TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,

formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de
tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um
fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes
como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia,
osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons
participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador,
eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).

ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAO:
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
1

Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de
transistores:
Transistor npn com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base.

Transistor pnp com polarizao

direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao
direta entre base e emissor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com

a polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.
Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios
do material p para o material n.
2

2 - Juno reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,
conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao
direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de

depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo
de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende
tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser
diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
3

A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB),
sendo da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo
alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para
transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente
de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores
minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em
um transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o
processo de anlise o mesmo.

Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO)

provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a
corrente de base (IB) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada
4

por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm
tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de
anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar
que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as
lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os
eltrons.
A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.

A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma

regio de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada
pela bateria VEE enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em
funo da bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores
majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em
duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima
assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor
depende do tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia
de acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de
forma que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de
variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao
coletor2.
Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95,
sabendo-se que a corrente de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
1
2

O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de

Isto explicvel, pois menor do que 1.
5

Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

IC = IE + ICBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( II )
Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:
IB = (1 - ) . IE - ICBO =

1-
ICBO
. IC

A relao / (1 - ) representada por (beta)3.

Podemos ento estabelecer as relaes:
=
=

1-

+1

Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92
0,92
=
=
= 11,5
1 - 0,92
0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:

100
=
=
= 0,99
+ 1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4
Temos ento:
IC
IC
=
e =
IB
IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a
aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos
considerar para fins prticos:

IC = IE
3
4

O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de

Alguns autores utilizam a notao CC e CC
6

CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionamse aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor referncia para a entrada e sada de sinal.

BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e
sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja
efetivamente aterrada para sinais alternados.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): < 1

Ganho de tenso (GV): elevado
Resistncia de entrada (RIN): baixa
Resistncia de sada (ROUT): alta

EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de tenso (GV) elevado
Resistncia de entrada (RIN) mdia
Resistncia de sada (ROUT) alta


COLETOR COMUM:
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de
emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na
entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de tenso (GV): 1

Resistncia de entrada (RIN): muito
elevada

Resistncia de sada (ROUT): muito
baixa

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm

denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes
tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:

REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES:

Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utilizase usualmente o mtodo convencional (do + para o -), atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e
as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE
quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o
8

emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais
positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando
essa representao.

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes;

observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que
indicam as tenses.

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de

emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais
positiva do que na parte inferior.

POLARIZAO COM UMA NICA BATERIA:

Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias,
sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno basecoletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito
transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como
resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de
Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
9

A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso

na base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.
Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do
sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:

1.
2.
3.
4.
5.
6.

VCC - VRC - VCE - VRE = 0

VCE -VBE - VCB = 0
VCC - VRB1 - VRB2 = 0
VRB1 - VRC - VCB = 0
VRB2 - VBE - VRE = 0
VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0
Aplicando-se LKC no ponto X, temos:

1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB

CURVAS CARACTERSTICAS:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem
ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor
operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim
didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
10

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM:

A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde IB = 0.

A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser
dissipada pelo transistor.
CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM BASE COMUM:

11

Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a

corrente de emissor controla a corrente de coletor, enquanto que na curva
caracterstica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla a
corrente de coletor.
CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM COLETOR COMUM:

Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em

coletor comum, onde a corrente de base controla a corrente de emissor.
A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante
a vista anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de
rea til, na qual o transistor opera com total segurana.

12

A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito

anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima
potncia permitida.

CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:

1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado

quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois
pontos bem definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,
pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: IC = IB
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC

2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE

Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do

resistor de emissor.
Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando
tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de
5

Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.

