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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
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DEPARTAMENTO DE MATERIALES
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CIENCIA DE MATERIALES I
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Autor: Ing. Rodrigo Ruiz
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Facultad de Ingeniera Mecnica Ciencia de Materiales I

Facultad de Ingeniera Mecnica Ciencia de Materiales I

Unidad I Visin de los materiales


1

Introduccin

La historia del hombre ha estado ligada al desarrollo de los materiales. De hecho, en el recuento de
las civilizaciones se han identificado las edades de la piedra, del bronce, del hierro, de los plsticos,
como forma de describir el estadio de avance. En el siglo XX se habl de la era de los polmeros, y en
esta poca es la era de los nanomateriales. Y aunque hoy se hable ms de las reas de los servicios y
de los mundos virtuales en que se mueve nuestra civilizacin, no es menos cierto que todo se
sustenta en el mundo de lo tangible, de lo material.
Los materiales de ingeniera han tenido una evolucin continua. Hay que reconocer que a lo largo de
su historia el hombre ha diseado y mejorado diferentes materiales de todo tipo. Pero casi siempre
el avance en el campo estuvo ligado a lo emprico, a lo artesanal, y apenas en el siglo pasado
comenz el estudio sistemtico y el consiguiente entendimiento de las propiedades,
comportamiento y mtodos de obtencin de algunos materiales metlicos bsicos. Con el siglo XX
se desarrolla aceleradamente el conocimiento sobre los materiales polimricos, y se emprende un
profundo estudio de los problemas de estabilidad de los materiales frente a la agresividad de los
medios, es decir el estudio de corrosin y proteccin.
En las tres ltimas dcadas se configura un trabajo de magnitud significativa en temas de tanta
importancia como la tribologa y se hacen grandes avances en el estudio de la tercera de las familias
de materiales de ingeniera: los cermicos, aunado a un gran inters por conocer, producir, y aplicar
diferentes tipos de combinaciones, en materiales compuestos o "conjugados".
Hace relativamente poco tiempo que los cientficos llegaron a comprender la relacin entre
elementos estructurales de los materiales y sus propiedades. Este conocimiento, adquirido en los
ltimos 200 aos aproximadamente, los ha capacitado, en alto grado, para modificar o adaptar las
caractersticas de los materiales. Quiz uno de los cientficos ms relevantes en este campo haya
sido WillardGibbs al demostrar la relacin entre las propiedades de un material y su estructura. En la
figura 1-1 se muestra el tetraedro de los materiales de la ingeniera.

Figura 1-1 Tetraedro de los materiales de ingeniera

Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con caractersticas muy especiales
para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y compleja sociedad, se trata de metales,
plsticos, vidrios y fibras.
Se puede afirmar que una de las grandes revoluciones de esta ciencia fue el descubrimiento de las
diferentes fases trmicas de los metales, y en especial del acero.
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Actualmente los adelantos electrnicos ms sofisticados se basan en componentes denominados
materiales semiconductores.

1.1 El papel de los materiales en las sociedades


Los materiales se encuentran en el centro de todos los avances tecnolgicos. La capacidad para
desarrollar y usar los materiales es fundamental para el avance de cualquier sociedad.
El dominio del desarrollo y el procesamiento de los materiales abren oportunidades impensables
hace slo algunas dcadas. Por ello, se debe conocer como se producen, se procesan y se usan los
materiales en todas las ramas de la ingeniera, para incrementar el bienestar de la sociedad.
A travs de la historia, se observa que los principales avances tecnolgicos van relacionados con el
desarrollo de nuevos materiales y procesos. Por ejemplo: las innovaciones en procesamiento de
materiales que condujeron al desarrollo de la espada de Damasco, construida en dos capas
alternadas; una de hierro suave y otra de acero (Fe al 0,6% de C) martilladas a altas temperaturas
para producir una hoja con filo de acero duro, para mantener la superficie cortante, y un cuerpo de
hierro dctil que proporciona la resistencia a la fractura.
En el Japn, se obtenan resultados parecidos martillando el acero hasta obtener una lmina
delgada y doblando sobre si misma varias veces. Las armas producidas con estos mtodos dieron a
sus fabricantes grandes ventajas en las batallas. Armas fabricadas en forma parecida en medio
oriente fueron una de las bases de la expansin del imperio sirio. Esto muestra uno de los principios
clave de la ciencia y la ingeniera de materiales: la relacin ntima entre la estructura, las
propiedades y el procesamiento.
En pocas recientes el desarrollo de procesos para obtener un control preciso de la composicin y
estructura ha posibilitado la tecnologa del transistor miniaturizado, el resultado una revolucin en
la electrnica, lo que ha posibilitado la computadora, el telfono celular, etc., que afectan los
aspectos de la vida moderna.
Otra rea es la industria aeroespacial; las aleaciones de aluminio y titanio ligeras han impulsado el
desarrollo de estructuras muy eficientes, mientras las aleaciones a base de nquel permitieron el
desarrollo de poderosos y eficientes motores a reaccin que impulsan los aviones modernos. En el
caso del trasbordador espacial, intervienen tambin, los materiales compuestos y los cermicos
que le otorgan resistencia a las elevadas temperaturas (1600 C) y por sus excelentes propiedades
aislantes son una forma de proteger el fuselaje de aluminio de la nave espacial.
Otros materiales que han posibilitado un gran avance tecnolgico, est en el campo de las
telecomunicaciones, la fabricacin de la fibra ptica Fibras transparentes de SiO2) que sustituye a
los alambres de cobre, son otro ejemplo de una verdadera revolucin en el campo de las
comunicaciones mundiales.
En conclusin, la Ciencia de los Materiales muestra la relacin entre la estructura de un material y
sus propiedades, y el objetivo de la asignatura es tratar que el estudiante desarrolle una
comprensin fundamental del comportamiento de los materiales para prepararlos para enfrentarse
a un entorno de cambios rpidos y en muchos campos espectaculares.

1.2 La ingeniera y los materiales


En una u otra forma, los materiales son elementos principales de todas las ramas de la ingeniera.
Con frecuencia al ingeniero se le pide resolver problemas existentes en la sociedad, para lo cual
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debe sistematizar conocimientos de diversas disciplinas y producir artculos muchas veces sin tener
un conocimiento fundamentalmente completo de lo que maneja. En cuyo caso el ingeniero debe
definir las condiciones de funcionamiento y desarrollar un programa de pruebas basado en su
intuicin, para permitir avanzar con el proyecto en forma segura, ordenada y econmica (el
ingeniero suele emplear un mtodo intuitivo y con frecuencia emprico).
Al efectuar un trabajo el ingeniero se enfrenta a una cantidad casi infinita de materiales entre los
que debe escoger. En algunos casos los materiales se ponen en servicio sin requerir mayores
modificaciones, mientras que en otros casos ser necesario un procesamiento adicional para
obtener las propiedades deseadas. Para elegir el mejor material para la aplicacin, lo ms adecuado
es determinar las propiedades de servicio (requeridas), para entonces ver que material tiene esas
propiedades al menor costo.
El ingeniero deber tener una idea clara de lo que significa la palabra costo. No slo se refiere al
costo inicial del artculo, pues, este puede tener un costo inicial alto, pero a travs de su vida til,
tomando en cuenta todos los factores, el costo puede ser bajo. Por ejemplo, los productos
fabricados con los nuevos materiales compuestos o mezclas macroscpicas, tienen un costo inicial
de los artculos relativamente alto, pero, por ser muy durables son mucho menos caros que los
artculos de metal o de madera que estn siendo sustituidos.
Tambin es importante que el ingeniero entienda que no se puede seleccionar los materiales con
base en una sola propiedad. Por ejemplo, si un ingeniero electricista est diseando un componente
en el que la principal propiedad es la capacidad de conducir electricidad, no debe olvidar que el
material debe ser capaz de resistir la ruptura, de ser estable a largo plazo para que las propiedades
no cambien de manera significativa con el paso del tiempo. En la mayor parte de los casos, la
eleccin del material implica un conjunto complejo de propiedades que casi nunca se llega a una
solucin nica que sea la ms adecuada para la aplicacin dada. Es decir, pueden existir mltiples
soluciones correctas de un problema de seleccin de materiales, los ingenieros deben investigar
varias soluciones alternativas antes de llegar a una solucin final.
Adicionalmente, en el caso del trasbordador espacial, los materiales seleccionados deben funcionar
juntos como un sistema. Mientras que cada material se selecciona por las propiedades especficas
con las que se debe satisfacer una necesidad especfica, tambin debe ser capaz de funcionar en
conjunto con otros materiales, sin degradar las propiedades de los dems.

1.3 Tipos principales de materiales en la ingeniera


La ciencia de materiales clasifica a todos los materiales en funcin de sus propiedades y su
estructura atmica. Son los siguientes:
1. Metales
2. Cermicos
3. Polmeros
4. Materiales compuestos
5. Semiconductores
Algunos libros hacen una clasificacin ms exhaustiva, aunque con estas categoras cualquier
elemento puede ser clasificado.
1.3.1

Metales

El concepto de metal refiere tanto a elementos puros, por ejemplo aluminio, as como aleaciones
con caractersticas metlicas. Ejemplos comunes de metales no elementales son el acero y el
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bronce. Los metales elementales comprenden la mayor parte de la tabla peridica de los elementos
y se separan de los no metales por una lnea diagonal entre el boro y el polonio. En comparacin a
los no metales tienen baja electronegatividad y baja energa de ionizacin.
Los metales tienen ciertas propiedades fsicas caractersticas: son slidos a condiciones ambientales
normales (a excepcin del mercurio y del Galio), son del color grisceo (a excepcin del oro y del
cobre), suelen ser opacos o de brillo metlico, tienen alta densidad, son dctiles y maleables, tienen
un punto de fusin alto, son duros, y son buenos conductores (calor y electricidad).
Los metales pueden formar aleaciones entre s y se clasifican en:
1. Ultraligeros: Densidad en g/cm inferior a 2. Los ms comunes de este tipo son el magnesio y el
berilio.
2. Ligeros: Densidad en g/cm superior a 2 e inferior a 4,5. Los ms comunes de este tipo son el
aluminio y el titanio.
3. Pesados: Densidad en g/cm superior a 4,5. Son la mayora de los metales.
1.3.2

Cermicos

Los materiales cermicos son materiales inorgnicos no metlicos, constituidos por elementos
metlicos y no metlicos enlazados principalmente mediante enlaces inicos y/o covalentes. Las
composiciones qumicas de los materiales cermicos varan considerablemente, desde compuestos
sencillos a mezclas de muchas fases complejas enlazadas. Las propiedades de los materiales
cermicos tambin varan mucho debido a diferencias en los enlaces. En general, los materiales
cermicos son tpicamente duros y frgiles con baja tenacidad y ductilidad. Los materiales
cermicos se comportan usualmente como buenos aislantes elctricos y trmicos debido a la
ausencia de electrones conductores, normalmente poseen temperaturas de fusin relativamente
altas y, asimismo, una estabilidad relativamente alta en la mayora de los medios ms agresivos
debido a la estabilidad de sus fuertes enlaces.
Son considerados materiales estructurales para la construccin (Ladrillos y tejas), de revestimiento
(Pavimentos y revestimientos cermicos) o como refractarios, han pasado a ser importantes en
campos como la aeronutica (Barreras trmicas), la automocin (Sensores), la electrnica
(Dispositivos basados en propiedades especficas), la siderurgia (Refractarios de alta resistencia), la
medicina (Implantes seos), el sector de metal-mecnica (Herramientas de corte), etc.
Estos grandes avances se han logrado gracias a un mejor diseo de los materiales, un control
exhaustivo de la Microestructura y un diseo especfico de los componentes y de los sistemas
integrados.
Los productos cermicos, sobre todo los nuevos "composites" cermicos, se utilizan ampliamente
en la industria de las herramientas para cortar. Por ejemplo, la almina reforzada con fibras
extremadamente finas de carburo de silicio se usa para cortar y maquinar hierro colado y aleaciones
ms duras a base de nquel. Tambin se utilizan materiales cermicos en las ruedas de amolar y
otros abrasivos a causa de su excepcional dureza. El carburo de silicio es el abrasivo ms
ampliamente utilizado.
Los materiales cermicos desempean un papel importante en la industria electrnica. Los circuitos
integrados semiconductores generalmente se montan en un sustrato de cermica, por lo regular
almina. Algunos materiales cermicos, notablemente el cuarzo (SiO2 cristalino), son
piezoelctricos, lo que significa que generan un potencial elctrico cuando se les somete a un
esfuerzo mecnico. Esta propiedad hace posible el empleo de materiales piezoelctricos para
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controlar las frecuencias en los circuitos electrnicos, como en los relojes de cuarzo y los
generadores ultrasnicos.
Se usan materiales cermicos para fabricar placas cermicas que cubren las superficies de los
transbordadores espaciales, a fin de protegerlas contra el sobrecalentamiento durante el reingreso
en la atmsfera terrestre. Las placas se fabrican con fibras de slice cortas de alta pureza reforzadas
con fibras de boro silicato de aluminio. El material se moldea en bloques, se sinteriza a ms de 1300
C luego se corta en placas. Las placas tienen una densidad de apenas 0.2 g/cm3, pero pueden
mantener la piel de aluminio del trasbordador por debajo de los 180 C cuando la temperatura
superficial es de hasta 1250C.
1.3.3

Polmeros

En qumica, los polmeros son macromolculas (generalmente orgnicas) formadas por la unin de
molculas ms pequeas llamadas monmeros.
Un polmero (del griego poly, muchos; meros, parte, segmento) es una sustancia cuyas
molculas son, por lo menos aproximadamente, mltiplos de unidades de peso molecular bajo. La
unidad de bajo peso molecular es el monmero. Si el polmero es rigurosamente uniforme en peso
molecular y estructura molecular, su grado de polimerizacin es indicado por un numeral griego,
segn el nmero de unidades de monmero que contiene; as, hablamos de dmeros, trmeros,
tetrmero, pentmero y sucesivos. El trmino polmero designa una combinacin de un nmero no
especificado de unidades.
1.3.3.1

Polimerizacin y estructura

La reaccin por la cual se sintetiza un polmero a partir de sus monmeros se denomina


polimerizacin. Segn el mecanismo por el cual se produce la reaccin de polimerizacin para dar
lugar al polmero, sta se clasifica como polimerizacin por pasos o como polimerizacin en cadena.
En cualquier caso, el tamao de la cadena depender de parmetros como la temperatura o el
tiempo de reaccin, teniendo cada cadena un tamao distinto y, por tanto, un peso molecular
distinto, por lo que se habla de peso promedio para el polmero.
1.3.3.2
1.3.3.2.1

Clasificacin
Segn propiedades y usos finales

Atendiendo a sus propiedades y usos finales, los polmeros pueden clasificarse en:
1. Elastmeros
Son materiales con muy bajo mdulo de elasticidad y alta extensibilidad; es decir, se deforman
mucho al someterlos a un esfuerzo pero recuperan su forma inicial al eliminar el esfuerzo. En
cada ciclo de extensin y contraccin los elastmeros absorben energa, una propiedad
denominada resiliencia.
2. Plsticos
Son aquellos polmeros que, ante un esfuerzo suficientemente intenso, se deforman
irreversiblemente, no pudiendo volver a su forma original. Hay que resaltar que el trmino
plstico se aplica a veces incorrectamente para referirse a la totalidad de los polmeros.
3. Fibras
Presentan alto mdulo de elasticidad y baja extensibilidad, lo que permite confeccionar tejidos
cuyas dimensiones permanecen estables.
4. Recubrimientos
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Son sustancias, normalmente lquidas, que se adhieren a la superficie de otros materiales para
otorgarles alguna propiedad, por ejemplo resistencia a la abrasin.
5. Adhesivos
Son sustancias que combinan una alta adhesin y una alta cohesin, lo que les permite unir dos
o ms cuerpos por contacto superficial.
1.3.3.2.2

Segn su comportamiento al elevar la temperatura

Para clasificar polmeros, una de las formas empricas ms sencillas consiste en calentarlos por
encima de cierta temperatura. Segn si el material funde y fluye o por el contrario no lo hace se
diferencian dos tipos de polmeros:
1. Termoplsticos, que fluyen (pasan al estado lquido) al calentarlos y se vuelven a endurecer
(vuelven al estado slido) al enfriarlos. Su estructura molecular presenta pocos (o ninguno)
entrecruzamientos. Ejemplos: Polietileno (PE), Polipropileno (PP), PVC.
2. Termoestables, que no fluyen, y lo nico que conseguimos al calentarlos es que se
descompongan qumicamente, en vez de fluir. Este comportamiento se debe a una estructura
con muchos entrecruzamientos, que impiden los desplazamientos relativos de las molculas.
La clasificacin termoplsticos, termoestables es independiente de la clasificacin elastmeros,
plsticos, fibras.
1.3.4

Materiales compuestos

En ciencia de materiales reciben el nombre de materiales compuestos aquellos que cumplen las
siguientes propiedades:
1. Estn formados de 2 o ms componentes distinguibles fsicamente y separables
mecnicamente.
2. Presentan varias fases qumicamente distintas, completamente insolubles entre s y separadas
por una intercara
3. Sus propiedades mecnicas son superiores a la simple suma de las propiedades de sus
componentes (sinergia).
Los materiales compuestos se forman o producen cuando se introducen fibras o partculas de un
elemento, compuesto o material determinado en una matriz polimrica, cermica o metlica que
acta como aglomerante y respaldo. De esta forma, se pueden tener compuestos metal-metal,
metal-cermico, metal-polmero, cermico-cermico, cermico-polmero o polmero-polmero.
El inters por la investigacin de los materiales compuestos se inici en los aos cincuenta del siglo
pasado. La economa floreciente de las potencias mundiales como la antigua Unin Sovitica y
Estados Unidos y la "guerra fra" entre estos pases obligaba a una lucha por la supremaca en el
espacio y los medios de defensa; esto hizo que los respectivos gobiernos invirtieran enormes
recursos econmicos en la aeronutica militar y la tecnologa espacial para el desarrollo de
materiales, lo que condujo a la aparicin de un gran nmero de materiales compuestos y mtodos
de fabricacin de los mismos, generalmente de muy alto costo, que posteriormente algunos han
podido ser adaptados de manera econmica a la solicitud de los diseadores de materiales con
menor peso, mayor rigidez y mayor resistencia especfica, para uso en condiciones de exigencias
muy elevadas para los materiales de ingeniera tradicionales.
Las propiedades de los materiales compuestos son superiores y posiblemente nicas en algn
aspecto especfico, a las propiedades de los componentes por separado. Esto ha impulsado el
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desarrollo de este tipo de materiales, que hoy en da se consideran indispensables en el uso
eficiente de piezas, partes y componentes de diversa ndole.
Los materiales compuestos son indispensables para el futuro crecimiento de las industrias
aeroespaciales, aeronutico, electrnico, de artculos deportivos y automotrices entre otras.
Entre otros usos, los materiales compuestos se emplean en: motores de cohetes y conos de proa de
los misiles; en las alas, fuselaje, piso, tren de aterrizaje de aviones; en los sistemas de frenos,
vlvula, asientos de vlvulas, pistones, bielas, piezas de carrocera, ejes de transmisin, parrillas y
rbol de levas de automviles; cascos, cubiertas, mstiles y cables de amarre de embarcaciones;
recipientes, recipientes a presin y conductos de la industria qumica; aislantes, cajas de
interruptores, paneles de control, caas de pescar, raquetas de tenis, palos de golf, cascos y canoas.
La gran mayora de los materiales compuestos son creados artificialmente pero algunos, como la
madera y el hueso, aparecen en la naturaleza.
1.3.5

Semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo
del campo elctrico en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla 1-1.
Elemento

Grupo

Electrones en
la ltima capa

Cd
Al, Ga, B, In
Si, Ge
P, As, Sb
Se, Te, (S)

II A
III A
IV A
VA
VI A

2 e3 e4 e5 e6 e-

Tabla 1-1 Elementos qumicos con comportamiento de semiconductor

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las


combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente
(AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear
tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes.

1.4 Propiedades de los materiales e ingeniera de los materiales


Como parte de su trabajo los ingenieros realizan la seleccin de los materiales con base en las
propiedades que tienen importancia para la aplicacin requerida. Los ingenieros mecnicos,
aeroespaciales y civiles tienen que ver con frecuencia con las propiedades mecnicas de los
materiales. Los ingenieros qumicos con las propiedades de corrosin, los ingenieros elctricos con
el comportamiento elctrico y magntico. Los ingenieros de materiales se desenvuelven con
frecuencia como parte de equipos interdisciplinarios de diseo, o son consultores de otros
ingenieros en la seleccin de los materiales. Tambin, con frecuencia intervienen en el desarrollo de
nuevos materiales. Las propiedades de un material determinado se pueden clasificar en:
1. Propiedades esenciales.
Se refiere a las propiedades bsicas de un material.
2. Propiedades organolpticas.
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Se refiere a las propiedades que se perciben a travs de los sentidos.
3. Propiedades qumicas.
Se refiere a los procesos que modifican qumicamente un material.
4. Propiedades fsicas.
Se refiere a las caractersticas de los materiales debido al ordenamiento atmico o molecular
del mismo.
5. Propiedades magnticas.
Se refiere a la capacidad de algunos materiales al ser sometidos a campos magnticos.
6. Propiedades mecnicas.
Estn relacionadas con la forma en que reaccionan los materiales al actuar fuerzas sobre ellos.
7. Propiedades tecnolgicas.
Determinan la capacidad de un material a ser conformado en piezas o partes tiles o
aprovechables.
1.4.1

Propiedades esenciales

1. Masa: Es la propiedad que permite determinar la cantidad de materia que posee un cuerpo.
2. Peso:Es la fuerza de atraccin llamada gravedad que ejerce la tierra sobre la materia (masa) para
llevarla hacia su centro.
3. Volumen:Representa la cantidad de espacio que ocupa la materia y que no puede ser ocupado
por otro cuerpo, ya que los cuerpos son impenetrables. Toda sustancia tiene un volumen, ya sea
slido, lquido o gaseoso.
4. Densidad:Se define como el cociente entre la masa de un cuerpo y el volumen que ocupa.
5. Punto de ebullicin: Es la temperatura a la cual un lquido cambia al estado gaseoso a la presin
normal (1 Atm.).
6. Punto de Fusin: Temperatura a la cual un slido cambia a lquido. En las sustancias puras, el
proceso ocurre a temperatura constante y presin normal (1 atm).
7. Inercia: Es la propiedad de los cuerpos que hace que estos tiendan a conservar su estado de
reposo o de movimiento mientras no exista una fuerza externa que vaya a cambiar dicho estado de
reposo o movimiento.
8. Divisibilidad: Es la propiedad que tiene la materia de ser dividida en partculas muy pequeas.
Las porciones de materia se llaman cuerpos.
9. Impenetrabilidad: Es la propiedad que tienen los cuerpos de no poder ocupar el mismo lugar o
espacio al mismo tiempo. Cuando un cuerpo ocupa cierto lugar, ese lugar no puede ser ocupado
simultneamente por otro.
10. Forma: Los slidos, tiene una forma con distintas dimensiones en el caso de geometras
regulares y en geometras irregulares es difcil determinar sus dimensiones.

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11. Porosidad: Es la propiedad que indica cmo la materia est constituida por molculas y entre
ellas hay un espacio que se llama poro.
1.4.2

Propiedades organolpticas

1. Homogeneidad: La materia homognea es la que presenta una composicin uniforme, en al


cual no se pueden distinguir a simple vista sus componentes; en muchos casos, no se distinguen
ni con instrumentos como el microscopio.
2. Aspecto:Involucra la textura, el tamao y forma que tiene la materia.
3. Color, Olor y Sabor:La materia tiene un color, un sabor y un olor caracterstico que la hace
fcilmente identificable. Por ejemplo; por su olor podemos distinguir el cloro de amonaco; por
su color, el oro de la plata; por su sabor el azcar de la sal.
1.4.3

Propiedades qumicas

1. Oxidacin: Cuando un material se combina con oxgeno, se dice que experimentauna reaccin
de oxidacin. Tal reaccin, de forma esquemtica seria.
Material + oxigeno oxido del material + energa
2. Corrosin: Cuando la oxidacin se produce en un ambiente hmedo o en presencia de otras
sustancias agresivas, se denomina corrosin.
1.4.4

Propiedades fsicas

1. Peso especfico: El peso especfico puede ser absoluto o relativo; el primero es el peso de la
unidad de volumen de un cuerpo homogneo. El peso especfico relativo es la relacin entre el
peso del cuerpo y el peso de igual volumen de una sustancia tomada como referencia: para los
slidos y lquidos se toma como referencia el agua destilada a 4C.
2. Calor especfico:Es la cantidad de calor necesaria para elevar en 1C la temperatura de 1 Kg de
determinada sustancia. El calor especfico vara con la temperatura. En la prctica se considera el
calor especfico medio en un intervalo de temperaturas. En el sistema internacional se mide en
J/kgK (K = grados Kelvin, 0C = 273,15 K), aunque es ms frecuente medirlo en cal/gC.
3. Punto de Fusin:Es la temperatura a la cual un material pasa del estado slido al lquido,
transformacin que se produce con absorcin de calor. El punto de solidificacin es la
temperatura a la cual un lquido pasa al estado slido, durante la transformacin hay cesin de
calor. Siempre coinciden los puntos de fusin y de solidificacin.
4. Calor latente de fusin:Es el calor necesario para vencer las fuerzas moleculares del material (a
la temperatura de fusin) y transformarlo de slido en lquido.
5. Dilatacin trmica o dilatabilidad: La mayora de los materiales aumentan de tamao (se
dilatan) al aumentar la temperatura. La magnitud que define el grado de dilatacin de un cuerpo
es el coeficiente de dilatacin () que nos da una idea del cambio relativo de longitud o volumen
que se produce cuando cambia la temperatura del material.
6. Conductividad trmica: Es un parmetro que indica el comportamiento de cada cuerpo frente a
la transmisin del calor.
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1.4.5

Propiedades magnticas

1. Materiales diamagnticos: Son aquellos que se oponen al campo magntico aplicado. Oro,
plata, cobre,...
2. Materiales paramagnticos: Dentro de estos materiales el campo magntico es algo mayor al
aplicado. Aluminio, platino,...
3. Materiales ferromagnticos: Dentro de estos materiales el campo aplicado es mucho mayor
que el aplicado. Destacan el hierro, nquel y cobalto.
1.4.6

Propiedades mecnicas

1. Resistencia:Capacidad de soportar una carga externa sin romperse, la carga se denomina de


rotura y puede producirse por traccin, por compresin, por torsin o por cizallamiento, habr
una resistencia a la rotura (kg/mm2) para cada uno de estos esfuerzos.
2. Dureza:Propiedad que expresa el grado de deformacin permanente que sufre un metal bajo la
accin directa de una carga determinada. O es la resistencia que presenta un material a ser
penetrado por otro ms duro. Los mtodos ms utilizados son los de Brinell, Rockwell y Vickers.
3. Elasticidad:Capacidad de un material elstico para recobrar su forma al cesar la carga que lo ha
deformado. Se llama lmite elstico a la carga mxima que puede soportar un material sin sufrir
una deformacin permanente.
4. Plasticidad: Capacidad de deformacin permanente de un metal sin que llegue a romperse.
5. Tenacidad: Resistencia a la rotura por esfuerzo de impacto que deforma el material. La
tenacidad requiere la existencia de resistencia y plasticidad.
6. Fragilidad: Propiedad que expresa falta de plasticidad, y por tanto, de tenacidad. Los materiales
frgiles se rompen en el lmite elstico, es decir, su rotura se produce espontneamente al
rebasar la carga correspondiente al lmite elstico.
7. Resiliencia: Capacidad que presenta el material para almacenar energa de impacto sin
romperse. Resistencia de un material a su rotura por choque, se determina con un ensayo
Charpy.
8. Fluencia: Propiedad de algunos materiales de deformarse lenta y espontneamente bajo la
accin de su propio peso o de cargas muy pequeas luego de superar el lmite elstico. Esta
deformacin lenta, se denomina tambin creep.
9. Fatiga: Si se somete un material a la accin de cargas peridicas (alternativas o intermitentes),
se puede llegar a producir su rotura con cargas menores a las que produciran deformaciones.
1.4.7

Propiedades tecnolgicas

1. Ductilidad: Es la capacidad del material para dejarse deformar o trabajar en fro sin llegar a
romperse; aumenta con la tenacidad y disminuye al aumentar la dureza.
2. Fusibilidad:Es la propiedad que permite obtener piezas fundidas o coladas.

