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MECATRONICA
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SISTEMAS DE

PROCESAMIENTO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

INTRODUCCION
Un circuito integrado (CI) es una serie de dispositivos electrnicos, como
transistores, diodos y resistores, que se han fabricado e interconectado de
manera elctrica en una pequea pastilla (chip) plana de material
semiconductor. El CI se invent en 1959 y ha sido objeto de desarrollo continuo
desde entonces. El silicio (Si) es el material semiconductor que ms se utiliza
para los CI, debido a su combinacin de propiedades y bajo costo. Es menos
comn el uso de pastillas semiconductoras con germanio (Ge) y arseniuro de
galio (GaAs). Como los circuitos se fabrican de una pieza nica de material
slido, se utiliza el trmino electrnico de estado slido para hacer referencia a
estos dispositivos.
El aspecto ms fascinante de la tecnologa microelectrnica es el gran nmero
de dispositivos que pueden encapsularse en una sola pastilla pequea. Se han
creado varios trminos para definir el nivel de integracin y la densidad del
encapsulado, como la integracin a gran escala y la integracin a escala muy
grande por sus siglas en ingls, LSI y VLSI, respectivamente

PANORAMA DEL PROCESAMIENTO DE CI.

Estructuralmente, un circuito integrado consiste en cientos, miles o millones de
dispositivos electrnicos microscpicos que se han fabricado e interconectado
elctricamente dentro de la superficie de una pastilla de silicio.
Un chip, tambin llamado dado, es una placa plana rectangular o cuadrada
que tiene un espesor aproximado de 0.5 mm (0.020 in) y, por lo general, entre
5 y 25 mm (0.200 y 1.0 in) por lado. Cada dispositivo electrnico (es decir,
transistor, diodo, etctera) que se encuentra en la superficie del chip consiste
en capas y regiones separadas con propiedades elctricas diferentes, que se
combinan para realizar la funcin particular del dispositivo.
Tambin se proporcionan lneas de conduccin y almohadillas para conectar
elctricamente el CI a las terminales, las cuales a su vez permiten que el CI se
conecte a circuitos externos. Con el fin de permitir que el CI se conecte al
mundo exterior y se proteja de cualquier dao, el chip se conecta a una
estructura de terminales y se encapsula en forma adecuada. Por lo general, el
encapsulado se hace de cermica o plstico, los cuales proporcionan
proteccin mecnica y ambiental para el chip e incluye terminales mediante las
cuales el CI se conecta elctricamente a circuitos externos. Las terminales se
encuentran conectadas a las almohadillas conductoras del chip, las cuales
tienen acceso al CI.
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SECUENCIA DEL PROCESAMIENTO

La secuencia para fabricar las pastillas de CI basadas en silicio comienza con el
procesamiento del mismo. En breve, el silicio con una pureza muy alta se
reduce en varios pasos a partir de arena (dixido de silicio, SiO2). El silicio se
acumula a partir de un material fundido hasta obtener un solo cristal slido y
grande, con una longitud tpica de entre 1 y 3 m (3 y 10 ft) y un dimetro de
hasta 300 mm (12 in). Este monocristal, llamado boule, se rebana en obleas
delgadas, las cuales son discos de un espesor igual a 0.5 mm (0.020 in)
aproximadamente.
Despus de una limpieza y un acabado adecuados, las obleas estn listas para
la secuencia de procesos mediante las cuales se crearn en su superficie varias
caractersticas microscpicas de diversas qumicas para formar los dispositivos
electrnicos y sus intraconexiones. La secuencia consiste en varios tipos de
procesos; la mayora de ellos se repite muchas veces. Para producir un CI
moderno, puede requerirse un total de 200 pasos. Bsicamente, el objetivo de
cada paso es agregar, alterar o remover una capa de material en las regiones
seleccionadas de la superficie de la oblea. A los pasos para formar estas capas
en la fabricacin de un CI algunas veces se les denomina proceso planar,
debido a que el procesamiento confa en que la forma geomtrica de la oblea
de silicio sea un plano.

