Definicin del procedo para modelamiento y/o

simulacin
Energa solar
Daniel Arias Ramrez
Departamento de Qumica, Universidad Nacional de Colombia,
deariasr@unal.gedu.co

Las energas alternativas son un campo de trabajo con una relevancia importante, el uso de
combustibles fsiles y su impacto en el medio ambiente hace que el surgimiento de esta
tecnologa sea una necesidad. La energa solar es una importante opcin en la rama de las
energas alternativas, debido a que la vida media de uso de una celda solar es muy
extendida, pueden ser instaladas fcilmente y necesitan poco mantenimiento, pero poseen
una baja eficiencia en la captacin de radiacin, alrededor del 25 %.
absorbidos por el material semiconductor,
INTRODUCCION (1)

generan partculas cargadas libres,

lo

cual incremente la conductividad, cuando

Los

sistemas

fotovoltaicos,

son

se tiene una barrera de energa, un campo

dispositivos cuya funcin es la captacin

electrosttico,

de energa solar, para luego ser convertida

artificial,

en energa elctrica.

No depende de

semiconductor, este campo separa las

ningn ciclo termodinmico. El principal

cargas elctricas, este tipo de interfaz

sistema

celdas

puede aparecer en ambos lados de la

solares. Cuyo principio se basa en el

interfaz. Para que la aplicacin de las

efecto

celdas solares sea un proceso competitivo

fotovoltaico
fotovoltaico,

son
el

las
cual

est

dentro

relacionado con la fotoionizacin de los

deben

portadores dentro del material. Este

parmetros:

proceso se presenta cuando los fotones

producido

cumplirse

del

los

de

forma

dispositivo

siguientes

Materia prima abundante y de

al

probabilidad de hallar al electrn en una

bajo costo.
La eficiencia de la celda solar
debe ser entre 5 y 10% cuando el

onda determina la energa del electrn. En

espesor de la capa sea igual o

trminos geomtricos, esta onda puede

menor que 50 m.
El sustrato debe ser barato y la

alinearse en un cierto nmero (bien

temperatura del proceso la ms

baja posible.

ncleo.

Esta

onda

define

la

determinada posicin, y su longitud de

definido)

de

direcciones

posibles

(propiedad relacionada con el momento

angular); es decir que para un cierto nivel
de energa (o lo que es equivalente, para

SEMICONDUCTORES

una cierta longitud de onda) un electrn

En un semiconductor la brecha energtica

entre las bandas llenas y las vacas en
estos slidos es mucho menor que en el
caso de los aislantes, si se suministra la
energa necesaria para excitar electrones
de la banda de valencia a la de

puede

tener

diferentes

estados.

orientacin y longitud de la

La
onda

estacionaria definen entonces un estado

posible. Las superficies de igual valor de
probabilidad de las ondas estacionarias se
denominan orbitales.

conduccin, el slido se convierte en un

conductor.

Este

comportamiento

es

opuesto al de los metales. La capacidad

de un metal para conducir la electricidad
disminuye al aumentar la temperatura, ya
que se acenta la vibracin de los tomos
a mayores temperaturas y esto tiende a
romper el flujo de electrones.
Teora de bandas (2)(3)

Figura 1. Seccin transversal de los 3

primeros orbitales.

La mecnica cuntica representa al

electrn confinado en un tomo mediante
un modelo de onda estacionaria que rodea

El nivel inferior de la banda prohibida se

denomina Ev y el nivel superior se

denomina Ec. La diferencia entre ambos

se denomina E G y es la energa requerida
por un electrn para pasar de la banda de
valencia a la banda de conduccin. Esta
diferencia de energa es, por lo tanto, un
indicador de la conduccin del material.
El nivel de energa para el cual la
probabilidad de ocupacin es 0,5 se
denomina Nivel de Fermi, este nivel de

Figura 2. Diagramas de energas de

bandas para diferentes materiales.
Equilibrio trmico

energa depende de las masas efectivas de

los electrones.