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3. Colabilidad: Es la capacidad de un material fundido para producir piezas fundidas completas y
sin defectos. Para que un material sea colable debe poseer gran fluidez para poder llenar el
molde.
4. Soldabilidad:Es la aptitud de un material para soldarse con otro idntico bajo presin ejercida
sobre ambos en caliente.
5. Endurecimiento por temple:Capacidad de los materiales de dejarse endurecer por tratamiento
trmico o templado. Es la propiedad de un material de sufrir transformaciones en su estructura
cristalina como resultado del calentamiento y enfriamiento sucesivo y por ende sus propiedades
mecnicas y tecnolgicas.
6. Facilidad de mecanizado: Es la propiedad de un material de dejarse mecanizar con arranque de
viruta, mediante una herramienta cortante apropiada.

1.5 Conocimiento integrado de los materiales


Para lograr un conocimiento integral de los materiales, es decir, entender la relacin entre la
estructura, las propiedades y las relaciones de procesamiento, en las siguientes unidades se
.desarrollan temas relativos a la estructura de los materiales, las estructuras cristalinas, los defectos
en los cristales, su resistencia, y las estructuras no cristalinas.
Luego se desarrolla el estudio de la microestructura de los materiales, explicando las variables
importantes de procesamiento como la temperatura, composicin y tiempo. Esto sirve para
desarrollar los mtodos para controlar la estructura de un material a nivel microscpico, para lo que
ser necesario los conceptos de diagramas de fase y cintica de la transformacin.
Posteriormente se presentarn las propiedades ingenieriles de las diversas clases de materiales,
tomando como base el conocimiento sobre estructura y los mtodos para controlar la estructura, es
en el manejo de las propiedades donde se hace evidente el mtodo integrado de la ingeniera de
materiales.
En el entendido que la mayora de los ingenieros buscan un material que pueda cumplir con una lista
especfica de propiedades, al igual que requisitos econmicos de procesamiento y ambientales y
que desearn tomar en cuenta todos los materiales disponibles, se ensea conceptos
fundamentales que sean aplicables a todos los materiales y tambin, caractersticas exclusivas de
cada clase de material.

12

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Estructura de la materia

2.1 Estructura atmica


Con frecuencia damos como un hecho las propiedades intrnsecas de los materiales de ingeniera,
sin embargo, si hay que alterar la estructura de los materiales para modificar las propiedades, se
hace necesario desarrollar un conocimiento detallado de por qu los materiales se comportan como
lo hacen.
Aunque las propiedades de los materiales dependen de su estructura en todos los niveles, muchas
estn determinadas solamente por la estructura a escala atmica. Por estructura a escala atmica
se entiende: los tipos de tomos presentes; los tipos de enlaces entre los tomos; y, la forma en que
los tomos se empacan entre s, toda materia est formada por tomos.
Dalton fue el primero en enunciar una teora atmica (Basada en la teora de los griegos Leucipo y
Demcrito, siglo IV a.C.) basada en la observacin y experimentacin, que fueron la base para la
elaboracin de los postulados de su teora atmica:
1. Los elementos estn constituidos por tomos que son las partculas bsicas de la materia.
2. Los tomos son partculas indivisibles y no se crean ni se destruyen.
3. Los tomos que forman un mismo elemento son iguales entre s, tienen la misma forma,
tamao, y sus caractersticas qumicas son idnticas.
4. Los tomos de diferentes elementos se combinan entre s, en relaciones numricas enteras
y sencillas para formar compuestos.
5. Los tomos de los diferentes elementos pueden combinarse en distintas proporciones
numricas para formar ms de un compuesto.
Algunas afirmaciones hechas por Dalton han tenido que revisarse cientficamente. Sin embargo, la
teora de Dalton sigue proporcionando importantes conocimientos del comportamiento de los
tomos.
El modelo propuesto por la ciencia moderna est muy lejos del tomo sencillo e indestructible que
imagin Dalton

2.2 Concepciones sobre la estructura atmica


El descubrimiento de la radiactividad cuestion la indivisibilidad del tomo. Con este
descubrimiento se produjeron otros avances como: el descubrimiento del electrn; los estudios
sobre la naturaleza de la luz. Estos hechos ponan en evidencia las necesidades de considerar a los
tomos provistos de una estructura interna que pudiera dar cuenta de dicho comportamiento.
2.2.1

El tomo de J.J. Thompson

Uno de los primeros intentos para establecer la estructura del tomo fue el de J.J. Thompson, poco
despus de su descubrimiento del electrn.
Los postulados de Thompson son:
1. La materia se presenta normalmente neutra; lo que supone que, junto a los electrones, los
tomos contienen materia cargada positivamente.
2. Los electrones pueden ser extrados de los tomos de cualquier sustancia, pero no ocurre
igual con la carga positiva.
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Partiendo de estas ideas, Thompson represent el tomo como una masa fluida cargada
positivamente, en cuyo seno se hallan distribuidos los electrones en posiciones tales que el campo
elctrico queresulta y exterior al tomo sea nulo. Se trata de un modelo totalmente esttico como
se muestra en la figura 2-1

Figura 2-1 Esquema modelo de Thomson

Cualitativamente, el modelo daba cuenta de algunos hechos experimentales como la emisin de la


luz por los tomos, lo que le vali cierta aceptacin. Sin embargo, los resultados de experimentos
claves invalidaron esta teora.
2.2.2

Modelo nuclear de Rutherford

Rutherford bombarde una fina lmina de oro con un haz de partculas alfa y estudi sus
desviaciones, y encontr que la mayora de las partculas atravesaban la lmina de oro sin ser
desviadas en su trayectoria; un nmero menor era desviado por alguna causa y unas cuantas
partculas rebotaban.
Rutherford introdujo su modelo nuclear del tomo con las siguientes caractersticas:
1. Existe un ncleo cargado positivamente en el que se encuentra concentrada toda la masa.
2. Los electrones giran alrededor del ncleo en nmero igual a la carga nuclear.
3. La carga positiva del ncleo coincide con el nmero de orden del elemento en el sistema
peridico, es decir, con su nmero atmico
4. Los tomos son en su mayor parte vaco, como se muestra en la figura 2-2

Figura 2-2 Modelo de Rutherford

Los trabajos de Rutherford condujeron a un modelo atmico que interpretaba el comportamiento


elctrico de la materia y daba una base a la ordenacin de los elementos segn su carga nuclear
creciente. Pero an existan algunas dificultades a las que no responda el modelo nuclear: el
espectro discontinuo de los tomos y la inconsistencia del modelo con la teora electromagntica.

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Si el electrn gira alrededor del ncleo, significa que est sometido a una aceleracin centrpeta y,
por tanto, segn la teora electromagntica clsica, debe estar emitiendo energa
ininterrumpidamente, lo cual, por el principio de la conservacin de la energa, lo llevara a perder
velocidad y caer sobre el ncleo. El modelo de Rutherford contradice la estabilidad de los tomos y
no explica la emisin de espectros de rayos, caracterstica de cada elemento.
2.2.3

Modelo cuntico de Bohr

En 1914, Bohr aplic la nueva teora cuntica de la radiacin al tomo de Rutherford, modificndolo
de manera que diera cuenta de los hechos experimentales relativos a la emisin de la luz. El modelo
de Bohr se fundamenta en cuatro postulados bsicos:
1. Los electrones en los tomos estn localizados en rbitas concntricas o niveles de energa
girando alrededor del ncleo.
2. Los electrones en las rbitas ms cercanas al ncleo tienen menor energa que aquellos en
rbitas ms alejadas del ncleo.
3. Cualquier electrn en un tomo puede tener slo ciertos valores de energa permitidos. Esta
energa determina que rbita ocupa un electrn. Segn este postulado; las nicas orbitas
posibles son aquellas para las cuales el momento de la cantidad de movimiento del electrn
(mvr) es un mltiplo entero de h/2, siendo h la constante de Plank ( h = 6,6252 x 10 -27
ergios segundo), no radiando energa el electrn mientras no cambia de orbita es decir que
deba verificarse que:

h
h
mvr n
v n

2 o bien
2rm
4. Los electrones pueden moverse de una rbita a otra. Para esto, un electrn debe ganar o
perder una cantidad exacta de energa, un cunto de energa. Este postulado de Bohr,
establece que solamente irradia energa un tomo cuando uno o ms electrones salta de la
rbita de una capa de energa Ei a otra de energa Ef , siendo la frecuencia de la radiacin
emitida:

Eo E f

En la figura 2-3 se muestra un esquema del modelo de Bohr

Figura 2-3Modelo de Bohr

La energa de las capas crece a medida que se alejan del ncleo. Por lo tanto, para hacer pasar los
electrones de una capa a otra ms alejada del ncleo es necesario suministrarle energa, es decir,
excitarlo, calentando el cuerpo al que pertenece o por algn otro medio. Una vez cesa la accin
del agente excitante, los electrones tienden a pasar a los niveles iniciales de menor energa, y es
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entonces, al pasar de capas de mayor a menor energa, cuando emiten la energa sobrante en forma
de radiacin.
Si la transferencia de electrones tiene lugar entre capas exteriores del tomo, la energa se emite en
forma de luz; pero si las capas afectadas han sido ms cercanas al ncleo, la emisin de energa
tiene lugar en forma de rayos X. En el tomo de Bohr, por tanto, los electrones no emiten energa
mientras no cambian de rbita.
Bohr supuso que los electrones se movan alrededor del ncleo, as como la tierra gira alrededor del
sol. Enunci que la fuerza de atraccin del ncleo (+) sobre los electrones (fuerza centrpeta) es igual
a la fuerza centrfuga, la cual impulsa electrones hacia fuera; que la energa de los electrones tiene
unos valores definidos que corresponden a los niveles de energa y que el valor energtico de estos
niveles aumenta a medida que se alejan del ncleo.
EL NUCLEO.- El ncleo atmico podemos imaginarlo constituido fundamentalmente por una serie
de partculas, denominadas nucleones, de los que hay dos clases: Los protones, de masa
aproximadamente igual a 1,669 x 10- 24 gr., que tienen carga elctrica positiva, e igual a e = 4,80288
x 10- 10 unidades electrostticas CGS (ues). Y los neutrones, de masa algo superior, e igual a 1,672 x
10- 24 gr., que son elctricamente neutros. La estabilidad nuclear se atribuye a la presencia de los
neutrones, que sirven de enlace a los protones. Los elementos ligeros tienen aproximadamente
igual nmero de neutrones que protones, y en cambio, en los elementos pesados hay ms
neutrones que protones, como si hiciera falta mayor nmero de neutrones para neutralizar la
repulsin entre s de los protones.
La masa atmica es muy poco superior a la suma de la masa de los nucleones de que consta el
ncleo (protones + neutrones). El nmero atmico Z es igual al nmero de protones.

2.3 Modificaciones de la teora de Bohr y nmeros cunticos


Con el perfeccionamiento de las tcnicas espectroscpicas surgieron interrogantes que no podan
ser respondidas por medio del modelo de Bohr. Los espectrgrafos de alta resolucin mostraron
que muchas de las lneas de un espectro de emisin tpico no eran lneas simples sino grupos de
lneas muy poco espaciadas. En 1916, Sommerfeld trat de explicar esto indicando que adems de
las rbitas circulares existen otras rbitas elpticas para cuya descripcin necesitan dos nmeros
cunticos: el nmero cuntico principal n y un nmero cuntico secundario orbital o acimutal l.
A cada nivel de energa se le asign un nmero llamado nmero cuntico principal, que se
representa por la letra n, que toma valores de 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, partiendo del nivel ms cercano al
ncleo hacia fuera. Tambin suele usarse las letras K, L, M, N, O, P, Q. Donde, K es el nivel de
energa ms cercano al ncleo. El nmero mximo de electrones posibles en cada nivel est dado
por la frmula 2n2. Por tanto, en el primer nivel n = 1, el nmero mximo posible de electrones es de
2 x 12 = 2. En el segundo nivel, n = 2 es de 2x 22 = 8 electrones. Para el tercer nivel n = 3, se deben
encontrar 2 x 32 = 18 electrones; en el nivel cuarto, n = 4, el nmero mximo es 32. Los niveles
superiores se encuentran incompletos.
El nmero cuntico secundario puede tomar, segn los datos experimentales, n valores desde l = 0
a l = n 1.
Energticamente, significa que los niveles de energa estn conformados por varios subniveles. El
nmero de subniveles en cada nivel es igual a n, y se representa por las letras s, p, d y f en orden
creciente de energa. Por ejemplo el nivel L en donde n = 2, tiene dos subniveles s y p, el nivel M en
donde n = 3, posee tres subniveles: s, p y d, etc.
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Las modificaciones al modelo de Bohr no terminaron con las rbitas elpticas. Experimentos
posteriores demostraron que al colocar la fuente emisora de luz en un campo magntico fuerte,
divida las lneas del espectro en ms lneas. Un tercer nmero cuntico fue introducido para
explicar el efecto magntico, se lo llam nmero cuntico magntico, representado por la letra ml.
2.3.1

Forma y tamao de los orbitales

La imagen de los orbitales empleada habitualmente por los qumicos consiste en una
representacin del orbital mediante superficies lmite que engloban una zona del espacio donde la
probabilidad de encontrar al electrn es del 99%. La extensin de estas zonas depende bsicamente
del nmero cuntico principal, n, mientras que su forma viene determinada por el nmero cuntico
secundario, l.
2.3.1.1

Los orbitales s (l = 0)

Tienen forma esfrica. La extensin de este orbital depende del valor del nmero cuntico principal,
as un orbital 3s tiene la misma forma pero es mayor que un orbital 2s.

Figura2-4Orbitales s

2.3.1.2

Los orbitales p (l = 1)

Formados por dos lbulos idnticos que se proyectan a lo largo de un eje. La zona de unin de
ambos lbulos coincide con el ncleo atmico. Hay tres orbitales p (m=-1, m=0 y m=+1) de idntica
forma, que difieren slo en su orientacin a lo largo de los ejes x, y o z.

Figura2-5Orbitales p

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2.3.1.3

Los orbitales d (l = 2)

Tambin estn formados por lbulos. Hay cinco tipos de orbitales d (que corresponden a m=-2, -1,
0, 1, 2).

Figura2-6Orbitales d

2.3.1.4

Los orbitales f (l = 3)

Tambin tienen un aspecto multilobular. Existen siete tipos de orbitales f (que corresponden a m=3, -2, -1, 0, +1, +2, +3).

Figura 2-7 Orbitales f

Posteriormente, se introdujo un cuarto nmero cuntico para tomar en cuenta el giro del electrn.
La hiptesis establece que un electrn puede girar en el sentido de las agujas del reloj o en direccin
contraria respecto a un eje, y en cada tipo de giro da una lnea espectral caracterstica. Este es el
nmero cuntico de espn, ms. En la figura 2-8 se muestra las rbitas de Sommerfeld en base a los
nmeros cunticos
La necesidad de justificar los hechos experimentales oblig a retocar el modelo de Bohr con la
introduccin de nuevos nmeros cunticos. El resultado es:
1. Un nmero n que define la energa del electrn y el tamao de las rbitas.
2. Un nmero l que define el impulso angular y la forma de las rbitas.

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3. Un nmero ml que define la orientacin del electrn en el espacio, en presencia de un
campo magntico.
4. Un nmero ms que se considera una consecuencia del efecto magntico producido por un
hipottico giro del electrn sobre su eje (espn)

Figura 2-8rbitas de Sommerfeld en base a los nmeros cunticos

2.3.2

Descripcin de los nmeros cunticos y la energa de los electrones

La configuracin electrnica de los tomos, se describen a travs de cuatro nmeros cunticos.


Estos nmeros permiten calcular la energa del electrn y predecir el rea alrededor del ncleo
donde se puede encontrar el electrn. Los nmeros cunticos son:
1. El nmero cuntico principal n , que determina el nivel de energa o capa donde se encuentra el
electrn. Puede tener cualquier valor entero positivo, para los elementos que se conocen
actualmente; los valores van de n = 1 a n = 7. La capa n = 1 es la ms cercana al ncleo y tiene la
menor energa. En general a medida que aumenta el nmero cuntico principal, ms alta ser la
energa del electrn. Los electrones con el mismo valor de n en un tomo se encuentra en el
mismo nivel o capa de energa.
2. El nmero cuntico secundario, orbital o acimutal l, determina el subnivel o subcapa dentro del
nivel principal de energa, e indica la forma de la nube electrnica u orbital alrededor del ncleo.
Los nmeros cunticos secundarios se designan por las letras s, p, d y f. El nmero cuntico
secundario l puede tener los valores 0, 1, 2, 3,n 1.
Cuando un electrn tiene un valor l igual a cero, se encuentra en un orbital tipo s. Cuando l = 1,
el electrn est en un orbital p, para l = 2, en un orbital d, para l = 3, en un orbital f. Los
electrones que tienen el mismo valor de n y l en un tomo se encuentran en el mismo subnivel.
El nmero mximo de electrones en un subnivel est determinado por 2(2l + 1) que se presenta
en la tabla 2-1.
SUBNIVEL
s p d f
Valor de l
0 1 2 3
Nmero de electrones por Subnivel 2 6 10 14
Tabla 2-1 Valores de los subniveles energticos.

3. El nmero cuntico magntico ml representa la orientacin de los orbitales electrnicos en el


espacio. Cada subnivel consta de uno o ms orbitales electrnicos, y el nmero cuntico
magntico describe el nmero de orbitales de determinada clase en cada nivel de energa.
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Puede tener valores desde l a + l, incluyendo 0. Para orbitales p donde l = 1, ml puede tener
tres valores: -1, 0 y +1. Por tanto hay tres orbitales p. Los electrones que presenten los mismos
valores de n, l y m en un tomo se encuentran en el mismo orbital. En la tabla 2-2 se presenta
los valores de los orbitales.
Subnivel

Valores de m

S
P
D
F

0
-1, 0, +1
-2 , -1, 0, 1, 2
-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3

Nmero de
orbitales
1 orbital s
3 orbitales p
5 orbitales d
7 orbitales f

Nmero mximo
de electrones
2
6
10
14

Tabla 2-2Valores de los orbitales

4. El nmero cuntico de espn, describe la orientacin del giro del electrn. Puede tener valores
de + + . Las dos orientaciones generalmente se distinguen por flechas , que
representan el giro del electrn, en direccin de las manecillas del reloj y en direccin contraria.
2.3.3

Principio de exclusin de Pauli

Determina que ningn par de electrones del mismo tomo puede tener los cuatro nmeros
cunticos iguales. Simultneamente con el orden de incremento de energa se puede emplear este
principio para deducir en qu orden se llenan los niveles de electrones de los tomos.
2.3.4

Configuracin electrnica de los tomos

Los nmeros cunticos n y l determinan la energa de cada electrn. Las energas de los electrones
se incrementan al aumentarse la suma de (n + l). Su energa es directamente proporcional al
resultado de la suma de los dos primeros nmeros cunticos; mientras ms bajo sea el valor de (n +
l) para el electrn de un tomo, menor ser la energa.
Para dos electrones con valores iguales de (n + l), el que presente menor valor de n tendr menos
energa.
La configuracin electrnica debe estar de acuerdo con el comportamiento experimental
observado, que generalmente se refleja en datos espectroscpicos o magnticos.
Siempre que se vaya a realizar la distribucin electrnica para cualquier tomo, debemos tener en
cuenta:
1. Los electrones tienden a ocupar orbitales de energa mnima, siguiendo un orden determinado.
Aplicando la ecuacin (n + l) para todos los posibles subniveles conocidos, encontramos el
siguiente orden en forma creciente:
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s, 5f, 6d, 7p, 6f, 7d, 7f.
2. El diagrama de niveles energticos, ayuda a entender el orden con que se llenan los subniveles
energticos el que se presenta en la figura 2-9

20

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Figura 2-9Forma para ordenar la configuracin electrnica

3. En un tomo no pueden encontrarse dos electrones con los cuatro nmeros cunticos idnticos.
Principio de exclusin de Pauli.
4. El principio de la mxima multiplicidad o regla de Hund: Cuando hay disponibles orbitales de
energa idntica, los electrones tienden a ocuparlos de uno en uno, no por pares.
Por conveniencia, el nmero y localizacin de los electrones en los tomos se los representa
mediante la notacin con los siguientes smbolos presentados en la figura 2-10

Figura 2-10Smbolos empleados en la configuracin electrnica.

21

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Enlazamiento de tomos

3.1 Introduccin
El tomo es la entidad ms pequea que influye directamente en las propiedades de los materiales.
En esta unidad se repasara de qu manera se puede inferir de inmediato algunas de las
caractersticas qumicas y formacin de enlaces de los elementos. Estas caractersticas determinan
el tipo y la fuerza de los enlaces que el elemento puede formar con los tomos (elementos). El tipo y
la fuerza del enlace determinan las propiedades fsicas y mecnicas del material slido que se
forma.

3.2 Enlaces qumicos y moleculares


3.2.1

Fuerzas y energas de enlace

Cuando dos o ms tomos se aproximan entre s, se ejercen varias fuerzas entre ellos. Algunas de
estas fuerzas unen los tomos; otras, tienden a separarlos. En la mayora de los tomos, con
excepcin de los gases nobles, las fuerzas de atraccin son mayores que las fuerzas de repulsin, los
tomos se atraen entre s y forman un enlace.
Cuando hay afinidad qumica, existe una fuerza de atraccin electroesttica (coulmbica) positiva de
largo alcance, FA, que acerca mucho los tomo unos a otros. Esto se muestra en la figura 3-1, donde
la atraccin ocurre entre el ncleo de un tomo (N1) y los electrones e2 del otro tomo N2. Cuando
los tomos estn muy prximos entre s, se manifiesta una fuerza de repulsin negativa, FR, cuyo
origen es la repulsin mutua de los electrones, e1 y e2. La fuerza de enlace total, FB, es la suma de las
fuerzas de atraccin y repulsin; es decir: FB = FA + FR
Donde: e1; e2.; son los electrones del tomo 1 y 2, respectivamente FA:Fuerza de atraccin de largo
alcance entre cargas; Positivas (ncleos) y cargas negativas (electrones).FR: Fuerza de repulsin de
corto alcance entre Cargas del mismo signo (electrones - electrones).
Se acostumbra utilizar la energa, en vez de la fuerza, para analizar los enlaces entre tomos.

22

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Figura 3-1Energa en el enlace

3.2.1.1

Tipos de enlace

Sabemos que la manera en que los tomos se enlazan ejerce un efecto profundo sobre las
propiedades fsicas y qumicas de las sustancias. Qu es un enlace qumico? Enlace Qumico es la
fuerza de atraccin mutua entre dos o ms tomos que se combinan para formar una molcula. La
formacin de un enlace qumico obedece a:
1. Un mecanismo electrnico de ganancia, prdida o compartimiento de electrones entre los
tomos que se unen.
2. Si dos o ms tomos se unen, los electrones de valencia forman agrupaciones de modo que
cada tomo pueda adquirir la estructura electrnica del gas noble ms cercano en el sistema
peridico, es decir, completa ocho electrones en su nivel energtico ms externo.
3.2.1.2

Regla del octeto

Los tomos se combinan mediante procesos que implican prdida, ganancia o comparticin de
electrones de tal forma que adquieran la configuracin electrnica de ocho electrones en su ltimo
nivel de energa; esto se conoce como regla del octeto.
Los gases nobles tienen ocho electrones en su nivel electrnico ms externo: ns2np6 (excepto el
helio, que slo posee dos), es decir, tiene completa su ltima capa.
Los gases nobles no reaccionan qumicamente en condiciones normales porque tienen su nivel
externo completo (valencia cero). El tomo de sodio es un buen ejemplo para ilustrar la regla del
octeto. El sodio tiene un potencial de ionizacin bajo y puede perder fcilmente el ltimo electrn
(3s1).
1s2 2 s2 2p6 3 s1
tomo de sodio
Na

1s2 2 s2 2p6 + 1ein sodio

Na+ + 1e-

La configuracin del insodio queda igual a la del nen.


Otros elementos ganan electrones para llenar su ltimo nivel y as completar la estructura estable
de ocho electrones; por ejemplo, el cloro:
1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p5 + 1e- 1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p5
tomo de cloro
in cloruro

Cl + 1eCl 3.2.1.3

Valencia

Es la capacidad de combinacin que presentan los tomos. Los electrones de valencia son los que se
encuentran en el ltimo nivel de energa. Cuando se hace una combinacin, los electrones de
valencia pasan del nivel de energa externo de un tomo a otro o son compartidos por los niveles
externos de los tomos que entran en la combinacin. La valencia de un elemento vara con su
posicin en la tabla peridica y del nmero de electrones que posea en su nivel ms externo.
Un mismo elemento puede trabajar con varias valencias segn la molcula que forme. Los
elementos de un mismo grupo poseen la misma valencia o capacidad de combinacin con otros
23

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elementos. La valencia principal positiva es igual al nmero del grupo del sistema peridico al cual
pertenece.
3.2.1.4

Electronegatividad

La electronegatividad est relacionada con el potencial de ionizacin y otras propiedades. Se puede


definir como una medida de la capacidad de un tomo para atraer y retener los electrones de un
enlace. La electronegatividad cambia en la tabla peridica en forma similar al potencial de
ionizacin, de modo que los elementos ms electronegativos estn a la derecha y arriba de la tabla
y los menos electronegativos a la izquierda y abajo como se muestra en la figura 3-2.

