4

CAPTULO - 1
ESTUDO DOS COMPONENTES EMPREGADOS EM
ELETRNICA DE POTNCIA (DIODOS E TIRISTORES)
1.1 - O DIODO
1.1.a - Diodo Ideal
O diodo ideal est representado na figura 1.1.

iF
C

A
+ vF -

Fig. 1.1 - Representao do diodo ideal.

A sua caracterstica tenso corrente est representada na figura 1.2.

iF

vF

Fig. 1.2 - Caracterstica esttica do diodo ideal.

5
Para tenses vF > 0, o diodo apresenta resistncia nula. Para tenses vF < 0, ele apresenta
resistncia infinita. Assim o diodo ideal, quando polarizado diretamente, no apresenta nenhuma
perda de energia. Quando polarizado inversamente, capaz de bloquear uma tenso infinita. Tais
caractersticas so as de um interruptor ideal.

1.1.b - Caracterstica Esttica de um Diodo Real

A caracterstica esttica de um diodo real est representada na figura 1.3.
Tal caracterstica estabelecida experimentalmente para cada diodo. Em conduo, ele
representado por uma fora-eletromotriz V(TO) associada em srie com uma resistncia r T. A
equivalncia est representada na figura 1.4.

iF

rT

VRRM IR
V(TO)

vF

Fig. 1.3 - Caracterstica esttica de um diodo real.

iF
C

A
+ vF iF

A
V(TO) r T
vF
+

Fig. 1.4 - Circuito equivalente de um diodo.

A tenso reversa mxima que o diodo pode bloquear limitada. Na figura essa tenso
est representada por VRRM. Tenses superiores a esse valor so destrutivas para o componente,

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

porque ele entra em conduo, mantendo a tenso elevada e conseqentemente gerando grande
quantidade de calor na juno.
Constata-se tambm que, quando polarizado inversamente, circula no diodo uma
corrente de baixo valor.
A ttulo de exemplo, esto apresentados abaixo alguns dados de um diodo de potncia,
obtidos em catlogo de fabricante.
Diodo : SKN20/08
VRRM = 800V
V(TO) = 0,85V
rT = 11m
Corrente mdia 20A (para Tcpsula = 125oC)
IR = 0,15mA

1.1.c - Perdas em Conduo

Quando o diodo encontra-se em conduo, a potncia que nele perdida e convertida
em calor dada pela expresso (1.1).
P V( TO ) I Dmed rT I Def 2

(1.1)

Onde:
IDmed = Valor mdio da corrente.
IDef = Valor eficaz da corrente.
A expresso (1.1) genrica, podendo ser empregada para qualquer forma de onda.

1.1.d - Caractersticas Dinmicas dos Diodos

Inicialmente sero analisados os fenmenos associados ao bloqueio de um diodo.
Seja a estrutura representada na figura 1.5.

l
iF

IL

E
iS

Fig. 1.5 - Circuito para o estudo da comutao de um diodo.

Inicialmente o interruptor S encontra-se bloqueado. Na malha LD circula a corrente I L

em roda livre.

Eletrnica de Potncia

7
Na figura, l representa a indutncia parasita do circuito. Quando S fechado, a corrente
do indutor L transferida do diodo para S. Essa mudana de um ramo para outro chama-se
comutao.
Na comutao mostrada o diodo se bloqueia.
As seqncias do bloqueio esto descritas nas figuras 1.6 e 1.7.
C representa a capacitncia de recuperao do diodo. Q rr representa a carga armazenada
em C quando o diodo est conduzindo.
Durante a comutao a corrente IL ser considerada constante. Assim:
iS i F I L

(1.2)

l
Qrr
E

D
iD

iF

iS

IL

Fig. 1.6 - Estudo da comutao do diodo.

Aps S ser fechado, a corrente iF comea a decrescer. A sua velocidade de decrescimento

depende de E e l segundo a relao (1.3).
di F
E

dt

(1.3)

Aps a corrente no diodo ideal ter se anulado, ocorre a descarga do capacitor C. Nesse
intervalo a corrente iD torna-se negativa, at que Qrr seja toda evacuada (Figura 1.7).
IRM

l
-

vD
E

D IRM IL

IRM

IL

Fig. 1.7 - Estudo da comutao do diodo.