La red cristalina se dice ideal cuando no

hay ninguna impureza; de esta manera, se

El modelo de bandas permite explicar con

la estructura es elctricamente neutra (la

una excelente aproximacin el fenmeno

carga neta es igual a cero), lo cual es

de la conduccin elctrica en los slidos.

natural dado que los tomos individuales

Segn este modelo, la materia est

son, elctricamente, neutros. A esta

constituida por tomos, cuyos electrones

temperatura (T = 0K), se puede observar

se distribuyen en bandas de energa. La

que no hay portadores disponibles para

banda ms externa con electrones es la

conduccin, con lo cual, el material es un

banda de valencia (Ev). Para que un

aislante. Cuando la temperatura aumenta

electrn escape de la atraccin del ncleo,

(T > 0K) la energa trmica produce la

es necesario que adquiera la energa

rotura de algunos enlaces covalentes.

suficiente (Eg) que le permita saltar a la

Cuando esto sucede, un electrn en banda

banda de conduccin (Ec). Por lo tanto:

de valencia obtiene la energa suficiente

Eg = Ec Ev. El espacio intermedio entre

para pasar a la banda de conduccin y

la banda de valencia y la de conduccin

moverse y, a su vez, deja un hueco en la

se

banda de valencia que tambin posee la

denomina

banda

prohibida,

representa valores de energa que no

pueden tener los electrones.

capacidad de moverse.

Cuando un electrn de la banda de

conduccin y un hueco de la banda de
valencia se encuentran, se recombinan
recomponiendo un enlace covalente. Este
mecanismo compensa y balancea la
Figura 3. : Representacin bidimensional
de la estructura cristalina del Silicio,
indicando los portadores mviles para T >
0K.

produccin

de

recombinacin

de

portadores.
portadores

La
puede

clasificarse de acuerdo al tipo de energa

liberada:

En esta situacin, se dice que se ha

generado un par hueco-electrn. La tasa
de generacin trmica de portadores por

trmica:

La

recombinacin se traduce en una

unidad de volumen es una funcin

vibracin

exponencial de la temperatura, se nota

de

la

estructura

cristalina o fonn, es decir, calor.

Gth(T) y sus unidades son cantidad de

Este es el tipo de recombinacin

portadores por unidad de volumen por

segundo: 1/cm 3 s.

Recombinacin

predominante en Silicio.
Recombinacin
ptica:

La

Los portadores tambin pueden generarse

recombinacin produce un fotn.

por efecto ptico, si se ilumina el material

Este

con una fuente de luz apropiada. Si un

inexistente en Silicio, pero muy

fotn impacta contra la estructura puede

significativo

proveer la energa suficiente para romper

Galio. Este mecanismo es la base

un enlace covalente y generar un par

del funcionamiento de los diodos

hueco-electrn. La tasa de generacin por

emisores de luz o LEDs (light

efecto

emitting diodes).

ptico

esencialmente
temperatura.

se

nota

Gop

independiente

es

de

la

mecanismo
en

es

Arseniuro

casi
de

Para que la recombinacin ocurra se

necesita un electrn y un hueco.
Por lo tanto, si una poblacin de

Recombinacin

portadores es alta y la otra es baja, la tasa

de recombinacin ser baja. Por el

contrario, si ambas poblaciones son altas,

la tasa de recombinacin ser alta. En
efecto, la tasa de recombinacin R resulta
proporcional

al

producto

de

las

poblaciones de portadores positivos y

negativos.
Dopado
En cada nivel de energa, hay una cierta
cantidad de estados disponibles que

Figura 4. Funcin de distribucin de

Fermi de electrones f(E) para varias
temperaturas.

pueden ser ocupados. La densidad de

estados 8 disponibles en las bandas de
conduccin y valencia estn dados por las

A T = 0K la probabilidad de existencia de
un electrn en la banda de conduccin es
0, mientras que la probabilidad en la

siguientes ecuaciones:

banda de valencia es 1.
(1)
(2)

Una

manera

de

modificar

la

conductividad consiste en aumentar la

cantidad de electrones en la banda de

Esta distribucin de estados implica que

para energas mayores a E c hay cada vez
ms estados disponibles para electrones,
mientras que para energas menores a E v
hay cada vez ms estados disponibles
para huecos. La cantidad de portadores,
en banda de conduccin o valencia,
dependen

del

producto

de

estados

conduccin, a costa de la reduccin de

huecos en la banda de valencia, mediante
la introduccin de tomos, llamados
impurezas, que donan electrones, en el
caso del silicio,

el tomo donador

comparte cuatro de sus cinco electrones

con tomos vecinos de Silicio, y el quinto
queda con un vnculo energtico dbil.

disponibles y de la probabilidad que los

mismos estn ocupados.

