3

Crecimiento de cristales
nicamente cuando una fuerza motora que provoca que un sistema se
aparte de su condicin de equilibrio es que se forma un ncleo de un cristal
y comienza el crecimiento. Fases slida, fundida, solucin y vapor se puede
distinguir como fases del ambiente en el que los cristales pueden crecer.
Estos ambientes se pueden clasificar de forma sistemtica dependiendo de
si son fases condensadas o fases diluidas, y si est involucrada o no la
interaccin. En la fuerza impulsora, la transferencia de calor y masa estn
unidas, pero el grado de su respectiva contribucin depende del tipo de
ambiente de fase envuelto. La interfaz entre el cristal y el ambiente de la
fase es el nico lugar donde el crecimiento o la disolucin se llevan a cabo.
Se puede considerar el problema de la interfaz mediante la clasificacin de
su estructura en interfaces atmicamente rugosas y lisas. Se tiene un
mecanismo de crecimiento de tipo adhesivo para una interfaz atmicamente
rugosa, mientras que en las interfaces atmicamente lisas los cristales
crecen ya sea por la nucleacin bi-dimensional y crecimiento de capa o por
un mecanismo de crecimiento de espiral. Basndose en los anlisis
anteriores se puede sistematizar las relaciones mutuas entre morfologas
polidricas, en tolva, y dendrticas.
3.1 Equilibrio termodinmico frente a cintica termodinmica
El crecimiento de cristal es el proceso del nacimiento y el desarrollo de
una fase slida con una estructura regular de un estado desordenado e
1

irregular, y por lo tanto pueden considerarse como una fase de transicin de

primer orden.
La ciencia que trata con las transiciones de fase es la termodinmica.
Usando la termodinmica, se puede discutir cual fase con el tiempo
eventualmente se formar cuando un material (de composicin c y la fase p)
se mantiene bajo las mismas condiciones durante un tiempo infinito, y la
fase alcanza el estado de mnima energa (estado de equilibrio) bajo
condiciones
termodinmicas
dadas
(temperatura
y
presin).
Experimentalmente, se prepara un diagrama de fase (diagrama de fase de
equilibrio), y se pude utilizar los datos de este diagrama para extraer
informacin sobre el sistema. Si el sistema permanece durante un largo
perodo en las mismas condiciones, tales como en los procesos geolgicos,
se asume que ha alcanzado el equilibrio, y puede ser un tema de discusin
termodinmico.
Al tratar con los sistemas de metales, aleaciones, cermicas, y silicatos, as
como el crecimiento de cristales individuales, los diagramas de fase son el
requisito previo en la comprensin de lo bsico de las relaciones de fases.
Hay muchas formas de diagrama de fases. Cuando se trata con crecimiento
de cristales cuyos diagramas de fase no se conocen, primero se tiene que
preparar un diagrama de fase preliminar.
A diferencia del equilibrio termodinmico, las principales preocupaciones de
este libro son el mostrar cmo las transiciones de fase estn implicadas en el
crecimiento y disolucin que se efectan a un nivel atmico, y explicar cmo
la morfologa, la perfeccin y la homogeneidad de los cristales individuales y
las texturas de los agregados policristalinos se determinan a travs de estos
procesos. La transicin de fase y la formacin de un cristal, el producto final,
no se producen instantneamente. Junto con nuestra curiosidad de cmo se
produce el crecimiento de un cristal en un nivel atmico, la ciencia y la
tecnologa de este tema tambin han hecho grandes progresos durante el
siglo XX, debido a las fuertes demandas de las industrias de
semiconductores y opto-electrnicos, en los que cristales individuales y
pelculas delgadas se utilizan como materiales bsicos. Los cristales reales
contienen varios defectos de la red, y no pueden ser utilizados para fines
industriales a menos que estos defectos, que generalmente ocurren durante
el proceso de crecimiento, estn controlados. Un buen ejemplo es el lser de
rub. Si se utiliza un cristal de rub que contiene dislocaciones no controlados
(vase la Seccin 3.7), el rayo lser se emitir slo una vez. Slo despus
2

que se logr la sntesis exitosa de monocristales de rub con una densidad de

dislocaciones controladas, el lser de rub se volvi til en la prctica. La
razn por la que la slice ha llegado a desempear el papel principal en la
industria de los semiconductores se debe a la sntesis de monocristales de
silicio libre de dislocaciones. Aunque se logr el control de defectos de red en
monocristales en el siglo XX para los sistemas de un solo componente como
el silicio, todava se est muy lejos de una situacin similar en la sntesis de
monocristales de compuestos semiconductores o de cuarzo. Si se pudiera
entender los fenmenos relacionados con el crecimiento y la disolucin que
se produce en sistemas complicados y complejos, tales como cristales
minerales que constituyen materiales slidos terrestres y extra-terrestre, o
los formados como resultado de actividades biolgicas, tales como dientes,
los huesos y conchas, seramos capaces de ofrecer nuevas perspectivas a
estas disciplinas. Estos fenmenos sern un objetivo de investigacin para la
ciencia del crecimiento de los cristales en el siglo XXI.

3.2 Fuerza Motora

El estado de equilibrio corresponde al estado cuando el intercambio de calor
y masa entre el material inicial y el producto se convierte en cero en la
interface de dos fases. Esto corresponde al estado donde ni la temperatura
ni el grado de concentracin (a travs del enfriamiento o evaporacin)
cambian en un punto dado en una curva de solubilidad en el diagrama de
fase de un sistema en solucin. En esta situacin, ni el crecimiento ni la
disolucin de un cristal se produce. Para lograr el crecimiento o disolucin de
un cristal, es necesario alcanzar una situacin lejos del estado de equilibrio,
ya sea mediante la reduccin de la temperatura o por concentracin del
componente por evaporacin. El grado de la salida desde el estado de
equilibrio corresponde a la fuerza motora para que el crecimiento o la
disolucin tenga lugar. Esto se refiere a la diferencia entre la lnea puntead y
la curva de solubilidad indicado por la lnea continua en el diagrama de fases
mostrada en la Fig. 3.1.

Figura 3.1. Curva de solubilidad (lnea continua, la curva de

concentracin de equilibrio) y la regin en la que la nucleacin y el
crecimiento difcilmente se producen (la regin Miers, entre las
lneas punteada y la continua). TE y C son la temperatura y la
concentracin de equilibrio, respectivamente; y TG y C son la
temperatura y la concentracin de crecimiento, respectivamente.
En el crecimiento de cristales de la fase de vapor, el grado de la fuerza
motriz se expresa por la relacin de S, es decir, la relacin entre la presin
de vapor de equilibrio p y la presin p al crecimiento:

S = p / p =J / J
Donde J y J son flujos entrantes de la fase de vapor al cristal en el
crecimiento y el equilibrio, respectivamente.
En el caso de la solucin de crecimiento, la fuerza impulsora corresponde a
la diferencia entre la concentracin de C a la temperatura de equilibrio T E
de la solucin saturada y la concentracin de C a la temperatura de
crecimiento TG y se expresa como sigue:

C = C - C,
S = C / C (relacin de supera-saturacin del soluto)
= (C / C)/ C (sobresaturacin relativa)
4

 = S -1
En el crecimiento del fundido, la fuerza impulsora puede ser evaluada como
la diferencia entre las temperaturas de equilibrio y crecimiento:

T = T - T, (sobre-enfriamiento).
El grado de fuerza motriz se puede generalizar por la diferencia de los
potenciales qumicos entre las dos fases:

(g)

- (g) =

(g)

- (C)

Aqu,
, y
son, respectivamente, los potenciales qumicos
,
del vapor sobresaturado (o el ambiente fase tal como la fase solucin), la
fase saturada, y la fase slida. De esto, una fuerza motriz generalizada se
puede expresarse como
(g)

(g)

(C)

kTB ln (p/p) = kTB ln S

Donde k es la constante de Boltzmann, y T B es la temperatura absoluta. Se

va a expresar la fuerza impulsora en trminos de la fuerza impulsora
generalizada,

kT, en este libro.

3.3 Transferencia de masa y calor

Como puede verse de la expresin para la fuerza impulsora en trminos de
las diferencias de potenciales qumicos, que estn relacionados a las
diferencias en temperatura y concentracin, los dos procesos de transporte,
transferencia de calor y transferencia de masa van unidos en el crecimiento
de cristales. El grado de contribucin del proceso de transporte respectivo se
determina por el grado de condensacin de la fase del medio ambiente
(ambiente). Para el crecimiento de cristales en un ambiente de fase diluido,
se requiere un proceso de condensacin, y as la transferencia de masa
juega un rol esencial. La contribucin de calor generado por la cristalizacin
en este caso es pequea comparado con el de transferencia de masa. Sin
embargo, para la cristalizacin en una fase condensada, tal como una fase
fundida, la transferencia de calor juega el papel esencial, y la contribucin de
5

la transferencia de masa ser muy pequeo, debido a la diferencia en la

concentracin (densidad) entre las fases slida y lquida es muy pequeo,
ms es decir 1 2%. Por ello es necesario clasificar los tipos de ambiente de
fases y estar familiarizado con sus respectivas caractersticas de este punto
de vista.
La cristalizacin de estado slido, o recristalizacin, * es el proceso mediante
el cual tanto los materiales de inicio y el producto final son agregaciones de
partculas con la misma estructura cristalina y el engrosamiento de tamaos
de grano es el nico proceso que se produce por cristalizacin. En este caso,
los lmites de grano se vuelven mviles, y el engrosamiento de los granos se
produce debido a la liberacin de energa contenida que se almacena en los
lmites de grano por la energa trmica resultante del calentamiento. La
recristalizacin primaria es el nombre que se le da al proceso que describe la
situacin anterior al estado en el que se alcanza un estado con textura que
consiste en partculas de tamao casi igual, mientras que la recristalizacin
secundaria describe la situacin en la que los granos particulares crecen
rpidamente mucho mas debido a la difusin de impurezas en los lmites de
grano por un calentamiento adicional de la muestra. Sin embargo, la
situacin ser diferente de esto cuando la precipitacin de la fase B se
produce en el estado slido en una solucin slida de un componente (A, B).
En contraste a la cristalizacin en estado slido, la cristalizacin a partir de
fases de vapor, solucin y fundido corresponde a las fases ambiente que
tienen estructuras aleatorias, pueden ser clasificados adems en fases
condensadas y diluidas. Fases de vapor y de soluciones son fases diluidas, en
el que el proceso de condensacin de transferencia de masa juega un papel
esencial en el crecimiento de cristales. En la fase de fusin condensada, sin
embargo, la transferencia de calor juega el papel esencial. Adems de calor
y transferencia de masa, un factor adicional, la interaccin soluto-solvente,
se debe tenerse en cuenta.
Dentro de los tres tipos de fases ambiente, el crecimiento de cristales a
partir de la masa fundida pura de un material de fusin congruente (es decir,
las fases slidas y lquidas tienen la misma composicin) se llama
"crecimiento en estado fundido." En esta situacin, las interacciones con
otros componentes no estn involucradas. Un concepto similar se aplica a la
deposicin fsica de vapor (de transporte) (PVD, PVT) en el que la
cristalizacin se produce a travs de la simple evaporacin por
calentamiento y condensacin por enfriamiento. En la fase de solucin, sin
6