Quando Qrr se anula, o diodo se bloqueia. O indutor l provoca uma sobretenso sobre o
diodo, que pode ser destrutiva. Essa sobretenso pode ser evitada se for colocado um circuito RC
em paralelo com o diodo. As formas de onda esto representadas na figura 1.8.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

iF

di F
E

dt
l

IL

tr

t rr

VD
t0

t ri

t2

t1

Qrr

t3
E

I RM
Vpico
Fig. 1.8 - Tenso e corrente em um diodo durante o bloqueio.

Pode-se obter os valores de t rr e de IRM com o emprego das expresses empricas (1.4) e
(1.5).
t rr

3 Q rr

di F dt

di
4
Q rr F
3
dt

I RM

(1.4)

(1.5)

O valor de Qrr dado pelo fabricante do diodo. O valor de di F dt depende do circuito e

estabelecido pelo projetista.
Segundo as expresses (1.4) e (1.5) tanto o tempo de recuperao do diodo quanto o
pico da corrente inversa dependem de Qrr. Quanto menor Qrr, mais rpido ser o diodo.
Os diodos, quanto velocidade de recuperao, so classificados em rpidos, ultrarpidos e lentos. Por exemplo, para correntes at 50A e tenses de 500V, os diodos rpidos
apresentam trr menores que 200ns e os diodos ultra-rpidos apresentam t rr menores que 70ns. Os
diodos comuns, empregados em retificao de baixa freqncia apresentam t rr superiores a 1s.
No circuito apresentado na figura 1.5 no h uma impedncia que limite o valor de pico
da corrente inversa. No circuito representado na figura 1.9 a corrente inversa limitada pelo
resistor r.

Eletrnica de Potncia

r
D

E
S
Fig. 1.9 - Circuito com limitao da corrente de pico.

A forma de corrente do diodo est apresentada na figura 1.10.

iF

di F
dt
t rr

I RM
Fig. 1.10 - Corrente do diodo para a figura 1.9.

Para o caso da figura 1.9 so empregados as seguintes expresses:

I RM

t rr

E
r

(1.6)

Q rr
I
0,63 RM
I RM
( di F dt )

(1.7)

Sero considerados a seguir os fenmenos associados entrada em conduo de um

diodo.
Seja o circuito representado na figura 1.11.

E
vF

iF

Fig. 1.11 - Circuito para o estudo da comutao do diodo.

Com o circuito apresentado pode-se impor no diodo a corrente cuja forma est
representada na figura 1.12.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

10

iF

Io

di F
dt

vF
2V
RD

VF

VFP
t

t rf

t
Fig. 1.12 - Formas de onda relativas entrada em conduo de um diodo.

Verifica-se a existncia de um certo tempo para que o diodo entre em conduo. o

tempo de entrada em conduo e pode variar de 0,1 a 1,5s. O valor de pico da tenso em alguns
casos pode alcanar valores prximos de 40V.
O que explica o atraso e a sobretenso a existncia de uma variao da resistncia do
diodo, mostrado na figura 1.12.
Os fenmenos mostrados s aparecem quando o diodo atacado por uma fonte de
corrente.
A experincia mostra que nos circuitos de baixa tenso, onde o diodo no pode ser
atacado em corrente, o diodo introduz no circuito um atraso considervel na corrente.
Como no caso do bloqueio, o emprego de diodos rpidos reduz o valor de VFP e do
tempo de entrada em conduo t rf.

1.1.e - Perdas na Comutao

As perdas nos diodos na entrada em conduo so representadas pela expresso (1.8).

P1 0,5 ( VFP VF ) I o t rf f

(1.8)

Para freqncias inferiores a 40KHz essas perdas podem ser ignoradas.

As perdas que ocorrem no bloqueio so calculadas com a expresso (1.9).
P2 Q rr E f

(1.9)

Sendo f a freqncia das comutaes e E a tenso aplicada no diodo aps a comutao.