Figura 3-2 Variacin de la electronegatividad en la tabla peridica.

Los elementos se estabilizan al alcanzar una configuracin electrnica de gas noble; por lo tanto los
elementos situados a la derecha del grupo del carbono poseen gran tendencia a captar los
electrones para adquirir su octeto, mientras que los elementos ubicados a la izquierda tienden a
perder los electrones de valencia, para obtener la configuracin del gas noble que los precede.
La escala de electronegatividad permite predecir el tipo de enlace qumico formado por los tomos.
A mayor diferencia de electronegatividad de los elementos, mayor atraccin electrosttica tienen
los tomos entre s como se muestra en la figura 3-3.

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Figura 3-3 Carcter inico vs Diferencia de electronegatividades.

Los tomos interaccionan entre s de diversas maneras para formar agregados que constituyen
diversos tipos de enlace. Existen tres tipos importantes de enlaces que se forman entre los tomos
de un compuesto: inico (o electrovalente), covalente (polar, no polar y coordinado) y el enlace
metlico.
3.2.2

Enlace inico o electrovalente

La atraccin electrosttica entre especies inicas de carga opuesta da como resultado un enlace
Inico o electrovalente.
Este enlace ocurre cuando hay traspaso de electrones de un tomo electropositivo hacia el
electronegativo. Debido a esta transferencia de electrones, los tomos se cargan positiva y
negativamente, establecindose una fuerza de atraccin electrosttica que los enlaza.
Por ejemplo, analizar la combinacin entre tomos de cloro y sodio para formar el cloruro de sodio.
Como el flor se encuentra en la columna VIIA del sistema peridico, su configuracin electrnica
es:
1s2 2s22p6 3s23p5; su tomo tiene siete electrones de valencia en su nivel ms externo y por lo tanto
tiende a ganar un electrn para adquirir su configuracin electrnica del Argn (gas noble ms
cercano). Ahora, el elemento tiene 18 electrones y slo 17 protones en su ncleo; por tanto,
presentar una carga negativa del valor -1 y se convierte en un anin monovalente (in
monovalente negativo).
1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p5 + 1e- 1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p6
tomo de cloro
in cloruro

Cl + 1e
Cl El sodio que se encuentra en el grupo IA posee un solo electrn en su nivel ms externo; su
configuracin electrnica es:
1s2 2s2 2p6 3s1
25

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Como debajo de su ltimo nivel de energa tiene otro con ocho electrones, al perder el electrn ms
externo queda con la configuracin electrnica estable (la del nen en este caso) y cumple la regla
del octeto. Al perder un electrn, queda convertido en un catin monovalente (in monovalente
positivo).
1s2 2s2 2p6 3s1 1s2 2s2 2p6 + 1etomo de sodio
in sodio.
En esta reaccin, el cloro acepta un electrn cedido por el sodio, por lo cual ambos adquieren la
estructura de gas noble, con carga positiva y negativa respectivamente (se cumple la Ley de
Coulomb), y se da una atraccin electrosttica mutua que origina el enlace inico. Veamos el
esquema de esta reaccin, de acuerdo con las estructuras de Lewis:
Na - 1e- Na+(in sodio)
Cl + 1e- Cl -(in Cloruro)

El enlace inico o electrovalente es el que se establece por transferencia de electrones de un tomo


hacia otro, de modo que los tomos reaccionantes alcanzan la configuracin de gas noble. Por lo
general, este enlace se presenta entre tomos de regiones opuestas.
3.2.2.1

Elementos electronegativos (no metales)

Son los elementos de los grupos VA, VIA y VIIA. Se caracterizan por captar electrones (uno, dos);
son iones con carga negativa (aniones); su valencia es electronegativa.
3.2.2.2

Elementos electropositivos

Pierden fcilmente electrones para adquirir su configuracin de octeto. Estos elementos son los de
los grupos IA, IIA, y IIIA; son iones positivos (cationes) y su valencia es electropositiva.
3.2.2.3

In

Es un tomo o grupo de tomos con carga elctrica libre.


3.2.2.4

Catin

Es el in electropositivo o el elemento que cede electrones.


3.2.2.5

Anin

O in electronegativo, es el elemento que acepta los electrones cedidos por el in electropositivo.

26

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Figura 3-4Enlace inico entre los tomos de cloro y sodio. La transferencia de electrones de Na hasta Cl genera un catin
(Na+) y un anin (Cl ). El enlace inico se debe a la atraccin coulmbica entre los iones de carga opuesta.

3.2.3

Enlace covalente o covalencia

Es la unin de dos o ms tomos que comparten uno o ms pares de electrones. Este tipo de enlace
se presenta entre los elementos no metlicos, electronegativos, que tienen cuatro o ms electrones
de valencia (sin llegar a ocho).
El hidrgeno elemental existe en forma de molculas biatmicas, H2. Como ambos tomos de
hidrgeno son idnticos, no presentan cargas elctricas opuestas. Cada tomo de hidrgeno libre
contiene un solo electrn, y para que pueda adquirir la misma configuracin electrnica que los
tomos de helio, es necesario que tomen un segundo electrn.
Si los dos tomos de hidrgeno se acercan lo suficiente entre s, sus dos electrones pueden ser
compartidos en forma eficaz. Los ncleos de hidrgeno con carga positiva son atrados hacia el par
de electrones, y se forma un enlace efectivo.
Al formarse la molcula, el par electrnico se comparte; cada par de electrones compartidos se
representan por una raya o guion (-) que significa un enlace covalente.

Al compartir un par de electrones, cada tomo de hidrgeno adquiere la configuracin anloga a la


del tomo del helio. La teora de Lewis establece: Los tomos pueden compartir electrones de
valencia para formar enlaces covalentes y completar as su octeto.
Para expresar la formacin de enlaces covalentes se acostumbra utilizar las frmulas de Lewis.

27

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3.2.3.1
3.2.3.1.1

Clases de enlace covalente


Covalente simple

Ocurre cuando los dos tomos que participan en el enlace comparten entre s un solo par de
electrones.
Por ejemplo en el caso del flor; en el caso de la molcula de flor, se combinan dos tomos de
flor as: cada tomo tiene 7 electrones en su nivel ms externo formando tres pares de electrones y
el sptimo queda sin aparear; a cada uno de los tomos les falta un electrn para cumplir la ley del
octeto; los dos tomos son electronegativos , no hay cargas elctricas opuestas; por tanto, los dos
electrones sin aparear se aproximan para compartir este par de electrones los dos tomos de flor,
originando un enlace covalente simple: 1s2 2s2 2p5

3.2.3.1.2

Covalente doble

En ocasiones, los tomos deben compartir ms de un par de electrones para alcanzar el octeto. Por
ejemplo, en la molcula de oxgeno O2.
A cada tomo de oxgeno le faltan dos electrones en su nivel externo para cumplir la ley del octeto o
estructura del nen, gas noble ms cercano.
Para adquirir esta configuracin, dos tomos de oxgeno deben compartir dos pares de electrones
de valencia, originando un enlace covalente doble; 1s2 2s2 2p4:

3.2.3.1.3

Covalente triple

Ocurre cuando los tomos que participan en el enlace covalente comparten tres pares de
electrones. Un tomo de nitrgeno, que en su nivel ms externo tiene cinco electrones, al unirse con
otro tomo de nitrgeno forma la molcula compartiendo tres pares de electrones para adquirir la
configuracin del gas noble: 1s2 2s2 2p3 :

Los enlaces covalentes se forman tambin entre tomos distintos: por ejemplo: H2O; NH3; CH4.
Los compuestos covalentes no son solubles en agua, pero s en disolventes orgnicos (ter,
benceno, etc.); no conducen la electricidad ni disueltos ni cuando estn fundidos.

28

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3.2.4

Enlace covalente coordinado

Se define de la siguiente forma: "Es el enlace que se produce cuando dos tomos comparten una
pareja de electrones, pero dicha pareja procede solamente de uno de los tomos combinados.
En este caso el enlace se llama covalente dativo o coordinado. El tomo que aporta la pareja de
electrones recibe el nombre de donante, y el que los recibe, aceptor. Cuando queremos simplificar
la formula electrnica se pone una flecha que va del donante al aceptor.
El enlace covalente coordinado es aquel en el que el par de electrones compartidos son aportados
por uno de los tomos que conforma el enlace.
Como ejemplos de enlace covalente coordinado se tiene, los siguientes:
El dixido de azufre: SO2

3.2.4.1

Polaridad en los enlaces

Hay que tener en cuenta dos hechos fundamentales en la formacin de enlaces covalentes:
1. Si los tomos que conforman el enlace son iguales, el enlace es NO POLAR.
2. Si los tomos que comparten el par electrnico son distintos, hay diferencia en
electronegatividad; el enlace es POLAR.
La formacin de la molcula de hidrgeno ilustra el primer caso. Los electrones que se comparten
son atrados con la misma fuerza por los dos ncleos del hidrgeno, de modo que la carga negativa
se sita en el centro de la molcula; la simetra que resulta se ubica en el centro de la molcula. As,
tanto la carga negativa como la positiva coinciden en el centro. Esto explica la neutralidad elctrica
de la molcula de tal forma que no presenta ningn tipo de desplazamiento hacia ningn ncleo.
3.2.4.1.1

Enlace no polar

Es el enlace covalente formado por dos tomos iguales y cuyo compartimiento de electrones es
uniforme como se muestra en la figura 3-5.

Figura 3-5 Enlace no polar

3.2.4.1.2

Enlace polar

29

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Cuando en un enlace covalente uno de los tomos presenta mayor electronegatividad que el otro,
ste atrae con ms intensidad el par o los pares de electrones que comparten, con lo cual stos
quedan ms cercanos al tomo ms electronegativo. Por consiguiente, aparece una ligera carga
negativa en la parte de la molcula donde se halla el tomo con mayor electronegatividad; por el
contrario, aparecer una ligera carga positiva hacia el tomo con menor electronegatividad.
Para el cido clorhdrico (HCl), el cloro tiene mayor electronegatividad con respecto al hidrgeno tal
como se muestra en la figura 3-6.

Figura 3-6 Enlace Polar


La mayor electronegatividad del cloro en el cloruro de hidrgeno (cido clorhdrico) determina una molcula polar

La distribucin asimtrica de la carga implica la formacin de un enlace polar, por lo que se puede
concluir que la molcula es bipolar, pues uno de sus extremos presenta mayor electronegatividad
que el otro.
3.2.5

Enlace metlico

Un tercer tipo de enlace atmico es el enlace metlico, que se presenta en los metales slidos. En
metales en estado slido, los tomos se encuentran empaquetados relativamente muy juntos es
una ordenacin sistemtica o estructura cristalina.
El enlace metlico es consecuencia de la facilidad de disociacin de los metales en iones positivos y
electrones libres. Hay muchos estados cunticos disponibles en los metales, todos los cuales no
pueden ser ocupados por electrones cuando los tomos se acercan unos a otros. Por consiguiente,
los metales tienen enlazamiento no saturado y se componen de un gran nmero de tomos (una
macromolcula). Los electrones liberados se desplazan con facilidad de los orbtales de un tomo a
los del otro y ya no est confinados a un par de tomos; elementalmente, son como un fluido. Es
por esto que, por lo comn, se representa a los metales como un gran agregado de centros inicos
positivos inmersos en una nube o mar de electrones como en la figura 3-7. Esta es la clsica y
simple teora de los electrones libres de los metales, para distinguir los metales de los no metales,
explica las conductividades elctricas y trmicas extraordinariamente buenas de los metales,
tambin explica la opacidad ptica y la reflectividad. La oscilacin de los electrones libre absorbe la
energa de la luz incidente en todas las longitudes de onda, y por tanto, hace que el metal sea
opaco. Por otra parte, los electrones oscilantes tambin emiten ondas luminosas (fotones) y
confieren reflectividad al metal.

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El enlazamiento insaturado en los metales tambin explica el empaque compacto de sus tomos,
sus propiedades de formacin de aleaciones y las propiedades mecnicas sobresalientes de
tenacidad y ductilidad con suficiente resistencia mecnica.
Puesto que los electrones no est confinados como ya se mencion al principio, es posible separar
los centros inicos positivos unos de otros cierta distancia, lo que confiere a los metales buena
ductilidad, antes que los enlaces con los electrones se rompan. Esto contrasta con la fragilidad de
los materiales con enlaces inicos o covalentes, donde es necesario romper enlaces para separar los
ncleos que comparten la unin. La propiedad de ductilidad permite deformar los metales
fcilmente para darles diversas formas. Si a esto aunamos esto a una resistencia y tenacidad
suficientes, no es de sorprender que los metales sean los materiales dominantes en las aplicaciones
de ingeniera. Este enlace puede observarse en la figura 3-7

Figura 3-7El enlace metlico se compone de centros inicos positivos inmersos en un mar o nube de electrones.

Tabla 3-1Clasificacin de los enlaces.

3.2.6

Enlaces mixtos

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El enlace qumico de tomos o iones puede involucrar ms de un tipo de enlace primario y


tambin enlaces dipolares secundarios. Para el enlace primario existen las siguientes
combinaciones de tipos de enlace mixto:
1.
2.
3.
4.

3.2.6.1

Inico - covalente
Metlico - covalente
Metlico - inico
Inico - covalente - metlico
Enlace mixto inico covalente

La mayora de las molculas con enlaces covalentes poseen algo de enlace inico y viceversa. El
carcter inico parcial de los enlaces covalentes se pude interpretar en trminos de la escala de
electronegatividades. Cuanto mayor es la diferencia en las electronegatividades de los elementos
involucrados en un enlace inico - covalente, mayor es el grado de carcter inico del enlace. El
grado de carcter inico en el enlace crece a medida que lo hace la diferencia de
electronegatividades entre los tomos del compuesto.
3.2.6.2

Enlace mixto metlico covalente

Se presenta frecuentemente, por ejemplo, los metales de transicin tienen enlace metlico covalente mixto que involucra orbtales enlazantesdsp. Los altos puntos de fusin de los metales de
transicin son atribuidos al enlace mixto metlico - covalente. Tambin en el grupo 4A de la tabla
peridica hay una transicin gradual desde el enlace covalente puro en el carbono (diamante) a
algn carcter metlico en el silicio y germanio para terminar, en estao y plomo, con un enlace
primordialmente metlico.
3.2.6.3

Enlace mixto metlicoinico

Si se da una diferencia significativa de electronegatividad en los elementos que forman parte del
enlace metlico, puede ser que exista una cantidad significativa de transferencia electrnica (enlace
inico) en el compuesto. As pues, algunos compuestos metlicos son ejemplo de enlace mixto
metlico - inico.
3.2.7

Enlace secundario de Van Der Waals

La principal causa de cohesin dentro de determinado material tcnico es uno o varios de los tres
enlazamientos que se describieron anteriormente. El enlace van der Waals es una fuerza dbil de
atraccin que puede existir entre los tomos y las molculas. A este enlace se debe la condensacin
de los gases nobles y de las molculas con enlaces qumicos para formar lquidos y slidos a
temperaturas bajas. El mecanismo de enlazamiento secundario es algo semejante al inico, esto es,
por atraccin de cargas opuestas. La diferencia clave es que no se transfieren electrones. La
atraccin depende de las distribuciones asimtricas de carga positiva y negativa dentro de cada
unidad atmica o molecular que se enlaza. Esta asimetra de carga se llama dipolo. El enlazamiento
secundario puede ser de dos tipos, segn los dipolos sean:
1.- Temporales
2.- Permanentes
La figura 3-8 muestra como dos tomos neutros pueden desarrollar una fuerza dbil de
enlazamiento entre ellos, a causa de una ligera distorsin de sus distribuciones de carga.

32

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Figura 3-8 tomos neutros que pueden desarrollar una fuerza dbil de enlace.

La figura 3-8 muestra el desarrollo de dipolos inducidos en tomos adyacentes llevando a un enlace
secundario dbil.
El momento de un dipolo elctrico se crea cuando dos cargas iguales y opuestas se separan. Los
dipolos en los tomos o en las molculas crean momentos dipolares. Un momento dipolar se define
como el valor de la carga multiplicado por la distancia de separacin entre cargas positiva o
negativa, o
= qd
donde = momento dipolar
q = magnitud de la carga elctrica
d = distancia de separacin entre los centros de las cargas
Los momentos dipolares en tomos y molculas se miden en Culombio - metro (C m) o en debyes,
donde un debyes = 3.34 10-10C.m.
Las molculas compuestas de dos o ms tomos diferentes, se pueden crear dipolos permanentes
entre los tomos en virtud de sus diferencias de electronegatividad. El tomo ms electronegativo
atrae el electrn hacia s y lo aleja del elemento menos electronegativo; se forma una molcula
polar con dipolo permanente, en la que el segundo tomo tiene carga positiva y el primero, carga
negativa. Un buen ejemplo de esto son los puentes de hidrgeno que unen a las molculas polares de
agua y mantienen esta sustancia en forma lquida a temperatura ambiente como se observa en la
figura 3-10

Figura 3-9Diferentes estados de agregacin.

Los dipolos se componen de los tomos de O con carga negativa y a los tomos de H con carga
positiva. El puente de hidrgeno es el enlace entre los tomos de hidrgeno de una molcula de
agua y tomos de oxigeno negativos de otras molculas de agua como se muestra en la figura 3-10.
33

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Figura 3-10Formacin de los enlaces puente hidrgenos

Los puentes de hidrgeno son tambin el mecanismo mediante el cual las cadenas
macromoleculares de los polmeros se mantienen unidas. La baja resistencia a la cedencia y los
reducidos mdulos de los polmeros (plsticos) se explican en virtud de los dbiles puentes de
hidrgeno y enlaces de van der Waals que se rompen con facilidad cuando se someten los polmeros
a esfuerzos.
La figura 3-11 muestra enlaces intermoleculares de van der Waals entre cadenas polimricas.

Figura 3-11Enlaces de Van Der Waals entre molculas de polmeros.

3.2.8

Curva de energa de enlace

De la curva que representa la energa de enlace (figura 3-12), se puede deducir, varias
propiedades de los materiales:

34

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Figura 3-12a) representa la curva de fuerza de enlace (indica la separacin de los tomos x0), La pendiente de la fuerza
total Ftes aproximadamente lineal en la cercana de x0 .La fig. b, representa la curva de energa de enlace para el NaCl en
el que se muestra la separacin de equilibrio x0.

De la curva de energa de enlace se puede deducir, varias propiedades de los materiales. Se puede
estimar la energa de enlace, la longitud promedio de enlace, el mdulo de elasticidad y el
coeficiente de dilatacin o expansin trmica.
El valor de la energa Ut es el trabajo efectuado por el sistema para acercar 2 tomos o iones desde
una separacin infinita o lo que es igual la cantidad de energa que debe suministrarse al sistema
para separar totalmente los tomos o iones. La magnitud de Ut en x0, o profundidad del pozo de
energa, es una medida de la resistencia inherente al enlace, que es la energa de enlace, x0
corresponde a la longitud del enlace.
La curva de energa est en funcin de la posicin cuando las nicas fuerzas que actan son las
atmicas de atraccin y repulsin, pero, si sobre el sistema actan otras fuerzas o fuentes de
energa externas (cargas externas, campo electromagntico. Cambios de temperatura), se pueden
alterar la longitud de enlace y la energa efectiva de enlace. Una de las claves de la ingeniera de los
materiales es comprender y modelar la interaccin entre variables externas y la estructura a escala
atmica.
35

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Observando cmo se comporta un sistema de tomos frente a una carga externa (fig. 3-12a),
muestra que la curva de la fuerza del enlace es aproximadamente lineal cerca de la posicin de
equilibrio. Entonces la pendiente de la curva (dF / dx) en x0 es una medida de la fuerza necesaria
para desplazar a los tomos respecto a sus posiciones de equilibrio. Matemticamente, cerca de x 0,
el desplazamiento x es proporcional a la fuerza:
F x

F/ x = a E

En donde a es un factor geomtrico y E es la propiedad llamada mdulo de elasticidad o mdulo


de Young. El mdulo de elasticidad es una medida de la resistencia (la rigidez) que ofrece el material
a la separacin relativa.
Cuanto mayor es la pendiente de la curva de fuerza total, en la separacin de equilibrio, mayor la
fuerza requerida para mover los tomos respecto a sus posiciones de equilibrio (esto es, mayor es el
valor de E). Por lo tanto, los materiales con valores de E mayores, son ms rgidos, porque pueden
resistir mejor los cambios de longitud bajo cargas aplicadas. Por otro lado la energa de enlace
(trabajo), es el producto de una fuerza por una distancia:
U(x) = F dx

F = dU / dx

O aplicando la derivada: d2 U / dx2 = dF / dx = a E


De donde

d2 U / dx2 = a E,

De aqu resulta que la curvatura en el grfico de la energa de enlace en x0, es proporcional al


mdulo de Young. Se observa que mientras menor es el radio de curvatura, la rigidez del material es
mayor.
Una interpretacin fsica de esta relacin es que cuanto ms pronunciadas son las pendientes a los
lados del pozo de energa, se requiere ms energa para desplazar a los tomos, alejndolos de sus
posiciones de equilibrio. Otra propiedad macroscpica que se relaciona con la curva de energa de
enlace es el coeficiente de dilatacin trmica 1.
Cuando aumenta la temperatura, los tomos ganan energa y pueden vibrar entre posiciones ms
alejadas y como se muestra en la figura, el punto medio representa una separacin promedio. Si se
traza una serie de segmentos de recta de igual energa y se unen sus puntos medios, se ver que la
distancia atmica promedio aumenta cuando aumenta la temperatura como se muestra en la figura
3-13.

36

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Figura 3-13 Relacin entre la energa de enlace y el coeficiente de dilatacin trmica

Para muchos materiales se puede representar esta relacin, dentro de un intervalo limitado de
temperatura, mediante la ecuacin:
( xe - x0 ) / x0 = 1 ( T T0 )
Donde xe es el espacio de equilibrio a la temperatura T, y x0 es el espacio de equilibrio a la
temperatura de referencia T0, y 1 es el coeficiente de dilatacin lineal. Se puede pronosticar que
los materiales con grandes energas de enlace, los que tienen pozos de energa profundos y
simtricos, deben tener valores de 1 bajos. Esta prediccin se confirma al comprobar que los
elementos con una elevada temperatura de fusin, tienen menores coeficientes de dilatacin
trmica.
Es importante indicar que la relacin entre la curva de energa de enlace y las propiedades
macroscpicas, indican tendencias generales. Sin embargo, son tiles para comprender y
pronosticar diferencias relativas de las propiedades de materiales distintos. No se pueden calcular
los valores absolutos de longitud de enlace, energa de enlace, mdulo de elasticidad y coeficiente
de dilatacin, pues, los coeficientes de las ecuaciones no se conocen con exactitud y las propiedades
de los materiales se suelen medir en el laboratorio.

Tipo de Enlace

Inico
Covalente

Metlico

Van der Waals


Puentes
hidrogeno

Tipo de
sustancia
NaCl
MgO
Si
C (diamante)
Hg
Al
Fe
W
Ar
Cl2
NH3
H2O

Energa de enlace
Kg/mol
eV/tomo
Kcal/mol
Ion/
molec.
640 (153)
3,3
1000 (231)
5,2
450 (108)
4,7
713 (170)
7,4
68 (16)
0,7
324 (77)
3,4
406 (97)
4,2
849 (203)
8,8
7,7 (1,8)
0,08
31 (7,4)
0,32
35 (8,4)
0,36
51 (12,2)
0,52

Temperatura
de fusin [C]
801
2800
1410
3550
-39
660
1539
3410
-189
-101
-78
0

Tabla 3-2Energas de enlace y temperatura de fusin varias sustancias

37

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Unidad 2 Estructuras Cristalinas


4

Materiales Cristalinos y Amorfos (no cristalinos)

La comprensin de los materiales se logra por medio de modelos. El modelo aceptado en la


actualidad es el siguiente:
1. Los materiales estn formados por tomos.
2. Los tomos se comportan como si fueran esferas slidas.
3. Los tomos de diferente naturaleza qumica se representan por esferas de tamaos diferentes.

Figura 4-1Tamao de hierro y carbono

4.

Los tomos se unen entre s para formar el material.

Figura 4-2 tomos entrelazados

5.

Dependiendo del material, los tomos tienen dos posibilidades para enlazarse.
a) Los tomos no siguen ningn orden o siguen un orden de corto alcance materiales
amorfos
b) Los tomos siguen un ordenamiento de largo alcance materiales cristalinos.

La estructura cristalina es el concepto que describe la forma como se organizan loa tomos en el
material.

38

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Figura 4-3 Estructura cristalina

Muchos de los slidos son materiales cristalinos, mientras otros son amorfos, primero se enfoca la
atencin en los cristalinos.
La importancia en la ingeniera de la estructura fsica de los materiales slidos depende
principalmente de la disposicin de los tomos, iones y molculas que constituyen el slido y las
fuerzas de enlace entre ellos. Si los tomos o iones de un slido se ordenan en una disposicin que
se repite en tres dimensiones, forman un slido del que se dice tiene una estructura cristalina y nos
referirnos a l como un slido cristalino o material cristalino. Ejemplos de materiales cristalinos son
los metales, las aleaciones y algunos materiales cermicos como se muestra en la figura 4-4.

Figura 4-4 Estructura cristalina con sus redes cristalinas

El ordenamiento atmico en los slidos cristalinos puede representarse asimilando los tomos a los
puntos de interseccin de una red de lneas en tres dimensiones. Tal red se llama retculo espacial
(fig. a) y puede ser descrita como una dispersin de puntos tridimensional infinita. Cada punto en la
red espacial tiene idntico entorno. Cada red espacial puede ser descrita por la agrupacin de
puntos reticulares alrededor de cualquier punto dado, lo que conforma una celda unidad que se
repite tal como lo especifica la fig. a.
El tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres vectores reticulares a, b, y c,
que se originan a partir de un vrtice de la celda unidad (fig. b). Las longitudes axiales a, b y c y los
ngulos inter-axiales , y son las constantes reticulares.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma como se organizan los tomos en el
material. La estructura cristalina se determina por difraccin de rayos X.