embargo, no son componentes de soluto y disolvente, que interactan

mutuamente para formar una solucin. Esto puede ser comparado con la
deposicin qumica de vapor (transporte) (CVD, CVT), que implica reacciones
qumicas. La fuerza de la energa de interaccin soluto-disolvente est
estrechamente relacionada con la solubilidad del componente soluto, la
nucleacin, y las tasas de crecimiento de cristales.
Los criterios bsicos a considerar en el crecimiento de cristales de vapor,
solucin, y se funden fases son, por tanto, si la fase se condensa o diluir, y si
la fase implica una interaccin soluto-disolvente o no.
En la fase condensada, la transferencia de masa no est implicada de
manera significativa, y el crecimiento de cristales se produce por la
reorganizacin de los tomos en la interface slido-lquido a travs de la
eliminacin del calor. La transferencia de calor es la fuerza motriz necesaria
para la reordenacin atmica que se produzca; la temperatura de
crecimiento es alta, y, como resultado, la interfaz slido-lquido tiende a ser
ms spero que el formado en una fase diluida ambiente (vase la Seccin
3.6).
* En qumica, el trmino recristalizacin tiene un significado
diferente; que implica el proceso de purificacin por solucin y
recristalizacin.

Figura 3.2. Un diagrama de fases imaginario de una solucin con el

componente A y el componente B soluto. Debido a la energa de
interaccin soluto-disolvente, el punto de fusin de la solucin es ms
baja que la de los componentes puros soluto y solventes en el punto
eutctico. Este diagrama de fases muestra que un cristal puede crecer a
una temperatura mucho ms baja que el crecimiento de fase fundida
mediante la preparacin de una solucin, en la que el cristal resultante es
determinado no por qu componente tiene el punto de fusin ms alto,
sino por la composicin de la solucin. Estas son las caractersticas
esenciales del crecimiento en una solucin.

En una fase diluida, tomos o iones son transportados desde lejos, y, a la

llegada a la superficie del cristal, que se incorporan en el cristal. Hay un
proceso de solvatacin involucrado en la cristalizacin en la fase de solucin
o en CVT. (Para una explicacin de solvatacin, consulte la seccin 3.4.) El
papel esencial de la fuerza motriz es la transferencia de masa; temperatura
de crecimiento es mucho menor que en el crecimiento de la masa fundida, y
la interfaz slido-lquido tiende a ser ms lisa que en la fase condensada.

La Tabla 3.1 resume las diferencias esenciales en el crecimiento de cristales para

las diversas fases del ambiente. Crecimiento de cristales que tienen lugar en los

procesos geolgicos y en los mecanismos biolgicos tambin est indicado para

referencia. Dado que el tema principal de este libro es entender los fenmenos
que ocurren en sistemas complicados y complejos, nos centramos nuestra
discusin sobre la solucin y CVT crecimiento en lugar de crecimiento de los
cristales de fusin mucho ms simple o crecimiento PVT.

Figura 3.3. Varias caractersticas de difusin y conveccin asociados con el crecimiento de

cristales en solucin (a) en un vaso de precipitados y (b) alrededor de un cristal. El cristal se
representa por el rea sombreada. Que se muestran son: la capa lmite de difusin (db); la
difusin mayor (D); la conveccin debido a la diferencia trmica o la gravedad (T);
Marangoni conveccin (M); conveccin flotabilidad impulsada (B); flujo laminar, flujo
turbulento (F); Efecto Berg (ser); interfaz suave (S); interfaz rugosa (R); unidad de
crecimiento (g). El apego y el desapego del soluto (lnea continua) y el disolvente (lnea
abierta) se ilustran en (b).

3.4 Ejemplos de transferencia de masa

Vamos a considerar en esta seccin cmo procede la transferencia de masa,
utilizando el crecimiento de cristales de una fase de solucin como un
9

ejemplo representativo de crecimiento de los cristales en la que el calor y

transferencia de masa se acoplan. Vamos a utilizar el crecimiento de
cristales inicos en solucin acuosa en un vaso de precipitados como
ejemplo (Fig. 3.3).
Para la solucin de NaCl acuosa, que es una fase diluida ambiente, todos los
componentes de soluto de Na, Cl-, o NaCl, (NaCl) n estn unidos con el
componente disolvente H2O. Si el componente soluto est presente en un
estado inico aislado, o si las molculas de NaCl o grupos de (NaCl) n estn
presentes, depender de la fuerza impulsora. Aunque la situacin no se
entiende completamente, se espera que, como la sobresaturacin aumenta,
la proporcin de racimos se incrementar. Aunque puede haber varios
estados de unin entre estos grupos y H2O, en general se considera que hay
dos regiones que rodean el componente disolvente: una estructura formando
una regin con una fuerte unin, y la otra estructura que forma una regin
rompible con mucho ms dbil unin entre el molculas de disolvente.

Figura 3.4. Ilustracin esquemtica que explica el gradiente de concentracin alrededor de

un cristal en crecimiento y la presencia de la capa lmite de difusin. Difusin bulk indicada
por capa lmite de difusin (para A o B). El gradiente de concentracin es (B-S), donde B
est la sobresaturacin mayor y S es la sobresaturacin superficie.

Cuando la temperatura de la solucin acuosa se reduce, o la evaporacin

ocurre, una sobresaturadas resultados estatales. Si la fuerza impulsora del
sistema excede la barrera de energa necesaria para la nucleacin se lleve
a cabo (para una discusin, vase la seccin 3.6), la nucleacin del
componente soluto se produce en el sistema. Acompaando a la nucleacin,
10

una regin ms diluida aparecer que rodea el ncleo, y la difusin de la fase

ambiente mayor se producir debido a la diferencia de concentracin. Esto
se llama volumen o mayor difusin. El gradiente de concentracin no es
lineal desde la fase de mayor ambiente, lejos de los ncleos y la superficie
de los ncleos o cristal. En la regin cercana a la superficie de los ncleos o
el cristal, el gradiente de concentracin es agudo, mientras que entre la
solucin a granel ambiente lejos de la superficie casi no muestra gradiente.
Esto ya estaba claro desde las investigaciones efectuadas antes de la
dcada de 1930 (ver Fig. 3.4). La regin con un gradiente fuerte se llama la
capa lmite de difusin, y el gradiente de concentracin en esta capa
desempea un papel esencial en el crecimiento de cristales. Para el
crecimiento de los cristales inicos en una solucin acuosa, el espesor de
esta capa es del orden de 100 m.

Figura 3.5. La barrera de energa en diversas etapas de crecimiento solucin. Torcedura K;

Difusin superficial SD; De solvatacin DEADS; DBL = capa lmite de difusin.

La concentracin en la superficie de un cristal (un ncleo) no es la misma

que la concentracin de equilibrio. En los das antes de que pudiramos
medir la concentracin superficial directa, el motor de una fase a granel fue
evaluada por la sencillez asumiendo la concentracin de equilibrio, pero
ahora se supone que la concentracin de la superficie es ligeramente
superior a este valor. Por lo tanto, la fuerza motriz para el crecimiento de
cristales se considera ahora a ser la diferencia y su gradiente entre la
concentracin en la regin ms externa de la capa lmite de difusin y la
concentracin en la superficie (superficie sobresaturacin).
11

Partculas cristalizan que llegan a la superficie se difundir en la (difusin

superficial) de superficie. Mientras esto ocurre, algunos pueden regresar a la
fase ambiente, mientras que algunos sern arrebatados a torceduras o pasos
(vase la Seccin 3.6) en la superficie y se incorporarn en el cristal. Cuando
estas partculas se incorporan en el cristal, se disocia el componente
disolvente. Este proceso se llama desolvatacin. En crecimiento solucin,
este proceso va a determinar la tasa de crecimiento. En ciertos puntos en
estos procesos, es necesario superar las barreras de energa necesarias para
subir los respectivos pasos (Fig. 3.5).
El componente disolvente individual por el proceso de desolvatacin vuelve
a la fase ambiente. Como resultado, la concentracin en la capa lmite de
difusin se reducir. A travs de la competencia entre el suministro de
componente soluto de la fase en masa y la del componente de disolvente
por el proceso de desolvatacin, el espesor de la capa lmite de difusin
variar de acuerdo con el cambio en la concentracin, o conveccin
flotabilidad impulsada ocurrir cuando los cristales estn creciendo en el
campo de gravedad de la Tierra. Este cambio est relacionado con la
sobresaturacin a granel. En la Fig. 3,6, cambios en el comportamiento de la
capa lmite de difusin en torno a un creciente Ba (NO3) 2 de cristal en
solucin acuosa se ilustran en relacin con la sobresaturacin a granel. Al
0,5%, el espesor de la capa lmite de difusin simplemente aumenta,
mientras que a 0,5% 3,0%, aparece inestable conveccin elevar, y en el
3,0% aparece una constante de conveccin penacho flotabilidad impulsado
por el aumento perpendicularmente desde el centro de la cara superior. En
>8,0%, aparecen aumento penachos de conveccin, la creacin de un
agotamiento considerable en la raz, lo que afecta en gran medida la
perfeccin del cristal.
Variacin de la concentracin en la fase a granel es isotrpica alrededor de
un cristal. Considere la posibilidad de un cristal que crece en un campo de
concentracin equi-distribucin concntrica. En un cristal polidrico
delimitada por las esquinas, bordes y caras, esperamos que la diferencia de
concentracin en una esquina a ser mayor que en un borde, que es a su vez
mayor que en una cara, y por lo tanto las esquinas y los bordes tienen un
mayor estado de concentracin que es el centro de una cara. Esto crea la
difusin superficial. Las diferencias de concentracin en las esquinas, bordes
y centros de la cara de un cristal en crecimiento sern diferentes
dependiendo de la sobresaturacin mayor o caudal a lo largo de la
superficie. La diferencia en la concentracin en diferentes sitios en una cara
se demostr por Berg [3] por medio de una tcnica interferomtrica, que
ahora se conoce como el efecto Berg o fenmeno Berg. Este es un fenmeno
importante en el anlisis de la morfologa de los cristales.

