelado. La oblea es otra vez cocida a 120-180 C por 20
minutos para reforzar la adhesin y mejorar la resistencia para los
subsecuentes procesos de gravado
con cido. Entonces, usando
cido fluorhdrico (HF) diluido se remueve la
superficie de SiO2 que no fue protegida (Fig. 20b). Por ltimo, la resistencia
removida por una solucin qumica o un sistema de plasma de oxgeno. La
Fig. 20c muestra el resultado final de una regin sin xido (una ventana)
despus del proceso de litografa. La oblea est ahora lista para formar la
unin p n por un proceso de difusin o
un proceso de implantacin de
iones.
Difusin e Implantacin de Iones
En el mtodo de difusin, la superficie del semiconductor no protegida por el
xido es expuesta a una fuente con una alta concentracin de impurezas del
tipo opuesto. Las impurezas penetran dentro del cristal semiconductor por
difusin de estado slido. En el mtodo de implantacin de iones, las
impurezas
que
se
requieren
son
introducidas
al
semiconductor
por
aceleracin de los iones de impureza a un alto nivel de energa y quedando

as implantados los iones en el semiconductor. La capa de SiO 2 sirve como
barrera para la difusin de impurezas o la implantacin de iones. Despus
del proceso de difusin o el de implantacin de iones, la unin p n queda
formada como se muestra en la Fig. 20d. Debido a la difusin lateral de
impurezas o a la colocacin lateral de implantacin de iones, el ancho de la
regin p es ligeramente ms ancha que la ventana abierta.
114

Metalizacin
Despus del proceso de difusin o implantacin de iones, es usado un
proceso metalrgico para formar los contactos hmicos e interconexiones
(Fig. 20e). Las pelculas metlicas pueden ser formadas por deposicin fsica
de vapor y por deposicin qumica de vapor. El proceso de litografa es otra
vez usado para definir el contacto frontal el cual es mostrado en la Fig. 20f.
Un paso similar de metalizacin es realizado en el contacto posterior sin usar
un proceso de litografa. Normalmente se hace un recocido a baja
temperatura ( 5000 C ) para promover baja resistencia en los contactos entre
las capas de metal y semiconductor. Con la metalizacin completa, la unin
p n est lista para funcionar.
115

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1.1. El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de

silicio (Si). Otra tcnica de

crecimiento fue desarrollada por Bridgman en 1925. La tcnica Bridgman ha

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para transferir patrones. La

litografa es la base tecnolgica para la industria de los semiconductores. El

importante factor econmico, ya que generalmente representa sobre el 35%

Crecimiento de cristales de Czochralski

Crecimiento de cristales de Bridgman

Foto resistencia litogrfica

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Crecimiento epitaxial CVD

Sheftal, Kokorish y Krasilov

Circuitos integrados hbridos

Circuitos integrados monolticos

Compuerta autoalineada de polisilicio

Kerwin, Klein y Sarace

Irving, Lemon y Bobos

Crecimiento epitaxial con haz molecular

Rung, Momose y Nagakubo

Pulido qumico y mecnico

El mtodo de la mscara de xido fue desarrollado por Frosch y Derrick en

reticular idntica a la del cristal base. Este mtodo es importante para la

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difusin y la implantacin de iones pueden complementarse una a la otra en

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ser aplicados en patrones de transferencia de

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Fig. 2 El primer microprocesador. (Fotografa cortesa de Intel Corp.)

constituyen uno de los ms grandes segmentos de la industria.

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debido a que el 95% de los materiales usados por la

industria electrnica es el silicio.

Si (slido) + SiO (gas) + CO (gas)

El producto de silicio obtenido se hace reaccionar con cido clorhdrico

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SiHCl3 (gas) + H2 (gas)

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el triclorosilicato es descompuesto usando una corriente elctrica dentro de

que contiene diversas estructuras cristalinas con

diferentes tamaos y con orientacin diferente una de la otra).

Si (slido) + 3 HCl (gas)

El silicio policristalino est listo ahora para el proceso de crecimiento de

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