4.1 Sistemas cristalinos y Redes de Bravais

39

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Asignando valores especficos para las longitudes axiales y los ngulos inter-axiales, se pueden
construir diferentes tipos de celda unidad. Para describir la estructura de todos los materiales
cristalinos existen 14 tipos diferentes de celdas unitarias agrupadas en 7 sistemas cristalinos.
Ahora bien, para determinar completamente la estructura cristalina elemental de un slido, adems
de definir la forma geomtrica de la red, es necesario establecer las posiciones en la celda de los
tomos o molculas que forman el slido cristalino; lo que se denominan puntos reticulares.
Las alternativas son las siguientes:
1. P:Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son slo los vrtices del
paraleleppedo.
2. F: Celda centrada en las cara, que tiene puntos reticulares en las caras, adems de en los
vrtices. Si slo tienen puntos reticulares en las bases, se designan con las letras A, B o C
segn sean las caras que tienen los dos puntos reticulares.
3. I: Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda, adems
de los vrtices.
4. R: Primitiva con ejes iguales y ngulos iguales o hexagonal doblemente centrada en el
cuerpo, adems de los vrtices.
Combinando los 7 sistemas cristalinos con las disposiciones de los puntos de red mencionados, se
obtendran 28 redes cristalinas posibles. En realidad, como puede demostrarse, slo existen 14
configuraciones bsicas, pudindose el resto obtener a partir de ellas. Estas estructuras se
denominan redes de Bravais y las principales se muestran en la tabla 4-1.

Tabla 4-1 Redes de Bravais

Bravais mostr que las 14 celdas unidad estndar podran describir todas las estructuras reticulares
posibles.
40

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En el sistema cbico hay tres tipos de celda unidad: cbica sencilla; cbica centrada en el cuerpo y
cbica centrada en las caras. En el sistema ortorrmbico estn representados los cuatro tipos. En el
sistema tetragonal hay slo dos: sencilla y centrada en el cuerpo.
El sistema monoclnico tiene celdas unidad sencilla, centrada en la base, y los sistemas
rombodrico, hexagonal y triclnico tienen una sola celda unidad.

4.2 Principales estructuras cristalinas metlicas


La mayora de los metales elementales (cerca del 90%) cristalizan en tres estructuras cristalinas
densamente empaquetadas: cbica centrada en el cuerpo (BCC); cbica centrada en las caras (FCC),
y hexagonal compacta (HCP). La estructura HCP es una modificacin ms densa de la estructura
cristalina hexagonal sencilla.
La mayor parte de los metales cristaliza en estas estructuras densamente empaquetadas debido a
que se libera energa a medida que los tomos se aproximan y se enlazan cada vez ms
estrechamente entre s. De este modo, dichas estructuras densamente empaquetadas se
encuentran en disposiciones u ordenamientos de energa cada vez ms baja y estable.

4.3 Propiedades de las celdas unitarias


4.3.1

Numero de tomos por celda

Es el nmero promedio de puntos de red asociados con una celda unitaria.

En la estructura CS tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, pero comparte con ocho celdas, por
lo tanto, la cantidad total de tomos por celda unitaria es (8 * 1/8), total 1 tomo por celda
unitaria como se muestra en la figura 4-5

Figura 4-5Estructura CS

La estructura BCC tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, que representan 1 tomo y un tomo
central, en total (8 * 1/8) +1 da dos tomos por celda unitaria como se muestra en la figura 4-6

Figura 4-6Estructura CS

La estructura FCC, tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, que representan 1 tomo, adems 6
tomos en los centros de las caras (cada tomo se comparte con dos celdas), por lo tanto el
nmero total de tomos es: (8 * 1/8) + (6 * ), da cuatro tomos por celda unitaria como se
muestra en la figura 4-7

41

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Figura 4-7Estructura FCC

La estructura HCP, tiene 12 tomos, uno en cada vrtice, compartidos con seis celdas unitarias;
dos tomos en los centros de las bases, compartidos por dos celdas unitarias, y tres tomos en
el plano central. Por lo anterior, la cantidad total de tomos de tomos es: (12 * 1/6) + (2 *1/2) +
(3 * 1), en total tiene 6 tomos por celda unitaria como se muestra en la figura 4-8

Figura 4-8 Estructura HCP

4.3.2

Numero de coordinacin

Es el nmero de tomos que tocan a un tomo en particular.


En la estructura cbica simple; el nmero de tomos ms cercanos es seis. Nmero de
coordinacin es 6 como se muestra en la figura 4-9

Figura 4-9Nmero de coordinacin para estructura CS.

En la estructura BCC, el tomo central est en contacto con 8 tomos. Nmero de coordinacin
es como se muestra en la figura 4-10.

Figura 4-10Nmero de coordinacin para estructura BCC.

En la estructura FCC, el tomo del centro de la cara tiene 12 vecinos ms cercanos. Nmero de
Coordinacin NC = 12 como se muestra en la figura 4-11

Figura 4-11Nmero de coordinacin para estructura FCC.

42

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En la estructura HCP, el tomo del centro de la base tiene 6 tomos vecinos en su propio plano y
tres en cada plano paralelo de arriba y de abajo. Nmero de Coordinacin NC = 12 como se
muestra en la figura 4-12

Figura 4-12Nmero de coordinacin para estructura HCP.

4.3.3

Relacin entre el radio atmico y el parmetro de red

En la estructura Cbica Simple (CS).

Figura 4-13Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura CS.

En la estructura BCC. La direccin en la cual los tomos se tocan es en la diagonal del cubo, por
lo tanto en la figura 4-14

4r
3

Figura 4-14 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura BCC.

En la estructura FCC. La direccin en la cual los tomos se tocan es en la diagonal de la cara del
cubo, por lo tanto en la figura 4-15

4r
2

Figura 4-15 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura FCC.

En la estructura HCP. La direccin en la cual los tomos se tocan es en plano basal, por lo tanto,
uno de los parmetros reticulares es el que se muestra en la figura 4-16.

43

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a 2r
Figura 4-16Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura HCP.

Para determinar el otro parmetro reticular c, se relaciona con el valor de a y en consecuencia


con r, mediante la ecuacin:

c
4.3.4

4a
1,633 a 3,266r
6

Factor de empaquetamiento atmico

Es la fraccin de espacio de la celda unitaria que es ocupada por los tomos:


=

4.3.5

Densidad
=

4.4 ndices de Miller


Para identificar un cristal es necesario contar con algn sistema de notacin de direcciones y planos
cristalogrficos. Cualquier punto dentro del espacio reticular puede sealarse mediante
coordenadas, las cuales son fracciones o mltiplos de las traslaciones unitarias en cada uno de los
ejes coordenados seleccionados.
4.4.1

Coordenadas de puntos

El primer paso para describir las estructuras cristalinas es seleccionar un sistema de coordenadas.
Para este caso se elige el sistema cartesiano de coordenadas derecho. El siguiente paso es orientar
el sistema de coordenadas en la celda unitaria. Como se ve en la figura para una celda unitaria
cbica, la orientacin ms comn es alinear los tres ejes coordenados con las aristas de la celda
unitaria., con el origen en un vrtice de la celda. Sin embargo, es importante observar que la
eleccin de un origen es arbitraria y que depende del problema en que se emplee como se muestra
en la figura 4-17

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Figura 4-17Coordenadas de puntos para los ndices de Miller

Una vez definido un sistema de coordenadas, los puntos de la red se describen mediante los
vectores de traslacin unitarios h, k, l, cualquier nmero de veces para llegar a un segundo punto,
obtenindose un vector que va del origen a ese segundo punto. Este vector es: P = ha + kb + lc
A partir del origen elegido, como se muestra en la figura 4-18.

Figura 4-18Ubicacin de un punto en base a un origen de coordenadas

Puesto que un vector tiene tanto direccin como magnitud, una direccin en la red espacial es un
vector.
La direccin se identifica con las coordenadas vectoriales (h. k. l) de P respecto a un origen elegido,
las cuales se toman como los ndices de Miller de la direccin del origen a P, y se encierra entre
corchetes [hkl]. As por ejemplo: [1]; [112] y [224], representan la misma direccin, pero la
forma [112] es la que se prefiere. Las fracciones se eliminan multiplicando por el menor
denominador comn.
Los nmeros positivos significan traslaciones de los vectores unitarios en la direccin positiva, y los
nmeros negativos representan traslaciones de los vectores unitarios en la direccin negativa. En la
notacin de los ndices de Miller (1, -2, 3) se indica cmo [123] o abajo.
Los ndices de Miller de direcciones se obtienen como sigue:
1. Determinar los ejes de coordenadas.
2. Determine las coordenadas de dos puntos que estn en la direccin de inters, h1, k1, l1 y h2, k2,l2.
El clculo se simplifica si un punto corresponde al origen del sistema de coordenadas.
3. Reste las coordenadas del segundo punto menos las del primero.

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4. Elimine las fracciones de las diferencias obtenidas, para obtener ndices con valores enteros
mnimos.
5. Escriba los ndices entre parntesis rectangulares, sin comas.
6. Los valores enteros negativos se indican poniendo una raya arriba del entero.
4.4.2

ndices de planos.

Tambin los planos de la red cristalina se identifican mediante ndices de Miller, esta vez como h, k,
y l encerrados entre parntesis (hkl), para un plano especfico.
Al igual que en el caso de las direcciones cristalinas, existen planos de una forma que son
equivalentes y estn relacionados por simetra.
Se ha visto que los ndices de Miller de una direccin son las coordenadas vectoriales de un punto o
vector de la red espacial. Ahora la pregunta es qu significan los ndices de Miller de un plano?
Recordando que en general, los planos tienen intersecciones con los ejes. Los ndices de Miller de
planos se obtienen con el siguiente procedimiento:
1. Determinar los ejes de coordenadas.
2. Identificar las coordenadas del plano al origen, es decir, las coordenadas de las intersecciones del
plano con los ejes x, y y z. Si el plano es paralelo a uno de los ejes, se considera que la coordenada
al origen es infinito (), Si el plano pasa por el origen, se considera un plano equivalente en una
celda adyacente, o se cambia de lugar el origen que se usa para referenciar al plano.
3. Determine las recprocas de las coordenadas al origen.
4. Elimine las fracciones, pero no reducir a los enteros mnimos.
5. Cite los planos en parntesis (hkl), de nuevo con rayas hacia arriba de los ndices negativos.
Ejemplos:

Figura 4-19Plano para obtener los ndices de Miller

Los ndices de Miller del plano mostrado seran: (111)


Las familias de planos se indican entre llaves {hkl}. Todos los planos de una familia son equivalentes
respecto a que tienen exactamente el mismo arreglo de tomos.
En los sistemas cbicos los miembros de una familia de planos se pueden citar tomando todas las
permutaciones posibles de los ndices.
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Por ejemplo: Los miembros de la familia de planos {100} son (100), (010), y (001) y sus negativos son
(00), (00) y (00).
Al manejar los ndices de direcciones y planos se tienen varias propiedades y relaciones
importantes:
1. Los planos y sus negativos son equivalentes. Los negativos de las direcciones no son
equivalentes, sino que apuntan en direcciones opuestas.
2. No necesariamente los planos equivalen a sus mltiplos. Las direcciones son invariantes a la
multiplicacin de un factor.
3. En las estructuras cristalinas cbicas, un plano y una direccin que tienen los mismos ndices son
ortogonales.
4.4.3

Direcciones y planos en la estructura cristalina HCP

Los procedimientos descritos para identificar los ndices de Miller de los planos y direcciones son
aplicables a todos los sistemas cristalinos. Por lo tanto, se utilizan los mismos sistemas para
obtener los ndices de Miller de los planos y direcciones de la estructura HCP. Sin embargo, con el
propsito de poner de manifiesto la simetra hexagonal, la representacin de tres dgitos (ndices de
Miller) se convierte en una representacin de cuatro dgitos llamada ndices de Miller-Bravais. Esta
modificacin surge de la presencia de un tercer eje, a3, que est en el plano basal del prisma
hexagonal que se muestra en la figura 4-20.

Figura 4-20Estructura HCP

El eje a3 guarda una relacin de simetra con a1 y a2 y se utiliza conjuntamente con los ejes
unitarios fundamentales, por lo tanto estos ndices se refieren a los cuatro ejes, a1, a2, a3 y c, y se
lo representan como (hkil). Las intersecciones de un plano en los ejes a1 y a2 determinan la
interseccin sobre el eje a3 y, por tanto, el valor de i depende de los valores de h y k. La relacin
es i = - (h + k).
La representacin de Miller Bravais asigna ndices similares a planos similares. Por ejemplo, todos
los lados o planos prismticos del hexgono de la figura adjunta, son similares y simtricos. En el
sistema bsico de tres ejes, los ndices de Miller son (100), (010), (110), (110), (100), (010) y (110).
En cambio, en el sistema de ndices de Miller Bravais con base en cuatro ejes, los ndices
correspondientes son (1010), (0110), (1100), (1010), (0110) y (1100).

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De la misma manera, el sistema de cuatro ndices tiene una similitud en las direcciones. Esto se
ilustra en la figura, donde se indican tres direcciones diagonales en tres planos prismticos como se
muestra en la figura 4-21

Figura 4-21Direcciones en la estructura HCP

En el sistema de tres dgitos, estas direcciones son [111], [001] y [101]. Se debe contar con un
conjunto de ecuaciones para convertir los ndices de Miller a la representacin de cuatro dgitos:

1
2u v
3

1
2v u
3

1
u v
3
w = w

Donde las letras con prima representan el sistema de tres dgitos [uvw] y las letras sin prima
corresponden al sistema de cuatro dgitos. [uviw]. Los ndices de cuatro dgitos de las mismas
direcciones son ahora [123], [23] y [113]. Por tanto las diagonales estn en un conjunto de
direcciones <1123>. Es necesario hacer hincapi que para obtener la representacin de cuatro
dgitos, primero se debe obtener los ndices de Miller (la representacin de tres dgitos), tanto de
planos como de direcciones. Como se ha sealado, el cuarto dgito i de la representacin de planos
(hkil) es, en realidad la interseccin fraccionaria sobre el tercer eje a3 y tiene significado fsico. En el
caso de las direcciones no se advierte un significado fsico similar del cuarto dgito de los ndices de
Miller- Bravais, y debido al procedimiento ms complicado que se sigue para obtenerlos, es mejor
conservar los ndices de Miller para las direcciones.
4.4.4

Intersticios o huecos en las estructuras cristalinas

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En las estructuras cristalinas descritas existen espacios vacos. Llamados intersticios o huecos,
donde pueden caber tomos de tamao pequeo. El tamao de los intersticios vara en las
diferentes estructuras y determina la medida en que cada estructura puede alojar tomos
pequeos.
Hay fundamentalmente dos tipos de intersticios en las estructuras cristalinas: intersticios
octadricos y tetradricos, los cuales se muestran en la figura 4-22.

Figura 4-22Intersticios para la estructura FCC a) octadrica y b) tetradrica

Los nombres se deben a que cada intersticio est situado en el centro de un octaedro o de un
tetraedro, respectivamente.
En la estructura FCC los intersticios ms grandes son los huecos octadricos situados en el centro de
las aristas del cubo e en el centro del cubo. Los huecos estn rodeados de seis tomos que forman
los vrtices de un octaedro, Figura 4-22 (a). Adems del intersticio octadrico del centro del cubo,
tambin existen 12 intersticios similares adicionales situados entre dos tomos en el centro de las
aristas del cubo. Los intersticios octadricos pueden alojar un tomo de radio 0,414 r.
Los intersticios tetradricos se indican en la figura 4-22 (b) y estn en el centro de tetraedros
formados por cuatro tomos. La distancia del vrtice al centro de un intersticio es a. Puesto que el
cubo tiene ocho vrtices, hay ocho intersticios tetradricos, cada uno de los cuales puede alojar un
tomo de radio 0,225 r, aproximadamente la mitad del tomo que cabe en un intersticio octadrico.

Figura 4-23Intersticios para la estructura BCC c) octadrica y d) tetradrica.

En la figura 4-23 (c) y (d) se muestran los intersticios octadricos y tetradricos de la estructura BCC.
El mayor de los dos tipos es ahora el tetradrico. Existen un total de 24 intersticios tetradricos,
cuatro en cada cara del cubo. Estos intersticios pueden alojar un tomo con un radio aproximado de
0,291 r, donde r es el radio del tomo en sitios de la red BCC.
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Los intersticios octadricos, ms pequeos, estn situados en los puntos medios de las aristas, para
dar un total de 18 sitios. Los intersticios octadricos estn ligeramente comprimidos, con dos
tomos ms prximos, por esta razn, slo pueden alojar un tomo con un radio aproximado de
0,155 r.
As pues, se ve que la estructura BCC aloja un tomo esfrico de menor tamao que el que cabe en
la estructura FCC.
La estructura HCP tiene fundamentalmente la misma disposicin atmica que la FCC; por
consiguiente, los huecos octadricos y tetradricos de la HCP que se muestran en las figuras 4-24 (e)
y (f). Estos intersticios alojan tomos del mismo tamao que para la estructura FCC.

Figura 4-24Intersticios para la estructura HCP e) octadrica y f) tetradrica.

4.5 Estructuras cristalinas inicas: Materiales cermicos.


La estructura de los materiales cermicos, que son principalmente compuestos inicos material
metlico y no metlico (xidos, carburos, nitruros, boruros, siliciuros y halogenuros). Estas
estructuras estn determinadas en gran parte por la manera como se pueden empaquetar los iones
positivos y negativos de modo que la atraccin electrosttica sea mxima y se reduzca al mnimo la
repulsin electrosttica. Esto significa que los iones positivos (cationes) tienen iones negativos
(aniones) como vecinos inmediatos o en contacto con ellos. La estructura ms estable es la que
tiene el mayor nmero de vecinos inmediatos o el nmero de coordinacin (NC) ms grande; este
ltimo depende de la razn de los radios inicos.
Puesto que, en general, los aniones son ms grandes que los cationes, la razn de los radios
catinico (+) y aninico (-) casi siempre determina la estructura, y el primer criterio de estabilidad de
las estructuras inicas (cermicas) es que esta razn sea mayor que, o igual a un valor crtico para un
determinado nmero de coordinacin por alcanzar.
Puesto que los poliedros encierran a los cationes, tambin se les describe como poliedros de
coordinacin catinica (PCC). Adems del criterio de la razn crtica, una estructura inica estable
tambin debe ser elctricamente neutra, tanto microscpicamente como atmica. La escala
macroscpica significa que las cargas positivas totales deben ser iguales a las cargas negativas
totales. En la escala atmica interviene la fortaleza de los enlaces inicos locales.
En la tabla 4-2 se observa algunos parmetros de las estructuras inicas como son el nmero de
coordinacin, razones entre radios de catin y anin.

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Ubicacin de los
Numero de
iones en torno al
coordinacin
in central

Lmites de la
razn de radio
catinico a radio
aninico

Lineal

Vrtices del
tringulo

0.156

Vrtices del
tetraedro

0.225

Vrtices del
octaedro

0.414

Vrtices del cubo

0.732

Grfico

Tabla 4-2Parmetros en la estructura inica.

La red de Bravais de una estructura inica est determinada por el vector de traslacin apropiado.
Los vectores de traslacin comunes son: (a) el de tipo (1,0,0) a lo largo de la arista en la red cbica
simple; (b) el de tipo (,,0) diagonal de la cara en la red FCC, y ( c ) el de tipo (,,) diagonal
del cuerpo en la red BCC. Para determinar el tipo de red, el vector de traslacin apropiado debe
comenzar y terminar en la misma clase de ion.

4.6 Estructura del CsCl.


El cloruro de Cesio es un ejemplo de estructura inica con NC = 8. Esta estructura se muestra en la
figura adjunta, donde los iones Cl- estn en una matriz cbica simple y el ion Cs+ en el sitio
intersticial (en el centro del cubo) como se muestra en la figura 4-25

Figura 4-25Estructura del Cloruro de Cesio

Puesto que el ion de Cs- est en contacto con los ocho iones de Cl-, el nmero de coordinacin es de
ocho, tanto para el catin como para el anin. A primera vista se puede confundir la estructura con
una BCC, pero se trata de una estructura cbica simple. Los ndices de Miller, se determinan por el
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vector de traslacin cbico simple (1, 0,0), comenzando y terminando en el mismo tipo de ion, ya
sea positivo o negativo.

4.7 Estructura del NaCl


La estructura del cloruro de sodio (NaCl) o sal gema se muestra en la figura, donde los aniones
grandes (Cl-) estn en los puntos reticulares de la estructura CC normales, y los cationes se
encuentran en todos los sitios intersticiales octadricos que se muestran en la figura 4-26.

Figura 4-26Estructura del Cloruro de Sodio

4.8 Cristalinidad de los polmeros


Las celdas unitarias de las macromolculas (polmeros) son ms complejas que las de los metales,
los compuestos inicos o los cristales de molculas orgnicas pequeas. En general los polmeros
slo cristalizan parcialmente, o no cristalizan en lo absoluto, y son los polmeros lineales los que
pueden ser semicristalinos. Lo siguiente solo se enfoca hacia aquellas partes del polmero que se
han ordenado para formar cristales.
En el caso del polietileno es una cadena de grupos CH2 enlazados entre s con enlaces covalentes.
Debido a su estructura simtrica sencilla, el polietileno, en el esquema de los polmeros, cristaliza
con facilidad. En los cristales, se alinean segmentos de las cadenas polimricas, paralelas entre s,
maximizando las interacciones moleculares, esto es, la formacin de enlaces secundarios. En la
figura 4-27 se muestra la estructura de un cristal de polietileno.

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Figura 4-27Estructura del Polietileno

La celda unitaria es ortorrmbica, y esto quiere decir que no hay dos aristas que tengan la misma
longitud, pero que todos los ngulos son de 90. Se acostumbra usar la direccin c como direccin
de la cadena. Las dimensiones de las celdas unitarias en los polmeros son, en forma caracterstica,
mayores que las de los metales, sin embargo, tambin los cristales inicos complejos tienen
parmetros de celda grandes.
4.8.1

Cristales lquidos

Los cristales lquidos fueron descubiertos hace ms de cien aos (1888) por el botnico austriaco F.
Reinitzer, quien encontr que algunos compuestos orgnicos derivados del colesterol parecan
tener dos puntos de fusin. Ms especficamente, observ que al calentar los cristales de estas
sustancias a 145 C, el slido se transformaba en un lquido turbio; pero ste a su vez, se converta
en un lquido totalmente claro y transparente precisamente a 179 C. Al poco tiempo de estas
primeras observaciones (1889), el cristalgrafo alemn F. Lehmann descubri que el lquido turbio
intermedio entre los cristales y el lquido transparente posea propiedades pticas y una estructura
molecular muy parecida a la de un cristal slido, y acu el nombre de cristal lquido. Aun sin darse
plena cuenta, lo que en realidad haban descubierto era un nuevo estado de la materia: las fases
intermedias o mesofases.
Se da el nombre de cristal lquido a fluidos que muestran cierto grado de orden de largo alcance. En
efecto, por una parte llamamos lquido a una sustancia que fluye y toma la forma del recipiente que
la contiene; pero, por otra, a un cristal lo concebimos como sustancia slida y rgida. De modo que,
al menos intuitivamente, un cristal es precisamente lo opuesto a un lquido! Y sin embargo existen
sustancias reales, los cristales lquidos, que exhiben la dualidad slido-lquido, es decir, que,
simultneamente, poseen propiedades de los lquidos, fluidez y viscosidad, y propiedades pticas
que se parecen de modo asombroso a las de los cristales como, por ejemplo, poder reflejar colores
diferentes dependiendo del ngulo bajo el cual se les observe.

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En los ltimos treinta aos se ha descubierto que estas sustancias ocupan un lugar nico en la
naturaleza. As, se sabe que los cristales lquidos desempean un papel fundamental en los
organismos vivos, pues el ADN forma diversas fases lquido cristalinas; tambin se les utiliza para
fabricar dispositivos electrnicos, como los indicadores electro-pticos que muestran letras y
smbolos diversos en las calculadoras de bolsillo o en las cartulas de los relojes electrnicos
modernos (Figura 4-28).

Figura 4-28Indicador numrico electro-ptico fabricado con cristales lquidos.

Tambin han permitido fabricar pantallas de TV extraordinariamente delgadas y hacen posible el


desarrollo de ventanas o cortinas que con slo accionar un interruptor se hacen transparentes o
totalmente opacas.

Figura 4-29Ventana de cristal lquido con transparencia controlable.

De acuerdo con el tipo de arreglos moleculares que pueden formar, Friedel (1922) clasific los
cristales lquidos en tres grandes clases: nemticos, esmcticos y colestricos. La fase nemtica
exhibe orden en la orientacin de sus molculas y al mismo tiempo desorden en la posicin de sus
centros de masa. Las molculas pueden moverse lateralmente, girar alrededor del eje comn o
deslizarse paralelamente a l.

Figura 4-30La fase nemtica exhibe orden de orientacin, pero desorden en la posicin de los centros de masa
moleculares.

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Figura 4-31Cristal lquido esmctico con orden de orientacin de los ejes moleculares y orden en la posicin de sus centros
de masa.

Figura 4-32La direccin de orientacin molecular en cada plano de colestricos describe una trayectoria helicoidal (lnea
discontinua).

El ordenamiento en un tipo de cristales lquidos consiste, esencialmente, en una asociacin de


molculas que produce regiones de alineamiento casi paralelo entre ellas, como se ve en la figura.

Figura 4-33.

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Estos cristales lquidos han encontrado aplicaciones domsticas, como en las pantallas de cristal
lquido, como los nmeros iluminados en los relojes digitales y otros dispositivos electrnicos.

4.9 Monocristales y materiales policristalinos.


En realidad muchos materiales son cristalinos, pero no tan perfectos como parecen haber sido
descritos hasta ahora. Virtualmente todos los metales forman estructuras cristalinas bajo
condiciones normales de enfriamiento, a partir del lquido fundido; sin embargo, cuando se cuela
rara vez es un solo cristal. Ms bien la parte colada est formada por varios cristales, con estructuras
idnticas pero con distintas orientaciones. La mayor parte de los metales forma estructuras
policristalinas, como se ve en la figura 4-34.

