FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

EL DIODO Y EL TRANSISTOR

1.1, PARA AUMENTAR LA CONDUCTIVIDAD EN UN SEMICONDUCTOR PURA SE LE

SOMETE AL PROCESO
A Llenado
B Dopado
C Ambos
D Filtrado
E Ninguna anterior
1.2 INTERNAMENTE EN CRISTAL ESTA CARACTERIZADA POR:
A Un ordenamiento definido de sus tomos B Un ordenamiento no difinidode sus tomos
C Que sus tomos no se ordena
D ( AyB )
E Ninguna anterior
1.3 INDIQUE LAS POSICIONES CORRECTAS
A Los cristales poseen geometra regular B Los cristales no poseen geometra regular
C En los externos el cristal presenta cara planas D El cristal no posee un ordenamiento
definido de sus tomos
E El cristal es denominado plstico o amorfo
1.4 EL SILICIO LA
A =P
B=N

FOSFORO SE OBTIENE UN SEMICONDUCTOR TIPO:

C El resultado no es un semiconductor D = AyB E Ninguna anterior

1.4 EN UN DIODO
A No fluye corriente
que se alcanza un voltaje del umbral
B En el silicio el volt. Umbral es 1.4 V. C En el germanio el voltaje umbral es de 1.2 Apr
D Cuando esta en polarizacion directa fluye una corriente pequea denominada de fuga
E El crecimiento de la corriente en polarizacion directa es exponencial
1.5 SI A UN TRANSISTOR MANTENEMOS FIJO LA BASE Y UN MENTAMOS EL
VOLTAJE Vce, LA Ic.
A S
tante..
B Sube C Baja D Es el mximo E Es el mnimo
1.6 DEQUE CARESE DE GEOMETRIA DEFINIDA SON DENOMINADO
A.. B Amortos C Los dos anteriores D Metales
E ( AyB )
1.7 EL DIODO
A El diodo

TRABAJA EN LA REGION DE ROMPIENDO INVERSORES

B El diodo led
C El diodo zener D ( ByC ) E Ninguna anterior

DISPOSITIVOS DE POTENCIA

2.1

EL SCR ES UN DISPOSITIVO
A Cuatro capas y tres terminales B Cuatro capas y dos terminales
C Tres capas y tres terminales
D 4 capaz y 4 terminales E Ninguna de las anteriores

2.2

DE ACUERDO AL MODELO CON TRANSISTORES DEL SCR EL ANODO

A El emisor del primer transistor
B El emisor del segundo transistor
C El colector del primer colector
D ( AyC )
E Ningunas de las anteriores

2.3

UN DIAC BILATERAL AL PRESENTAR INTERNAMENTE

A 4 capas B 5 capas C 3 capas
D 2 capas E Un solo canal

2.4

EXITEN: A 2 tipos tipos de UJTs.

B Un solo tipo de UJT.
C 3 tipos de UJTs.
D 4 tipos de UJTs.
E Ninguna de las anteriores

2.5

DE A CUERDO ASU ESTRUCTURA INTERNA EL TERMINAL DE COMPUERTA

A Una seccin de semiconductor tipo N
B Una seccin de semiconductor tipo P

C Una seccin de semiconductor tipo N y P

D A ninguna seccin

E Ninguna anterior

2.6

DIGA QUE PROPOSICIONES SON INCORRECTA

A El SCR esta conformada por 5 capas internas
B Posee 3 terminales denominados
nodos ctodos y base C El SCR conducir una corriente de nodo a ctodo cuando
Es disparo D Cuando conduce la resistencia entre el nodo y el ctodo es muy
E El SCR se apaga cuando se redcela corriente por.

2.7

LA DIFERENCIA ENTRE EL SCR Y EL TRIAC ES

A El sentido de conduccin de corriente
B La cantidad de terminales que posee
C No existe diferencia entre ellos D (A y B)
E Ningunas de las anteriores

2.8 PARA DISPARAR EL SCR SE DEBE DE INYECTAR UN PULSO DE CORRIENTE

A Anodo B Ctodo C Gate
D (A y B)
E Ninguna de las anteriores
2.9

EL UJT CONDUCIRA SI SE SOBRE PASAEL VALOR VP.DE VOLTAJE ENTRE

A Base 1 base 2 B Emisor y base 1 C Emisor y base 2 D (AyC ) E Ninguna

2.10 DE ACUERDO AL MODELO DE TRANSISTORES DEL SCR EL CATODO

SE ENCUENTRA CONECTADO
A La base del primer transistor
B El emisor del segundo transistor
C El colector del primer transistor
D ( Ay B )
E Ningunas de las anteriores
2.11 CUAL NO ES LA MANERA ADECUADA DE APAGAR AL SCR.
A Polarizar negativamente el terminal del nodo
B Reducir la corriente anodo catodo a valores menores de la corriente de mantenimiento
C Desconectar el Terminal de compuerta
D ( AyB )
E Ningunas de las anteriores
2,12 DIGA QUE PROPOSICION ES CORRECTA
A El UJT presenta dos tipos de semiconductores en tu estructura interna
B Sus terminales se denominan emisor y base colector
C La corriente fluye de 1 base a base 2 cuando conduce
D Necesitan un voltaje mayor a Vp para que conduzca entre emisor y base 1
E Posee un parmetro denominado relacion intrinseca
2.12 DIGA QUE PROPOSICION ES CORRECTA
A El diac o diodo de disparo es un dispositivo de tres terminales
B El diac es un dispositivo de 4 capas internas
C El modelo basico solo permite la circulacin de corriente en un sentido
D La ruptura se produse cuando cuando la tension en sus terminales es interior a +/- Vbo
E El diac bilateral conduce en ambos lados
2.13 LA RELACION INTRINSECA N ESTA DADA POR:
A N = r B1 / Rb2
B n = (rB1+rB2) /rBB
C n = rB1/rBB
D ByC
E Ninguna de las anteriores
2.14 LA CORRIENTE DE MANTENIMIENTO EN UN SCR ES EN RELACION ALA
DE ROPTURA
A Es mayor
B Es menor C Son iguales D Es menor o igual E Ninguna
2.15 UN DIAC BILATERAL PRESENTA INTERNAMENTE
A 4 capas B 5 capas C 3 capas D 2 capas
E un solo canal