12

Figura 3.6. Fotografas Schlieren mostrando los cambios de espesor de la capa lmite de difusin y el
comportamiento de la flotabilidad - impulso de la conveccin que muestra en relacin al bulk
sobresaturado [1], [2]. La figura muestra la cara (111) de un cristal de Ba(NO 3)2 de una solucin acuosa.
En la regin I, solo el espesor de la capa lmite de difusin se incrementa; en la regin II, se observa la
conveccin lateral inestable (IIA) y el levantamiento de la plima intermitentemente (IIB); y en la regin III
se observa la conveccin constante de la flotabilidad - impulso.

13

3.5 El flujo laminar y conveccin

Al igual que la difusin, conveccin es tambin un factor importante
para la masa o la transferencia de calor. La conveccin es un modo de
flujo en un fluido que crea la rotacin o la circulacin del fluido, y se
distingue de flujo laminar y el flujo turbulento. Si hay una diferencia de
temperatura entre el fluido en la parte superior y la parte inferior del
vaso de precipitados se muestra en la Fig. 3.3, la conveccin se produce
debido a la diferencia de concentracin resultante de la diferencia de
temperatura. La conveccin tambin se producir cuando existe un
gradiente de concentracin, o puede surgir debido a la flotabilidad.
Conveccin debido a la tensin superficial de una solucin se llama
Marangoni conveccin. La diferencia en la tensin superficial puede ser
debida a una diferencia de temperatura o a la concentracin de
especies qumicas en la superficie. La conveccin puede ser tomada
para significar la conveccin trmica, o una combinacin de los dos. En
contraste con estos procesos naturales de conveccin, diversos
mtodos, tales como la rotacin de los cristales de siembra o el propio
crisol, se adoptan cuando el crecimiento de cristales individuales con el
fin de controlar la conveccin y para efectuar la homogeneizacin de la
fase lquida. Puesto que es deseable alcanzar una fase lquida
homognea con el fin de hacer crecer cristales individuales
homogneos, la conveccin se produce en la fase lquida ha sido
ampliamente investigado por medio de simulacin por ordenador o
varias otras tcnicas de visualizacin.
El valor adimensional ms representativa de la dinmica de fluidos es
Re, la relacin de la magnitud de la fuerza de inercia y la viscosidad, Re l
/
l / v, donde es la densidad, es la viscosidad, v es la viscosidad
dinmica, l es la longitud representativa de la materia en el flujo, y es la
tasa de flujo representativo.
El flujo laminar, que es un flujo direccional, los cambios en el flujo
turbulento cuando el nmero de Reynolds crtico (Re) excede 200.
Cuando hay un flujo de la solucin en torno a un cristal en crecimiento,
el espesor de la capa lmite de difusin, el efecto Berg, y Cmo se
suministra el componente soluto se ver afectado dependiendo de la
tasa de flujo del flujo laminar o de la naturaleza del flujo turbulento,
todos los cuales influyen en la tasa de crecimiento, la perfeccin, y la
morfologa del cristal.
3.6 Nucleacin
Los procesos de crecimiento de los cristales se dividen en las siguientes
tres etapas.
(1) Se aplica una fuerza de accionamiento, que hace que el proceso de
proceder por la formacin de un estado sobresaturado o sobre enfriado.

(2) Las partculas ms pequeas que un tamao crtico, que puede ser
referido como racimos, se forman en el sistema. Algunos de estos
grupos, de los muchos que vienen en varias ocasiones juntos y parte de
nuevo, puede por casualidad crecer ms grande que el tamao crtico.
El proceso que describe la situacin hasta el punto en que las partculas
alcanzan el tamao crtico puede ser llamado la etapa de nucleacin
(3) Una vez que se supera el tamao crtico, la partcula puede crecer
ms grande. Este proceso corresponde a la etapa de crecimiento en su
sentido ms estricto.
Entre los grupos que se forman, los que superan el tamao crtico no lo
hacen se disocian y puede crecer ms grande. Como se muestra
esquemticamente en la Fig. 3.7, esto es porque la densidad de los
enlaces libres por unidad de rea en la superficie disminuye a medida
que aumenta el tamao, y finalmente alcanza un valor crtico. Figura 3.7
(b) muestra esta relacin en trminos de cambios de energa. La energa
de nucleacin es la suma de la energa gastada en la formacin de una
partcula por tomos de coagulantes, -G v, que es proporcional a r3, y la
energa obtenida mediante la creacin de la superficie, G s, que es
proporcional a r2, a saber, G-G v G s. Como puede verse en la Fig. 3.7
(b), la energa necesaria para que se produzca la nucleacin aumenta a
medida que r aumenta, alcanza un mximo a rc y disminuye a partir de
entonces. El ncleo que alcanza rc se llama el ncleo crtico, y rc se
conoce como el radio del ncleo crtico.
Dado que existe un valor crtico para que se produzca la nucleacin, la
nucleacin o crecimiento apenas se producen, excepto en una regin
estrecha lejos de la curva de solubilidad, que corresponde a la situacin
de equilibrio. Esta regin estrecha a lo largo de la curva de solubilidad
se llama la regin Miers (ver Fig. 3.1).
La nucleacin se puede clasificar como (i) "nucleacin espontnea" o
"nucleacin homognea", en el que es necesaria ninguna intervencin
por otros factores para que tenga lugar la nucleacin, y (ii) "nucleacin
heterognea", que se produce debido a la presencia de una pared de la
superficie de un vaso, o partculas extraas, o un componente de la
impureza. Se requiere un motor mucho mayor para el primero que lo
segundo. Hay una diferencia de unas pocas decenas de grados
centgrados en trminos de sobre enfriamiento entre los dos en el
crecimiento de masa fundida. La mayora de los fenmenos de
nucleacin en los sistemas reales pueden ser considerados como
heterogneos. En contraste con esto, se acepta que la nucleacin
homognea juega el papel esencial en la nucleacin en condiciones de
micro gravedad.

Figura 3.7. (A) Los cambios en la densidad de enlace colgando por unidad de superficie
como el tamao de una partcula aumenta. Cuando el nmero de unidades que constituyen
el ncleo aumenta desde cuatro hasta diecisis, la densidad de enlace colgando por unidad
de superficie disminuye de 8 a 16/9. (B) Los cambios en la nucleacin de energa G como
el radio de un ncleo r cambios. G alcanza un mximo en r c. La energa necesaria para
alcanzar el volumen G v es proporcional a r3, mientras que la energa obtenida en la
creacin de la superficie, G s, es proporcional a r2.
La energa crtica para la nucleacin est determinada por la energa libre de la interfaz (la
superficie de un ncleo) y la fuerza de conduccin. Cuanto menor sea la energa crtica,
ms fcil es para la nucleacin a tener lugar, por lo que las impurezas con similitud
qumica cristal, pequeas partculas no resueltos, los pasos, y las irregularidades o araazos
en la superficie de la pared del vaso puede todos actan como sitios de nucleacin
heterognea. El mtodo de la decoracin en la microscopa electrnica (ver seccin 5.2), lo
que nos permite observar las medidas en una escala nanomtrica, y el mtodo epitaxial
para el cultivo de pelculas delgadas cristalinas individuales (ver seccin 7.4), son tcnicas
que utilizan los fenmenos de nucleacin heterognea teniendo en cuenta la energa en los
pasos y las interfaces. El uso de cristales de siembra permite el crecimiento para iniciar de
inmediato, sin pasar por la etapa de nucleacin. Nucleacin secundaria, un mtodo
ampliamente utilizado en el campo de la cristalizacin industrial, es esencialmente el
mismo que el crecimiento de cristales usando semillas, aunque tradicionalmente un
trmino de la nucleacin se ha utilizado.
Es el propsito principal de la cristalizacin industrial para obtener numerosos pequeos
cristalitos de igual tamao y forma. Para lograr esto, un mtodo prctico ha sido adoptado
en la que grandes cristales de siembra se introducen en un recipiente de reaccin y agitado.
Las superficies de los cristales de siembra se separan por agitacin, por lo que proporciona
numerosos cristalitos diminutos en el sistema que actan como cristales de siembra. Por lo

tanto, se consigue el objetivo de obtener numerosos cristalitos de igual tamao. Fenmenos

similares, cabe esperar que se produzca en el movimiento ascendente de un magma que
contiene fenocristales [4] (ver seccin 8.5).
En la termodinmica de equilibrio, las fases finales estables son determinados por un rango
de temperatura-presin dada. Sin embargo, no siempre es posible lograr la nucleacin y el
crecimiento de la fase estable desde el principio cuando el sistema se mantiene bajo esta
condicin. En muchos casos, la fase ms temprana que aparece por la nucleacin es una
fase metaestable, que es diferente de la fase estable. Este fenmeno se conoce como la
regla de Ostwald paso [5]. Esto puede ser entendido como resultado de la competencia
entre la fuerza motriz y los trminos de energa libre de la interfaz. Cuando el trmino
fuerza impulsora es pequeo, la contribucin del trmino de energa de superficie se vuelve
ms importante. Como resultado de esta competicin, la nucleacin de una fase
metaestable se producir antes de la de la fase estable. Antes de la aparicin de la fase
estable, la fase metaestable formado anteriormente se puede desarrollar de una manera
estable, y se comporta como si se trata de la fase estable. Sin embargo, una vez que la fase
estable aparece en el sistema, la fase metaestable Formado anterior comienza a disolverse o
transformar, y la fase estable crece. Si se mantienen las condiciones que suprimen la
aparicin de una fase estable, la fase metaestable puede llegar a ser estable [6]. La
formacin de aragonita (una fase de alta presin de CaCO3) existente en los cuerpos vivos,
o de diamantes CVD (una fase de alta presin de carbono) bajo 1 atm de presin son tales
ejemplos.
En esta seccin hemos explicado la relacin entre una fase ambiente a granel y un cristal
mayor (donde se supone que el cristal para tener un ideal, la estructura regular). Desde la
dcada de 1930, las investigaciones tericas y experimentales han indicado que un
verdadero cristal contiene defectos de orden de celosa, y que estos defectos tienen un
efecto significativo sobre las propiedades fsicas del cristal. Esta comprensin ha llevado a
la actual industria de semiconductores das.
3.7 Defectos en la red
Las propiedades fsicas de los materiales slidos que son en gran medida influenciadas por
la presencia de defectos de orden celosa en monocristales reales se llaman "propiedades
structuralsensitive", y se distinguen de las "propiedades intrnsecas", que estn
determinados por los elementos que constituyen el cristal, por ejemplo, el enlaces
qumicos, la estructura, etc. Color, plasticidad, deslizamiento y propiedades
semiconductoras son propiedades estructurales sensibles, mientras que la densidad, dureza,
elasticidad y propiedades pticas, trmicas y magnticas son las propiedades intrnsecas.
Propiedades estructurales sensibles sern diferentes para cada muestra individual. Hay
casos en que incluso las propiedades intrnsecas estn influenciados por defectos de orden
celosa