13

polarizao VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:

VCC = VRC + VCE + REIE

onde: VRC = RCIC
logo:

VCC = RCIC + VCE + REIE

Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:

IB =

VCC
IC
ou ainda: IB =
R B + RE

IE = ( + 1)IB

3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas:

VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
14

IB =

VCC
RB + RC

4 - SEGUIDOR DE EMISSOR

O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)

Equaes bsicas:

VCE = 0,5VCC
RE =

0,5VCC
IE

IE = IB
IB =

VCC
RB + RE

5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

15

A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos

mtodos mais usados em circuitos lineares.
A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor
de tenso formado por RB1 e RB2, onde RB2 polariza diretamente a juno baseemissor.
Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.
Aplicando Thvenin:
Abrindo o terminal da base temos: VTH =

RB2 . VCC
RB1 + RB2

Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos:

RTH =

RB1 . RB2
RB1 + RB2

Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto

que a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT:

VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0

Sendo: IB =

IE
VTH - VBE
, temos: IE =
RTH
+1
RE +
+1

Se RE for 10 vezes maior do que

RTH
, podemos simplificar a frmula:
+1
16

IE =

VTH - VBE
RE

Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o

que equivale dizer que:

RTH 0,1RE

Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um

projeto de polarizao por divisor de tenso na base:

VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RB1 =

RBB . VCC
ou
VBB

RB2 =

RB1 . RBB
ou
RB1- RBB

RB1 = RBB .

RB2 =

VCC
VBB

RBB
VBB
1VCC

Clculo das correntes de emissor, base e coletor

Em funo de

IE
- ICBO  IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
( + 1)
IC = IB + ( + 1)ICBO onde:
( + 1)ICBO = ICEO

IB =

Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:

IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:

IC (1 - ) = IB + ICBO
17

portanto:

IC =

IB ICBO
+
1- 1-

CORRENTES DE FUGA NO TRANSISTOR:

Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto
e base aberta.

IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal

termos esta situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor sempre
polarizada diretamente.
ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado.
Trata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto
mais adiante.

ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que,
para cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:
1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.

DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V

18

Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB =

IC
3mA
=
= 30A

100

Clculo de RE
VRE
1,2V
=
= 400
RE =
IE
3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V

Clculo de RC
VRC
4,8V
RC =
=
= 1,6k (equivalente a 4RE)
IC
3mA
Clculo de R1
4.000 . (12)
48.000
RBB . VCC
=
= 23.762
R1 =
=
VBB
2,02
2,02
Clculo de R2
R1 . RBB
(23.762).(4.000) 95.048
R2 =
=
=
= 4.817
R1 - RBB
23.762 - 4.000
19.762
Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:
RBB
4.000
4.000
4.000
=
R2 =
=
=
= 4.809 4.817
2,02
VBB
1 - 0,1683 0,8317
11VCC
12

RESPOSTAS:
RC
RE
R1
R2
IB
IE
IC

1,6k
400
23,762k
4,817k
30A
3mA
3mA
19

DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92

2 - Dado o circuito acima, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.

Clculo de
0,92

=
=
= 11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
VRC
RC =
 VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
RC =

5,8V
= 1.54k (1.544,6)
3,755mA

Clculo de RE
VRE
1,2
RE =
=
= 300
IE
4mA
Clculo de RB
VRB
RB =
 VRB = VCC - VBE - VRE  VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB =
= 41,84k (41.836,7)
245A
RESPOSTAS:
20


ICEO
IC
IB
RC
RE
RB

11,5
75A
3,755mA
245A
1.54k
300
41,84k

3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de

polarizao, considerando = 40.

Clculo de IB
VCC
15
15
15
IB =
=
=
=
= 72,12A
RB + RE 100k + 40(2,7k) 100k + 108k 208k
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
IB
IE
VCE
VRE

72,12A
2,96mA
7V
8V

4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir:

Considere = 100.