Los procesos mediante los cuales se agregan las capas incluyen tcnicas de
deposicin de pelculas finas tales como la deposicin fsica de vapor y la
deposicin qumica de vapor, y las capas existentes se alteran mediante la
difusin e implantacin inica. Tambin se emplean tcnicas adicionales para la
formacin de capas, como la oxidacin trmica. Las capas se remueven de las
regiones seleccionadas a travs de tcnicas de ataque qumico, utilizando
agentes qumicos (por lo general, soluciones cidas) y otras tecnologas ms
avanzadas, como el ataque qumico con plasma.

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La adicin, alteracin y remocin de capas deben hacerse de manera selectiva;

esto es, slo en algunas regiones extremadamente pequeas de la superficie
de la oblea para crear los detalles de los dispositivos. Para distinguir qu
regiones se afectarn con cada paso del procesamiento, se utiliza un
procedimiento que implica la aplicacin de litografa. En esta tcnica, se
forman mascarillas en la superficie para proteger algunas reas y permitir que
otras queden expuestas al proceso particular (por ejemplo, la deposicin de
pelculas o el ataque qumico). La repeticin consecutiva de estos pasos
promueve la exposicin de diferentes reas en cada paso; la oblea inicial de
silicio se transforma de manera gradual en muchos circuitos integrados.
El procesamiento de la oblea se organiza de modo que se formen muchas
superficies individuales de los chips en una sola oblea. Como la oblea es
redonda con dimetros que van de 150 a 300 mm (6 a 12 in), mientras que el
chip final es de slo 12 mm2 (0.20 in2), es posible producir cientos de chips de
una sola oblea. Al terminar el procesamiento planar, todos los CI en la oblea se
prueban visual y funcionalmente; la oblea se divide en chips individuales y los
que pasan las pruebas de calidad.
En resumen, puede decirse que la produccin de los circuitos integrados
basados en silicio consiste en las siguientes etapas:
1) el silicio puro se forma a partir del estado fundido, se convierte en lingote y
despus se corta en obleas.
2) fabricacin de los circuitos integrados en la superficie de las obleas.
3) la oblea se corta en chips y se encapsula.

Procesamiento de silicio, en el cual la arena se reduce a silicio muy puro

y despus se forma como obleas.
Fabricacin de CI, que consiste en mltiples pasos de procesamiento que
agregan, alteran y remueven capas delgadas en regiones seleccionadas
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para formar los dispositivos electrnicos; se utiliza la litografa para

definir las regiones que van a procesarse sobre la superficie de la oblea
encapsulado del CI, en el cual la oblea se prueba y se corta en dados
individuales (pastillas o chip de CI), y los dados se encapsulan en forma
adecuada.

PASOS GENERALES DE FABRICACIN

INTEGRADO FORMADO POR SILICIO

DE

UN

CIRCUITO

PREPARACIN DE LA OBLEA
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy
alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero
de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud. Este cristal
se rebana para producir obleas circulares de 400 m a 600 m de espesor, (1
m es igual a 110-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un
acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas.
Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin
de los planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes.

OXIDACIN
Se refiere al proceso qumico de reaccin del silicio con el oxgeno para formar
Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos
ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la
reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin
seca) o como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una
mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores
caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar
para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula
delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con
luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva har
que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie de la oblea
se puede deducir el espesor de la capa de xido.

DIFUSIN
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta
concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el proceso
de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen
tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto,
para acelerar el proceso de difusin de impurezas se realiza a altas
temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado.
Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo
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p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza

es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse como
conductor.

METALIZACIN
Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la
deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la
pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin
electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.

FOTOLITOGRAFA
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los
diversos componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa,
primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada
sustancia foto endurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus
de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer
de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas
opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta
manera, producir con precisin geometras de superficies muy finas. La capa
fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el
ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos. Este
requerimiento impone restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el
equipo de fotolitografa.

EMPACADO
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips
terminados, cada chip puede contener de 10 o ms transistores en un rea
rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber
probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y
los buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes). Normalmente se
utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrn de
metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina
epxica al vaco o en una atmsfera inerte.

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