Figura 3.8. Explicacin de las dislocaciones en relacin a deslizarse. La flecha slida, b,

corresponde a la vector de Burgers de la dislocacin. SV es la dislocacin de tornillo, WE
es la dislocacin de borde, y VW es una dislocacin mixta. El rea sombreada representa
un plano de deslizamiento.
Los defectos de la red se clasifican como (i) "defectos puntuales", como las vacantes,
tomos intersticiales, tomos de impurezas de sustitucin, y los tomos de impurezas
intersticiales, (ii) "defectos de lnea", como borde, tornillo, y dislocaciones mixtas, y ( iii)
"defectos planas", tales como fallas de apilamiento, aviones individuales, y los lmites de
grano.
Dentro de estas tres categoras, se prest atencin a los primeros defectos puntuales; esto
surgi de la curiosidad intelectual sobre el origen del color azul profundo visto en grandes
monocristales incoloros de NaCl se producen en los depsitos de sal. Desde este punto de
partida, se desarroll la idea de centros de color. Desde los centros de color son defectos
puntuales, que modifican los estados electrnicos alrededor de los defectos y afectan el
calor y la conductividad electrnica; en consecuencia, se han convertido directamente
conectado con el desarrollo de la industria de los semiconductores.
El concepto de defectos de lnea fue introducida en teora para dar una respuesta a la
discrepancia entre los valores tericos y experimentales de la tensin de corte para crear
deslizamiento (deslizamiento). Le tom casi veinte aos para demostrar la presencia de
dislocaciones en cristales. Glide es un fenmeno en el que parte de un cristal se desplaza
(sin perder fuerza adhesiva sobre un plano de deslizamiento) por una distancia (ya sea un
espaciado reticular o un mltiplo de la misma) en la direccin de deslizamiento. El valor
terico de la mdulo de cizallamiento, suponiendo que deslizamiento se produce
instantneamente en un cristal perfecto ideal, se calcul a ser hasta 1.000 veces el valor
medido experimentalmente. De esta surgido una teora que considera el fenmeno de
deslizamiento a estar vinculado a un movimiento de dislocaciones. La teora asume que
deslizamiento se produce porque las dislocaciones se mueven en el plano de deslizamiento
(ver Fig. 3.8).
Si se asume que el deslizamiento se produce en el plano de deslizamiento en la direccin
de y por la cantidad indicada por la flecha slida, vemos que la red est distorsionada a lo
largo de la parte delantera del deslizamiento, SVWE. El modo de distorsin del plano de
celosa es diferente entre la parte perpendicular a la flecha, WE, y que paralelamente a la
flecha, SV, y de nuevo a la parte intermedia VW. A WE, el plano reticular est

distorsionada, como si de un plano medio de celosa se inserta como un filo de la navaja, y

al SV contina el prximo avin de celosa en la forma de una escalera de caracol. El
primero se llama una dislocacin de borde, y el segundo se refiere como una dislocacin de
tornillo. VW se llama una dislocacin mixta, ya que posee ambos componentes.
La direccin y el tamao de la flecha slida en la Fig. 3.8 representan el vector que
caracteriza a la dislocacin; esto se llama el vector de Burgers. Esto puede ser de tamao
de celosa, o una fraccin o nmero entero mltiplo entero del tamao del enrejado. Desde
el plano reticular est distorsionada por la zona estrecha alrededor de una lnea de
dislocacin, un campo de deformacin se concentra all. Esta regin se llama el ncleo
dislocacin, y puede ser un sitio preferencial para la disolucin o adsorcin a tener lugar.
De hecho, la verificacin experimental ms temprana de la presencia de dislocaciones en
cristales individuales se logr mediante la produccin de pozos de grabado de punto de
fondo, correspondientes a los afloramientos de dislocaciones, y posteriormente grabado el
espcimen despus de aplicar el estrs. Un cambio en la forma del pozo de ataque desde el
punto de fondo a los hoyos de grabado de fondo plano se observ en el afloramiento
original de la dislocacin, y el punto de fondo fueron observadas en la posicin en que la
dislocacin haba viajado. Las dislocaciones pueden ahora ser observados directamente por
diversas tcnicas, tales como la topografa de rayos X o la microscopa electrnica de
transmisin.
El concepto de dislocaciones se introdujo en teora, en la dcada de 1930 por E. Orowan y
GI Taylor, y de inmediato tuvo un papel esencial en la comprensin de las propiedades
plsticas de materiales cristalinos, pero tom otros veinte aos para entender plenamente la
importancia de dislocaciones en el crecimiento de cristales. Como se describe en la
Seccin 3.9, no fue sino hasta 1949 que la teora del crecimiento en espiral, en el que se
asume que el crecimiento de una interfaz suave para proceder de una manera paso de
caracol, con el paso de servir como una fuente de paso perpeta a s misma, era propuesto
[7]. Dislocaciones mismos juegan un papel en la promocin del crecimiento, pero tambin
pueden ser inducidos en crecimiento, cristales existentes en las distintas etapas. Desajuste
del enrejado puede resultar donde las ramas laterales de un cristal dendrtico se unen,
cuando una inclusin atrapado durante el crecimiento est encerrada, o a lo largo de la
frontera de dos cristales con un poco diferentes orientaciones. Desajustes parmetro de red
entre los cristales de acogida y de huspedes en el crecimiento epitaxial tambin son
orgenes de dislocaciones inducida crecimiento. Cuando un verdadero cristal crece en un
sistema no controlado, que por lo general tienen una densidad de dislocacin del orden de
10.810 lneas / cm2. En la utilizacin de cristales individuales para los dispositivos, es
necesario crecer cristales individuales que contienen una densidad de dislocaciones
reducida; sin embargo, la distribucin de las dislocaciones en cristales individuales puede
servir como un registro fiable del proceso de crecimiento.
Dislocaciones inducida crecimiento pueden multiplicarse durante el proceso de postcrecimiento. Si el estrs se aplica a las dislocaciones fijas por las impurezas, las
dislocaciones inducidos multiplican para formar anillos de dislocacin de bucle. Este es un
mecanismo importante en la multiplicacin de dislocaciones, y se refiere como una fuente
de Frank-Read. De esta manera, dislocaciones inducida crecimiento se mueven durante el
perodo post-crecimiento y forman acumulaciones energticamente ms estables de
dislocaciones. Estructuras secundarias, tales como ovillos de dislocacin, redes o
estructuras de panal de dislocaciones, lmites de grano de ngulo pequeo, lmites de

torsin, y dislocaciones sacabocados, son ejemplos tpicos. Por otro lado, dislocaciones
inducida crecimiento en el crecimiento de cristales de la fase de solucin generalmente se
distribuyen en paquetes procedentes del centro del cristal o de inclusiones atrapadas
durante el crecimiento. Ellos tambin se originan en la superficie de un cristal de siembra o
de bandas de crecimiento. Dislocaciones inducida crecimiento generalmente se ejecuta casi
perpendicularmente a la superficie de cultivo.
Adems de los defectos retcula de orden, defectos mucho ms grandes a menudo pueden
ser inducidos en un cristal en crecimiento durante o despus del crecimiento; por ejemplo,
la inclusin de fases slido, lquido o de vapor. Las inclusiones atrapadas simultneamente
durante el proceso de crecimiento se llaman inclusiones syngenetic, mientras que los
inducidos despus del crecimiento es completa se llaman inclusiones epigenticos.
Inclusiones syngenetic estado slido proporcionan evidencia de las composiciones y las
condiciones termodinmicas de las fases ambiente en el momento del crecimiento de
cristales. Si un lquido inclusin fueron atrapados como una sola fase, el componente
disuelto en el lquido se disocia en forma de vapor o fases slidas debido a la disminucin
de la temperatura y la presin, y dara lugar a inclusiones de dos fases de vapor-lquido o
de mltiples -Fase inclusiones en el que las fases de vapor-lquido-slido coexisten. Sobre
la base de la temperatura a la que dos fases cambio a una sola fase en la calefaccin, la
temperatura en el momento de la inclusin fue atrapado se puede evaluar, despus de
primero calibrar el efecto de la presin.
Una fase se encuentra a menudo entre los minerales de silicato o sulfuro en manchado,
estrella, laminar o texturas de celosa en la fase de acogida. La fase se mezcl
originalmente como una solucin slida homognea solo con la fase de acogida en el
momento de crecimiento, y ms tarde precipita o exsolved la fase de una componente de la
solucin slida dentro de la fase cristalina de acogida como la temperatura disminuye. Este
fenmeno se llama la precipitacin en los campos fsicos o metalrgicos y exsolution en
disciplinas geolgicas. La fase exsolved tiene una relacin definida cristalogrfica con la
fase de acogida para mantener la energa mnimo interfaz entre las dos fases.
3.8 Interfaces
Despus de racimos alcanzan un tamao crtico en el sistema y la etapa de nucleacin esta
completa, comienza la etapa de crecimiento en un sentido ms estrecho. Puesto que la
estructura ya est formado, el componente de soluto ser incorporado en el cristal a
expensas de una energa mucho menor que la necesaria para la nucleacin. Aqu, la
estructura de la interfaz entre las fases slida y lquida que apareci como resultado de la
nucleacin se vuelve importante. Esto es porque el mecanismo de crecimiento ser
diferente dependiendo de si la interfaz es atmicamente spera o lisa. La interfaz spera
consiste enteramente de torceduras, y la interfaz lisa comprende una superficie plana
(terraza), un pequeo nmero de pasos, y un sitio donde un paso est doblado, es decir, un
punto de torsin.