21

Clculo de IB
VCC
15
15
15
=
=
=
= 20,27A
IB =
RB + RC 270k + 100.4k7 270k + 470k 740k
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
IB = 20,27A

IC = 2,027mA

VCE = 5,473V

5 - Calcule IC, IE, RC e RB no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
22

IC
, logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
IB

Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA)  15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
RC =

15 - 8,18
= 5,68k (5.683,3)
1,2mA

Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
14,216V
RB =
= 2,37M (2.369.333,33)
6A

RESPOSTAS:
IC = 1,2mA
IE = 1,2mA

RC = 5,68k
RB = 2,37M

RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos
de operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o
transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da
reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de
saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
23

Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,

onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.

Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de

saturao.
Para determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da
equao VCC = (RC + IE)IC + VCE, obtemos:
1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V
2 ponto: para VCE = 0, temos IC =

VCC
25V
=
= 20mA
RC + RE 1,25k

24

Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto
mdio da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado)
coincidiu com a corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos
resistores:
IC 11,25mA
=
=
= 375
IB
30A
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = (11,25mA).1k = 11,25V
VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais prximo da
regio de saturao, por exemplo IB = 45A, teremos um aumento da corrente de
coletor e uma diminuio de VCE; para um ponto quiscente (Q2) mais prximo da
regio de corte, por exemplo IB = 10A, teremos uma diminuio da corrente de
coletor e um aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:

CONCLUSES:
25

1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso

entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a
variao de ao longo da reta de carga.
Para Q1:
IC 18mA
=
=
= 400
IB 45A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)
VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
Para Q2:
IC 2,5mA
=
=
= 250
IB 10A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA)
VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V
A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.

Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
26

1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC =
=
= 25mA
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo
ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.

Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no

grfico. Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas
definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de
sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

Onde: VRC = RCIC = 1k.(12mA) = 12V

VRE = REIE = 2k.(12,2mA) = 24,4V
Desta forma: VCE = VCB + VBE = 13 + 0,6 = 13,6V
27

TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA:

a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de
carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer
que quando um transistor est saturado, comporta-se como uma chave eletrnica
fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.

Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:

O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de

base ser 1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar
os valores mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente
de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso
exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de RC e RB
RB =

VRB VCC - VBE 12 - 0,7 11,3V

=
=
=
= 5,65k
IB
IB
2mA
2mA

VCC 12V
=
= 600
IC
20mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC =

28

Deveremos ento recalcular o valor de RC.

Supondo que a tenso no led seja de 1,5V (valor tpico), ento:

RC =

VCC - Vled 20 - 1,5 18,5V

=
=
= 925
IC
20mA 20mA

OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto.

Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.

Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V

aplicado na entrada.
No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como
uma chave aberta e teremos na sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o
transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto, teremos
na sada 0V.
O prximo passo verificar se os valores adotados para RC e RB garantem a
saturao do transistor, ou seja, IB deve ser da ordem de 1/10 de IC.
5V - 0,7V
= 0,915mA
4,7 k
15V
IC =
= 10mA
1,5k

IB =

29

Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE:

Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente
de emissor fixa.
Pelo fato da tenso VBE ser fixa (da ordem de 0,7V), VE seguir as variaes
da tenso de entrada (VBB), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a
tenso VE (nos extremos de RE) variar de 5,3V para 9,3V.
Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se
na regio ativa ao longo da reta de carga.

A identificao entre um circuito com transistor operando como chave

eletrnica e como fonte de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o
emissor aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente
o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.
Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de
corrente, principalmente quando o valor de VCC baixo, levando-se em conta a queda
de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V.
A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma
fonte de corrente.

Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.
30

Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
Determinar:

As tenses em RC para os valores de 10
e 1000

O valor de VCE nas duas condies

Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
RE =

VBB - VBE VRE 5V - 0,7V 4,3V

=
=
=
= 860
IE
IE
5mA
5mA

Lembrar que VBB - VBE = VRE = VE

A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de RC, desde que o transistor opere dentro da regio ativa.

Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento,
para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para RC = 10  VRC = 10.(5mA) = 0,05V
Para RC = 1k  VRC = 1k.(5mA) = 5V
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que
variar, assim sendo temos:

Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
31

CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma

variao muito grande de RC (100 vezes).
Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se
RC assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente VRC =
20V, o que invalidaria a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras, para
satisfazer a dita equao, IC teria que assumir valores menores. Deve-se portanto
evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito prxima da
regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente
igual.
Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais
estvel torna-se a corrente de coletor.
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o
acionamento de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente
ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.

Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de
mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade
diminuda, pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
32

Fixando a corrente de emissor:

Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
RE =

VBB - VBE 3V - 0,7V

=
= 153,333 (onde VBB - VBE = VRE)
IE
15mA

Adotaremos ento RE = 150

Para o led 1: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 1,5 - 2,3 = 2,2V
Para o led 2: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 2,5 - 2,3 = 1,2V
Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tenses sejam diferentes.

Reta de carga de L-1

1 ponto:
VCC - Vled 6V - 1,5V
IC =
=
= 30mA
RE
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V

Reta de carga de L-2

1 ponto:
VCC - Vled 6V - 2,5V
IC =
=
= 23,3mA
RE
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
33

REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o

transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:

A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE

Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ
VCE = VCB + VBE

Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar

provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo
VL constante.

VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta  VCE aumenta  VL no se altera

Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
Com a diminuio de VIN  VCE diminui  VL no se altera
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))
34

Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas

caractersticas de estabilizao e ser danificado.
CONDIES PARA UM PROJETO:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.

Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
VZ

Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )

onde: IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ
( III)
R

De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =

De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) =

VIN(MIN) - VZ
( IV )
R

Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX)
VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ

PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
VCBO > VIN(MAX)  no caso 13,2V
IC(MAX) 6> IL(MAX)  no caso 1,5A
PC(MAX) 7> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
6
7

IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar

PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
35

manual do fabricante tem as especificaes:

VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX)  IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
IB(MAX) =

IC(MAX) =

IC(MAX)
( MIN )

logo:

IC(MAX) = IL(MAX) -

IC(MAX)
( MIN )

1,5
1,5
1,5
IL(MAX)
=
=
= 1,46A
=
1 1 + 0,025 1,025
1+ 1
1+
( MIN )
40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:

Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um
diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor
comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de
6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.
0,5W
= 73,53mA
6,8V
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.
IZ(MAX) =

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

36

 VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IB(MAX))
VIN(MIN) - VZ
IB(MAX) =

IC(MAX) 1,46A
=
= 36,5mA
( MIN )
40

13,2V - 6,8V
IZ(MAX) =
. (8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
IZ(MAX) =

6,4V
. 44,5mA = 71,2mA
4V

Como IZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido

pode ser utilizado.

Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL =  IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
R=

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V

6,4V
=
=
= 87,04
IZ( MAX )
73,53mA
73,53mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

R=

VIN(MIN) - VZ
10,8V - 6,8V
4V
=
=
= 89,89
IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
P=

E2
R

 P=

(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 6,8V) 2 (6,4V) 2
=
=
= 0,45W
R
91
91

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

REGULADOR PARALELO:
37

A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o

zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.

A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do

regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO:

VZ = VCB  como VZ constante, VCB ser constante

VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar
VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a
tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma
valores menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
VIN, VL e IL(MAX).

Tenso de entrada mxima:
Na pior condio RL =  IL = 0
VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) ( I )
R1

Tenso de entrada mnima:

VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
VIN(MIN) - VZ - VBE
= IZ(MIN)
R1

+ IC(MIN)

+ IL(MAX) ( II )

Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
38

IZ(MAX) + IC(MAX)
VIN(MAX) - VZ - VBE
=
IZ(MIN) + IC ( MIN ) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE
Isolando IZ(MAX):
VIN(MAX) - VZ - VBE
. (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.