Figura 4-34Estructura policristalinas

Los granos son pequeos cristales, caractersticamente de 0,5 50 m de dimensin trasversal, pero
puede llegar a tener 1 cm de dimetro. Las superficies de los granos son superficies internas de
espesor finito, donde se encuentran cristales de distintas orientaciones. Muchos materiales
cermicos tienen tambin la forma de slidos policristalinos.
Para formar materiales monocristalinos, cuando se cuela el material, el enfriamiento debe ser muy
lento, con lo cual el material se solidifica dando un solo cristal. Los materiales de monocristal no
tienen fronteras de grano, por lo que tienen propiedades mecnicas, pticas y elctricas nicas, Los
de cuarzo (SiO2) se usan como transductores en una diversidad de aplicaciones, por ejemplo, en
receptores y sensores de alta calidad. Los monocristales de germanio y de silicio se usan mucho en
la microelectrnica. Los monocristales de aleaciones de nquel se usan en alabes de turbina, en
aviones a chorro de alto rendimiento. Los monocristales de Zafiro (Al2O3) y de diamante (Carbono)
son piedras preciosas.

4.10 Alotropa o polimorfismo.


La alotropa o polimorfismo es la capacidad de los materiales cristalinos para asumir dos o ms
estructuras cristalinas en virtud del cambio de temperatura. Muchos metales y materiales
cermicos presentan este fenmeno. El hierro es un buen ejemplo entre los metales, la slice tipifica
las materiales cermicos; ambos materiales se utilizan extensamente en aplicaciones de ingeniera.
El hierro es el componente principal de los aceros y hierros colados, y asume la estructura BCC a
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bajas temperaturas, la estructura FCC a alrededor de 911 C, para despus regresar a la BCC a
1393C. Las aleaciones de hierro (aceros y hierros colados) tambin presentan estos cambios de
estructura, pero a diferentes temperaturas, segn su composicin la figura 4.35 muestra el cambio
de estructuras. La slice se utiliza como material refractario en hornos y asume las diferentes
formas, a saber: cuarzo hasta 573 C, cuarzo de 573 a 867C, tridimita de 867 a 1470C y
cristobalita de 1470 a 1710C.

Figura 4-35Estructuras de hierro en funcin de temperatura

La importancia de la alotropa en las aplicaciones de ingeniera radica en el cambio de volumen al


pasar de una estructura a otra. Este cambio de volumen induce deformaciones y esfuerzos en los
materiales cuando stos se someten a cambios de temperatura. Cuando estas deformaciones y
esfuerzos son grandes pueden inducir agrietamientos de los materiales. Por ejemplo al soldar
aceros, se controla cuidadosamente la composicin del acero para que las zonas en torno a la
soldadura no se agrieten. El calentamiento y el enfriamiento de los revestimientos de slice y de
otros materiales refractarios en hornos y en recipientes de metal lquidos, se hace con gran lentitud
para evitar que el material refractario se fracture.

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4.11 Anisotropa
Cuando las propiedades de un material son independientes de la direccin en la que se miden, se
dice que el material es istropo. Cuando si dependen de la direccin, el material es anistropo. La
anisotropa puede presentarse a nivel microscpico o macroscpico. En temas anteriores, se ha
demostrado que se pueden estimar directamente las propiedades de los materiales, como el
mdulo de elasticidad y el coeficiente de dilatacin trmica, a partir de las curvas de enlace. Sin
embargo, esas estimaciones slo son vlidas en las direcciones especficas en las cuales se trazan
esas curvas, es decir, en las direcciones de empaquetamiento compacto. La separacin de los
tomos en la direccin que no sea la de empaquetamiento compacto, ser mayor que x0. En
consecuencia, las curvas de energa de enlace y todas las propiedades que se derivan de ellas
dependern de la direccin en la que se midan. Es por esta razn que los monocristales muestran un
cierto grado de anisotropa.
Mientras que los monocristales son anisotrpicos, la mayor parte de los policristales son casi
isotrpicos a escala macroscpica. La razn es que las propiedades del policristal representan un
promedio estadstico de las correspondientes a los granos constituyentes, orientados al azar.
Tambin se puede presentar la anisotropa en una escala estructural mayor. Como ejemplos
comunes tenemos la madera, al concreto reforzado, a los epxicos reforzados con fibras de carbono
y a los polmeros orientados. Esta anisotropa se relaciona con la estructura de esos materiales a los
niveles microscpico, o hasta macroscpico (por ejemplo en el concreto armado).

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Difraccin de rayos X

5.1 Introduccin
El criterio actual de las estructuras cristalinas ha sido obtenido principalmente por medio de
tcnicas de difraccin de rayos X, esta es la principal herramienta para investigar la estructura a
escala de dimensiones atmicas. Aplicando ciertas leyes de la fsica se demuestra que la longitud de
onda de la radiacin electromagntica debe ser del orden del tamao de la dimensin que se va a
investigar. Por lo tanto, para investigar dimensiones atmicas en el intervalo de 0,5 a 50 , se
requiere una radiacin electromagntica cuya energa es caracterstica de los rayos X.
Los rayos X fueron descubiertos en el siglo XIX, y Von Laue y Bragg, quienes desarrollaron la teora
de la difraccin de los rayos X a principios del siglo XX. Es una tcnica relativamente sencilla, pero
que puede proporcionar mucha informacin exacta acerca de los espacios entre planos y de las
posiciones de los tomos.
Un diagrama esquemtico de una seccin transversal de un tubo de rayos X de filamento sellado, se
muestra en la siguiente figura 5-1. Cuando el filamento de wolframio del ctodo se calienta, se
liberan electrones por emisin termoinica y se aceleran a travs del vaco por la gran diferencia de
voltaje entre el ctodo y el nodo, por lo tanto ganando energa cintica. Cuando los electrones
golpean la lmina de metal (por ejemplo molibdeno) se emiten rayos X. Sin embargo, la mayor
parte de la energa cintica (cerca del 98%) se convierte en calor, por tanto, la muestra tiene que
enfriarse externamente.

Figura 5-1Seccin transversal de un tubo e rayos X de un filamento sellado

El espectro emitido a 35kV usando una lmina de molibdeno se muestra en la figura 5-2. El espectro
muestra radiacin continua de rayos X para una longitud de onda que oscila entre 0,2 y 1,4 (0,02 y
0,14 nm) y dos picos de radiacin determinada se designan las lneas Ky K. Las longitudes de
onda de las lneas K y Kson caractersticas de un determinado elemento. En el molibdeno la lnea
Kaparece a una longitud de onda de unos 0,7 . El origen de esta radiacin determinada se explica
como sigue.

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Figura 5-2

Primero, electrones K(electrones del orbital n = 1) se expulsan del tomo por bombardeo de la
lmina con electrones altamente energticos dejando los tomos excitados. A continuacin,
algunos de los electrones de orbitales ms altos (es decir n = 2 o n = 3) caen a niveles energticos ms
bajos, para remplazar los electrones K perdidos, emitiendo energa de una determinada longitud de
onda. La transicin de electrones del orbital L (n = 2) al orbital K (n = 1) genera energa de longitud de
onda correspondiente a la lnea Kcomo indica la figura 5-3.

Figura 5-3 Niveles electrnicos de energa en el molibdeno, mostrando el origen de la radiacin K y K

Puesto que las longitudes de onda de algunos rayos X son ms o menos iguales a la distancia entre
planos de tomos en slidos cristalinos, los picos de difraccin debidos a la radiacin de
intensidades variables se pueden producir cuando un grupo de rayos X golpea un slido cristalino.
Sin embargo, antes de considerar la aplicacin de las tcnicas de difraccin de rayos X al estudio de
las estructuras del cristal, se estudia las condiciones geomtricas necesarias para producir difraccin
o reforzar los grupos de rayos X reflejados.
Considerando que un haz de rayos X monocromtico (longitud de onda sencilla) incide sobre un
cristal, como se muestra en la figura 5-4. Por simplificacin, se remplazan los planos cristalinos de
centros de dispersin atmicos por planos cristalinos que actan como espejos reflejando el haz de
rayos X incidente. En la figura 5-4 las lneas horizontales representan un conjunto de planos
cristalinos paralelos con ndices de Miller (hkl). Cuando un haz incidente de rayos X monocromticos
de longitud de onda X golpea este conjunto de planos con un ngulo tal que el diagrama de ondas
60

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del haz deja los diversos planos en una situacin fuera de fase, no se producir haz reforzado alguno
(fig 5-4).

Figura 5-4 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
(a)Para ngulos arbitrarios de incidencia no se produce reflexin alguna

De este modo tienen lugar interferencias destructivas. Si los diagramas de ondas reflejados del haz
dejan a los diversos planos de fase, entonces se producir un reforzamiento del haz o interferencia
constructiva (fig. 5-5).

Figura 5-5 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
Para el ngulo de Bragg los rayos reflejados estn en fase y se refuerzan mutuamente

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Figura 5-6 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
(c) similar a (b) con la excepcin de que se ha omitido la representacin de la onda

Considerando a los rayos X incidentes 1 y 2 como se indican en la figura 5-6. Para que estos rayos
estn en la fase, la distancia extra de recorrido del rayo 2 es igual a MP +Pn, que debe ser un nmero
entero de longitudes de onda . De este modo:
n = MP +PN
donde n = 1,2,3,..., y se conoce como orden de la difraccin. Puesto que ambos MP y NP son iguales
a dhklsen, donde dhkles el espaciado interplanar de los planos cristalinos de ndices (hkl) la condicin
para interferencia constructiva (p.e., la produccin de un pico de difraccin de radiacin intensa)
debe ser:
n = 2dhklsen
Esta ecuacin, conocida como Ley de Bragg establece la ubicacin entre las posiciones angulares de
los haces difractados reforzados en trminos de longitud de onda de la radiacin de rayos X
incidente y de los espaciador, interplanaresdhklde los planos cristalinos. En la mayor parte de los
casos, se utiliza el primer orden de difraccin donde n = 1, y as, para este caso, la Ley de Bragg
adopta una forma:
n = dhklsen
Siendo n un entero. Esta ecuacin se llama ley de Bragg, y es la ecuacin fundamental de la
difraccin. Si se conoce la longitud de onda y si se mide la intensidad del haz difractado dentro de
un intervalo de , entonces se puede calcular d.

5.2 Anlisis de difraccin de rayos x por el mtodo de polvo


Hay docenas de tcnicas que se usan en la difraccin de rayos X. Quiz el mtodo que se comprende
con ms facilidad es el de la difraccin en polvos. Se muele una muestra transformndola en polvo,
y se mezcla con un aglomerante no cristalino. El polvo y el aglomerante se someten a una fuente
monocromtica (de una sola longitud de onda) de radiacin X que est en fase. Se mide la
intensidad difractada en funcin de , con un instrumento llamado difractmetro. En la figura 5-7 se
presenta un esquema de aplicacin y deteccin con la tcnica de difractometra de rayos x.

62

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Figura 5-7Tcnica de difraccin de rayos x.

Las tcnicas de difraccin de rayos X, permiten determinar las estructuras de los slidos cristalinos.
La interpretacin de los datos de difraccin de rayos X para la mayora de las sustancias es
compleja, por eso slo se considerar el caso sencillo de difraccin en metales de estructura cbica
pura. El anlisis de difraccin de rayos X para celdas unitarias cbicas puede ser simplificado
combinando la ecuacin:

d hkl

a
h2 k 2 l 2

Con la ecuacin de Bragg = 2d sen, obteniendo:

2 a sen
h2 k 2 l 2

Esta ecuacin puede ser utilizada con los datos de difraccin de rayos X para determinar si una
estructura cristalina es cbica centrada en el cuerpo o cbica centrada en las caras. Para emplear la
ecuacin anterior, en el anlisis de difraccin, debemos saber que planos del cristal son los planos
de difraccin para cada tipo de estructura cristalina. Para la red cbica simple, son posibles
reflexiones desde todos los planos (hkl).
Sin embargo, para la estructura BCC la difraccin ocurre sobre los planos cuyos ndices de Miller
sumados (h + k + l) da un nmero par. En el caso de la estructura cristalina FCC, los planos
principales de difraccin son aquellos cuyos ndices de Miller son todos los pares o todos los
impares (cero se considera par). De este modo, para la estructura cristalina FCC, los planos
difractantes son {111}, {200}, {220} etc., que se enumeran en la tabla 5-1.

63

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Planos
Cbicos
{h k l}
{100}
{110}
{111}
{200}
{210}
{211}

{220}
{221}
{310}

h +k +l

Suma
(
h2 + k2 + l2)

12 + 02 + 02
12 + 12 + 02
12 + 12 + 12
22 + 02 + 02
22 + 12 + 02
22 + 12 + 12

2
2 + 22 + 02
22 + 22 + 12
32 + 12 + 02

1
2
3
4
5
6

8
9
10

Planos cbicos
Difracciones {h k l}
FCC
BCC
110
111
200

200

220

211

220
310

Tabla 5-1ndices de Miller de planos de difraccin para redes BCC y FCC

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6 Defectos en las estructuras cristalinas


Los materiales de ingeniera estn formados por un inmenso nmero de tomos, en pequeos
volmenes. Por ejemplo, en el Fe (BCC) con a = 0,287 nm y dos tomos por celda unitaria, hay unos
8,5 x 1022 tomos por cm3. Por esta gran cantidad de tomos que intervienen, se puede esperar una
gran probabilidad de que sucedan varios defectos (errores) en el arreglo atmico. En los slidos
cristalinos estos errores se llaman defectos, y pueden presentarse en distintas formas, que incluyen
tomos nicos (defectos puntuales), filas de tomos (defectos lineales), planos de tomos (defectos
superficiales) y pequeos conjuntos tridimensionales de tomos (defectos de volumen). Se ver que
es imposible evitar los defectos en los materiales.
En la prctica, es extremadamente difcil obtener cualquier material con 100% de pureza. La
presencia de algunas especies de tomos adicionales incorporadas dentro de las especies atmicas
principales es lo que se llama un defecto, hayan sido agregadas intencionalmente o por accidente. A
este defecto se lo llama impureza, y en la prctica es imposible obtener un material en cantidades
comerciales en su forma pura.
En todos los materiales es necesario tomar en cuenta la existencia de defectos e impurezas, que se
conocen genricamente como imperfecciones y la forma en que afectan las propiedades de los
materiales.

6.1 Defectos puntuales


Un defecto puntual se puede definir como una imperfeccin donde, intervienen unos cuantos
tomos. Los defectos puntuales se presentan en todo tipo de materiales, pueden ser inicos (como
el NaCl o el KCl), covalentes (como el Si o el Ge), inico covalente mixto (como el Al 2O3 o el SiO2),
metlicos (como el Al o el Fe) o moleculares (como el polietileno o el nylon). Los defectos puntuales
tienen efectos profundos sobre las propiedades mecnicas y fsicas de la mayor parte de los
materiales en ingeniera. En la Figura 6-1 se muestra una estructura perfecta.

Figura 6-1Estructura Perfecta

En la red bidimensional, hay ciertas posiciones donde faltan tomos (una posicin que
normalmente debera estar ocupada, est vaca), mientras que en otros lugares los tomos estn en
posiciones equivocadas (los tomos se colocan en posiciones que deberan estar desocupadas). En
el primer caso se trata de vacancias, y en el segundo se habla de intersticiales. Ambos son ejemplos
de defectos puntuales los que se muestran en la figura 6-2.

65

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Figura 6-2Defectos Puntuales

Al examinar la figura se ve que las tres clases de defectos alteran el espaciamiento de equilibrio
entre los tomos cercanos. Como se indic en la estructura atmica de los materiales, para alejar a
los tomos de sus posiciones de equilibrio se requiere un aumento en la energa del sistema. Este
aumento, que se debe al cambio en la longitud del enlace, se le llama energa de deformacin. Se
puede considerar que la energa de deformacin es anloga al aumento de energa que hay cuando
un resorte se estira o se comprime. Adems, las tres clases de defecto puntual puede alterar el
nmero de coordinacin de los tomos que lo rodean, y esto tambin ocasiona un incremento de
energa. Por lo anterior, podemos llegar a la conclusin que la presencia de vacancias, intersticiales
o tomos sustitucionales eleva la energa interna del cristal. La energa libre de un cristal G (energa
de Gibbs), es un equilibrio entre la entalpa (H), que es una medida de la energa interna del cristal, y
la entropa, que es una medida de la aleatoriedad o desorden en el cristal. G aumenta con un
incremento en la energa interna, o con una disminucin en la entropa.
Desde el punto de vista termodinmico, se encuentra que en una estructura cristalina puede haber
defectos puntuales, sino que por la necesidad de tener un sistema estable, esto se logra en un
estado con mnima energa.
El concepto de mnima energa libre con respecto a la concentracin de defectos se puede emplear
para demostrar que la cantidad de vacancias se relaciona con la temperatura absoluta con la
siguiente relacin:

Q fV

NV NT exp
RT

En la que NV es la cantidad de vacancias a la temperatura T, NT es la cantidad total de sitios de red


(igual a la cantidad de vacancias ms la cantidad de tomos), QfV es la energa de activacin para la
formacin de una vacancia, y R y T tienen su significados usuales. Tambin se puede definir la
concentracin de las vacancias en funcin de los sitios de red que estn vacantes, CV:

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CV

Q fV
NV
exp
RT
NT

En donde CV, es una cantidad adimensional. Se puede deducir una ecuacin parecida para la
concentracin de intersticiales, sustituyendo el valor adecuado de la energa de formacin de
intersticiales Qfi.
Los defectos puntuales desempean un papel principal en la determinacin de diversas propiedades
de los cristales.
6.1.1

Vacancias e intersticiales en cristales inicos

En los cristales inicos no hay vacancias nicas aisladas, porque la eliminacin de un solo ion
ocasionara el desequilibrio de la carga elctrica en el cristal. En lugar de ello, las vacancias slo
pueden presentarse en pequeos grupos, y la relacin catin: anin de la vacancia debe ser tal que
el cristal, en conjunto, quede elctricamente neutro como se muestra en la figura 6-3.

Figura 6-3Defectos en cristales inicos

Las concentraciones relativas de los diversos defectos puntuales se determinan por las energas de
formacin de defectos y por el requisito de la neutralidad elctrica. Con argumentos
termodinmicos parecidos a los que se usaron para deducir la ecuacin de concentracin de
vacancias en slidos no inicos, se pueden se pueden estimar las concentraciones de vacancias e
intersticiales en los slidos inicos, para los efectos de Frenkel, mediante la ecuacin:

CV

NV
exp
NT

Q fVi

2 RT

Ni
NT

Ci

En donde Cv y Ci son, respectivamente, las concentraciones de vacancias e intersticiales, y Qfvi es la


energa necesaria para formar una vacancia y un intersticial. El factor 2 en el denominador del
exponencial se debe a que en el proceso se crean dos defectos.
Para los defectos de Schottky en un compuesto A B:

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CV , cat

NV , cat
NT

Q fVp
exp
2 RT

NV , an
NT

CV , an

En donde Cv,cat y Cv,an son, respectivamente, las concentraciones de vacancias de catin y de anin,
y Qfvp es la energa necesaria para formar un par de vacancias de catin y anin. Para los defectos de
Schottky en los compuestos AnBm:

pCV , cat

Q fVc

nm exp

n 2 m 2 RT

nC

an

En donde Qfvc es la energa necesaria para formar un grupo de n vacancias de catin y m vacancias
de anin.

6.2 Defectos Lineales


Los defectos lineales en las estructuras cristalinas se denominan dislocaciones. Estos defectos
permiten deformar los materiales cristalinos; son los que desplazan o resbalan sobre los planos de
deslizamiento, y confieren ductilidad al material.
Hay dos orientaciones bsicas en una dislocacin: la de borde y la helicoidal. En la figura 6-4 se
muestra esquemticamente una dislocacin de borde en un cristal cbico simple

Figura 6-4Dislocacin de borde.

6.2.1 Dislocacin de borde


Son planos extras de tomos insertados en la estructura cristalina. Se generan durante la
solidificacin del material. Tambin pueden generarse cuando el material se deforma
permanentemente como se muestra en la figura 6-5

Figura 6-5tomos insertados en la estructura cristalina que genera la dislocacin de borde.

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6.2.2

Dislocacin helicoidal

Es necesario definir una dislocacin helicoidal, la cual se muestra esquemticamente en la figura 66a, donde puede considerarse que cada pequeo cubo representa una celda unitaria. La figura 6-6b
representa al mismo cristal con la posicin de la lnea de dislocacin marcada por la lnea BC.
La definicin de dislocacin helicoidal para este defecto reticular se deriva del hecho de que los
planos reticulares del cristal forman una espiral en la lnea de dislocacin BC.
En la figura 6-7 se observa las dislocaciones helicoidales o denominadas dislocaciones de tornillo.

Figura 6-6 Dislocaciones helicoidales

Figura 6-7Dislocaciones helicoidales de tornillo

Cuando aparecen varias dislocaciones helicoidales, unas a continuacin de otras, dan la apariencia
del filete de un tornillo, por ello se denomina dislocacin de tornillo.
69

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6.3 Defectos de superficie


6.3.1

Superficie libre

La superficie libre del material se considera un defecto, pues, los tomos de la superficie tienen
menos vecinos inmediatos, y en consecuencia, mayor energa que los tomos con nmero de
coordinacin ptimo, situados dentro del cristal. La energa adicional asociada con la superficie libre
de llama tensin superficial y se expresa en unidades de energa por rea. Las superficies libres
suelen ser sitios de reacciones qumicas, porque la energa adicional est disponible para
impulsarlas. En la figura 6-8 se observa la estructura en la superficie.

Figura 6-8Estructura en la superficie de un material.

6.3.2

Frontera de grano

Los granos son porciones del material dentro de las cuales el arreglo atmico est orientado en una
direccin definida.
La frontera es la superficie que separa a los granos entre s como se muestra en la figura 6-9.

Figura 6-9 Lmites de grano

6.3.3

Maclado

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Lmites de macla: de tipo especial de lmite de grano que separa dos regiones con una simetra tipo
espejo.
Una macla es un tipo de defecto cristalino que puede ocurrir durante la solidificacin, deformacin
plstica, recristalizacin o crecimiento de grano.
Tipos de macla: maclas de recocido y maclas de deformacin.
La maclacin ocurre en un plano cristalogrfico determinado segn una direccin cristalogrfica
especfica. Tal conjunto plano/direccin depende del tipo de estructura cristalina.

Lmite de macla

Maclacin mecnica en metales FCC


Figura 6-10 Maclado

6.3.4

Tamao de grano

El tamao de los granos influye en las propiedades mecnicas del material tal como se muestra en
la figura 6-11.

Figura 6-11Tamao y lmite de Grano

Las propiedades de los materiales pueden modificarse manipulando los defectos de la estructura
cristalina. En el presente caso se puede tener endurecimiento por tamao de grano (fronteras).
71

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Como el tamao de los granos individuales tiene un efecto importante sobre muchas de sus
propiedades, es importante contar con un mtodo consistente para determinar el tamao del
grano. La medicin ms aceptada es la del nmero N del tamao del grano, segn la ASTM, que se
define con la ecuacin:

n 2

N 1

En la que n es la cantidad de granos por pulgada a un aumento de 100x, es decir, la cantidad de


granos por pulgada cuadrada, medida en una fotografa tomada con 100x aumentos. El tamao del
grano N es, esencialmente, un ndice de la finura de la estructura; al aumentar N, la estructura se
hace ms fina. Como N se define como un exponente, el tamao del grano no vara linealmente en
funcin de N. En forma caracterstica, un material de grano fino tiene un tamao de grano ASTM de
8 a 10, mientras que los materiales de grano grueso lo tienen de 2 o 3. La tabla muestra el dimetro
promedio del grano para cada uno de los tamaos de grano ASTM ms frecuentes. En la tabla 6-1 se
presenta el tamao de grano y el dimetro de grano.
Tamao de Dimetro de
grano ASTM grano (m)
0
359,00
1
254,00
2
180,00
3
127,00
4
90,00
5
64,00
6
45,00
7
32,00
8
22,40
9
15,90
10
11,20
11
7,94
12
5,61
13
3,97
14
2,81
Tabla 6-1Dimetro promedio del grano para los tamaos ASTM

6.4 Defecto volumtrico


Como lo dice su nombre, el trmino defecto volumtrico se reservaa regiones tridimensionales en las
que se pierden las caractersticas de orden de largo alcance en un material cristalino. Los defectos
volumtricos varan de tamao y complejidad, desde grupos pequeos de defectos puntuales hasta
extensas regiones amorfas. Al igual que todos los defectos cristalinos, los volumtricos poseen
energa adicional y son capaces de influir sobre las propiedades tecnolgicas de los materiales.
Entre los ejemplos comunes estn los poros, conjuntos tridimensionales de vacancias, y los
precipitados, conjuntos tridimensionales de impurezas intersticiales, sustitucionales, o de ambos
tipos. En la figura 6-12 muestra defectos volumtricos.

72

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Figura 6-12 Defectos volumtricos.

6.4.1

Poros

Los poros son regiones volumtricas abiertas en un material. Se pueden formar por aglomeracin
de vacancias que se difunden, por el bombardeo de un cristal con radiacin de alta energa, o por
muchas operaciones de procesamiento que producen burbujas de gas. Su tamao puede ir de
algunos nanmetros hasta centmetros, o ser an mayores. Los poros tienen un efecto perjudicial
apreciable sobre las propiedades mecnicas de los materiales.

Poros

Grietas
Figura 6-13 Poros y grietas

Tambin, el tamao de los precipitados puede tener dimensiones desde atmicas hasta
macroscpicas. Con frecuencia, el precipitado asume su propia estructura cristalina, distinta de la
red anfitriona. En este caso, quiz sea ms correcto considerar la interfase bidimensional entre
matriz y precipitado como el defecto en la estructura cristalina.
La extensindel concepto de un defecto cristalino tridimensional hasta sus ltimas consecuencias es
la formacin de un volumen relativamente grande de material, en el que se elimina toda la huella
de orden de largo alcance, es decir, una regin amorfa dentro de un agregado policristalino.

73

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Unidad III Deformacin y Recristalizacin


7

Deformacin y Recristalizacin

7.1 Introduccin
Con el conocimiento de la nomenclatura de los planos y direcciones cristalinas, estamos en
situacin de ver cul es la influencia de la estructura cristalina de un metal en su deformabilidad. La
deformacin de los materiales se produce por deslizamiento sobre planos preferentes a lo largo de
ciertas direcciones preferentes. A stos se les llama planos de deslizamiento y direcciones de
deslizamiento; una combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin de deslizamiento
se denomina sistema de deslizamiento.
Los planos de deslizamiento preferenciales son los que tienen las fracciones atmicas lineales ms
grandes. Por ello, es necesario determinar los planos de deslizamiento y las direcciones de
desplazamiento de las estructuras cristalinas ms comunes para determinar sus sistemas de
deslizamiento. Cuanto mayor es el nmero de sistemas de deslizamiento independientes, tanto
ms deformable es el material.

7.2 Planos de deslizamiento


Para determinar los planos de deslizamiento se define la fraccin atmica planar, como:

Las reas de los tomos son las secciones que el plano corta al pasar por el centro del tomo o por el
punto de la red. En la tabla 7-1se resume la determinacin del plano de deslizamiento en cada una
de las estructuras (BCC) y (FCC).