Eletrnica de Potncia

11

1.1.f - Emprego dos Diodos Rpidos

H um grande nmero de aplicaes em que o emprego do diodo rpido de grande
interesse ou mesmo indispensvel. Em seguida sero apresentados alguns casos tpicos.
a) Retificao a freqncia elevada
Nesses casos o emprego de diodos rpidos diminui as perdas nas comutaes e diminui a
rdio-interferncia.
b) Conversores a transistor
Tome-se como exemplo a estrutura apresentada na figura 1.13.
Quando o transistor entra em conduo, o diodo inicialmente em conduo se bloqueia.
A corrente de pico inversa do diodo circula pelo transistor. Se o diodo no for rpido, tal corrente
pode ser destrutiva para o transistor.

l
D

E
T
Fig. 1.13 - Circuito que utiliza um diodo rpido.

1.2 - O TIRISTOR
1.2.a - Tiristor Ideal
O tiristor ideal est representado na figura 1.14. Alm do anodo e do catodo, possui o
gatilho, que utilizado para o disparo.

iT
A

C
iG
v
+ T -

Fig. 1.14 - Representao do tiristor ideal.

A caracterstica esttica ideal do tiristor est representada na figura 1.15.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

12

iT
3
Disparo

vT
1

Fig. 1.15 - Caracterstica esttica ideal do tiristor.

O tiristor sem corrente de gatilho representado na figura 1.15 pelas retas 1 e 2. Assim
sendo, ele bloqueia tanto as tenses positivas quanto as negativas. Com corrente de gatilho, ele
passa a ser representado pelas retas 1 e 3, assumindo portanto a caracterstica de um diodo. Por
isto denominado tambm de diodo controlado. Em ingls tambm conhecido por SCR
(Silicon Controlled Rectifier).

1.2.b - Caracterstica Esttica Real dos Tiristores.

A exemplo do diodo, a caracterstica real do tiristor apresenta modificaes importantes
em relao caracterstica ideal. Tais modificaes podem ser verificadas na figura 1.16.
As tenses mximas que o tiristor consegue bloquear, tanto direta quanto inversa, so
limitadas.

Eletrnica de Potncia

13

iT

2
1

VRM

VAKM

vT

Fig. 1.16 - Caracterstica esttica real de um tiristor.

Curvas 1 e 2 - Sem corrente de gatilho.
Curvas 1 e 3 - Com corrente de gatilho.

As demais no idealidades j mencionadas para o diodo so tambm vlidas para o

tiristor. Em conduo o tiristor tambm representado por uma fora-eletromotriz em srie com
uma resistncia, como est representado na figura 1.17.

iT
A

C
+ vT iT

C
VT(TO) r T
vT
+

Fig. 1.17 - Circuito equivalente do tiristor.

1.2.c - Perdas em Conduo

A potncia mdia dissipada pelo tiristor em conduo dada pela expresso (1.10).
P VT( TO ) I Tmed rT I Tef 2

(1.10)

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

14

Onde:
ITmed e ITef so os valores mdio e eficaz da corrente que o tiristor conduz.

1.2.d - Caractersticas Dinmicas dos Tiristores

Inicialmente ser estudado o comportamento do tiristor no disparo. Seja o circuito
representado na figura 1.18. O tiristor encontra-se inicialmente bloqueado. No instante t o o
interruptor S fechado.
R

VG

T
iG

+
vT
-

Fig. 1.18 - Circuito para o estudo do disparo do tiristor.

As formas de onda esto representadas na figura 1.19.

vG
t
iG

IG

10% I G

vT
90% E
td

t on

tr

10% E

Fig. 1.19 - Formas de onda relativas ao disparo do tiristor.

So empregadas as seguintes denominaes:

ton - tempo de fechamento.
td - tempo de retardo.
tr - tempo de descida da tenso anodo-catodo.
t on t d t r

O tempo de retardo, que o maior componente do tempo t on, depende:

Eletrnica de Potncia

(1.11)

15
a) da amplitude da corrente de gatilho;
b) da velocidade de crescimento da corrente de gatilho. O tempo t r independe da
corrente de gatilho. Em geral o valor de t on superior a 1s e inferior a 5s.
Na figura 1.20 esto representadas duas correntes de gatilho com formas diferentes.
iG
2

t
Fig. 1.20 - Formas da corrente de gatilho.
Curva 1 - Disparo lento.
Curva 2 - Disparo rpido.