IZ(MAX) =

Corrente em R2:
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) =

IC(MIN)
( MIN )

IC(MIN)
( IV )
( MIN )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior
condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE
praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento
teremos:
IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX)
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2

portanto: IR2 = IZ(MIN) -

Substituindo ( V ) em ( III ), temos:

VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2
VIN(MIN) - VZ - VBE

VIN(MAX) - VZ - VBE

1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN ) + 1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO
8

VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta

39

Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:

VL = 15V
IL(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%
Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VCE + VVBE)
Ic(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:
VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)
Escolha do diodo zener:
O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
PZ(MAX) 1,3W
=
= 86,67mA
VZ
15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ - VBE

1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN ) + 1
Desprezando IC(MIN)  ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) -

IC(MIN)
, IR2 = 20mA
( MIN )

24,2V - 15V - 0,7V

1
IZ(MAX) =
. (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) .
19,8V - 15V - 0,7V
41
8,5V

IZ(MAX) =
. (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V

IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)

Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
40

IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)

IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quanto a IC(MAX))
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a
dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo
fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para
evitar sobreaquecimento do transistor.
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2  VR2 = VBE
R2 =

PR2 =

(ER2 )2 = (0,7 )2
R2

33

VBE
0,7V
=
= 35 (adotar 33)
20mA 20mA

0,49V
= 14,85mW
33

Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE
19,8V - 15V - 0,7V
4,1V
R1 =
=
=
= 6,613
IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)
20mA + 600mA
620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 =
=
=
= 3,94
IZ(MAX) + IC(MAX)
86,67mA + 2,073A 2,16
R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61
R1 adotado = 5,6 (valor comercial)

Potncia dissipada por R1:

(VR1) 2 = (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 = (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 = (8,5V ) 2 = 12,9W
PR1 =
R1
5,6
5,6
5,6
(adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:

O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s
variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da
introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que
compem o circuito tem as seguintes funes:

Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
41


Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada

a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador;

Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto ,

compara duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada
tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de
polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os
dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia
que ser aplicada ao circuito de controle.

FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar,
aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ,
ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que
aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que
a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de
base de T1 (IB1).
IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1
FORMULRIO:
42


Considerando a tenso de entrada mxima

VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN))
mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo:
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX))
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
(I)
R1

Considerando a tenso de entrada mnima

IZ(MAX) =

VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX))

IZ(MIN) + IB(MAX) =

IL(MAX)
 IL(MAX) IC(MAX)  temos ento:
1( MIN )

mas, IB(MAX) =

IZ(MIN) +

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
R1

IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

=
( II )
R1
1( MIN )

dividindo ( I ) e ( II )

IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
=
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )

IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
( III )
. IZ(MIN) +
1( MIN )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Clculo de R1
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IL(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
R1 >

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX)

PR1 =

R1 <

[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2

R1 (adotado)

Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2

Quando IC2 = IZ(MIN)  R2 <

VL - VZ - VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
43


Quando IC2 = IZ(MAX)  R2 >

VL - VZ - VBE2(MIN)
0,1.IZ(MAX)

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)

IZ(MIN) =

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IL(MAX)
- IB1(MAX)  IB1(MAX) =
R1 (adotado)
1( MIN )

Clculo de potncia dissipada em R2

VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)

Clculo de R3
R3
VR3 = VL .
 VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R 3 + R2
VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3  VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3
VR3.R2 = R3.(VL - VR3)
R3 =

VR3 . R2
 (R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3

Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
PR3 =

(VZ + VBE2(MAX) ) 2
R3 (adotado)

PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
VIN = 25V 10%
IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V
Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V  VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V

Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
44

IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A

VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40  (MAX) = 250
Escolha do diodo zener:
Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
IZ(MIN) = 50mA
VZ = 5,1V
PZ(MAX) = 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:
PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) =
=
= 255mA
VZ
5,1V

IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =

. IZ(MIN) +
1( MIN )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V
800mA
27,5V - 12V - 0,6V
IZ(MAX) =
. 50mA +

40
22,5V - 12V - 0,7V
14,9V
IZ(MAX) =
. 70mA = 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para
VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente.
45