TRANFORMADOR Y RECTIFICADOR

3.1 ES CIERTO QUE LA FRECUENCIA DE UNA SEAL RECTIFICADA DE MEDIA

ONDA ES EL MISMO QUE EL DE LA SEALDE ENTRADA AL RECTIFICADA
A Verdadero
B Falso
3.2 LA SEAL DE SALIDA DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA ES UNA SEAL CON
A Verdadero
B Falso
3.3 EN EL TRANFORMADOR LA ENERGIA SE TRANSMITE ENTRE EL PRIMARIO
Y EL SECUNDARIO EN FORMA DE :
A Campo electrico B Campo magnetico C No se transmite energia
D De corriente electrica
E Ninguna de las anteriores
3.4 SI LA RELACION DE VUELTA ENTRE ELSECUNDARIO Y EL PRIMARIO ES
0.18 CUAL ES EL VALOR DEL VOLTAJE EFICAS EN EL SECUNDARIO, PARA
UN VOLTAJE EN EL PRIMARIOD DE 220 Vrms.
A 44.4 V.
B 39.6 V
C 33.5V.
D 43.6 V.
E 32.5 V.
3.5 SI LA RELACION DE VUELTAS ENTRE EL SECUNDARIO Y EL PRIMARIO ES 0.12
CUAL ES EL VALOR DEL VOLTAJE EFICAS EN EL SECUNDARIO PARA UN
VOLTAJE DE 220Vrms
B
3.6 CUAL SERA EL VOLTAJE ALA SALIDA DE UN TRANSF. SIN CARGA PRESENTA
UN VOLT. DE 20 Vrms Y POSEE UN FACTOR DE REGULACION DE 16%
A 21.7Vrms

B 23.2Vrms

C 23.1Vrms

D 21Vrms

E 23Vrms

3.7 CUAL SERA EL VOLT. ALA SALIDA DE UN TRANFORM.SIN CARGA PRESENTA

UN VOLTAJE 18 Vrms Y POSE UN FACTOR DE REGULACION DE 15%
A 20.7Vrms

B 19.7Vrms C 21.2Vrms

D 22Vrms

E 23Vrms

3.8 EL MODELO RECTIFICADOR TIPO PUENTE ES USADO EN LA IMPLEMENTACION DE UN

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

A Verdadero

F Falso

3.9 SI EL PRIMARIO DE UN TRANSFORMADOR SE LE CONECTA 220Vrms Y SE

OBTIENE EN EL SECUNDARIO 12Vrms CUAL ES LA RELACION DE VUELTAS
ENTRE EL PRIMARIO Y SECUNDARIO

A 18.33 B 16.33 C 19.33 D 18 E 19

3.10 SI SE TIENE UNA SEAL SENOIDAL DE 22Vrms CUAL SERA SU ALPLITUD DE PICO
A 30V.

B 31.11

C 31.71

D 31

E 30.86

3.11 SI LA MEDIDA DE UN VOLTIMETRO DC.ALA SALIDA DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA

ONDA ES DE 40VDC.CUAL SERA EL VALOR DEL VOLTAJE MAXIMO DELA SEAL
RECTIFICADA

115.4V.

B 62.83V.

C 125.66V

D 127.62V

E 102.75V

3.12 SI EL ELEMENTO QUE ASEGURA EL AISLAMIENTO ENTRE LA DER DE ALIMENTACION

Y LA FUENTE DE PODER ES

3.13 CUAL SERA EL VALOR PORCENTUAL DEL FACTOR DE REGULACION EN UN

TRANFORMADOR SI ALA SALIDA TENEMOS UN VOLTAJE DE 12Vrms CON CARGA
Y DE 13.68Vrms SIN CARGA
A 12%

B 13%

C 14%

D 11%

E 15%

3.14 CUAL SERA EL VALOR PORCENTUAL DEL FACTOR DE REGULACION EN UN TRANSF.

SI ALA SALIDA TENEMOS UN VOLTAJE DE 15Vrms CON CARGA Y 18Vrms SIN CARGA
A 21%

B B13%

C 14%

D 18%

E 16%

3.15 SI LA RELACION DE VUELTAS ENTRE EL SECUNDARIO Y EL PRIMARIO ES 0.22 CUAL

ES EL VOLTAJE EFICAS EN EL SECUNDARIO,PARA UN VOLTAJE EN EL PRIMARIO
DE 220Vmrs

A 44.6V

B 46.4V

C 48.4V

D 46V

E 44V

3.16 EN UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA SE UTILIZA SOLO UN SEMICICLO

DE LA SEAL ALTERNA DE ENTRADA

A Verdadero

B Falso