Un aumento de la temperatura hace que

este electrn tenga la energa necesaria
para acceder a la banda de conduccin y

pueda desplazarse por la red; esto deja al

manera que se requiere muy poca energa

tomo

ionizado

para que un electrn de banda de valencia

positivamente. El dopado tipo N produce

se recombine con l y se genere un hueco

un corrimiento del Nivel de Fermi E f

que puede trasladarse por la banda de

hacia la banda de conduccin, que se

valencia.

de

impureza

coloca por encima del nivel Ei.

La otra manera de incrementar la

Herramientas para simulacin de celdas

conductividad del Silicio es aumentar el

solares (4)

nmero de huecos en la banda de

valencia, a costa de una reduccin de los

Los

electrones de banda de conduccin,

continuacin, estn reducidos a el anlisis

mediante la introduccin de tomos de

en una dimensin, ya que estos son de

impurezas que aceptan un electrn. Dada

distribucin gratuita, para un anlisis ms

la compatibilidad geomtrica de algunos

acertado, existen software que pueden

elementos con el silicio como el Boro, el

lograr, pero que no son de distribucin

tomo

gratuita.

aceptor

electrones

con

comparte
los

tomos

sus

tres

programas

Desde

relacionados

el

punto

de

vista

vecinos,

matemtico, los programas resuelven las

produciendo un hueco en la red (debido a

ecuaciones de continuidad para hoyos y

la ausencia de un cuarto electrn) que

electrones y la ecuacin de Poisson

queda con un vnculo energtico dbil.

(electroneutralidad),

Un aumento de la temperatura 12 hace

radican

que un electrn de la banda de valencia

condiciones de frontera, y algunos efectos

tenga la energa necesaria para salir de

asociados a las interfaces en las celdas

ella y unirse a un tomo aceptor, el cual

solares.

queda ionizado negativamente. El hueco

resultante en banda de valencia puede
desplazarse por la red.
En trminos energticos, el hueco de la
impureza tiene un nivel de energa Eimp
muy cercano al nivel de energa E v de tal

PC1D

en

cmo

las
se

diferencias
manejan

las

Este programa es considerado como el

como

estndar para celdas cristalinas de silicio,

movilidades son independientes de la

el nmero de capas es bastante limitado,

temperatura. Para cada capa, hasta tres

Solo se permiten 5 por dispositivo. Los

mecanismos

ms

comunes

de

recombinacin fueron incluidos, de banda

el

intervalo

del

gap

las

niveles de profundidad se pueden definir,

y en medio de dos capas hasta tres estados
de interfaz puede ser colocado.

a banda y tnel trampa asistida. No es

posible definir una densidad general de

AMPS-1D

estados (DOS) de distribucin; slo un

nivel de profundidad se puede especificar

AMPS (Analysis of Microelectronic and

por capa, dando su posicin en el gap

Photonic

prohibido y el tiempo medio de electrones

Universidad Estatal de Pensilvania, es

y huecos.

una herramienta verstil, se pueden llegar

Structures),

creado

por la

a simular hasta 30 capas, donde cada capa

SCAPS-1D

tiene su respectivo set de parmetros

(Bandgap, densidad efectiva de los

SCAPS

(Solar

Cell

Capacitance

estados, movilidad), independientes de la

Simulator), es un programa de simulacin

temperatura. Para cada capa se pueden

numrica, diseado por la universidad de

asignar un total de 50 niveles de aceptores

Gent, fue diseado para simular films

o donadores, lo cual puede resultar en la

delgados policristalino, generalmente se

posibilidad de crear densidad de estados

usa para modelar celdas solares tipo CdTe

de distribucin aleatoria. La capacidad

y CIGS/CIS. Hasta siete capas se pueden

para resolver simultneamente varios

aadir a la celda y para cada capa o

casos,

contacto todas las propiedades fsicas y

estabilidad, hace que este programa sea

electrnicas pueden ser mostradas y

adecuado para utilizar en un modo por

alteradas dentro de una ventana separada.

lotes.