O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:

VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40  (MAX) = 250
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 >
IZ(MAX)
R1 <

27,5V - 12V - 0,6V 14,9V

=
= 58,4
255mA
255mA

22,5V - 12V - 0,7V 9,8V

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
=
= 140
=
IL(MAX)
800mA
70mA
IZ(MIN) +
50mA +
1( MIN )
40
58,4 < R1 < 140  valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R1:

2
[
(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )]
(27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2
PR1 =
=
=
= 2,22W
R1 (adotado)
100
100
(adotar 5W)

Clculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN)
R2 >
0,1.IZ(MAX)
IZ(MAX) =

R2 >

R2 <

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)

27,5V - 12V - 0,6V

= 149mA
100

12V - 5,1V - 0,6V

6,3V
=
= 422,82
14,9mA
14,9mA

VL - VZ - VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
IZ(MIN) =

 IZ(MIN) =

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
- IB1(MAX)
R1 (adotado)

22,5V - 12V - 0,7V 800mA

= 98mA - 20mA = 78mA
100
40
R2 <

12V - 5,1V - 0,7V

6,2V
=
= 794,87
7,8mA
7,8mA

422,82 < R2 < 794,87  adotar 560

Calculando a potncia desenvolvida em R2:
46

PR2 =

(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
R2 (adotado)

(12V - 5,1V - 0,6V) 2 (6,3V )

=
= 70,88mW
560
560
2

PR2 =

Clculo de R3:
VR3 . R2
5,7V . (560) 3.192
R3 =
=
=
= 506,67  adotar 470
VL - VR3
12V - 5,7V
6,3
onde: VR3 = VZ + VBE2(MIN)
Calculando a potncia desenvolvida em R3:
(VZ + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
PR3 =

(5,1V + 0,7V) 2 (5,8) 2

=
= 71,57mW
470
470

CONFIGURAO DARLINGTON:

A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.

Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2

O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000
Assim, IC2 = T . IB1
A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2
Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado
de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a
um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um
47

nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades
pnp e npn respectivamente.

PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR

DARLINGTON
Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington;
proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500  (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
IZ(MAX) =

0,4W
= 53,33mA
7,5V

Verificando a escolha do transistor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX)  IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
IB(MAX) =

IC(MAX) =

IC(MAX)
( MIN )

logo:

IC(MAX) = IL(MAX) -

IC(MAX)
( MIN )

1,5
1,5
1,5
IL(MAX)
=
=
= 1,497A
=
1
1
1 + 0,002 1,002
1+
1+
( MIN )
500

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W

48

O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a

utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.
Verificando a escolha do zener:
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IB(MAX))
VIN(MIN) - VZ
IB(MAX) =

IC(MAX) 1,497A
=
= 2,994mA
( MIN )
500

13,2V - 7,5V
IZ(MAX) =
. (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V
IZ(MAX) =

5,7V
. 12,994mA = 22,44mA
3,3V

Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener

escolhido pode ser utilizado.

Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL =  IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
R=

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V

5,7V
=
=
= 106,88
IZ( MAX )
53,33mA
53,33mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

R=

VIN(MIN) - VZ
10,8V - 7,5V
3,3V
=
=
= 253,96
IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.
Potncia dissipada pelo resistor:
E2
P=
R

(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2
 P=
=
=
= 180,5mW
R
180
180
49

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).

COMPARAES:
Parmetros
R1
PR1
IC(MAX)
PC(MAX)
IZ(MAX) terico
IZ(MAX) prtico
VZ
IB(MAX)

Projeto com transistor comum

91
508mW
1,46A
10,5W
73,53mA
71,2mA
6,8V
36,5mA

Projeto com transistor Darlington

180
180,5mW
1,497A
10,78W
53,33mA
22,44mA
7,5V
2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o

transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base
bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor
Darlington bem maior.

BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP
- 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos
Editora S.A. - RJ - 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

50