Figura 3.9. Cristal Kossel

Kossel [8] y Stranski [9] fueron los primeros en llamar la atencin sobre la estructura de la
interfaz, despus de considerar los resultados experimentales obtenidos por Volmer [10],
que demostr la existencia de difusin superficial. De este modo fue posible discutir el
mecanismo de crecimiento de los cristales a un nivel atmico, a partir de estos anlisis.
Supongamos que las entidades componentes de ambos un cristal y la de crecimiento son
cubos simples. Este tipo de cristal modelo se llama un cristal Kossel, y se muestra en la
Fig. 3.9. El {100} cara est completamente pavimentado por la unidad, y la superficie es
atmicamente plana. Esta cara se denomina el "plano completo". El {111} cara, sin
embargo, consta de torceduras, como puede verse en la Fig. 3.9, y tiene una superficie
irregular, por lo que se llama un "plano incompleto." En contraste con {111}, {110}
corresponde a un rostro compuesto enteramente de pasos. Kossel no dio un nombre en
particular a este tipo de cara cristalina.
Hay tres sitios diferentes que tienen diferente energa de fijacin en un cristal Kossel. Una
unidad constituyente de forma cbica simple en la superficie de un {100} est conectado a
la cara del cristal en cinco de las seis caras; en el borde de una cara {100} o en un en la
cara {110}, que est conectado a cuatro caras de seis posibles; mientras que en la esquina
de una cara {100} o en la superficie de una cara incompleta {111} , que est conectado a
tres de las seis caras. Estos sitios pueden ser llamados una cara lisa (cara terraza), un paso
y una torcedura, respectivamente. Podemos entender inmediatamente que la energa de
unin para la unidad de crecimiento de al cristal disminuye en este orden. Dado que en un
sitio de torcedura la energa de fijacin es igual a la media de la energa de unin entre las
unidades constituyentes vecinas, un sitio de torcedura se llama sitio medio de cristal.

Figura 3.10. Esquema que muestra el modelo de crecimiento capa por capa debido a la
nucleacin bidimensional. Esta figura asume el modo de nucleacin para ser el modelo
mono-nuclear. Otros modelos, como los modelos de poli-nuclear o de nacimiento y
propagacin, como se explica en el texto, tambin pueden ser considerados.
Teniendo en cuenta la energa de unin, vemos que en una cara incompleta una unidad de
crecimiento que incide ser incorporada inmediatamente en el cristal. Esto indica (i) que el
mecanismo de crecimiento de una cara incompleta ser de tipo crecimiento adhesivo, (ii)
que la interfaz avanzar de manera homognea, y (iii) que la velocidad de avance de la
interfaz (la tasa de crecimiento normal) ser linealmente relacionada a la fuerza impulsora.
En contraste, una unidad de crecimiento de llegar a una superficie plana sobre una terraza
interfaz completa puede no ser incorporado inmediatamente en el cristal. Se puede
difundirse en la superficie o dejar la interfaz, volviendo a la fase inicial. Si hay pasos o
torceduras, pasos que se pliegan, sobre la superficie de terraza, una unidad de crecimiento
de llegar ser incorporada en el cristal. Como resultado, la cara crecer en dos dimensiones
de difusin del paso. Si el paso alcanza el borde de la cara y la superficie se vuelve
completamente plana, se requiere una nueva fuente de paso para continuar el crecimiento.
Kossel [8] y Stranski [9] asumieron que tendr lugar la nucleacin bidimensional. Este
mecanismo se denomina crecimiento de la capa por capa. La figura 3.10 muestra este
modelo de forma esquemtica.
En esta teora, ya que la tasa de crecimiento de una cara se controla por la tasa de
nucleacin bidimensional, debemos esperar que exista la presencia de una fuerza de
conduccin crtica y que el crecimiento puede tener lugar solo si se supera esta. Por debajo
de este valor, no habr crecimiento. Como posibles modos de nucleacin de dos
dimensiones, se pueden considerar tres modelos diferentes.
(1) Un modelo de mono-nuclear, que permite slo una nucleacin, la prxima nucleacin
toma lugar slo despus de que toda la superficie est cubierta por capas de crecimiento
procedentes del ncleo anterior.
(2) Un modelo polinuclear, que permite llevar a cabo muchas nucleaciones en una
superficie.
(3) Un modelo de nacimiento y propagacin, lo que permite la nucleacin y el avance de
una capa de crecimiento a la vez en una superficie.
En todos estos modelos, asumimos nucleacin bidimensional.
Tabla 3.2 Trminos usados para expresar los estados de las interfaces

Kossel, Stranski
Burton, Cabrera, Frank
Hartman, Perdok
Terminologa actual

cara completa, cara incompleta

rostro singular, la cara no singular
cara plana (cara F), sali cara (cara S ), la cara retorcida (cara
K)
cara lisa, cara rugosa

Muchas teoras sobre estructuras de interfaz se han expuesto, y en consecuencia muchos

trminos diferentes se han introducido; resumimos stos en la Tabla 3.2. En lugar de
referirse a completos y rostros incompletos, Burton, Cabrera y Frank [11] utilizaron los
trminos rostros singulares y no singulares, en el sentido de una cara que muestra un
mnimo aguda (cspide) y uno que no muestra ni mnima, respectivamente, en un diagrama
polar de la energa superficial. Esta clasificacin se basa en el clculo de la mecnica
estadstica, y est estrechamente relacionado con el debate sobre la forma de equilibrio
(vase la Seccin 4.3). Hartman y Perdok [12] cristal clasificado en F (para la cara plana),
S (escalonada), y K (cara retorcido), en funcin de los nmeros de las cadenas de bonos
peridicas (CNS) que se encontraron en una estructura cristalina mediante la conexin
fuerte bonos. Est claro que estas caras corresponden a las caras de un cristal Kossel
{100}, {110}, y {111}, respectivamente (Fig. 3.9). Hoy en da, los trminos interfaz suave
y spero se usan comnmente junto con rostros perfectos e imperfectos, y rostros
singulares y no singulares.
Como puede verse desde el cristal tipo Kossel se muestra en la Fig. 3.9, la rugosidad de
una interfaz depende de que considerando a que se enfrenten, es decir, en las direcciones
cristalogrficas. Tambin vara dependiendo de la especie de cristal, la temperatura, y la
fuerza impulsora. El aumento de la temperatura o la fuerza impulsora causar una interfaz
fcil de cambiar en una interfaz spera. El punto de transicin que existe en pasar de una
interfaz suave a una spera cuando aumenta la temperatura se denomina una transicin de
rugosidad. La existencia de transiciones de rugosidad ha sido demostrada por simulacin
por ordenador. Una transicin de rugosidad resultante de aumentar la fuerza impulsora se
llama una transicin de rugosidad cintica. Dependiendo del grado de rugosidad de una
interfaz, el tipo de mecanismo de crecimiento o el crecimiento frente a los cambios de
relacin de conduccin de fuerza, y por lo tanto la rugosidad de la interfaz es un concepto
esencialmente importante en el anlisis de la morfologa de los cristales y elemento de
segmentacin (vase la Seccin 3.14).
Las predicciones tericas ms tempranas sobre el estado de las interfaces fueron hechas por
Burton, Cabrera, y Frank [11], que demostr que la interfaz sera, en la mayora de los
casos spera a la temperatura de crecimiento para los cristales de metal. Jackson [13]
sugiri un sistema en el que las fases slida y lquida se separan mediante una interfaz con
un espesor de una sola capa, y calcula los cambios de energa como una funcin de la
relacin de ocupacin del sitio de la unidad constituyente en la interfaz. Cuando la relacin
de ocupacin del sitio fue del 50%, la interfaz era spera, mientras que 0 o 100% el sitio de
ocupacin correspondi a una interfaz suave. En t su clculo, que utiliza los llamados Jacks
en factor de definido por:

Figura 3.11. Prediccin de la rugosidad de la interfaz obtenido por (a) Jackson [13] y (b)
Temkin [14], [15]. (A) El eje horizontal muestra la relacin entre la ocupacin del sitio de
la superficie, y la vertical de x representa el cambio en la energa libre. Los nmeros son
factores. (B) El eje vertical indica la fuerza impulsora, y el eje horizontal muestra el
factor. A es el rea estable para una interfaz lisa; B es el rea estable para una interfaz
spera.
Donde es el factor de orientacin, L es el calor de fusin, k es la constante de Boltzmann,
y Tm es el punto de fusin. Figura 3.11 (a) muestra los resultados de clculo de Jackson, e
indica que hay dos tipos de curvas en funcin del factor . Para materiales con <2, slo
hay un mnimo de 50% de ocupacin del sitio de la superficie, lo que indica que la interfaz
energticamente prefiere ser spera. Por otro lado, en un material con >3, hay dos
mnimos de energa en el sitio de ocupacin 0 y 100%, lo que indica que la interfaz ser
suave.
Los factores son diferentes para diferentes materiales. Los cristales metlicos tienen
generalmente <2; los cristales semiconductores tienen 2<<3; y en xidos, silicatos, y
cristales de polmero, que tienen estructuras cristalinas complejas, >3. Debido a la
presencia de (correspondiente a la relacin entre dos y nmeros de coordinacin
tridimensionales zs/ z), los factores sern diferentes en diferentes direcciones
cristalogrficas en el mismo cristal. Para los cristales de hielo, el (0001) cara tiene >3,
mientras que para la cara (10 1-1 0) es 2<<3, lo que indica que (10 0) es una cara ms
spera que (0001).
En contraste con el tratamiento termodinmico de equilibrio realizado por Jackson, Temkin
[14], [15] considerado el problema de la transicin de rugosidad de una interfaz en relacin
con la fuerza de accionamiento y el factor . Su resultado se muestra en la Fig. 3.11 (b), en
el que la zona A corresponde a un rea donde se espera una interfaz suave, mientras que la
zona B corresponde al esperado para una interfaz spera. Al aumentar la fuerza motriz, una
interfaz suave se transforma en una interfaz spera: una transicin de rugosidad cintica.