PLANOS

rea de la
seccin plana

BCC
rea
de los
tomos

{100}

NA = 1
A = r2

{110}

NA = 2
A = 2r2
1

{111}

NA = 2
1

A = 2r2

Fraccin
planar
1

rea de la
seccin planar

FCC
rea
de los
tomos

2
2

NA = 2
A = 2r2

Fraccin
planar
1

2
2 2

NA = 2
A = 2r2

2
3 2

NA = 2
A = 2r2

2 2
2

2 2
2 2
2 2
3 2

Tabla 7-1Valores de FAP para diferentes estructuras cristalinas.

74

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Se advierte que la fraccin atmica planar ms grande est sobre {110}, y estos son los planos de
deslizamiento de la estructura BCC.
En el caso de la estructura FCC, la fraccin atmica planar ms grande est ahora sobre {111}, y
estos son los planos de deslizamiento.

7.3 Direcciones de deslizamiento


Para determinar la direccin de deslizamiento se define la fraccin atmica lineal (FAL), como:

La longitud de los tomos est dada en trminos del radio atmico cuando la direccin pasa por el
centro del tomo o punto de red. Se determina el nmero de radios atmicos presentes sobre la
direccin y despus se divide ese nmero entre la longitud de la direccin para obtener la FAL
(fraccin atmica lineal).
La determinacin de la direccin de deslizamiento en cada una de las estructuras BCC y FCC, se
resumen en la tabla 7-2.

DIRECCIONES

Seccin

BCC
Longitud
atmica

<100>

2r

<110>

2r

<111>

4r

Fraccin
lineal
2
1

1 2
2
2 2
3

Seccin

FCC
Longitud
atmica
2r
2r
4r

Fraccin
lineal
2
1

2 2
2
1 2
3

Tabla 7-2Valores de FAL para diferentes estructuras cristalinas.

Se observa, que las direcciones de deslizamiento son <111> para la BCC y <110> para la FCC,
porque stas son las direcciones con la FAL ms grande. Adems se ve que la distancia entre
tomos en la direccin de deslizamiento es la ms corta.

7.4 Nmero de sistemas de deslizamiento y deformabilidad


La figura 7-1 muestra el plano (110) de la estructura BCC y las dos direcciones <111>.

75

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Figura 7-1Sistema de deslizamiento {110}. <111>.

Especficamente, los sistemas de deslizamiento son (110)[ 1 11] y (110)[ 1 1 1 ]. Es necesario


establecer dos cosas. Primero, la manera como siempre se escribe un sistema de deslizamiento:
(plano)[direccin]. En segundo lugar, no se toma en cuenta las direcciones inversas, por lo tanto
hay slo dos sistemas por plano de deslizamiento (110). Puesto que existen seis del tipo {110}, hay
en total 12 sistemas de deslizamiento en la BCC con el plano (110).
En el caso de la estructura FCC, en la figura se muestra el plano {111} y las tres direcciones <110>,
por lo tanto, existen tres sistemas de deslizamiento por plano {111}. Puesto que hay cuatro de estos
planos cbicos, existen tambin 12 sistemas de deslizamiento en total en la FCC. En la figura 7-2 se
presenta el sistema de deslizamiento {111} <110>.

Figura 7-2Sistema de deslizamiento {111} <110>.

Los resultados anteriores se resumen en la tabla adjunta. En ella aparecen 48 sistemas de


deslizamiento para la estructura cristalina BCC. Puesto que a ms de los ya mencionados, hay 12
para los planos {112} y 24 para los {123}, que tambin son posibles planos de deslizamiento.
Tambin se incluyen los sistemas de deslizamiento de las estructuras HCP que consisten en el plano
basal (0001) y las direcciones a lo largo de los ejes unitarios a1, a2, a3; slo tres sistemas en total.
En la tabla7-3 se muestra los sistemas de deslizamiento de algunos elementos con estructuras
cristalinas diferentes.

76

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Estructura cristalina

Sistema de deslizamiento
Planos Direcciones Nmero
{110}

BCC (Fe, Mo, W)

{112}

12
<111>

{123}

12
24

FCC (Cu, Ni, Al)

{111}

<110>

12

HCP (Cd, Zn, Ti)

{0001}

<100>

Tabla 7-3Sistemas de deslizamiento

El efecto del reducido nmero de sistemas de deslizamiento es la limitada deformabilidad de los


materiales con estructura HCP (por ejemplo, magnesio, zinc) en comparacin con los metales
cbicos, BCC (por ejemplo, hierro, Molibdeno) y FCC (por ejemplo, cobre, nquel, aluminio). Con los
materiales cuya estructura cristalina es HCP, slo se pueden formar productos que requieren escasa
deformacin a temperatura ambiente. Los materiales del tipo BCC y FCC pueden soportar una
severa deformacin y con ellos se puede fabricar productos que requieran una fuerte deformacin
plstica.
Al mencionar los materiales cermicos cristalinos, estos presentan slo dos sistemas
independientes de deslizamiento {110} <10>, por ejemplo en el caso de xido de magnesio (MgO
que tiene una estructura parecida al NaCl). Por ello los cermicos son muy frgiles y difciles de
deformar.
En los plsticos, la deformacin ocurre por deslizamiento de las cadenas
macromoleculares en los termoplsticos. Esto se consigue mediante la ruptura del enlace de Van
der Waals. No existen planos ni direcciones de deslizamiento como en los metales, por tanto el
comportamiento de los plsticos es diferente de los metales.
Los materiales cristalinos (metales) se deforman por deslizamiento y, en la escala atmica, por la
propagacin y multiplicacin de las dislocaciones. El deslizamiento ocurre como se ha dicho, en los
planos y direcciones compactas. A medida que la deformacin avanza, las dislocaciones pueden
moverse en varios sistemas. Se requiere un esfuerzo grande para trasladar una sucesin de
dislocaciones sobre el mismo plano y se necesita un esfuerzo mucho mayor para moverlas una vez
que se enredan las dislocaciones que se propagan sobre los diferentes planos.
La distorsin de la retcula cristalina por tomos extraos inhibe an ms el movimiento libre de las
dislocaciones e incrementan el endurecimiento por deformacin, cuando se somete al material en
fro. En virtud que los materiales que constituyen las piezas de trabajo no es homognea, se puede
explotar las interacciones de los procesos de deformacin con las caractersticas estructurales, a fin
de controlar las propiedades de servicio de los materiales.

7.5 Mecanismos de endurecimiento


Todos los materiales estn sometidos durante su servicio a fuerza de traccin, de compresin, y
torsin. Dichas fuerzas ocasionan tensiones de traccin, compresin o torsin, sin embargo, no
producen ningn efecto permanente pues sus valores no rebasan la zona elstica. Por el contrario si
llegaran a la zona plstica pueden ocasionar grandes deformaciones de carcter permanente en
dichas piezas.

77

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Los materiales que son utilizados en ingeniera, se los obtiene luego de un largo proceso de
produccin, que inicia con la obtencin de aleaciones a travs del proceso de fundicin, luego para
dar las diversas formas comerciales que conocemos, se requiere de procesos de deformacin
plstica, como son la laminacin, el forjado y la extrusin, estos se los puede realizar en fro o en
caliente.
1. Toda deformacin plstica de un material tiene lugar a causa del movimiento de
dislocaciones en su interior.
2. Cualquier mtodo o estrategia que consiga frenar el avance de las dislocaciones en un
material lograr endurecerlo y aumentar su resistencia a la deformacin plstica.
7.5.1

Endurecimiento por solucin slida

Si las dislocaciones al moverse por la red encuentran distorsiones en esta se vern frenadas.
El introducir un tomo extrao en una red introduce una gran distorsin en la misma.
Dichas distorsiones dificultan el movimiento de las dislocaciones a su alrededor. Los tomos
extraos pueden ser de dos tipos atendiendo a su localizacin:
1. Intersticiales: Cuando ocupan posiciones entre los tomos.
2. Sustitucionales: Cuando sustituyen a tomos originales.

Figura 7-3

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7.5.2

Endurecimiento por precipitacin

Las dislocaciones se desplazan por el material con mayor o menor facilidad atendiendo al
trabajo necesario realizar para romper y crear enlaces.

Si dentro de un material se introducen partculas rgidas, por las cuales no pueden moverse las
dislocaciones, estas se atascarn (anclado de dislocaciones) al llegar a dichas partculas.

Paso de una dislocacin a travs de una partcula:

- Si la partcula es muy rgida la dislocacin no podr atravesarla.


Aproximacin de la dislocacin al precipitado:

Contacto entre la dislocacin y las partculas (situacin sub-crtica):

Interaccin entre la dislocacin y las partculas (situacin crtica):

79

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Avance de la dislocacin (situacin de escape)

Un ejemplo tpico de materiales endurecidos por precipitacin es el duraluminio (Al 3%Cu):

7.5.3

Endurecimiento por reduccin del tamao de grano

Una dislocacin se desliza por un plano cristalogrfico concreto.


Si dos granos contiguos poseen distinta orientacin cristalogrfica ser muy difcil que una
dislocacin pase de uno de ellos a otro, tanto por el cambio de orientacin como por la
distorsin que supone la junta.
Cuantas ms juntas de grano existan en un material ms difcil ser que las dislocaciones se
muevan por l Frenado de una dislocacin al pasar de un grano (A) a otro (B):

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Ejemplo del endurecimiento del latn (70%Cu 30%Zn)

7.5.4

Endurecimiento por deformacin

Si las dislocaciones al moverse por el material encuentran distorsiones en la red cristalina se


vern frenadas por estas.
Las propias dislocaciones distorsionan la red a su alrededor.
Las dislocaciones se interfieren entre s disminuyendo su movilidad.
Al deformar el material plsticamente se introducen dislocaciones en l, por locual se endurece.

Evolucin de las propiedades mecnicas con la deformacin en el caso del cobre (Cu)
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Cuando a los materiales se los trabaja en fro, la deformacin que ocurre se produce por el
mecanismo de deslizamiento de ciertos planos del cristal (planos de deslizamiento) y en direcciones
determinadas (direcciones de deslizamiento) y adems, por la presencia de una tensin tangencial
que acta para producir el deslizamiento. Para comprender el concepto de tensin tangencial
crtica, en la figura, se muestra un material de forma cilndrica, de seccin transversal A, se le
somete a una fuerza axial F, slo la componente de esta fuerza, en la direccin de deslizamiento, es
eficaz para mover la dislocacin. La figura 7-4 se emplear para obtener la ley de Schmidt

Figura 7-4Deduccin de la Ley de Schmidt

Esta componente es F cos, que al dividir por el rea del plano de deslizamiento, A/ cos, da la
correspondiente tensin de cizallado , por lo tanto:

Se ha demostrado experimentalmente que el deslizamiento en un material dado ocurre cuando


alcanza un valor crtico definido.
Un material sometido al trabajo en fro, por ejemplo laminacin, extrusin o embutido, tiende a
endurecer por deformacin, la densidad de dislocaciones se incrementa, lo que produce un cambio
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en las propiedades, as la ductilidad del material expresada por la elongacin, disminuye, el material
tambin puede desarrollar propiedades direccionales, puesto que las aleaciones corrientes estn
constituidas por millones de pequesimos cristales los que se encuentran orientados al azar, en
cuyo caso las propiedades medias son las mismas en todas las direcciones. Sin embargo, como
resultado de los procesos de deformacin es posible que los granos de una barra policristalina
adopten orientaciones casi idnticas, en cuyo caso se dice que los cristales toman una orientacin
preferida o textura. En el caso de la figura, se muestra una barra en la que los cristales estn
orientados en la direccin del eje de carga, y muestran que una textura adecuada puede aumentar
la rigidez de dicha barra.
Puede observarse que a medida que aumenta el porcentaje de trabajo en fro, la microestructura
cambia y se deforma en la direccin de la deformacin, por ejemplo en la figura 7-5 a) se observa 0%
de trabajo en fro, en b) se observa 31% de trabajo de fro, en c) se observa 67% de trabajo en fro y
en d) se muestra 82% de trabajo en fro.

Figura 7-5Microestructura de una barra aplicando diferentes porcentajes de trabajo en fro.

El endurecimiento por deformacin es importante por varias razones, puesto que muchos
materiales trabajados en fro retienen un nivel razonable de ductilidad, el trabajo en fro ofrece al
ingeniero un mtodo de bajo costo para obtener materiales de resistencia elevada. Sin embargo, la
reduccin de la ductilidad puede generar presiones excesivas en las herramientas de corte, y puede
causar grandes problemas cuando se van a realizar grandes deformaciones, o cuando la
manufactura de productos incluye una sucesin de pasos de trabajo en fro. Entonces, es necesario
remover los efectos del trabajo en fro por medio del recocido.
Antes de la deformacin de un metal contiene 106 cm de lneas de dislocacin por cada cm3 de
metal, el cual es un nmero relativo de dislocaciones. Cuando se aplica un esfuerzo superior al de
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fluencia, las dislocaciones empiezan a deslizarse, pero muchas veces esta dislocacin al moverse en
un plano, encuentra obstculos que sujetan los extremos de la lnea de dislocacin (a), mientras se
contina aplicando el esfuerzo, la dislocacin trata de moverse arquendose por el centro (b), hasta
que se forma un rizo, el cual se toca a s mismo (c) creando una nueva dislocacin (d), mientras que
an la dislocacin original est sujeta generando otros rizos de dislocacin, este mecanismo se
denomina FRANK READ, en la figura 7-6 se presenta un esquema de la propagacin de
dislocaciones.

Figura 7-6Mecanismo de propagacin de dislocaciones de Frank Read.

7.6 Recristalizacin
Aunque todas las propiedades de los materiales deformados en fro se ven afectadas en cierto grado
por los tratamientos trmicos de recuperacin, es frecuente que propiedades tan importantes como
el lmite de fluencia y el alargamiento porcentual slo puedan modificarse radicalmente eliminando
la microestructura distorsionada, mediante la recristalizacin. La recristalizacin se produce
mediante un RECOCIDO, el cual se define como el tratamiento trmico que abarca el calentamiento
hasta una temperatura elevada (T > 0,5 Tf) su mantenimiento por determinado tiempo y su
posterior enfriamiento lento. La recristalizacin es el proceso que tiene lugar en la mayora de los
metales cuando se someten al calentamiento despus de haber sido deformados en fro (Dureza por
acritud). En trminos generales se puede definir como la nucleacin y crecimiento, en la matriz del
metal trabajado en fro, de granos sin deformacin.
En general, la estructura que se forma durante la recristalizacin es esencialmente la misma que
exista antes de la deformacin en fro. La importancia industrial de este fenmeno proviene del
hecho de que las propiedades de una aleacin son aproximadamente las mismas, despus de la
recristalizacin.
La fuerza de accionamiento para la recristalizacin la proporciona el incremento en el contenido de
energa (energa almacenada) que resulta de la densidad de las dislocaciones inducidas por el
trabajo en fro. Por lo tanto, la recristalizacin comienza a una temperatura tanto menor cuanto
mayor sea la deformacin por el trabajo en fro. Se sabe que un material de grano grueso tiene baja
resistencia, de ah que por lo general el objetivo sea producir un grano fino. Esto se puede lograr
aumentando la deformacin por trabajo en fro, porque para cualquier temperatura dada, se
formarn ms ncleos y al haber mayor nmero de granos su tamao ser menor. La temperatura
de 0,5 Tf se debe tomar slo como una gua aproximada, ya que incluso cantidades menores de
elementos de aleacin pueden retrasar en forma sustancial la formacin de nuevos granos y as
elevar la temperatura de recristalizacin. En el caso de la superaleaciones, la gran cantidad de
aleantes propicia el inicio de la recristalizacin a temperaturas de alrededor de 0,8 Tf. Cuando un
metal se mantiene a cierta temperatura durante un tiempo prolongado, crece el tamao de los
granos, este crecimiento de grano es indeseable porque la resistencia disminuye, y si es excesivo,
tambin la ductilidad.
Algunas caractersticas del trabajo en caliente son:

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1. No ocurre endurecimiento durante la transformacin en trabajo caliente, por lo que la
cantidad de deformacin plstica es ilimitada.
2. Es recomendado para el conformado de piezas grandes.
3. Algunos defectos originados en fundicin pueden ser minimizados o eliminados sus efectos.
4. A elevadas temperaturas, los metales con estructura cristalina HC poseen ms sistemas de
deslizamiento activos.
5. Se produce una estructura fibrosa ya que la deformacin alarga las inclusiones y partculas
de la segunda fase.
6. Propiedades finales de las piezas trabajadas en caliente no son uniformes en comparacin
del conformado en fro.
7. Acabado superficial es ms deficiente en comparacin al obtenido en el trabajo en fro.
8. Mayor dificultad en obtener precisin dimensional en el trabajo en caliente, debido al
proceso de contraccin del metal.

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Unidad IV Diagramas y trasformaciones


8 Diagramas de fase en equilibrio
8.1 Introduccin
Cul es el origen de las microestructuras y cmo se puede obtener las microestructuras ptimas
para las propiedades de los materiales que se desean? La respuesta es: obtenemos las
microestructuras deseadas regulando los procesos de fabricacin de los materiales. Estos procesos
se inician con la fusin, refinacin y aleacin (adicin de la composicin deseada), continan con el
conformado (deformacin) que puede incluir calentamiento y enfriamiento, despus con el
tratamiento trmico, para terminar con la fabricacin de la estructura o componente, la cual puede
incluir formado, maquinado y soldadura. La clave es regular los procesos, y para ello se necesita
conocer cundo se funde el slido, cuando se solidifica el lquido, si el material es de una sola fase o
de fases mltiples, si se puede tratar trmicamente, Etc. Toda esta informacin se obtiene de un
Diagrama de fases en equilibrio que, en el caso de los materiales, es una grfica de composicin y
temperatura. Como su nombre lo implica, el diagrama de fases es un mapa de las fases a
composiciones y temperaturas especficas. El diagrama sirve como gua para la seleccin o
procesamiento de materiales. Con base en el diagrama de fases podemos prever qu
composiciones de aleacin tendrn probablemente buenas propiedades; qu procesos o
tratamientos trmicos debemos imponer y regular para conseguir las propiedades deseadas, y qu
tratamientos sern quiz perjudiciales y conviene evitarlos. Por lo expuesto es necesario aprender
los conceptos fundamentales y como se interpreta un diagrama de fases.
Los conceptos fundamentales se ilustran primero para sistemas binarios de dos componentes; es
conveniente dejar los sistemas de tres o ms componentes para posterior.

8.2 Construccin de diagramas de fase


El diagrama de fase (estado) es la representacin grfica de los diversos estados de una aleacin. Si
vara la composicin de la aleacin, o su temperatura o la presin, entonces el estado de la aleacin
cambia, esto se refleja grficamente en el diagrama de estado.
El diagrama de Estado, muestra los estados estables, es decir, los estados de mnima energa libre,
por ello tambin se lo llama Diagrama de Equilibrio, ya que indica las fases en equilibrio que existen
en unas condiciones dadas.
Para construir un diagrama de estado se debe partir de las curvas de enfriamiento
correspondientes, para ello, se debe recordar que la mayora de las sustancias pueden existir como
gases, lquidos y slidos, dependiendo de su temperatura. El agua es una de esas sustancias que
pueden existir como vapor, cuando tiene la temperatura suficiente; como lquido y como slido
(hielo), cuando llega a estar suficientemente fra.
Si se eleva la temperatura del agua hasta el punto de ebullicin, y se le permite que se enfre
lentamente, el cambio de la temperatura en funcin del tiempo puede representarse en la forma
mostrada en la figura, dicha grfica se denomina CURVA DE ENFRIAMIENTO, que se presenta en la
figura 8-1.

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Figura 8-1Curva de Enfriamiento.

Se observa que cuando se produce un cambio de estado (tal como el de agua lquida a hielo slido),
se produce una pausa en el proceso de enfriamiento. Esta pausa se debe a que la sustancia absorbe
o entrega Calor Latente. El calor latente es la energa trmica necesaria para producir un cambio
de estado en una sustancia a temperatura constante. Los estados gaseoso, lquido y slido de una
sustancia se mencionan frecuentemente con el nombre de fases, y se dice que una sustancia se
encuentra en su fase gaseosa, en su fase lquida, o en su fase slida. Ms adelante se ver que
dentro del estado slido se producen tambin cambios de fase. La grfica superior mencionada
constituye la curva terica de enfriamiento del agua. En virtud que para la tecnologa de los
tratamientos trmicos, se requiere fundamentalmente dominar el mecanismo de cristalizacin
(solidificacin) de los metales, centramos nuestra atencin en el paso del estado lquido al slido,
denominado CRISTALIZACIN PRIMARIA. Este proceso transcurre como resultado del paso a un
estado ms estable en sentido termodinmico, con una energa libre menor.
F = H - TS
F = es la variacin de la energa libre del sistema
H = es la variacin de la energa total del sistema
T = es la temperatura absoluta
S = es la variacin de la entropa.
La variacin de la energa libre del lquido y slido en funcin de la temperatura se muestra en la
figura 8-2

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Figura 8-2Energa Libre vs. Temperatura

8.3 Proceso de solidificacin


La solidificacin requiere de dos pasos: nucleacin y crecimiento de grano. La nucleacin ocurre
cuando una pequea partcula slida se forma dentro del lquido, mientras que el crecimiento de
slido ocurre cuando los tomos del lquido se unen al slido diminuto hasta que se acaba el lquido.

8.4 Nucleacin
Dentro de la nucleacin pueden ocurrir dos eventos:
1. Nucleacin homognea.
2. Nucleacin heterognea.
8.4.1

Nucleacin homognea

Esta ocurre cuando el sub enfriamiento se hace lo suficientemente grande para permitir que el
embrin exceda el tamao crtico. Cuando un lquido se enfra bastante por debajo de la
temperatura de solidificacin en equilibrio, existe una mayor probabilidad de que los tomos se
renan para formar un embrin de radio mayor que el radio crtico, adems hay una mayor
diferencia de energa volumtrica entre el lquido y el slido, la cual reduce el tamao crtico del
ncleo, el cual se muestra en la siguiente ecuacin:

2Ts
r
H f T
*

Donde:
r*= radio crtico
= energa libre superficial por unidad de rea
Ts=Temperatura de solidificacin (K)
Hf= Calor latente de fusin
T = Sub enfriamiento (Ts-T)

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A medida que aumenta el sub enfriamiento, el tamao de radio crtico disminuye y por lo tanto el
slido formado por nucleacin homognea ser ms fcil de realizar. La nucleacin homognea
ocurre cuando:

T 0,2Ts
8.4.2

(K)

Nucleacin heterognea

Es la nucleacin que se da en la superficie de las impurezas. Todos los metales y aleaciones de uso
en ingeniera se nuclean heterogneamente durante la solidificacin. Las impurezas que estn en
contacto con el lquido sea que estn suspendidas en l o en las paredes del recipiente, proporciona
una superficie donde se puede formar el slido, consecuentemente se obtiene un radio de curvatura
mayor que el radio crtico con muy poca superficie total entre el slido y el lquido, se necesitarn
unos pocos tomos para producir una partcula slida con el radio requerido, y en consecuencia se
necesita menor sub enfriamiento.

8.5 Crecimiento de granos


Una vez formado el ncleo slido, el crecimiento ocurre cuando los tomos se asocian en la
superficie slida. Este crecimiento depender de la forma que se extrae el calor: calor latente de
fusin y el calor especfico. El calor especfico debe eliminarse por conduccin hacia el molde hasta
que el lquido se enfra a temperatura de solidificacin. El calor latente de fusin es la energa
generada cuando la estructura lquida en desorden se transforma en una estructura cristalina ms
estable. La manera en la cual se libera este calor latente determinar el mecanismo de crecimiento
y microestructura final.
Cuando el lquido se enfra lentamente en condiciones de equilibrio, la temperatura del metal
lquido es mayor que la temperatura de solidificacin. El calor latente puede eliminarse por
conduccin desde la interface slido-lquido hacia los alrededores slidos. Cualquier protuberancia
empieza a crecer en la interface rodeada por el metal lquido, el crecimiento de esta protuberancia
se detiene hasta que el resto de la interface la alcanza, este proceso de crecimiento se denomina
CRECIMIENTO PLANAR como se observa en la figura 8.3

Figura 8-3Crecimiento Planar.

Si la nucleacin no es grande, el lquido puede sub enfriarse a una temperatura inferior a la de


solidificacin en estas condiciones una pequea protuberancia denominada DENDRITA que se
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forma en la interface y empieza a crecer, a medida que crece la dendrita slida, el calor latente de
fusin es conducido hacia el lquido sub enfriado, elevando la temperatura del lquido hacia la
temperatura de solidificacin como se observa en la figura 8-4.

Figura 8-4 Crecimiento dendrtico

Pueden formarse brazos secundarios y terciarios en los troncos primarios de la dendrita con el fin de
acelerar la evolucin del calor latente, y este crecimiento contina hasta que el lquido sub enfriado
alcance la temperatura de solidificacin. Cualquier lquido remanente solidifica por crecimiento
planar.

8.6 Variacin de la energa libre del lquido y slido en funcin de la


temperatura
A la temperatura crtica Tc (de transformacin de fase), las magnitudes de las energas libres del
estado lquido y slido son iguales. La temperatura Tc corresponde a la temperatura de equilibrio de
cristalizacin del material dado, durante la cual ambas fases (la lquida y la slida) pueden existir
simultneamente. A una temperatura mayor a Tc ms estable es el lquido, que posee menor
reserva de energa libre, y por debajo de esta temperatura, es ms estable el slido.
El proceso de cristalizacin se desarrolla, si existe una diferencia de energas libres, que aparezca a
causa de que la energa libre del slido es menor a la del lquido (en virtud a la segunda ley de
termodinmica, ningn proceso puede desarrollarse espontneamente sin disminucin de energa
libre del sistema).
Por consiguiente el proceso de cristalizacin transcurre solamente cuando la sustancia se sobre
enfra (sub enfra) hasta una temperatura mucho menor que la temperatura de equilibrio Tc. En la
figura 8-5 se muestra curvas de enfriamiento con sub enfriamiento.

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Figura 8-5Curvas de Enfriamiento, en una de ellas se observa sub enfriamiento.

T = Tc Ti (se llama grado de sobre enfriamiento).


Si en el metal lquido estn presentes ncleos heterogneos efectivos, la solidificacin se inicia a la
temperatura de cambio al estado slido, se produce una estabilizacin trmica (meseta) por la
generacin de calor latente, el cual mantiene al lquido remanente a la temperatura de solidificacin
hasta que todo el lquido se ha solidificado y no puede generarse ms calor. El tipo de crecimiento
es PLANAR como se observa en la siguiente figura 8-6.