A seguir ser considerado o comportamento do tiristor no bloqueio.

Seja a estrutura representada na figura 1.21.
R

E1
T

iT

E2

Fig. 1.21 - Circuito para o estudo do tiristor no bloqueio.

Inicialmente o interruptor S encontra-se aberto. O tiristor T encontra-se em conduo.

Para iniciar o bloqueio de T, S fechado. Os fenmenos associados ao bloqueio so semelhantes
queles j descritos para o diodo. As formas de onda esto representadas na figura 1.22.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

16

E1
iT

tq

t inv

VT

t
t0

Qrr

t1

IRM
E2
E2 +V
Fig. 1.22 - Formas de onda relativas ao bloqueio do tiristor.

No instante t1 o interruptor S novamente aberto. O tiristor encontra-se bloqueado e

retm a tenso E1.
O tempo tq especificado pelo fabricante do tiristor. denominado tempo mnimo de
aplicao de tenso inversa. Para que o tiristor readquira o poder de bloqueio necessrio, aps a
sua corrente ter-se anulado, aplicar uma tenso inversa durante um tempo superior a t q.
Quando se trata de comutao forada, o tempo t q um dado fundamental. Quanto
menor o tq, melhor o tiristor. Poder operar com freqncias mais elevadas, com menores
perdas na comutao e com circuitos auxiliares de comutao forada de menor custo.
Infelizmente o tiristor no pode ser comandado pelo gatilho no bloqueio. Esse o seu
maior ou talvez nico inconveniente. Atualmente esto sendo produzidos os GTOs (Gate TurnOff Thyristors) que podem ser bloqueados pelo gatilho. Para os tiristores rpidos tem-se:
10s < tq < 200s

1.3 - CLCULO TRMICO

1.3.a - O Problema

Eletrnica de Potncia

17
A corrente que circula no componente produz calor, tanto na conduo quanto na
comutao. Esse calor gerado deve ser transferido para o ambiente. Caso contrrio a temperatura
da juno se eleva acima dos limites mximos permitidos e provoca a inutilizao do componente.
A corrente mxima e portanto a potncia mxima que um diodo de potncia ou tiristor pode
processar limitada apenas pela temperatura da juno.
Assim, a determinao do dissipador e das perdas em um componente de importncia
prtica fundamental.

1.3.b - Clculo Trmico em Regime Permanente

Para o clculo trmico ser empregado o circuito equivalente representado na figura
1.23.

R jc
Tj

R cd
Tc

R da
Td

Ta

Fig. 1.23 - Circuito trmico equivalente de um componente.

As grandezas representadas na figura 1.23 so definidas do seguinte modo:

Tj - temperatura da juno (oC).
Tc - temperatura da cpsula (oC).
Td - temperatura do dissipador (oC).
Ta - temperatura ambiente (oC).
P - potncia trmica produzida pela corrente que circula no componente e sendo
transferida ao meio ambiente (W).
Rjc - resistncia trmica entre a juno e cpsula (oC/W).
Rcd - resistncia trmica entre o componente e dissipador (oC/W).
Rda - resistncia trmica entre o dissipador e o ambiente ( oC/W).
Rja - resistncia trmica entre a juno e o ambiente (oC/W).
R ja R jc R cd R da

(1.12)

A equao empregada para o clculo trmico de um componente a seguinte:

Tj Ta R ja P

(1.13)

Existe uma analogia com um circuito eltrico resistivo, representado na figura 1.24.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

V1

18

V2

I
Fig. 1.24 - Circuito eltrico anlogo.

Eletrnica de Potncia

19
O objetivo do clculo trmico evitar que a temperatura mxima da juno alcance
valores prximos da mxima temperatura permitida.
adotado o seguinte procedimento:
a) P - calculado a partir das caractersticas do componente e da corrente que por ele
circula.
b) Tj - fornecida pelo fabricante do componente.
c) Ta - valor adotado pelo projetista.
d) com a expresso (1.14) determina-se a resistncia trmica total.
R ja

Tj Ta

(1.14)

e) com a expresso (1.15) determina-se a resistncia trmica do dissipador.

