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CARRERA:
ASIGNATURA:
MATERIALES Y NANOTECNOLOGIA
ACTIVIDIDAD:
CATEDRATICO:
ALUMNO:
JHONI MANUEL ROSADO CUELLAR
Profesor yo realice el mapa con el programa que usted menciono las verdad muy prctico
para realizar esta actividad. Solo que no se cmo presentarlo para evidenciar que si lo hice
con el programa que usted menciona. Lo cual lo pondr aqu y tratare de enviar el link o
algo del programa donde realice el mapa conceptual.
Informacin general
Nombre, smbolo, nmero
Silicio, Si, 14
Serie qumica
Metaloides
Grupo, perodo,bloque
14, 3, p
Masa atmica
28,0855 u
Configuracin electrnica
[Ne]3s2 3p2
Dureza Mohs
6,5
2, 8, 4 (imagen)
Propiedades atmicas
Radio medio
120 pm
Electronegatividad
1,9 (Pauling)
Radio covalente
111 pm
210 pm
Estado(s) de oxidacin
xido
Anftero
1. Energa de ionizacin
786,5 kJ/mol
2. Energa de ionizacin
1577,1 kJ/mol
3231,6 kJ/mol
4. Energa de ionizacin
4355,5 kJ/mol
5. Energa de ionizacin
16091 kJ/mol
6. Energa de ionizacin
19805 kJ/mol
7. Energa de ionizacin
23780 kJ/mol
8. Energa de ionizacin
29287 kJ/mol
9. Energa de ionizacin
33878 kJ/mol
38726 kJ/mol
Propiedades fsicas
Estado ordinario
Densidad
2330 kg/m3
Punto de fusin
1687 K (1414 C)
Punto de ebullicin
3173 K (2900 C)
Entalpa de vaporizacin
384,22 kJ/mol
Entalpa de fusin
50,55 kJ/mol
Presin de vapor
4,77 Pa a 1683 K
Varios
Estructura cristalina
Diamante
N CAS
7440-21-3
231-130-8
Calor especfico
700 J/(Kkg)
Conductividad elctrica
4.3510-4 S/m
Conductividad trmica
148 W/(Km)
8433 m/s a
293,15 K(20 C)
Istopos ms estables
Artculo principal: Istopos del silicio
iso
AN
Periodo
MD
Ed
PD
MeV
28
Si
92,23 %
29
Si
4,67 %
30
Si
3,1 %
32
Si
Sinttico
132 a
0,224
32
BIBLIOGRAFIA
"Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales" (I, II) W.D. CALLISTER, Jr.,
Editorial Revert, S.A., (2003). 620 CAL int.
Ciencia e Ingeniera de los Materiales D. R. ASKELAND, Editorial ParaninfoThomson Learning, (2001). 620 ASK cie.
Steels: heat treatment and processing principles, G. Krauss, ASM International, 1990.