Figura 8-6Curva de enfriamiento cuando se presenta el crecimiento planar.

Si se desarrolla sub enfriamiento debido a la escasa nucleacin, la curva cae por debajo de la
temperatura de solidificacin. Luego que el slido se nuclea, ocurre el crecimiento dendrtico. El
calor latente es absorbido por el lquido sub enfriado, elevando nuevamente su temperatura hasta la
de solidificacin (fenmeno conocido como RECALESCENCIA), luego que la temperatura del lquido
restante sube hasta la temperatura de solidificacin, ocurre la estabilizacin trmica hasta que la
solidificacin se concluye mediante crecimiento planar. Esto puede observarse en la siguiente figura
8-7.

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Figura 8-7Curva de enfriamiento cuando se presenta el crecimiento dendrtico.

La curva de enfriamiento explicada, es la comn de una sustancia pura, por ello debemos ampliar la
explicacin a las curvas de enfriamiento para diferentes aleaciones.
La aleacin utilizada como ejemplo, es la formada por sal comn (cloruro de sodio) y el agua. Para
efecto de comparacin en la figura, se presentan las curvas de enfriamiento del agua pura y de la
solucin de sal en agua, dentro de intervalos de temperaturas que abarcan las fases lquidas y
slidas que se observa en la figura 8-8.

Figura 8-8Curvas de enfriamiento del agua pura y agua con sal.

En el intervalo de temperaturas que muestran los dos puntos de detencin, se observa que el
comportamiento de una aleacin es diferente al de una sustancia pura, puesto que pasado el primer
punto de detencin, aparecen los primeros cristales de slido que estn formados por agua pura y la
solucin lquida restante tiene una concentracin mayor, al llegar al segundo punto de detencin, se
tendr hielo ms una pequea cantidad de solucin lquida muy concentrada, que finalmente se
convertir en slido. Si se grafican varias curvas de enfriamiento correspondientes a aleaciones que
tengan diversas concentraciones y proyectamos los valores de los puntos de detencin, sobre un
grfico que tenga dos ejes verticales y uno horizontal.

8.7 Diagrama de equilibrio trmico


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Las curvas de enfriamiento explicadas para la solucin sal-agua, son semejantes a las generadas por
otras substancias, incluyendo las formadas por metales o un metal y un no metal, que constituyen
las aleaciones binarias.
Los diagramas de equilibrio trmico producido mediante las curvas de enfriamiento de tales
aleaciones adoptan una de las formas mostradas en la figura 8-9

Figura 8-9Curvas de enfriamiento para la obtencin de un diagrama de fases.


Diagrama de estado de las aleaciones que crean las mezclas mecnicas de los componentes puros
(Ejemplo plomo-antimonio).

Se deben realizar curvas de enfriamiento para las diferentes soluciones slidas en diferentes
proporciones de los compuestos binarios existentes en la solucin (ejemplo 100% Pb 0% Sn, 95%Pb
5%Sn, 90%Pb 10%Sn, 75%Pb 25%Sn, 0%Pb 100%Sn).
En base a las curvas de enfriamiento, se observan los puntos donde existen cambios de pendiente y
donde existan mesetas. En el caso de los componentes que estn al 100%, la meseta corresponde a
la temperatura de fusin, mientras que en soluciones que estn presentes los dos componentes, la
meseta existente a una misma temperatura en todas las curvas de enfriamiento se dice que esta
temperatura corresponde a la temperatura del eutctico. La solucin de dos componentes donde
no exista cambio de pendiente y exista una meseta a una temperatura determinada (temperatura
eutctica), se dice que es una solucin eutctica. Los puntos correspondientes al cambio de
pendiente en las curvas de enfriamiento corresponden a los puntos de las curvas del lquidus (lnea
que separa la fase lquida y la coexistencia lquida y cualquier fase slida).

8.8 Mezcla mecnica


La mezcla mecnica de dos componentes A y B se forma cuando estos son incapaces de disolverse
nuevamente en estado slido y no reaccionan qumicamente formando compuestos. En estas
condiciones la aleacin estar formada por cristales A y B claramente distinguibles en la
microestructura (si su tamao es suficientemente grande).
(Componentes son las sustancias simples que forman la aleacin). Si se analizan separadamente las
propiedades de los cristales A y de los cristales B, estas sern idnticas a las de los metales puros A y
B. Las propiedades mecnicas dependen de la concentracin de los componentes y del tamao y la
forma de los granos, siendo sus valores intermedios entre los de las propiedades caractersticas de
los componentes puros. La figura 8-10 se presenta una mezcla mecnica.

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Figura 8-10Mezcla Mecnica

8.9 Solucin slida


En estado lquido la mayora de las aleaciones metlicas que se utilizan en la tcnica son lquidos
homogneos, es decir, soluciones lquidas. Al pasar al estado slido, en muchas de estas aleaciones
se conserva la homogeneidad y, por consiguiente la solubilidad. La fase slida que se forma como
resultado de la cristalizacin de una aleacin de este tipo se llama SOLUCIN SLIDA.
El anlisis qumico, demuestra que en las soluciones slidas hay dos o ms elementos, mientras que
segn el anlisis metalogrfico esta solucin, lo mismo que el metal puro, tiene granos
homogneos, es decir, existe un solo tipo de red.
La solucin slida tiene una sola fase, est constituida por un tipo de cristales y posee una sola red
cristalina, adems, no existe una relacin rigurosamente determinada de sus componentes sino en
un intervalo de concentraciones. En la figura 8-11 se presenta una solucin slida.

Figura 8-11Solucin Slida.

En la solucin slida, uno de los componentes conserva su propia red cristalina disolvente - y el
otro componente en forma de tomos separados se distribuye en la red cristalina del primer
componente soluto-. Las soluciones slidas pueden ser por sustitucin e intersticiales (por
insercin). Independientemente del tipo las soluciones slidas son monofsicas.
8.9.1

Soluciones slidas por sustitucin

El componente A, mantiene su red cristalina, la disolucin del componente B en el metal A se


efectuar por sustitucin parcial de los tomos A por los B en la red del metal bsico. En la figura 812 se presenta una solucin slida por sustitucin.

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Figura 8-12Solucin slida por sustitucin.

Las soluciones slidas por sustitucin pueden ser limitadas e ilimitadas. Cuando la solucin slida
es total, cualquier cantidad de tomos del metal A puede ser sustituida por tomos del metal B
como se muestra en la figura 8-13

Figura 8-13Solucin slida por sustitucin.

Las condiciones que favorecen la formacin de estas soluciones son:

8.9.2

Los tomos del soluto y del solvente difieren en dimetro en no ms de 15%.


Las redes cristalinas del solvente y del soluto son similares.
Las sustancias deben tener una naturaleza electroqumica similar (estn cercanas entre s en
la tabla peridica); puesto que si uno es electropositivo y el otro e4s electronegativo,
tendern a formar compuestos qumico o nter metlico, no soluciones slidas.
En igualdad de condiciones, es ms probable que un metal de valencia menor disuelva a uno
de valencia mayor, y no al contrario. Se ha encontrado que esta regla es especialmente
vlida en el caso de las aleaciones cobre, plata y oro con metales de valencia mayor.
Soluciones slidas intersticiales (por insercin)

En este caso los tomos del soluto se sitan en los intersticios de la red cristalina del disolvente,
como se observa en la figura 8-14.

Figura 8-14Solucin slida intersticial.

Como en las soluciones slidas de este tipo los tomos del soluto deben insertarse en la red del
disolvente, se deben cumplir las siguientes condiciones:
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El dimetro del tomo de soluto no es mayor del 59%, del dimetro del tomo de
disolvente. (Elementos como H, N, C, O, B).
El elemento disolvente (solvente) es polivalente.
Las sustancias estn cercanas entre s en la tabla peridica.

8.10 Diagrama de estado de aleaciones para los casos de solubilidad ilimitada de


los componentes en estado slido
(Soluciones) (Ejemplo aleacin cobre-nquel).

Figura 8-15 Diagrama de fases de aleacin de Ni-Cu

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8.11 Diagrama de estado de las aleaciones para el caso de solubilidad limitada


de los componentes en estado slido
(Ejemplo aleacin plata-cobre).

Figura 8-16 Diagrama de fases para aleacin Cu - Ag.

8.12 Regla de las fases de Gibbs


La regla de las fases fue enunciada por WillardGibbs y tiene que ver con el nmero de variables que
es necesario especificar para fijar el estado termodinmico de un sistema. Las variables comunes
son la presin, la temperatura y la composicin. En un sistema en equilibrio, el nmero de variables
independientes, V, o grados de libertad, que se necesitan para fijar el estado termodinmico est
dado por la siguiente regla de las fases de Gibbs:
V = C- P+ 2
Donde: C es el nmero de componentes; P es el nmero de fases y el dos representa las variables
de presin y temperatura. Los lquidos y slidos son las fases que nos ocupan, son incompresibles a
presiones ordinarias y, por consiguiente, la presin es un factor insignificante en sus sistemas. Por lo
tanto, la regla de las fases se reduce a:
V = C - P + 1
Para lquidos y slidos, donde el 1 representa la variable de temperatura.

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En el caso de un componente puro: C = 1 y V = 1 - P + 1, cuando este componente se encuentra
en un estado de una sola fase, ya sea slida o lquida, P = 1, y encontramos que V = 1. Hay una
variable que es necesario especificar para definir el estado termodinmico del sistema, la
temperatura. Si hay dos fases en el sistema, como en la fusin parcial, entonces P = 2 y V = 0.
Este estado es lo que se conoce como un estado invariante (de variable cero). La nica temperatura
en la que un componente puro tiene fases slida y lquida en equilibrio simultneamente
corresponde al punto de fusin, que es una constante en todos los slidos cristalinos.
En las aleaciones binarias, C = 2 y V = 3 - P. En un estado de una sola fase, por debajo de la curva
de slidus o por encima de la curva de lquidus, V = 2, lo que significa que se debe especificar tanto
la composicin como la temperatura para indicar el estado termodinmico de la solucin slida de
una sola fase. Si existen dos fases, como en el intervalo de temperaturas TL - TS, entonces V = 1.
Esto significa que slo es necesario especificar una variable, ya sea la composicin o la temperatura,
para indicar el estado termodinmico. El cambio de una variable afecta a la otra.

8.13 Interpretacin de un diagrama de equilibrio


Un diagrama de equilibrio, pueden interpretarse con facilidad, siendo unas reglas simples, para
cualquier temperatura y composicin total de la aleacin.
Regla 1. Para determinar la fase o fases presentes, se debe encontrar la interseccin de la abscisa
(composicin) con la ordenada (temperatura). El punto encontrado, indica la zona del diagrama que
puede ser monofsica o tener varias fases. (Esto es, lquido, slido o lquido y slido).
Regla 2. Si la zona en la que se encuentra el punto tiene una sola fase, su composicin ser la
misma que la de la aleacin total.
Regla 3. Si el Estado se localiza en una zona donde se encuentran presentes dos fases, los
porcentajes de cada fase se determinan, trazando perpendiculares al eje de composicin desde la
interseccin de la ordenada (temperatura) con los lmites de la regin bifsica.
Las intersecciones de las perpendiculares con eje de composicin, indican las composiciones de las
fases presentes. La lnea que interseca a la lnea lquidus con la de temperatura, indica la
composicin de la fase slida. La composicin de la fase lquida se determina mediante la
perpendicular trazada desde la interseccin de la lnea slidus con la temperatura.
Regla de la Palanca Inversa. Grficamente se utiliza lo que se llama la regla de la palanca inversa.
Por ejemplo tomando el diagrama Cu-Ni una aleacin del 30% de Cu y 70% de Ni.

98

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1083C

Ni

Figura 8-17Diagrama de fases aplicando la regla inversa de palanca. Cu

I = 79
G = 70
H = 57
100

100
% =

% =

GH = 70 - 57 = 13
IH = 79 - 57 = 22
IG = 79 - 70 = 9
13 100
= 60
22
9 100
% =
= 40
22

% =

Regla 4. Las composiciones de las fases deben ser tales que su composicin sea la misma que la
total. Esta es la base para determinar el porcentaje de los componentes en cada fase presente. El
diagrama de estado, permite determinar la composicin de cada fase, as la fase slida, contendr a
% del componente A y (1 a) % del componente B.

8.14 Diagrama de equilibrio Hierro Carbono


Las aleaciones de hierro y carbono (aceros y fundiciones de hierro) son las aleaciones metlicas ms
importantes de la tcnica moderna. Por su volumen, la produccin de fundiciones de hierro y
aceros supera en ms de diez veces la produccin de todos los dems metales juntos. El diagrama
hierro carbono, da una idea de las estructuras de las aleaciones de hierro y carbono, es decir, de
los aceros y de las fundiciones. El diagrama hierro carbono, tiene mayor complejidad que los otros
diagramas hasta aqu estudiados, as; en l aparecen las aleaciones eutectoides y las eutcticas, que
difieren entre s, en ms de un aspecto importante. Las aleaciones eutcticas implican el cambio de

99

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una fase lquida a dos fases slidas, mientras que las aleaciones eutectoides se efectan totalmente
dentro del estado slido. La expresin general de la reaccin eutectoide es:
+ + calor
Donde : , y son fases slidas y a menudo , soluciones slidas.
La aleacin eutectoide ms importante es la que se produce en los aceros. Para poder entender el
diagrama Hierro Carbono es necesario comprender la reacciones eutcticas y las eutectoides, y
p0oder interpretarlo debidamente. Este es el ms importante de todos los diagramas de equilibrio
de las aleaciones metlicas.
En la figura 8.18 se indica un diagrama simplificado Hierro carbono, si se lo divide en dos partes
una superior a 927 C y la otra inferior a esta misma temperatura, se ve evidente que la primera
relaciona con una aleacin eutctica, y la segunda una relacin eutectoide (figura 8-19).

Figura 8-18 Diagrama de hierro carbono

100

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Figura 8-19 Diagrama Hierro Carbono dividido

Por otro lado el diagrama hierro carbono tambin presenta un compuesto qumico, lo que lo hace
ms complejo, por ello se estudia solamente hasta la formacin del Fe3C, esto no solo porque
simplifica el anlisis del diagrama, sino que adems est justificado por el hecho de que en la
prctica se emplean las aleaciones metlicas cuyo contenido de carbono no supera el 5%.
Por lo tanto, al estudiar el diagrama hierro-carbono en la zona que abarca desde el hierro hasta la
cementita, puede considerarse que los componentes del sistema son el hierro y la cementita. En
este caso, antes de pasar al anlisis del sistema conviene conocer las propiedades y la estructura de
sus componentes.
8.14.1 Componentes del diagrama Hierro Carbono
El hierro es un metal blando, de color blanco plateado. El hierro puro contiene 99.99% de Fe. Las
clases de hierro tcnico contienen 99.80-99.91% de Fe. La temperatura de fusin del hierro es
1539C. Hasta los 768C, el hierro es magntico. La temperatura de 768C a la cual el hierro pierde
sus propiedades magnticas, recibe el nombre de PUNTO CURIE.
El hierro tiene dos modificaciones alotrpicas: Fe alfa y Fe gama.
El hierro alfa existe a temperaturas inferiores a 911C y superiores a 1392C hasta 1539C. La
explicacin de esto debe buscarse en la variacin de la energa libre en dependencia de la
temperatura.
La energa libre del hierro alfa es menor que la energa libre del hierro gama a temperaturas
inferiores a 911C y superiores a 1392C. En el intervalo entre 911 y 1392C es menor la energa
libre del hierro gama. Por lo tanto durante el calentamiento del Fe, a 911C se produce la
transformacin de Fe - Fe, y a 1392C la transformacin de Fe - Fe. La modificacin de Fe de
alta temperatura (llamado a veces Fe no es una nueva forma alotrpica.
Las propiedades mecnicas del hierro se caracterizan por las siguientes magnitudes:
101

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Tensin de rotura (Rt) Kgf/mm2


Lmite de fluencia Kgf/mm2
Alargamiento %
Dureza HB

Hierro tcnico Hierro de gran pureza


25
20
12
10
50
60
80
70

Estos ndices pueden variar dentro de ciertos lmites, porque en las propiedades del hierro influyen
una serie de factores como el aumento del tamao de grano hace que disminuya la dureza.
El hierro forma soluciones con muchos elementos. Con los metales, soluciones por sustitucin; con
el carbono, nitrgeno, hidrgeno, soluciones por insercin.
Al estudiarse la formacin de soluciones de carbono en hierro, la solubilidad del carbono en el
hierro depende sensiblemente de la forma cristalogrfica en que se muestra el Fe. La solubilidad
del carbono en el hierro alfa es insignificante (menor que el 0,02%), y en el hierro gama es cien
veces mayor (hasta 2,14%).
En el otro eje vertical del diagrama hierro carbono, se representa la cementita (Fe3C carburo de
hierro), es un compuesto qumico cuya temperatura es 1600C.
8.14.2 Constituyentes monofsicos
8.14.2.1 Ferrita
Es una solucin slida de carbono en el hierro alfa Fe (C). La solubilidad mxima de carbono en la
ferrita es aproximadamente de 0,008% de C a 20C y 0,03% de C a 723C. Su red cristalina es cbica
de cuerpo centrada. La ferrita es una solucin slida intersticial, los tomos de carbono se disponen
en los intersticios de la red de Fe. La ferrita es magntica y muy plstica. La dureza es HB 80 100,
resistencia a la traccin (Rt) = 32Kgf/mm2. La figura 8-20 se muestra una metalografa de la ferrita.

Figura 8-20Metalografa de la ferrita.

8.14.2.2 Austenita

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Es una solucin slida de carbono en el hierro gama que se designa por Fe (C). La solubilidad
mxima de carbono en la austenita es 2,14% a 1147C y 0,8 de C a 723C. La red cristalina es CCC.
La austenita es una solucin slida intersticial no magntica. Esta fase se encuentra slo a altas
temperaturas y la temperatura 723C. es el lmite inferior de la existencia estable de la austenita en
las aleaciones hierro carbono. La dureza es HB 180- 200; Rt = 68 kgf/mm2. La figura 8-21 se
muestra una metalografa de la austenita.

Figura 8-21Metalografa de la austenita.

8.14.2.3 Cementita
Es un compuesto qumico de hierro en carbono (Fe3C). La cementita tiene una red cristalina
compleja (rmbica) y una dureza muy alta, HB 650 800, es bastante frgil. Su temperatura de
fusin es 1600C. La cementita no es estable y en condiciones determinadas (mediante una rpida
transformacin martenstica en el temple) se desintegra desprendiendo carbono libre en forma de
grafito: Fe3C 3Fe + C. La figura 8-22 se muestra la metalografa de la cementita.

Figura 8-22Metalografa de la cementita.

8.14.2.4 Grafito

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Es el carbono libre, blando (HB 3) y posee una baja resistencia. En las fundiciones de hierro y el
acero grafitizado se halla en inclusiones de diversas formas (laminar, globular, nodular, etc.). Al
variar la forma de las inclusiones de grafito, cambian las propiedades mecnicas y tecnolgicas.
8.14.3 Estructuras bifsicas
8.14.3.1 Perlita
Es una mezcla mecnica (Eutectoide, es decir, semejante a la eutctica, pero formada desde una
fase slida) de la ferrita y cementita, conteniendo el 0,8% de C. La perlita puede ser laminar HB 300,
Rt=105 Kgf/mm, o tambin globular HB 140, Rt=114 Kgf/mm2, lo que depende de la forma de la
cementita (laminar o globular). La figura 8-23 se muestra la metalografa de la perlita.

Figura 8-23 Metalografa de la perlita.

8.14.3.2 Ledeburita
Es una mezcla mecnica (Eutctica) de austenita y cementita, a temperatura superior a 723C, que
contiene un 4,3% de C. Laledeburita se forma durante la solidificacin de la masa fundida a 1147C.
Bajo los 723C la austenita se transformar en perlita y entonces la estructura de la ledeburita ser:
perlita ms cementita (una mezcla mecnica). La dureza de la ledeburita es: HB 600-700 y es muy
frgil. La figura 8.24 se muestra la metalografa de la ledeburita.

Figura 8-24 Metalografa de la ledeburita.

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8.14.4 Clasificacin de las aleaciones Hierro Carbono
Segn el contenido de carbono las aleaciones hierro carbono se dividen en aceros y fundiciones de
hierro.
1. Llmense aceros a las aleaciones hierro carbono en las que el contenido de carbono no supera
el 2,14% de C. Los aceros que contienen menos de 0,8% de C se denominan hipoeutectoides;
con 0,8% de C, eutectoides, y ms de 0,8% de C, hipereutectoides.
2. Llmense fundiciones de hierro las aleaciones de hierro carbono cuyo contenido en carbono es
superior a 2,14% de C e inferior a 6,67% de C, las fundiciones de hierro que contienen menos de
4,3% de C, reciben el nombre de hipoeutcticas; con 4,3% de C, es la aleacin Eutctica, y con
ms de 4,3% y menos de 6,67% de C, hipereutcticas.

8.15 Diagrama Tiempo-Temperatura-Transformacin (TTT)


La reaccin eutectoide de estado slido es ms bien lenta y el acero puede enfriarse por debajo de
la temperatura eutectoide de equilibrio antes de que se inicie la transformacin. La temperatura
como se estudi, afecta a la finura de la estructura, el tiempo requerido para la transformacin e
incluso el ordenamiento de las dos fases. Toda la informacin que se ha escrito se presenta en el
diagrama TTT (tiempo temperatura transformacin) o denominado diagrama de transformacin
isotrmica o curva C, el cual permitir predecir la estructura, las propiedades y el tratamiento
requerido para un acero de determinadas caractersticas. La figura 8-25 se presenta un diagrama
TTT para un acero eutectoide.

Figura 8-25Diagrama TTT para un acero eutectoide.

Dentro de este diagrama pueden observarse tres zonas que se detallan a continuacin:
1. Nucleacin y crecimiento de la perlita.
2. Nucleacin y crecimiento de la vainita.
3. Reaccin martenstica.

8.16 Nucleacin y crecimiento de la perlita

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Si se templa justo por debajo de la temperatura eutectoide, la austenita se sub enfra un poco, por lo
que se requerirn tiempos prolongados antes que se formen ncleos estables para la ferrita y
cementita. La nucleacin no se inicia sino hasta que est cerca del tiempo de inicio de la perlita (P i)
luego de que la perlita empieza a crecer, los tomos se difunden rpidamente y se produce perlita
gruesa y la transformacin se completa al tiempo final de la perlita (Pf). Si la austenita se templa a
una temperatura menor, esta estar sumamente sub enfriada, por lo que la nucleacin ocurre ms
rpido y Pi ocurre en menor tiempo, pero la difusin se hace ms lenta consecuencia de que la
difusin de los tomos se hace en distancias cortas produciendo una perlita ms fina. Se forma
perlita ms fina en tiempos ms cortos conforme se reduce la temperatura de transformacin
isotrmica a unos 550C lo cual determina la saliente o vrtice de la curva TTT.

8.17 Nucleacin y crecimiento de la vainita


A una temperatura por debajo de la saliente del diagrama TTT, la nucleacin ocurre rpidamente
pero la difusin es lenta, lo cual no se detecta transformacin sino hasta tiempos mayores y los
tiempos de transformacin total se incrementan debido al crecimiento muy lento, produciendo una
microestructura diferente. A temperaturas bajas de transformacin, las laminillas en la perlita
tienen que ser muy delgadas por lo que el rea lmite entre la ferrita y las laminillas de cementita
ser muy grande. La gran energa asociada con la interfase ferrita cementita, la energa total del
acero tendra que ser muy alta. El acero puede reducir su energa interna permitiendo que la
cementita precipite en partculas redondas en una matriz de ferrita, este arreglo se lo denomina
Bainita, y su transformacin inicia en el tiempo de inicio de bainita Bi y termina en el tiempo final de
vainita Bf. Los tiempos requeridos para que la austenita inicie y termine su transformacin a bainita
se incrementan y la bainita se vuelve ms fina conforme la temperatura de transformacin
contina decreciendo. Bainita que se forma por debajo de la saliente de la curva TTT se denomina
bainita gruesa, superior o tipo pluma, mientras que la bainita formada a temperaturas ms bajas se
la llama bainita fina, inferior o acicular. En la figura 8-26 se presenta las estructuras de bainita.

Figura 8-26Estructura de la bainita a) superior y b) inferior.

8.18 Reaccin martenstica


La martensita es una fase que se forma como resultado de una transformacin de estado slido sin
difusin. Debido a que esta reaccin no depende de la difusin, se dice que esta reaccin es
atrmica (reaccin que depende solo de la temperatura y no del tiempo) esta reaccin ocurre
rpidamente a velocidades cercanas a la del sonido en el material. La martensita est altamente
sobresaturada con carbono ya que contiene toda la cantidad de carbono que est presente en el
acero. Tiene un tamao de grano fino y una sub estructura an ms fina dentro de los granos,
107

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consecuencia de esto es que la martensita posee mnima o escasa ductilidad y resulta tan dura que
solo podr cortarse con herramientas especiales. Si el contenido de carbono es bajo, la martensita
crece en forma de cintas como haces de placas delgadas y planos que crecen lado a lado, resultado
es que esta martensita no es muy dura. La martensita ms dura es aquella con estructuras de placas
con mayor contenido de carbono. En la figura 8-27 se presenta las estructuras de la martensita.

Figura 8-27 Estructura de la martensita a) menor contenido de carbono y b) mayor contenido de carbono.

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Unidad V Difusin en slidos


9 Difusin en slidos
9.1 Introduccin
La difusin es el movimiento de los tomos en un material. Los tomos se mueven de una manera
predecible, tratando de eliminar diferencias de concentracin y de producir una composicin
homognea y uniforme. El movimiento de los tomos es necesario para muchos de los tratamientos
que se realizan sobre los materiales. Es necesaria la difusin para el tratamiento trmico de los
metales, la manufactura de los cermicos, la solidificacin de los materiales, la fabricacin de los
transistores y celdas solares y la conductividad elctrica de muchos cermicos. Si se comprende
como se transfiere la masa mediante la difusin, se pueden disear tcnicas de procesamiento de
materiales, dispositivos a prueba de fugas, e incluso equipos de purificacin.
La difusin es un proceso de transporte de masa que implica el movimiento de tomos de zonas
donde hay exceso de estos a otras zonas donde hay insuficiencia de los mismos, por efecto del
aumento de la temperatura (variacin de la energa).
En su forma ms simple, sucede por saltos atmicos aleatorios, de una a otra posicin, y se efecta
en los estados gaseoso, lquido y slido, en todo tipo de materiales. Un ejemplo de difusin en el
estado gaseoso se tiene al destapar un frasco de perfume en una habitacin, al cabo de un tiempo,
se puede detectar la fragancia en toda la habitacin, en este caso las molculas de perfume han sido
transportadas, por la conveccin del aire. En el estado lquido, al colocar una gota de tinta en un
vaso de agua en reposo, la tinta se mueve (se difunde) a travs del agua. De igual forma, si se coloca
una capa de tomos de carbono, sobre la superficie de una placa de hierro a alta temperatura, los
tomos de carbono migran, o se difunden, al interior de la placa. Como la difusin implica saltos de
tomos, es ms rpida a mayor temperatura, por la mayor energa trmica contenida en los
tomos. Tambin depende lo abierta que sea la estructura cristalina del material, generalmente es
ms rpida en el estado gaseoso, y ms lenta en el estado slido. A pesar de ser ms lenta en el
estado slido, tiene consecuencias prcticas extremadamente importantes para los materiales de
ingeniera.