As resistncias trmicas Rjc e Rcd so fornecidas pelo fabricante do componente (diodo
ou tiristor).
R da R ja R jc R cd

(1.15)

Com um catlogo de dissipadores pode-se escolher o mais conveniente. Caso o valor

encontrado no seja comercial, deve ser escolhido o valor menor mais prximo.

1.3.c - Transitrio - Conceito de Impedncia Trmica

Seja um diodo no qual no circula corrente para t < t o. A sua temperatura de juno
igual temperatura ambiente Ta.
No instante to comea a dissipar uma potncia constante P. A capacidade trmica do
componente impede que a temperatura cresa abruptamente. Ela cresce exponencialmente como
est representado na figura 1.25.

Tj
T
to

Ta

Fig. 1.25 - Transitrio trmico em um componente.

A diferena de temperatura instantnea dada pela expresso (1.16).

T Z t P

(1.16)

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

20

Onde Zt representa a impedncia trmica, que varivel com o tempo.

Seja o circuito trmico equivalente incluindo a capacidade trmica, representado na
figura 1.26.
P
P

P1
C

P2

Tj
R

Ta
Fig. 1.26 - Circuito trmico transitrio.

P P1 P2
R P2

1
C

(1.17)

P1 dt Tj Ta T

(1.18)

dP2 P1

dt
C

(1.19)

dP2 P2 P

dt
C C

(1.20)

dP2 P2
P

dt
RC RC

(1.21)

Assim:

Resolvendo-se a equao (1.21) obtm-se a equao (1.22).

t

T
R 1 e RC Z t

(1.21)

A deduo feita adota algumas simplificaes.

O valor exato de Zt fornecido pelo fabricante do componente.
O conceito de impedncia trmica muito importante quando o componente funciona
com correntes impulsivas (grande intensidade e curta durao).
Convm salientar que a impedncia trmica anloga impedncia eltrica, grandeza
muito conhecida na teoria de circuitos eltricos.

Eletrnica de Potncia

21

1.4 - CURVAS PARA CLCULO TRMICO DE DIODOS E TIRISTORES

a) Diodos

(a)

(b)

Fig. 1.27.a - Potncia dissipada PFmed em funo da corrente direta mdia Imed, para corrente contnua
pura (cont.), para meia-onda senoidal (sin.180) e para ondas retangulares (rec.60) e (rec.120).
Fig. 1.27.b - Temperatura da cpsula Tc em funo da temperatura ambiente Ta para diferentes
resistncias trmicas Rthca.

Fig. 1.28 - Impedncia trmica transitria Z (th)t para corrente contnua pura, em funo do tempo t. A
impedncia trmica para correntes impulsivas Z (th)p, obtida pela soma dos valores dados pela tabela
Z(th)z com aqueles dados pela curva Z(th)t.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

22

b) Tiristores

(a)

(b)

Fig. 1.29.a - Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para diferentes ngulos de
conduo, para correntes senoidais.
Fig. 1.29.b - Potncia dissipada PTmed em funo da temperatura ambiente Ta, para diferentes
resistncias trmicas totais juno-ambiente, R thja.

Fig. 1.30 - Potncia dissipada PTmed em funo da corrente mdia ITmed, para diferentes ngulos de
conduo, para correntes retangulares.

Eletrnica de Potncia

23

Fig. 1.31 - Resistncia trmica entre juno e a cpsula, Rthjc, em funo do ngulo de conduo para
correntes senoidais e retangulares. Para corrente contnua pura, deve ser tomada R thjc cont.

Fig. 1.32 - Impedncia trmica em funo do tempo. As curvas so interpretadas como as da figura
1.28. Para tempos grandes a impedncia trmica tende assintoticamente para um valor constante igual

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

24

a resistncia trmica em regime permanente. Para tempos pequenos a impedncia depende do

dissipador empregado e das condies de ventilao.

Na tabela dada a resistncia trmica cpsula-ambiente R thca para vrios dissipadores,

incluindo a resistncia trmica de contato. Desse modo, R thja R thjc R thca .