Los modelos simples pueden ser usados

inconvenientes de este programa es la

para la dependencia de la temperatura de

ausencia de la trampa de estados en la

la densidad efectiva de los Estados y la

interfase entre dos capas sin embargo,

velocidad trmica, otros parmetros tales

esto puede ser resuelto por medio de un

combinada

Uno

de

con

los

una

notable

principales

"truco", es decir, que tiene una regin

para las bandas de conduccin y de

muy fina

valencia,

con una distribucin de

intervalo de banda alta de los estados

respectivamente.

Para

materiales cristalinos que son dadas por:

entre las dos regiones.

Modelamiento Matemtico (5)
Como primera ecuacin se tiene la
ecuacin de Poisson la cual tiene en
cuenta la poblacin de portadores libres,

Donde mp,n son las masas efectivas del

la poblacin de portadores atrapados, la

electrn y del hueco. La integral de fermi

poblacin del dopante ionizado, en el

est definida como:

campo elctrico presente en el material.

(8
)

(3)

Donde es el potencial electrosttico, n

Donde E1/2 es el argumento de la integral,

electrones libres, p huecos libres, nt

se expresa como

electrones atrapados, pt hueco atrapados,

+

_
A

as como el dopaje donador, Nd y N

(9
)

es

(10
)

la concentracin de los ncleos dopantes

Donde nn est definido para electrones y

ionizados, aceptores de electrones o

np para huecos.

donores, es la permitividad y q la carga

Dependiendo de cmo sea el dopaje se

del electrn.

puede definir como suave o pesado, en el

Las concentraciones de los portadores

caso que haya un dopaje suave se tiene

estn definidos como

que

(4
)

(12
)

(11
)

(5
)

En estas expresiones Nc y Nv son las

densidades de banda efectivas de estados

(6
(7
)

NdD+

Donde

NA,d+

son

las

Las

ecuaciones

que

realizan

el

concentraciones de dopantes discretos

seguimiento de los electrones de la banda

tanto para el donador como para el

de conduccin y huecos de la banda de

aceptor. La funcin f establece la

valencia

probabilidad de que los sitios dopantes

continuidad. En estado estacionario, la

pierdan un electrn o que lo ganen. Para

tasa de tiempo de cambio de las

un estado no estacionario se define como

concentraciones de portadores libre es

son

las

ecuaciones

de

igual a cero. Como resultado, la ecuacin

(13
)

de continuidad para los electrones libres

en los estados des localizados de la banda

(14
)

de conduccin tiene la forma:

La concentracin de portadores se define

(15)

(20
)

(19
)

como

La densidad de corriente estn definidos

(16)

por

En estas ecuaciones, ndt y pdt representan

la carga total, originada respectivamente
de concentraciones aceptores y donantes
discretos,

mientras

que

nbt

pbt,

(22
)

(21
)

Donde n,p es la movilidad de electrones y

respectivamente, representan la carga

huecos,

total

recombinacin estn definidos como:

desarrollada

por

cualquier

los

mecanismos

de

concentracin aceptores y donantes, nct y

pct representan la carga total desarrollada
por cualquier donador o aceptor continuo.

(23
)

Se tienen en cuenta dos fenmenos de

recombinacin, directo RD e indirecto RI.

(17)

(18)

zz

4. COMO, N., AND CASADOSCRUZ, G. MODELING

5. SOLAR CELLS: A METHOD
FOR IMPROVING THEIR
6. EFFICIENCY.
MATERIALS

SCIENCE AND
7. ENGINEERING: B 2012, 177,
14301435

Figura 5. Diagrama esquemtico de la ecuacin de Poisson, A concentracin de portadores, B

concentracin de los ncleos dopantes ionizados ya sean aceptores de electrones, o donadores,
C Concentracion de los efectos de continuidad.

Figura 6. Diagrama esquemtico de las ecuaciones de continuidad.

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