Para Jackson el factor es el valor medido en el punto de fusin; la interaccin solutodisolvente no se tiene en cuenta. Esto corresponde a la situacin de crecimiento de los
cristales en la fase de fusin. Bennema y Gilmer [16] el factor de Jackson se da de la
siguiente de modo que se puede aplicar a la fase de solucin, que implica una interaccin
soluto-disolvente:
G = {sf - (ss + ff)}/KTG
G es un generalizado del factor , ss y ff son la unin de las energas en las fases
slida y de fluidos, respectivamente, sf es la energa de interaccin soluto-disolvente, k es
la constante de Boltzmann, y TG es la temperatura de crecimiento, que es menor que el
punto de fusin. En el crecimiento de cristales de la fase de fusin,
G se
convierte en la misma que en la expresin de Jackson. En esta generalizacin, sin embargo,
G se da en trminos de la temperatura de crecimiento y la energa de interaccin solutodisolvente, por lo que es diferente de Jackson del factor .
Experimentos informticos extensos han sido realizados desde la dcada de 1980 para
investigar cmo los cambios en la estructura de interfaz como u/kT cambios nudos, para
determinar si la transicin de rugosidad se lleva a cabo, y establecer la forma en la tasa de
crecimiento en comparacin con la relacin fuerza motriz (y por tanto el mecanismo de
crecimiento) cambian dependiendo en los cambios en el factor ,
el factor G o
u/kT. Los resultados fueron los esperados; Fig. 3.12 muestra dos ejemplos de los
resultados de experimentos de ordenador.
Los anlisis anteriores suponen que la estructura de interfaz no cambia en todas las
condiciones de crecimiento. Se ha demostrado experimentalmente usando cristales de Si
que la estructura de interfaz puede ser reconstruido en algunas fases ambiente. Los tomos
en el interior del cristal estn unidos de forma tridimensional y simtricamente a los
tomos vecinos, mientras que los de la superficie no. Los tomos de la superficie estn
unidos con tomos en la estructura, pero no con los de la fase ambiente. En consecuencia,
estn en un estado de energa ms alto que los tomos en el cristal. Bajo ciertas
condiciones, se requiere la "reconstruccin de la superficie" para relajar el estado de alta
energa; esto se logra mediante la formacin de la unin parcial, por ejemplo la formacin
de una estructura en lugar del original estructura 1x1 el 3x3. Se ha demostrado que las
estructuras reconstruidas aparecen en Si 2x1 o 7x7, y en Ir (100) una estructura 1x1 cambia
a una estructura de 1x5. En consecuencia la estructura del cristal se enfrenta a dicha
modificacin a consecuencia de tal reconstruccin, y que exhiben una morfologa de la
superficie diferente de caras no reconstruidas ordinarios (vase la Seccin 4.4).

Figura 3.12. Los cambios en la rugosidad de la interfaz como resultado de cambiar y,

tomados de los resultados de un experimento ordenador [17]. (A) - (d) indica cambios en el
estado de la interfaz para variar , manteniendo u/kT constante; (E) muestra un paso
creado por una dislocacin de tornillo en equilibrio, u/kT=0, y (f) - (h) muestra la forma
en que avanza bajo u/kT=1.5, con constante.

Figura 3.13. Mecanismo de crecimiento espiral.

3.9 crecimiento Espiral
En el modelo de crecimiento de la capa por capa formulado por Kossel [8] y Stranski [9],
la tasa de crecimiento est limitado por la nucleacin bidimensional. El crecimiento no se
producir a menos que se supere la barrera de energa necesaria para la nucleacin de dos
dimensiones, lo que indica que debe haber un valor crtico de la fuerza motriz para que
tenga lugar el crecimiento. En el caso de crecimiento de los cristales de la fase de vapor,
este valor se estima en alrededor de 25-50% en trminos de sobresaturacin. En los casos
reales, observamos que cristales crecen bajo sobresaturacin a porcentajes tan bajos como
1%. Esta gran discrepancia entre los valores tericos y experimentales se origina en el
hecho de que Kossel y Stranski asumieron cristal perfecto. Los cristales reales, sin
embargo, son imperfectos, que contiene impurezas y dislocaciones. El Modelo de
crecimiento espiral de Frank ha sido propuesta para explicar el mecanismo de crecimiento
de cristales reales. Poco despus de la propuesta de este modelo, la primera evidencia para
apoyar la prueba del modelo se obtuvo en caras {10 1 -1 0} de los cristales naturales berilo
[18], seguido por observaciones de los patrones de paso espiral en muchas caras de una
amplia variedad de cristales . As, la teora del crecimiento en espiral estaba firmemente
establecido [19].
Cuando una dislocacin de tornillo aflora en una interfaz lisa, se crea un paso en la
superficie que tiene la altura cero en el ncleo de la dislocacin y una altura
correspondiente a un vector de Burgers en el borde de la cara. La etapa de crecimiento a
partir de un paso tal avanza como una escalera espiral alrededor de la dislocacin, que
acta como un apoyo, como se muestra en la Fig. 3.13. Esto es debido a la diferencia en la
velocidad angular de avance del paso de la espiral en el centro y que en el borde. Desde la
dislocacin de tornillo es una fuente paso auto perpeta, no es necesario superar la barrera
de energa para la nucleacin de dos dimensiones. Los cristales pueden crecer por este
mecanismo por debajo de la fuerza impulsora fundamental para el crecimiento de capa por
capa. La tasa de crecimiento y la fuerza motriz se relacionan de la siguiente manera:
R=A (u/ kT)2
donde A es una constante, y u/ kT es la fuerza impulsora.

Tipo adhesivo

Crecimiento de nucleacin
bidimensional

Crecimiento en espiral

)
Rugoso

En transicin

)2

R = A(

liso

transicin termodinmica rugosa

transicin cintica rugosa
Figura 3.14. Las diferencias entre los mecanismos de crecimiento en las interfaces rugosas y
lisas, muestran la relacin entre la tasa de crecimiento y la fuerza motriz en el mecanismo de
crecimiento de tipo adhesivo, el mecanismo de crecimiento de nucleacin en dos dimensiones, y
el mecanismo de crecimiento en espiral. Tambin se muestra la transicin de rugosidad de una
superficie lisa a una interfaz rugosa. R es la tasa de crecimiento,

/kT es la fuerza motriz, y A y

B son constantes.

El crecimiento en espiral es un mecanismo que se espera solamente en las interfaces lisas.

La ayuda proporcionada por las dislocaciones de tornillo no son necesarias en el
crecimiento de las interfaces rugosas, donde opera un crecimiento de tipo adhesivo.
Como se explic anteriormente, se establecieron tres modelos fundamentales de
mecanismo de crecimiento de los cristales en relacin con la rugosidad de las interfaces;
stos se ilustran en la Fig. 3.14. En la actualidad, no hay ningn otro mecanismo de
crecimiento conocido que es esencialmente diferente de estos tres. Por lo tanto, vamos a
analizar la morfologa de los cristales, el tema principal de este libro, basado en estos tres
mecanismos de crecimiento.
3.10

Mecanismo de Crecimiento y morfologa de los cristales

La figura 3.15 muestra la tasa de crecimiento de R frente a la fuerza motriz

/kT para los

tres modelos de mecanismos de crecimiento. Esta figura ilustra los dos puntos siguientes.
(1) Cuando como el motor aumenta, una interfaz se vuelve ms rugosa.
(2) Dos puntos de flexin aparecen en /kT * y /kT **, ya que las curvas de R frente a
las relaciones

/kT esperados para los tres modelos de mecanismos de crecimiento son

diferentes. Una interfaz se vuelve rugosa y el mecanismo de crecimiento anterior ser de

tipo adhesivo

/kT **, mientras que la interfaz ser lisa y el crecimiento ser controlado

principalmente por el mecanismo de crecimiento por debajo de la espiral

/kT* y

/kT *. Entre

/kT **, la interfaz ser lisa, pero el mecanismo de crecimiento ser principalmente

por la nucleacin bidimensional. Figura 3.15 es un diagrama esquemtico de R frente a la

relacin

/kT esperada en una direccin cristalogrfica en una fase ambiente imaginario

Figura 3.15. reas donde se espera que las interfaces rugosas y lisas. La tasa de crecimiento en
comparacin con los que impulsan las relaciones de fuerza que se espera para los tres modelos de
crecimiento se indican en la tasa de crecimiento, R (vertical), eje frente a la fuerza motriz (/ kT)
diagrama. La curva A muestra el mecanismo de crecimiento de espiral; B representa el mecanismo de
crecimiento de dos dimensiones de nucleacin; C denota el mecanismo de tipo adhesivo.

Las posiciones de

/kT * y

/kT ** son diferentes, incluso en la misma direccin

cristalogrfica de la misma especie de cristal, en funcin de la diferencia de fase ambiente.

En la fase condensada en estado fundido, la posicin de /kT ** de un material con
< 2 se espera estar muy cerca del origen (a saber, la interfaz ser rugosa), mientras que la
posicin ser a un valor mucho ms largo en el caso de crecimiento de la fase de vapor, que
es la fase ms diluida ambiente. En crecimiento solucin, la posicin de /kT ** estar en
entre las dos posiciones (Fig. 3.16). Dependiendo de la diferencia de energa de interaccin
soluto-disolvente, las posiciones de /kT ** sern diferentes de material a material que
crece de la fase de solucin con el mismo componente de disolvente. Esto implica que
cuando el cristal crece a partir de la fase de fusin de la interfaz, ser rugosa, asimismo un
cristal de la misma especie se espera que tenga una interfaz lisa y el crecimiento en espiral
cuando el cristal crece a partir de la fase de vapor. En otras palabras, esto implica que un
cristal polidrico limitada por caras planas se espera que ms generalmente cuando un

cristal crece a partir de la fase de vapor que cuando crece a partir de la fase de fusin.
Tambin, dependiendo de las especies de cristal, la implicacin es que la morfologa ser
diferente, incluso si los cristales crecen de la misma solucin acuosa,

porque los valores de la

/kT ** son diferentes para las diferentes especies cristalinas

debido a soluto-disolvente interaccion

Figura 3.16. Las diferentes posiciones de

/kT * y

/kT ** en funcin de las fases ambientales. (A)

la fase de vapor; (B) en fase de solucin; (C) fundir fase.