Eletrnica de Potncia

25

c) Relao de Dissipadores Semikron **

Resistncia Trmica (Incluindo a
Resistncia de contato cpsuladissipador
Conveco
Ventilao
Natural
Forada 6m/s
10,5oC/W
o
9,5 C/W
-

DIODOS

DISSIPADORES

Massa
Aproximada

SKN12, SKR12
SKN20, SKR20

K9 - M4
K9 - M4

50g
50g

SKN26, SKR26

K5 - M6

100g

5,7oC/W

SKNa20

K3 - M6

200g

3,8oC/W

SKN45, SKR45

K1,1 - M6
K5 - M8

700g
100g

2,2oC/W
5,0oC/W

SKN70, SKR70

K3 - M8

200g

3,0oC/W

K1,1 - M8

700g

1,3oC/W

0,60oC/W

SKN100, SKR100

P1/120 - M8
K3 - M12

1300g
200g

0,85oC/W
3,1oC/W

0,40oC/W
-

SKN130, SKR130

K1,1 - M12

700g

1,2oC/W

0,40oC/W

P1/120 - M12

1300g

0,65oC/W

0,27oC/W

K0,55 - M12
K1,1 - M16x1,5

2000g
700g

0,65OC/W
1,1oC/W

0,25oC/W
0,35oC/W

K0,55 - M16x1,5

2000g

0,55oC/W

0,17oC/W

P1/120 - M16x1,5

1300g

0,58oC/W

0,21oC/W

P1/120 - M16x1,5

2200g

0,40OC/W

0,17OC/W

P4/200 - M16x1,5
K0,55 - M24x1,5

4000g
2000g

0,29OC/W
0,55oC/W

0,17 C/W

K0,1 F

2150g

0,11oC/W

K0,05 W

900g

0,065oC/W*

P1/200 - M24x1,5

2200g

0,40oC/W

0,16OC/W

P4/200 - M24x1,5

4000g

0,29OC/W

P4/300 - M24x1,5

6000g

0,25OC/W

SKN240, SKR240

SKN320, SKR320

(*) - Refrigerao por gua.

(**) - O formato e as dimenses dos dissipadores podero ser obtidos diretamente com o
fabricante.

1.5 - EXEMPLO DE CLCULOS TRMICOS

a) Retificador de Meia Onda a Diodo
Seja a estrutura representada na figura 1.33.

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

D
v(t )

26

v(t ) 2 220 sen (t )

f 60 Hz
R 10
D = SKN20/04

Fig. 1.33 - Retificador de meia onda a diodo.

O objetivo do clculo determinar a resistncia trmica do dissipador a ser empregado

para manter a temperatura da juno abaixo do limite estabelecido pelo fabricante.
A partir da relao de dados tcnicos fornecidos pelo fabricante, obtm-se:
Rjc = 2oC/W (Rthjc)
Rcd = 1oC/W (Rthch)
Tj = 180oC (Tvj)
V(TO) = 0,85V
rT = 11m
Seja Ta = 50oC (Ta = temperatura ambiente)
a.1)

Clculo das correntes no diodo

Seja a corrente representada na figura 1.34.

2 Vo
t

Fig. 1.34 - Corrente no diodo.

I Dmed
I Def
a.2)

0,45 Vo 0,45 220

9,9 A
R
10

0,707 Vo 0,707 220

15,55A
R
10

Clculo da potncia dissipada

P V( TO ) I Dmed rT I Def 2
P 0,85 9,9 11 10 3 (15,55) 2

P 8,415 2,660 11,07W

Eletrnica de Potncia

27
H um mtodo mais rpido para se determinar a potncia. Com o valor mdio da
corrente e a forma de onda, entra-se na figura 1.27.a do catlogo de diodo do fabricante. Assim
para Imed = 9,9A e uma senide de 180o obtm-se P 11W.
a.3)

Clculo do dissipador
T P ( R jc R cd R da )

R da

T
T
130
R jc R cd
2 1
3
P
P
11

R da 8,8o C / W R da R cd 8,8 1 9,8o C / W

Para realizar o clculo do dissipador possvel tambm o emprego das curvas oferecidas
pelo fabricante. Ainda na figura 1.27.b, tomando-se Ta = 50oC e P 11W, obtm-se
Rca 11oC/W, assim Rda 11 - 1 = 10oC/W.
recomendvel portanto o emprego do dissipador K5, cuja resistncia trmica igual a
5,7 oC/W.
a.4)

