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Abstract
The development of this work had as object
apply the concepts learnt in class, by means of
creating the design, calculus, simulation and the
analysis of a small signal common emitter
amplifier. Also the concept of emitter feedback
was necessary for decreasing the distortion in
the output of the circuit.
Introduccin
En este laboratorio se realiz un montaje de un
amplificador de pequea seal con un transistor
[1] bipolar (BJT) polarizado por divisor de
tensin en emisor comn y con realimentacin
en emisor, con el fin de amplificar una seal de
entrada disminuyendo lo mejor posible la
distorsin, tambin se utilizaron resistencias,
condensadores y fuentes de voltaje alterno y
continuo.
En polarizacin por medio de divisor de tensin,
si se analiza de una forma exacta, la
sensibilidad a los cambios en beta es muy
pequea. Si los parmetros del circuito se
seleccionan apropiadamente, los niveles
resultantes de ICQ y VCEQ son casi totalmente
independientes de beta [2], proporcionando una
mayor estabilidad del punto Q, que es el punto
donde trabaja el transistor, ya que (en ingls) a
menudo se le llama quiescent point. (Quiescent
significa quieto, inmvil, en reposo.) [3],
gracias a esto, mientras el transistor este
trabajando los valores de VCEQ y de ICQ no
variaran demasiado, por ello es la opcin ms
usada a la hora de disear amplificadores.
En la configuracin de emisor comn, se llama
as porque el emisor es comn o sirve de
125
=
=0.992
+1 125+1
(1)
I
1 mA
I E= c =
=1.008 mA
0.992
(2)
(6)
Para determinar los valores de las resistencias R 1
y R2 se formula la expresin del voltaje en R 2
mediante un divisor de tensin usando (7).
V R 2=V CC
R2
R2
=12 V
=1.9 V
R 2+ R 1
R2 + R1
(7)
RC =
(4)
r 'e=
25 mV
25 mV
=
=24.8
IE
1.008 mA
(9)
(11)
(12)
R R L
960
A v= C
=
=3.52
r ' e +r e
248+24.8
(14)
Partiendo de punto Q en corriente directa se
encontr el voltaje de corte en corriente alterna,
que sera como lo muestra (15).
m=
1
R
mac =
(16)
1
1
=
=1.04 x 103
RC R L 4.8 k1.2 k
(17)
C2 =
1
1
1
1
=
=
=
2 f X C 2 f (0.1 Z C 2) 2 f (0.1 ZC 2 ) 2 (100)(0.1
3
y y 0 =m ac ( xx 0 ) y=m ac ( xx 0 ) + y 0=(1.04 x 103 ) x +7.24
(20) x 10
1
1
1
1
=
=
=
2 f X C 3
2 f (0.1 Z C 3) 2 f ( 0.1 Z C3 ) 2 (100)(0.1
3
3
3
I C (sat)=( 1.04 x 10 ) x+7.24 x 10 =(1.04 x 10 ) ( 0 V ) +7.24 x 10 =7.24 mA
(18)
C3 =
(21)
V (mx) =
V out (mx)
Av
96 mV
=273 mV
3.52
(22)
Y para calcular cunto sera el valor mximo de
la fuente se utiliz un divisor de tensin para
encontrar una expresin que permitiera hallarlo
como muestra (23).
Imagen 5 Recta de carga del transistor, en AC
C1 =
V g (mx) =V (mx)
R g + Z
50+ 10366.9
=273 mV
=274.3 m
Z
10366.9
1
1
1
1
=
=
=
=1.52 F
2 f X C 2 f (0.1 Z C 1) 2 f (0.1 ZC 1 ) 2 (100)(0.1)(10411.3 )
(19)
Simulacin.
Para la simulacin se us el software NI
Multisim en su versin 14. Con el osciloscopio
virtual del software se pudieron visualizar las
seales en distintos puntos del circuito, la
imagen 7 muestra la forma de la seal de la
fuente, la forma del voltaje de entrada y el
voltaje o seal en la carga, de colores azul, verde
y rojo respectivamente.
en distintos
Vrms
193.95mV
166.21mV
192.01mV
705.77mV
5
632.88mV
Tabla 1 Voltajes y corrientes en diferentes partes
del circuito.
Valores
simulados
Valores
medidos
10
0
Hz
20
K
Hz
100
Hz
20K
Hz
100
Hz
20K
Hz
V
C
E
6
V
6
V
6.2
6V
6.2
6V
7.0
4V
7.0
4V
IC
1
m
A
1
m
A
0.9
5m
A
0.9
5m
A
0.9
4m
A
0.9
4m
A
27
3
m
V
27
3
m
V
271
.25
mV
272
.77
mV
274
.2
mV
274
.2m
V
V
in
p
k
Referencias.
[1]
V
out
p
k
96
0
m
V
96
0
m
V
893
.5m
V
905
.59
mV
834
.4
mV
856
.44
mV
Ic
p
k
1
m
A
1
m
A
0.6
6m
A
0.9
4m
A
0.9
2m
A
0.9
3m
A
Conclusiones