La figura 3.15 muestra R frente

/kT * y

/kT para una direccin cristalogrfica. Las posiciones de

/kT ** son diferentes en diferentes direcciones cristalogrficas del mismo

cristal. La cara cristalina clasificada como la cara ms importante en orden de importancia

morfolgica (es decir, la que muestra la cspide ms aguda en el diagrama polar de la
energa de interfaz) parcela (, y pertenece a una categora de la cara ms importante F en el
anlisis PBC, y tiene la densidad reticular ms alto en la ley BFDH (Bravais-FriedelDonnay-Harker); vase el captulo 4) se supone que tiene los valores ms grandes de /kT
* y

/kT **. Como el orden de importancia morfolgica disminuye, estos valores se

redujeron entre los rostros categorizados como caras F. Se espera que la posicin del

/kT

** de K o S se enfrenta en el anlisis de PBC para estar ms cerca del origen.

3.11 inestabilidad morfolgica
La interfaz es el nico lugar donde el crecimiento de cristales (y disolucin) lleva a cabo.
Hemos clasificado la interfaz en rugoso y liso en la seccin anterior, y hemos presentado
los mecanismos de crecimiento esperados. En el crecimiento de cristales de la fase de
fusin, una interfaz rugosa tomar una forma curvada que sigue un plano curvo de igualdad
de temperatura, mientras que en el crecimiento de las fases de vapor o solucin, que va a
seguir una superficie curva siguiente lneas de igual concentracin. En contraste, una
interfaz lisa toma una forma recta truncar lneas equipotenciales trmica o
equiconcentration. Vamos a discutir en esta seccin si la forma de interfaz se puede
mantener durante todo el crecimiento o no, qu tipo de inestabilidad se llevar a cabo
cuando la forma de interfaz no se mantiene, y cmo estas inestabilidades afectar a la
morfologa de los cristales. No, qu tipo de inestabilidad se llevar a cabo cuando la forma
de interfaz no se mantiene, y cmo estas inestabilidades afectar a la morfologa de los
cristales.

Figura 3.17. Relacin entre la interfaz y lneas de igual concentracin en la fase ambiente
cuando se produce la inestabilidad morfolgica.
Supongamos que una pequea protuberancia aparece en una interfaz curvada rugosa, y que
por alguna razn se altera la morfologa interfaz. Los intervalos entre las lneas de igual
temperatura o concentracin vuelto ms estrecho en el bulto; Por lo tanto, el gradiente de
temperatura o la concentracin se vuelve ms ntida, lo que resulta en una tasa de
crecimiento cada vez mayor (Fig. 3.17). Las situaciones son las mismas para el crecimiento
de la masa fundida, en el que la transferencia de calor juega el papel esencial, y para el
vapor diluido o solucin de crecimiento, en el que la transferencia de masa juega el papel
esencial. Cuando se producen cambios en el gradiente de la temperatura y la concentracin,
la morfologa interfaz pierde su estabilidad, y el bulto se ver reforzada. Inestabilidad
morfolgica es ms fuerte en las interfaces rugosas, curvas que en las interfaces lisas y
planas. A menos que la cooperacin de las fuerzas resulta en la supresin de la inestabilidad
de la interfaz, la inestabilidad se ver reforzada a medida que avanza de crecimiento. Como
resultado, la estructura celular peridica, aparecer matrices de cspides, varilla o
estructura laminar y, adems, la morfologa dendrtica. Varios patrones derivados de la
inestabilidad morfolgica se indican en la figura. 3.18. Ahora se entiende que la
morfologa dendrtica de cristales de nieve, lo que atrajo la atencin de los primeros
observadores de cristales, los resultados de los cambios morfolgicos derivados de la
inestabilidad morfolgica. Las seis ramas simtricas son debido a la estructura. El problema
de la inestabilidad morfolgica se resolvi tericamente por Mullins y Sekerka [20], que
propuso una teora lineal que demuestra que la morfologa de un cristal esfrica creciente
en la masa fundida sobre enfriada se desestabiliza debido a la difusin trmica; la teora
tratada cuantitativamente con y dio anlisis lineal de la inestabilidad en la interfaz de
solidificacin unidireccional. La morfologa interfaz es inestable para una variedad de
razones; debemos considerar primero el sobre enfriamiento constitucional, es decir, el
cambio de punto debido a un cambio en el contenido de impurezas de fusin. En el proceso
de solidificacin de una aleacin, incluso si la cristalizacin se inicia desde una interfaz
slido-lquido plana con contenido de impurezas homognea, concentraciones de impurezas
en el slido y el lquido va a cambiar a medida que avanza de crecimiento (como los
avances de interfaz) debido a la compartimentacin de los componentes de impurezas entre
las fases slida y liquida. Los componentes de impurezas con una particin (distribucin)
coeficiente menor que la unidad se concentrar en la interfaz

Figura 3.18. El proceso de cambios en la morfologa debido a la interfaz de inestabilidad.

(A) - (e) a partir de una interfaz lisa, se ve que la morfologa cambia de una matriz cspide,
a una estructura de varilla, y a una estructura dendrtica.
La tasa de concentracin ser determinada por las constantes de difusin del componente
de la impureza, la tasa de crecimiento del cristal, y el coeficiente de distribucin del
componente de impureza. Esto se traduce en un estado de sobre enfriamiento aparente
debido a la relacin entre el gradiente de temperatura entre el cristal y la masa fundida y el
gradiente de concentracin, como se ilustra esquemticamente en la Fig. 3.19. Esto se
conoce como sobre enfriamiento constitucional, y proporciona una explicacin para el
crecimiento de cristales a partir de una fase de fusin. Como resultado, se explican las
causas de la varilla, celular, o estructura laminar observado como la estructura de
solidificacin en las aleaciones. Sin embargo, el mismo concepto puede ser aplicable a
crecimiento vapor o solucin en la presencia de componentes de impureza. Por qu las
formas polidricas delimitadas por las interfaces lisas puede crecer, manteniendo sus
formas polidricas, no fue tenido en cuenta adecuadamente hasta que la teora del
crecimiento capa PORCAPA (que considera el proceso atmico de crecimiento de los
cristales) formulado por Kossel y Stranski apareci.

Si
el
crecimiento
est
totalmente controlado por difusin, el cristal debe tener una forma esfrica, sin caras

planas. La aparicin de caras cristalinas planas se explica por la introduccin del concepto
del mecanismo de crecimiento de la capa por capa en una interfaz lisa. Como un ejemplo de
la violacin de la inestabilidad morfolgica, podemos mencionar el efecto Berg. Como
Berg demostr (vase la Seccin 3.4), la fuerza motriz a travs de una cara del cristal es
mayor en las esquinas o en los bordes que en la cara, y es ms bajo en el centro de la cara.
Hay un valor crtico para la nucleacin de dos dimensiones que se produzca. Si la fuerza
impulsora en las esquinas y los bordes es menor que este valor crtico, el crecimiento de
esta cara ser controlado por el mecanismo de crecimiento de espiral Fig. 3.15), y la capa
de crecimiento procedente de dislocaciones de tornillo en la zona central de la cara
avanzar hacia el exterior, y as la estabilidad polidrica de la morfologa podr ser
mantenido. Si la mayor parte de fuerza
aumenta por encima del valor crtico para la nucleacin bidimensional que tendr lugar en
las esquinas o bordes (el rea entre /kT * y /kT ** en la Fig. 3.15), dislocaciones
afloramiento cerca de los bordes o esquinas, o nucleacin bidimensional en estos lugares,
actuar como fuentes para las capas de crecimiento, que luego avanzar hacia el interior a la
zona central de la cara. Esto corresponde a la formacin de una cara de la tolva. Si la fuerza
motriz aumenta an ms, la nucleacin tridimensional se llevarn a cabo en los lugares
donde la fuerza impulsora es mxima, es decir, en las esquinas del cristal. Se espera que
este saliente aparecer en la direccin de las esquinas, y que ser posiblemente convertirse
en un cristal dendrtico por la misma razn que la inestabilidad morfolgica se produce en
una interfaz rugosa.
Tomando el efecto Berg en cuenta, Kuroda et al. [21] demostraron que el lmite entre la
zona donde la morfologa polidrica permanece estable y la regin donde se viola la
estabilidad, y la tolva o formas dendrticas aparece, cambiar dependiendo del tamao del
cristal. La figura 3.20 muestra los resultados.
3.12 Fuerza impulsora y morfologa de los cristales
Si podemos predecir cambios morfolgicos en base a los anlisis de estados de interfaz, en
la R frente relaciones para los tres modelos de mecanismo de crecimiento, y en la
estabilidad morfolgica de interfaces, como se discuti en las secciones 3.2 a 3.9, y luego

graficar los resultados en un frente kT diagrama R como se da en la Fig. 3.15, creamos

la figura. 3. 21.

Tamao de cristal
(cm)

Mecanismo de
crecimiento en
espiral

Mecanismo
de
crecimiento

Dendrita

Regin estable

Regin inestable

Figura 3.20. Tamao dependencia de la frontera entre las regiones morfolgicamente

estables e inestables cuando se toma en consideracin [21] el efecto Berg.
La Figura 3.21 es un diagrama esquemtico que muestra una sola direccin cristalogrfica.
Por debajo de la condicin de fuerza motriz /kT*, el mecanismo de crecimiento en
espiral es el mecanismo de control, y se espera un cristal polidrico limitada por caras
planas. Por encima /kT**, la interfaz ser spero, el mecanismo de crecimiento ser de
tipo adhesivo, y se espera una morfologa dendrtica. En la regin entre /kT* y
/kT**, una morfologa tolva se espera debido al mecanismo de nucleacin
bidimensional. De esta manera, la lgica coherente se ha establecido entre morfologas
dendrticas y polidricas de cristales, que se consideran como problemas completamente
independientes en las primeras etapas de estudio de la morfologa de los cristales. Esta
gama de morfologa, de polidrico a dendrtica, es exhibida por cristales individuales. Si
/kT aumenta an ms, el ritmo de aumento de nucleacin, lo que resulta en la
agregacin de muchos cristales. Dependiendo de las condiciones, aparecer agregados
policristalinos esfricas debido a que irradia el crecimiento de un centro. En el proceso de
formacin de un esferultica, divergente, pajarita, o la morfologa semi-esferultica, o bien
se pueden formar agregados policristalinos o aparecer una agregacin policristalino azar.

spero

Liso

Tasa de crecimiento
R

Espiral

Nucleacin
bidimensional

Fuerza motriz

Figura 3.21. Los cambios en la morfologa de los cristales, mostrados en una tasa de
crecimiento frente a la conduccin diagrama de fuerza (ver Fig. 3.15), asumiendo un cristal
delimitada por el {111} nica cara.
Las posiciones de /kT* y /kT** en el diagrama ser diferente para diferentes
direcciones cristalogrficas. Cuanto mayor sea la importancia morfolgica, el ms grande
de estos valores sern. En otras palabras, un cristal en crecimiento est limitado por las
caras que tienen diferentes fuerzas impulsoras, y as cada cara presenta una rugosidad
interfaz diferente.
En el caso de un cristal delimitada por ambas interfaces lisas y rugosas, la interfaz spera
desaparecer a medida que avanza de crecimiento, y el cristal eventualmente tomar una
forma polidrica limitada por una interfaz suave solo, a menos que se suprime la tasa de
crecimiento de la interfaz spera debido a las condiciones ambientales. Puesto que el
crecimiento de un cristal polidrico es controlado por el mecanismo de crecimiento de
espiral, la tasa de crecimiento normal de la cara est determinada por la altura, la
separacin, y la tasa de avance de los pasos de la espiral de crecimiento. Los factores que
determinan estas tres caractersticas, por lo tanto el control de la Tracht y el habitus de
cristales polidricos. Esto se analizar en el captulo 4.
Cuando un cristal crece bajo condiciones no controladas, como en el crecimiento de
cristales de minerales naturales, la nucleacin se produce primero bajo condiciones de alta
fuerza motriz, que disminuirn a medida que avanza de crecimiento. Esta implihat un
cristal que es originalmente dendrticas eventualmente tomar una forma polidrica limitada

por una cara plana. Si un cristal polidrico limitado por caras planas es atravesada, se
observar un esqueleto que muestra la forma dendrtica en el interior. Los cambios abruptos
en las condiciones de conduccin de fuerza se producen con frecuencia en la cristalizacin
natural, como en la elevacin de magma, y por lo tanto esperan encontrar cristales
polidricos recubiertos de una textura fibrosa debido al crecimiento dendrtico, o cristales
que muestran varios cambios en la seccin transversal. La figura 3.22 presenta un resumen
de estas texturas internas.