Temperaturas resultantes para o dissipador escolhido

Rjc = 2,0 oC/W

Tj

Rcd = 1,0 oC/W

Tc

P=11W

Rda = 4,7 oC/W

Td

Ta 50o C

Tj P R ja Ta 11 ( 2 5,7 ) 50
Tj 134,7 o C

Tc P ( R cd R da ) Ta 11 5,7 50
Tj 112,7 o C

b) Retificador de Meia Onda a Tiristor

Seja a mesma estrutura, para R = 8 e = 60o. Seja o tiristor SKT16 com os seguintes
parmetros:
Rjc = 0,94oC/W (obtida na figura 1.31)
Rcd = 0,5oC/W
Tj = 130oC
= 120o
Seja Ta = 50oC (valor adotado)

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

b.1)

28

Clculo da corrente mdia

I Tmed

0,225 Vo
0,225 220
(1 cos )
(1 0,5)
R
10

I Tmed 9,28A

b.2)

Clculo da potncia mdia

Entrando-se na figura 1.29.a com = 120o, ITmed = 9,28A obtm-se P = 17,5W.

b.3)

Clculo do dissipador

Entrando-se na figura 1.29.b com Ta = 50oC e P = 17,5W obtm-se:

R ja 4,5o C / W

Mas:

R ja R jc R cd R da

Assim:

R da R ja R jc R cd 4,5 0,94 0,5

R da 3,06 o C / W

Caso os dissipadores previstos para o tiristor SKT16/04 no satisfaam, restam dois

recursos: empregar ventilao forada ou um tiristor com maior capacidade em corrente.
c) Impedncia Transitria
Seja o diodo SKN20 montado em um dissipador K5 inicialmente com corrente nula e
temperatura ambiente igual a 30oC. Determinar o valor mximo de uma corrente contnua que ele
pode conduzir durante um tempo de 1s, de modo que a temperatura de juno no ultrapasse o
valor limite de 180oC.
Soluo:

iF

Tj

I
1s

180oC

30oC
Entrando-se na figura 1.28 com t = 1s obtm-se Z(th)t 1,5oC/W.
Z( th )t P Tj Ta

Tj Ta
Z ( th ) t

180 30
100W
1,5

P V( TO ) I rT I 2

Eletrnica de Potncia

29

V( TO )

I2

Assim:

rT

P
0
rT

2
V( TO )
P
V( TO ) 0,85V e rT 11m
I

2 rT
2 rT rT

V( TO )

0,85

0,022

0,85

0,022

100
0,011

I 64A
d) Temperatura Mdia Instantnea de Juno
Seja o tiristor SKT16 conduzindo uma corrente com a forma de onda indicada na figura
abaixo. Determinar a temperatura mdia e mxima da juno.
I=20A

Dados do Tiristor:
VT(TO) = 1,0V
rT = 20m
= 180o
P VT( TO ) I rT I 2
P 1 20 0,020 202 28W

(Potncia Instantnea)

Seja f = 50Hz
Assim:

T
1
1

10 ms
2
2f
2 50

Pmed

P (1 10) 0,02 (14,14)2 28

14W
2
2
2

Seja o dissipador K5. Assim:

R thja 0,80 5,5 6,30 o C / W

Seja Ta = 30oC. Assim:

Tj 6,30 14 30 118,20 o C

(Temperatura Mdia)

Para t = 10ms, da figura 1.32 obtm-se:

Z( th )t 0,15o C / W
Tj P Z ( th ) t 28 0,15 4,2 o C

Cap. 1- Estudo dos Componentes Empregados em Eletrnica de Potncia

Tj

30

120,30oC
118,20 oC
116,10 oC
t
10ms

20ms

Verifica-se assim que para f = 50Hz a temperatura da juno varia de 120,30 oC at

116,1oC. Por mais surpreendente que possa parecer, tal fenmeno ocorre porque em relao aos
tempos envolvidos as constantes de tempo trmicas so baixas.

Eletrnica de Potncia