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Compromiso Climtico
Curso
Tema
Ohm
Docente
Facultad
Informtica
Ingeniera de Sistemas e
Ciclo
Unidad
Integrantes
:
:
Fsica II
III
II
:
LEY DE OHM
OBJETIVO:
Determinar la relacin que existe entre la diferencia de potencial
V aplicada, y la intensidad de corriente I que circula a travs de
un conductor.
II.
FUNDAMENTO TERICO:
La resistencia elctrica se define como la oposicin que un
material cualquiera ofrece al paso de la corriente elctrica, y se
representa por R.
En los materiales, an en los conductores, las cargas siguen una
trayectoria en zigzag, lo cual es el resultado de la colisin u otras
interacciones con las porciones estacionarias de los tomos que
forman el conductor, durante estas interacciones localizadas las
cargas, las cargas en movimiento pierden gran cantidad de
energa dirigida, que adquirieron como resultado de la presencia
del campo elctrico en el conductor. Esta energa perdida casi
siempre aparece en forma de calor en el conductor.
La Ley de Ohm, postulada por el fsico y matemtico alemn
Georg Simn Ohm, es una de las leyes fundamentales de la
electrodinmica, estrechamente vinculada a los valores de las
unidades bsicas presentes en cualquier circuito elctrico como
son:
1. Tensin o voltaje "E", en volt (V).
2. Intensidad de la corriente " I ", en ampere (A).
Es esencial que tengamos en claro la definicin de corriente
elctrica la cual podemos sealar como el paso de electrones
que se transmiten a travs de un conductor en un tiempo
determinado.
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LEY DE OHM
MATERIALES Y EQUIPO:
01 Fuente de tensin contina (de 0 a 12 voltios).
01 Alambre de Cr-Ni.
01 Resistencia acumulada.
01 Placa de arrollamiento.
01 Ampermetro y un Voltmetro.
01 Tablero de montaje.
01 Interruptor.
Varios cables conectores.
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LEY DE OHM
IV.
PROCEDIMIENTO:
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LEY DE OHM
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LEY DE OHM
V.
0.97
AMPERMET
RO
(miliamperio
s)
10
1.48
20
2.32
28
3.05
37
4.18
46
5.06
56
VOLTMET
RO
(voltios)
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LEY DE OHM
FUEN
TE
(Voltio
s)
1
VI.
0.72
AMPERMET
RO
(miliamperio
s)
40
1.48
80
2.32
139
3.05
180
4.18
240
5.06
300
VOLTMET
RO
(voltios)
DISCUSIN DE RESULTADOS:
Resistencia Acumulada:
FUEN
TE
(Voltio
s)
1
0.97
AMPERMET
RO
(miliamperio
s)
10
1.48
20
2.32
28
3.05
37
4.18
46
5.06
56
VOLTMET
RO
(voltios)
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LEY DE OHM
FUEN
TE
(Voltio
s)
1
0.72
AMPERMET
RO
(miliamperio
s)
40
1.48
80
2.32
139
3.05
180
4.18
240
5.06
300
VOLTMET
RO
(voltios)
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LEY DE OHM
RESOLUCIN DE PREGUNTAS:
1. Graficar I en funcin de V con los resultados
obtenidos.
En estas dos tablas se obtuvieron grficas que describen
una funcin lineal con pendiente positiva, debido a que la
resistencia permaneci
constante. Adems, las variables estudiadas, diferencia de
potencial y corriente elctrica, presentan una relacin
directamente proporcional, lo que indica un
comportamiento que est de acuerdo con la Ley de Ohm
para estos dos circuitos.
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LEY DE OHM
LEY DE OHM
=V/I
= 1.90 / 0.02
= 95 Ohmios.
=V/I
= 2.32 / 0.0139
166.9 Ohmios.
=V/I
= 5.49 / 0.056
LEY DE OHM
R
95 Ohmios.
CONCLUSIONES:
Aplicamos tcnicas de anlisis grfico aprendidas en el
laboratorio de fsica 1, para concluir que un elemento
hmico presenta una resistencia constante, la variacin
de la diferencia de potencial.
Analizamos la proporcionalidad entre la corriente
elctrica y la diferencia de potencial, en donde es directa
para elementos hmicos e indirecta para elementos no
hmicos.
IX.
LEY DE OHM
X.
LINKOGRAFA:
LEY DE OHM
http://clubensayos.com/Tecnolog%C3%ADa/APLICACIONDEL-LA-LEY-DE/836615.html
http://html.rincondelvago.com/ley-de-ohm_9.html
http://html.rincondelvago.com/ley-de-ohm_6.html