Figura 3.22. Texturas registradas dentro de un solo cristal debido a cambios en las
condiciones de crecimiento.
3.13 Morphodroms
Hemos discutido en la Seccin 3.12 de que existe una relacin mutua entre esferultica,
dendrtica, tolva, y los cristales polidricos, con respecto a la fuerza impulsora. Vamos a ver
cmo aparecen estas relaciones mutuas en sistemas reales, utilizando como ejemplos
representativos, cristales de baja temperatura de nieve (de crecimiento en fase de vapor) y
cristales de silicato de alta temperatura que crecen en las fases de solucin de silicato.

Sobresaturamiento
(%)

Dendrtica
Sector y la placa
Placa gruesa
Placa espacial
Aguja
Aguja irregular
Columna
Desplazamiento

Temperatura (0C)

Figura 3.23. Morphodrom de cristales de nieve: Diagrama de Nakaya [22].

El diagrama de fase morfolgica en el que las variaciones morfolgicas de un cristal se
ilustran en relacin con las condiciones de crecimiento se denomina "morphodrom". Esta
palabra fue usada originalmente por Kern et al. para ilustrar las variaciones de Tracht y
Habitus de cristales inicos polidricas que crecen en solucin acuosa (ver ref. [29], en el
captulo 4), pero, de hecho, existen ejemplos mucho ms antiguas que muestran la variacin
morfolgica en la forma de un diagrama de fase morfolgica. El ejemplo ms antiguo es
famoso diagrama de Nakaya de cristales de nieve [22]; Nakaya representa la morfologa de
los cristales de nieve artificial en relacin con sobreenfriamiento y sobresaturacin de H2O.
Diagrama de Nakaya se muestra en la Fig. 3.23. Se ve claramente en este diagrama que los
cristales de nieve adquieren una morfologa polidrica en la regin de baja sobresaturacin
de H2O, mientras que asumen una morfologa dendrtica en la regin de la fuerza de
conduccin elevada. Un anlisis de la razn por la cual los cristales de nieve polidricos
cambian su habitus alternativamente de platy a prismtica dependiendo del grado de
sobreenfriamiento se dar en el Captulo 4. El diagrama Nakaya muestra claramente que la
morfologa de los cristales de nieve cambios de polidrico a dendrticas como la
sobresaturacin ( motor) aumenta.
Temperatura (0C)

(0C)

% en peso de An
(a)

(0C)
Polidrico
Tolva
Dendrtica
Esferulitica

% molar de An
(b)

Figura 3.24. Morphodroms de minerales de silicato [23]. (A) resultados resumidos en

muestras enfriadas: anortita serie (An) -albita (Ab). (B) la observacin Resumido obtenida
por mtodo in situ: dipsido sistema (Di) -anortita (An).
Las figuras 3.24 (a) y (b) muestran morphodroms de cristales de silicato que crecen de
soluciones de silicato: Fig. 3.24 (a) muestra los resultados de las observaciones de los
productos enfriados, y la fig. 3.24 (b) resume los resultados obtenidos por una alta
temperatura en el mtodo de la observacin in situ de crecimiento [23]. En estos casos
tambin, ya que aparte de la licuefaccin de componente solucin slida, se ve que la
morfologa de los cristales de cambios de polidrico, a travs de la tolva, a dendrtica, a
continuacin, esferultica. Las predicciones que se describen en la Seccin 3.12 de este
modo se confirmaron mediante experimentos.
3.13 Elemento de particin
Cuando los tomos de impurezas o iones estn presentes en una fase ambiente, se
comportan de manera diferente a partir del componente de cristalizacin al llegar a las
interfaces.

Hasta qu punto estos componentes de impureza se incorporan en el cristal en crecimiento

sern diferentes dependiendo de las condiciones termodinmicas, es decir, la temperatura y
la presin, as como en las propiedades qumicas de cristal como el tamao inico y
propiedades y el tamao espacial de posiciones de sustitucin en el cristal, y tambin ser
diferente en funcin de la tasa de crecimiento y direcciones cristalogrficas. Los tomos y
iones que son difciles de incorporar en un cristal en crecimiento sern eliminadas de cristal
y se acumulan en la interfaz completamente cuando la tasa de crecimiento es lento, pero a
tasas de crecimiento ms altas algunos sern encerradas por el cristal en crecimiento. Dado
que la tasa de crecimiento es dependiente de la estructura de la interfaz, y por lo tanto sobre
el mecanismo de crecimiento, la concentracin de componentes de impureza que se
incorporan en el cristal ser diferente dependiendo de la direccin cristalogrfica, es decir,
sus contenidos sern diferentes dependiendo de los sectores de crecimiento (vase la
Seccin 6.1).
Para qu lado (fase ambiente o cristal) y en qu medida los componentes de impureza
concentrado es llamado el "distribucin (particin) del elemento", y la relacin est
representada por la distribucin (particin) de coeficientes. Si las concentraciones del
componente i impureza en la fase ambiente y en el cristal se expresan como c L y cS,
respectivamente, la relacin cL/cS = k es el coeficiente de distribucin. Tambin se llama el
"coeficiente de segregacin", k se determina por parmetros termodinmicos tales como la
temperatura y la presin, pero no es el mismo que el k calculado en condiciones de
equilibrio, donde la tasa de crecimiento es cero (esto k se expresa como k 0). Podemos
definir el coeficiente de distribucin durante el crecimiento como el coeficiente de
distribucin eficaz, keff. Elementos de impurezas con keff < 1 son aquellos elementos que son
difciles de incorporar en el cristal en esta relacin, y as se barren hacia fuera para y se
concentran en la interfase; elementos con keff > 1 se comportan de la manera opuesta.

Elementos con keff < 1 que son barridas a la interfaz forman una capa concentrada con un
gradiente que depende de la tasa de crecimiento, R, si suponemos una capa de difusin con
un espesor . Bajo la condicin de equilibrio donde R = 0, no hay gradiente, pero al
enfriamiento rpido, con R = , el gradiente es la ms empinada, y en un finito R el
gradiente es intermedio. En R = , concentraciones de impurezas son iguales en la fase
ambiente y en el cristal, y keff = 1, mientras que en condiciones de equilibrio, donde R = 0,
keff = k0. Suponiendo la constante de difusin de una impureza sea D,
Burton, Prim, y Slichter [24] expresaron keff por la siguiente frmula:

Esta es la famosa ecuacin de BPS; muestra que k eff depende de R, pero no lo hace
muestran que depende de la orientacin.

El primer ejemplo que demostr que elemento de particin tiene la dependencia de la

orientacin fue la observacin de la distribucin de tomos de impurezas Bi en un cristal
nico de Si crecido a partir de la masa fundida. Los tomos de Bi se distribuyen
principalmente en el sector de crecimiento interfaz suave. Esto se explic cmo debido a
una tasa de avance mucho ms grande de pasos de crecimiento en una interfaz suave que el
R tasa de crecimiento normal de una interfaz spera. Si la tasa de avance es rpido, las
impurezas que llegan a la interfaz sern capturados por las etapas de crecimiento de avance
antes de que sean arrastrados a la fase ambiente. Si extendemos este concepto, se predice
que el particionado impureza depender de la orientacin cristalogrfica, y que los sectores
de crecimiento de una cara con la ms alta importancia morfolgica contendrn ms
impurezas con keff < 1. Distribucin impureza en un cristal nico no puede ser homognea y
depender de los sectores de crecimiento.
Elementos de impurezas con keff < 1 se concentrarn en la interfaz. Esto afecta a la
estabilidad morfolgica de la interfaz a travs de la tasa de crecimiento y los fenmenos de
sobreenfriamiento constitucionales, y puede modificar la suavidad de la interfaz. Como
resultado, las fluctuaciones en la concentracin de impurezas van a aparecer en forma de
bandas de crecimiento.
3.15 Inclusiones
Cristalitos muy pequeas de los mismos o diferentes especies pueden precipitar sobre la
superficie de crecimiento de un cristal. Si estos son expulsados de ocluidos o en el cristal en
crecimiento se determina por la relacin entre las fuerzas de atraccin y repulsin con el
cristal en crecimiento, de manera similar a la particin de elementos de impurezas. A tasas
de crecimiento ms altas, es ms probable que los precipitados se ocluidos en el cristal. Se
convierten en inclusiones slidas, que sirven como buenos indicadores de la composicin
qumica de la ambiente y condiciones de fase de crecimiento, la temperatura y la presin.
Inclusiones slidas en cristales de diamante naturales han sido ampliamente investigado, de
la cual dos tipos de fases ambiente, ultramaficas y eclogiticos, han sido consideradas como
las fases probables ambiente en el que se formaron los diamantes.
Cuando la fase de ambiente es una fase de solucin de baja viscosidad, tal como una
solucin hidrotrmica, la oclusin del lquido madre (el lquido en el que el cristal crece) en
un cristal en crecimiento se produce en los lugares donde las ramas dendrticas conjugado,
o a travs de voladizo de macro- etapas de crecimiento, o en lugares donde avanzan las
macro-etapas cumplan. Cuando el crecimiento procede an ms en la pared de una
inclusin lquido madre de acogida, que se disociar en inclusiones ms pequeas
dispuestas por estriccin, o se convertir en un cristal negativo delimitada por caras
cristalogrficas.