9.2 Mecanismos de difusin


Incluso en materiales slidos absolutamente puros, los tomos se mueven de una posicin en la red
a otra. Este proceso, que se conoce como autodifusin, puede detectarse utilizando trazadores
radioactivos. Suponga que se introduce un istopo radioactivo del oro (Au198) en la superficie de oro
normal (Au197). Despus de un perodo, los tomos radioactivos se habrn movido hacia el interior
del oro normal y, finalmente, los tomos radioactivos se habrn distribuido de manera uniforme en
toda la muestra de oro. Aunque la autodifusin ocurre de manera continua en todos los materiales,
su efecto en el comportamiento del material no es importante.
Tambin ocurre la difusin de tomos distintos en los materiales (Figura 9-1). Si se suelda una
lmina de nquel a una lmina de cobre, los tomos de nquel gradualmente se difunden en el cobre
y los de cobre emigran hacia el nquel. De nuevo, al transcurrir el tiempo los tomos de nquel y
cobre quedarn uniformemente distribuidos.

109

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Figura 9-1 Difusin de tomos cobre en el nquel


Finalmente, los tomos de cobre quedarn distribuidos aleatoriamente en todo el nquel.

Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los tomos.
1. Difusin por vacancias.
2. Difusin intersticial.
9.2.1

Difusin por vacancias

En la autodifusin y en la difusin de los tomos sustitucionales, un tomo abandona su sitio en la


red para llenar una vacancia cercana (creando as una nueva vacancia en su lugar original en la red).
Conforme contina la difusin, se tiene un flujo de vacancias y tomos en sentidos opuestos
conocido como difusin por vacancias. El nmero de vacancias, que se incrementa al aumentar la
temperatura, ayuda a determinar la extensin tanto de la autodifusin como de la difusin de los
tomos Sustitucionales (Figura 9-2).

Figura 9-2 Difusin de tomos por vacancias o por tomos sustitucionales.

9.2.2

Difusin intersticial

Cuando en la estructura cristalina est presente un pequeo tomo intersticial, este pasar de un
sitio intersticial a otro. Para este mecanismo no es necesario que existan vacancias. En parte porque
el nmero de sitios intersticiales es mucho mayor que el de vacancias, por tanto, se espera que la
difusin intersticial sea ms rpida (Figura 9-3).
110

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Figura 9-3 Difusin intersticial

9.3 Energa de activacin para la difusin


Un tomo que se difunde debe oprimir a los tomos circundantes para llegar a su nuevo sitio. Para
que esto ocurra, deber proporcionarle energa a fin de que llegue a su nueva posicin como se ve
de una manera esquemtica en la difusin por vacancias e intersticiales en la figura 9-4.

Figura 9-4 Energa de difusin.


Se requiere de una energa alta para hacer pasar los tomos entre otros durante la difusin. Esta energa es la energa de
activacin Q. En general, se requiere de ms energa en el caso de un tomo sustitucional que en un tomo intersticial.

El tomo originalmente est en una ubicacin de baja energa y relativamente estable. A fin de
pasar a un nuevo sitio, el tomo debe vencer una barrera energtica. La barrera energtica es la
energa de activacin Q. El calor le proporciona al tomo la energa que requiere para vencer esta
barrera. Normalmente se requiere menos energa para hacer pasar un tomo intersticial entre los
tomos circundantes, en consecuencia, en la difusin intersticial las energas de activacin son
menores que en la difusin por vacancias. En la tabla 9-1 se muestran valores tpicos de energas de
activacin; una cifra baja indica una fcil difusin.

111

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Tabla 9-1 Datos de difusin para materiales seleccionados


De diversas fuentes incluyendo Y. Adda y J Philibert, Les diffusiondans les Solides, Vol 2, 1996

9.4 Velocidad de difusin (Primera de Ley de Fick)


La velocidad a la cual se difunden los tomos en un material se puede medir mediante el flujo J, que
se define como el nmero de tomos que pasa a travs de un plano de superficie unitaria por unidad
de tiempo (figura 9-5). La primera ley de Fick determina el flujo neto de tomos:

Donde J es el flujo (tomos/cm2.s), D es la difusividad o coeficiente de difusin (cm2/s), y es el


gradiente de concentracin (tomos/cm2.cm). Durante la difusin varios factores afectan el flujo
de los tomos. c /x

112

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Figura 9-5 Flujo durante la difusin


El flujo durante la difusin queda definido como el nmero de tomos
que pasa a travs de un plano de rea unitaria por unidad de tiempo

9.4.1

Gradiente de concentracin

El gradiente de concentracin muestra la forma en que la composicin del material vara con la
distancia; c es la diferencia en concentracin a lo largo de una distancia x (figura 9-6).

Figura 9-6 Gradiente de concentracin

El gradiente de concentracin puede crearse al poner en contacto dos materiales de composiciones


distintas cuando un gas o un lquido entran en contacto con un material slido, cuando se producen
estructuras fuera de equilibrio en un material debido al procesamiento y por toda una serie de otras
causas.
El flujo a una temperatura en particular es constante slo si tambin es constante el gradiente de
concentracin, esto es, las composiciones a cada lado del plano de la fig. 9-5 se conserva sin
modificaciones. En muchos casos prcticos, sin embargo, estas composiciones varan al irse
redistribuyendo los tomos, por lo que tambin el flujo cambia. A menudo se encuentra que el flujo
es inicialmente alto y despus se reduce gradualmente, conforme disminuye el gradiente de
concentracin por difusin.

113

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9.4.2

Coeficiente de difusin y la temperatura

El coeficiente de difusin D est relacionado con la temperatura a travs de una ecuacin de


Arrhenius:

D = D0exp ( )
Donde Q es la energa de activacin (cal/mol), R es la constante de los gases (1,987 cal/mol K) y T es
la temperatura absoluta (K). D0, es una constante para un sistema de difusin dado. Los valores
tpicos de D0 se indican en la tabla 9-1, en tanto que la dependencia de D con la temperatura para
varios metales se ilustra en la figura 9-7.

Figura 9-7 Coeficiente de difusin


Coeficiente de difusin D en funcin del reciproco de la temperatura para varios metales y materiales cermicos. En esta
grfica de Arrhenius. D representa la rapidez del proceso de difusin. Una pendiente pronunciada significa una energa de
activacin elevada.

Cuando se incrementa la temperatura de un material, tambin se incrementa el coeficiente de


difusin y el flujo de tomos. A temperaturas ms altas, la energa trmica suministrada a los
tomos en difusin permite que estos venzan la barrera de energa de activacin y se muevan con
mayor facilidad a nuevos sitios en la red. A bajas temperaturas, frecuentemente por debajo de
aproximadamente 0,4 veces la temperatura de fusin absoluta del material, la difusin es muy baja
y puede no ser significativa. Por esta razn, el tratamiento trmico de metales y el procesamiento

114

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de cermicos se efecta a altas temperaturas; as los tomos se mueven rpidamente para
completar reacciones o para llegar a condiciones de equilibrio.

9.5 Segunda Ley de Fick


Recordando que en la primera ley de Fick se parte del suponer que el gradiente de concentracin es
independiente del tiempo. Sin embargo, durante muchos procesos de difusin prcticos, la
concentracin de los tomos que se difunden en el interior del slido anfitrin cambia con el paso
del tiempo, en determinado lugar. Por consiguiente se requiere ampliar el modelo matemtico para
tomar en cuenta los cambios de concentracin en funcin del tiempo.

Figura 9-8Diferencial de volumen para el estudio de la Segunda ley de Fick.

La rapidez con la que vara la concentracin de los tomos que se difunden en funcin del tiempo y
la posicin, se puede deducir aplicando la primera ley de Fick. Considerando la geometra de la
figura, que representa una porcin delgada de materia de grosor dx y rea dA, la rapidez de cambio
de la cantidad de tomos en la figura es igual a la rapidez con la que entran los tomos a ella menos
la rapidez con que los tomos salen de ella. Como la concentracin es slo un nmero dividido entre
el volumen, y el flujo es la rapidez dividida entre el rea, la ecuacin se puede escribir como sigue:

V ( J ent J sal )dA


t
Sustituyendo dV = dA . dx y reordenando, se obtiene:

J
C ( J ent J sal )

x
t
t
Sustituyendo la ecuacin del flujo obtenida en la primera ley de Fick, se obtiene:
Donde C es una funcin de la posicin y del tiempo, es decir, C (x, t).

115

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9.5.1

Aplicaciones de la segunda ley de Fick en los procesos

Aqu lo que vamos a determinar son las soluciones de sta ley para los distintos proceso que se
producen en el mbito de los materiales. Estos son: Homogeneizacin de fundiciones, carburacin y
descarburacin de aceros y el dopado de silicio, para producir circuitos integrados.
9.5.1.1

Homogenizacin

Como ya se ha comentado anteriormente en el proceso de solidificacin se producen segregacin


del soluto hacia el lquido, lo que crea heterogeneidades en la pieza, ya que se producen zonas de
alta y baja concentracin en soluto, estando la concentracin verdadera o media entre stos
extremos. El modelo que representa esta variacin de composicin es el que aparece en la figura 6,

y queda representado por medio de la funcin peridica siguiente: c(x) = c0 + cmcos ( ); donde co,
es la concentracin media, cm, es la amplitud de la funcin de concentracin fluctuante y c(x) es la
concentracin del soluto en el punto x en la direccin x. La funcin coseno peridica se repite cada x
= (2L)n, siendo n un nmero entero y 2L el periodo. L es la diferencia entre la concentracin mxima
y la mnima.
Pues bien la solucin a la segunda ley de Fick para este caso, suponiendo constante D es:
c(x,t) = co + cm . cos(

) exp (

La diferencia de concentracin en estos casos se puede definir como: c co exp ( ), donde es


L2 /2 D, y se denomina tiempo de relajacin.
El objetivo de la homogeneizacin es que sta se lleve a cabo en el menor tiempo posible, por lo que
para que esto se produzca, hay que mantener el coeficiente de difusin lo ms alto posible y que L
sea lo menor posible, ya que para que el trmino cc0 tienda a cero, tiene que ser lo ms pequea
posible. Se consigue disminuir L aumentando el nmero de ncleos mediante un enfriamiento ms
rpido.
9.5.1.2

Procesos de cementacin y nitruracin

Estos son dos tipos de procesos de tratamiento trmoqumicos del acero, y que se llevan a cabo
para obtener una superficie saturada con tomos de carbono o nquel, que luego del templado se
endurece, lo que otorga mayor resistencia al desgaste, conservando un ncleo tenaz. Todos los
engranajes de acero de maquinarias estn tratados por stos procesos. Adems la carburacin
tambin sirve para corregir el contenido de carbono de la superficie de los aceros trabajados en
caliente o descarburizados, ya que la descarburizacin produce el fallo de los materiales por
desgaste o fatiga si sta no se corrige.
El proceso cosiste en colocar un acero de bajo contenido en carbono (<0.2%), en una atmsfera con
alta concentracin de carbono o nitrgeno.
Normalmente lo que se desea es un contenido de carbono o nitrgeno determinado a cierta
profundidad respecto a la superficie, denominndose a esta zona capa saturada y a su profundidad,
profundidad de capa. Debido a que se produce un cambio de la concentracin superficial con el
tiempo, el gradiente de concentraciones cambia con el tiempo, pero adems como D es funcin del
carbono y ste cambia con el tiempo. Por todo ello para poder dar solucin a la ecuacin de la
segunda ley de Fick, tenemos que tomar unas condiciones lmites, que son las siguientes:

116

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donde cx, es la concentracin de carbono a una distancia x de la superficie despus de un tiempo t.


Durante el proceso, se considera cs como la solubilidad mxima de carbono o de nitrgeno en
hierro a la temperatura de carburacin o nitruracin. Y co, es la concentracin inicial. Para encontrar
las soluciones a la ecuacin dada, se utiliza la Tabla 9-2 y la figura 9-9:

Tabla 9-2 Funcin de error correspondiente a la segunda ley de Fick

Figura 9-9 Difusin de tomos en la superficie de un material, ilustrando el uso de la segunda ley de Fick

9.5.1.3

Crecimiento de grano

Un material compuesto por un gran nmero de granos tiene muchos bordes de grano, que
representan reas de alta energa, debido a una ineficiente compactacin de los tomos. Si se
reduce el rea total de bordes de grano mediante el crecimiento de los mismos, se tendr en el
material una energa general inferior. El crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los
bordes de grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de otros. En este caso los tomos
se difunden a travs de los bordes de grano (figura 5-10) y, en consecuencia el crecimiento de los
granos est relacionado con la energa de activacin necesaria para que un tomo salte a travs del
borde de grano. Altas temperaturas o bajas energas de activacin incrementarn el tamao de los
granos. Muchos de los tratamientos trmicos de los metales, que implican mantener el metal a una
temperatura alta, deben controlarse cuidadosamente, a fin de evitar un crecimiento excesivo de los
granos.

117

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Figura 9-10 Crecimiento del grano


El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos se difundan a travs del borde de un grano a otro

9.5.1.4 Soldadura por difusin


La soldadura por difusin es un mtodo para unir materiales, se efecta en tres pasos (Figura 5-11).
El primero se realiza mediante presin, deformndolas, obligando a las dos superficies a unirse,
fragmentando impurezas, y produciendo una gran rea de contacto tomo tomo. Mientras las
superficies se mantienen en compresin y a temperatura elevada, los tomos se difunden a lo largo
de los bordes de grano hacia las vacancias restantes; Los tomos se concentran y se reduce el
tamao de las vacancias en la interfase. Dado que la difusin en los bordes de grano sucede
rpidamente, el segundo paso se da en corto tiempo. Finalmente el crecimiento de grano aleja los
huecos remanentes de las fronteras de grano. Para el tercer paso, es decir, para la eliminacin
completa de los huecos deber ocurrir la difusin volumtrica, misma que es relativamente lenta.

Figura 9-11 Pasos de la soldadura por difusin


(a) Inicialmente el rea de contacto es muy pequea; (b) la aplicacin de presin deforma la superficie, incrementando el
rea de unin; (c) la difusin por bordes de grano da como resultado la contraccin de los huecos y (d) la eliminacin final
de los huecos requiere de la difusin volumtrica.

A menudo el proceso de soldadura por difusin es utilizado para unir materiales reactivos como el
titanio, para unir metales y materiales distintos y para unir cermicos.
9.5.1.5

Sinterizacin

Un cierto nmero de materiales se manufacturan en forma tiles mediante un proceso que requiere
la consolidacin de pequeas partculas en una masa slida. La sinterizacin es un tratamiento a
alta temperatura y altas presiones, que hace que las partculas se unan y de manera gradual se
reduzca el volumen del espacio de los poros entre las mismas. La sinterizacin es un paso frecuente
en la fabricacin de componentes cermicos, as en la produccin de componentes metlicos
mediante la metalurgia de polvos. Una diversidad de materiales compuestos se produce utilizando
esta misma tcnica.

118

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Cuando polvo de un material se compacta para obtener una preforma, las partculas de polvo entran
en contacto en muchos puntos aunque con una cantidad significativa de poros entre ellas. A fin de
reducir la energa superficial existente en las partculas, los tomos se difunden hacia los puntos de
contacto, permitiendo que las partculas queden unidas y finalmente haciendo que los poros se
contraigan. Si el sinterizado se efecta durante un tiempo prolongado, pueden eliminarse los poros
y el material se hace denso (figura 9-12). La velocidad de la sintonizacin depende de la
temperatura, de la energa de activacin y el coeficiente de difusin, as como del tamao original
de las partculas.

Figura 9-12 Procesos de difusin durante el sinterizado y la metalurgia de polvos.


Los tomos se difunden hacia los puntos de contacto, creando puentes
y reduciendo el tamao de los poros.

119

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10 Anexos
10.1 Programa de la asignatura
CIENCIA DE MATERIALES I
Objetivos:
Conceptuales.
Se pretende que el alumno tras cursar esta asignatura conozca:

La relacin entre la estructura de los materiales y las propiedades mecnicas que de ella se
derivan, as como los posibles tratamientos y tcnicas de modificacin micro estructural.
Las principales propiedades de los materiales de ingeniera.
Los mtodos, procedimientos y equipos que permiten la caracterizacin mecnica de los
materiales.
Diferentes criterios de rotura segn la mecnica de la fractura.

Procedimentales.
Se pretende que el alumno, tras cursar esta asignatura sea capaz de:

Realizar la seleccin ms adecuada de los materiales en aplicaciones estructurales, segn el


requerimiento conjunto de los siguientes parmetros: condicin de servicio rendimiento
impacto medioambiental coste.
Discernir procedimientos adecuados para la realizacin de ensayos de materiales, para la
determinacin de sus caractersticas, inspeccin de calidad, etc.
Disear y calcular elementos estructurales con presencia de defectos o grietas, mediante
uso de mtodos de Mecnica de la Fractura, como alternativa o complemento a la
metodologa aplicada en el clculo convencional de materiales dctiles y frgiles.

Actitudinales.
Se espera que la asignatura ayude al alumno a:

Desarrolle rigor cientfico y metodologa experimental en el planteamiento y resolucin de


problemas relacionados con la tecnologa de materiales.
Adoptar una mecnica de trabajo en el laboratorio precisa, eficaz y segura.
Adiestrar en el tratamiento numrico de datos en bruto, con el fin de obtener datos precisos
y lo ms exactos posibles.
Estimule su disposicin para el trabajo en equipo, caracterstico del entorno profesional
actual e imprescindible para la resolucin de problemas en Ciencia de Materiales, por su
carcter interdisciplinar

PROGRAMA RESUMIDO:
1.
2.
3.
4.

VISION DE LOS MATERIALES


ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFORMACIONES Y RECRISTALIZACION
DIAGRAMAS Y TRANSFORMACIONES

120

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PROGRAMA DETALLADO:
Unidad 1
VISION DE LOS MATERIALES
OBJETIVO.
Diferenciar los enlaces interatmicos considerando los efectos en la ductilidad de los Materiales.
1.
ENLACES: - ATOMICO
- IONICO
- COVALENTE
- METALICO
-VAN DER WAALS.
Unidad 2.
ESTRUCTURAS CRISTALINAS: Redes y Defectos.
OBJETIVO.
Representar las diferentes estructuras cristalinas y sus imperfecciones con grficos y modelos
ideales.
2.1
Redes Cristalinas:
- Redes Bravais
- Redes Metlicas
- Redes Polimricas
2.1
ndices de Miller
- Planos y Direcciones Cristalogrficas
- Distancias Interplanares
2.3
Defectos en la Estructura Cristalina
Puntuales: Vacancias, Intersticiales y Sustitucionales
- Lineales: Dislocaciones de Borde y de Hlice
- Superficiales: Borde de Grano
- Volumtricos: Maclaje
Unidad 3.
DEFORMACION Y RECRISTALIZACION
OBJETIVO.
Relacionar la deformacin plstica y la restauracin con las propiedades mecnicas mediante el
conocimiento de los mecanismos de deformacin y reordenamiento.
3.1.
3.2

3.3

Mecanismos de Deformacin
Interaccin de Dislocaciones
Recocido.
Endurecimiento por deformacin. Dislocaciones de borde y Hlice.
Desplazamiento de dislocaciones por deformacin: Formacin de Fuentes de Frank
Read. Interaccin de Dislocaciones. Lmite de grano como sumidero.
Recristalizacin. Trabajos en fro. Porcentaje de Deformacin. Alivio de tensiones.
Cristalizacin. Crecimiento de Grano. Temperatura. Tiempo. Tamao de grano final.
Unidad 4.
DIAGRAMAS Y TRANSFORMACIONES

OBJETIVO.
121

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Interpretar los diagramas dentro y fuera de equilibrio identificando las transformaciones de fase.
4.1Soluciones slidas. Diagramas con solubilidad total y parcial.
Reglas de las fases de Gibbs. Regla de la palanca. Solubilidad.
Nucleacin crecimiento. Diagrama con Eutctico. Cambios de
Fase producidos. Diagramas con otras invariantes. Diagrama Fe - C; Cu - Al; Cu Zn.
Transformaciones fuera de Equilibrio.
4.2
Transformaciones fuera de equilibrio.
. Transformaciones con difusin.
. Transformaciones sin difusin.
.
Diagrama TTT tratamiento trmico del acero.
.
Diagrama C.C.
.
Usos prcticos.
Unidad 5
DIFUSION
OBJETIVO.
Relacionar los mecanismos de difusin con fenmenos de endurecimiento por precipitacin, y con
la termoqumica.
5.1 Primera y Segunda Ley de Fick.
5.2 Endurecimiento por precipitacin.
5.3 Cementacin. Nitruracin.
5.4 Usos prcticos.
BIBLIOGRAFIA

J. SHAFFER, A. SAXENA Y otros. Ciencia y Diseo de Ingeniera de los Materiales. Compaa


Editorial Continental. Mxico 2000.
L. MANGONON y P. FASN. Ciencia de los Materiales. Seleccin y Diseo. Pearson Educacin.
Mxico. 2001.
J. SHACKELFORD. Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice- Hall Hispanoamericana S.
A. Mexico.1995.
D. ASKELAND. La Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Grupo Editorial Iberoamericana.
Mxico. 1987.
W. SMITH. Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de los Materiales. Tercera Edicin. Mc.
Graw Hill. Espaa. 1999.
W. HAYDEN, G. MOFFATT y J. WULFF. Ciencia de los Materiales. T1 y T3. Limusa. Mxico.
1991.
V JOHN. Ingeniera de los Materiales. Addison Wesley Iberoamericana. Mxico. 1994.
R. FLIN y P. TROJAN. Materiales de Ingeniera y Aplicaciones. Tercera Edicin.
L. VAN VLACK. Elementos de la Ciencia de Materiales.
Z. JASTRZEBSKI. Naturaleza y Propiedades de los Materiales para Ingeniera.
A. GUY. Fundamentos de la Ciencia de los Materiales.
YU. KOZLOV. Ciencia de los Materiales.
A. GILIAEV. Metalografa y Tratamientos Trmicos. V1 y V2.

122

Facultad de Ingeniera Mecnica Ciencia de Materiales I

11 ndice de figuras
Figura 1-1 Tetraedro de los materiales de ingeniera............................................................................. 2
Figura 2-1 Esquema modelo de Thomson ........................................................................................... 14
Figura 2-2 Modelo de Rutherford......................................................................................................... 14
Figura 2-3 Modelo de Bohr ................................................................................................................... 15
Figura 2-4 rbitas de Sommerfeld en base a los nmeros cunticos ................................................. 19
Figura 2-5 Forma para ordenar la configuracin electrnica............................................................... 21
Figura 2-6 Smbolos empleados en la configuracin electrnica. ....................................................... 21
Figura 3-1 Energa en el enlace ............................................................................................................. 23
Figura 3-2 Variacin de la electronegatividad en la tabla peridica. ................................................... 24
Figura 3-3 Carcter inico vs Diferencia de electronegatividades. ..................................................... 25
Figura 3-4 Enlace inico entre los tomos de cloro y sodio. La transferencia de electrones de Na
hasta Cl genera un catin (Na+) y un anin (Cl-). El enlace inico se debe a la atraccin coulmbica
entre los iones de carga opuesta. ......................................................................................................... 27
Figura 3-5 Enlace no polar .................................................................................................................... 29
Figura 3-6 Enlace Polar ......................................................................................................................... 30
Figura 3-7 El enlace metlico se compone de centros inicos positivos inmersos en un mar o nube de
electrones. ............................................................................................................................................ 31
Figura 3-8 tomos neutros que pueden desarrollar una fuerza dbil de enlace. ................................ 33
Figura 3-9 Diferentes estados de agregacin. ..................................................................................... 33
Figura 3-10 Formacin de los enlaces puente hidrgenos................................................................... 34
Figura 3-11 Enlaces de Van Der Waals entre molculas de polmeros. ............................................... 34
Figura 3-12 a) representa la curva de fuerza de enlace (indica la separacin de los tomos x 0), La
pendiente de la fuerza total Ftes aproximadamente lineal en la cercana de x0 .La fig. b, representa
la curva de energa de enlace para el NaCl en el que se muestra la separacin de equilibrio x0. ...... 35
Figura 3-13 Relacin entre la energa de enlace y el coeficiente de dilatacin trmica ...................... 37
Figura 4-1 Tamao de hierro y carbono ............................................................................................... 38
Figura 4-2 tomos entrelazados .......................................................................................................... 38
Figura 4-3 Estructura cristalina............................................................................................................. 39
Figura 4-4 Estructura cristalina con sus redes cristalinas .................................................................... 39
Figura 4-5 Estructura CS ....................................................................................................................... 41
Figura 4-6 Estructura CS....................................................................................................................... 41
Figura 4-7 Estructura FCC ..................................................................................................................... 42
Figura 4-8 Estructura HCP .................................................................................................................... 42
Figura 4-9 Nmero de coordinacin para estructura CS. .................................................................... 42
Figura 4-10 Nmero de coordinacin para estructura BCC. ................................................................ 42
Figura 4-11 Nmero de coordinacin para estructura FCC. ................................................................ 42
Figura 4-12 Nmero de coordinacin para estructura HCP. ................................................................ 43
Figura 4-13 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura CS. ........................ 43
Figura 4-14 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura BCC. ..................... 43
Figura 4-15 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura FCC. ...................... 43
Figura 4-16 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura HCP. ..................... 44
Figura 4-17 Coordenadas de puntos para los ndices de Miller ............................................................ 45
Figura 4-18 Ubicacin de un punto en base a un origen de coordenadas ........................................... 45
Figura 4-19 Plano para obtener los ndices de Miller ........................................................................... 46
Figura 4-20 Estructura HCP .................................................................................................................. 47
Figura 4-21 Direcciones en la estructura HCP ...................................................................................... 48
Figura 4-22 Intersticios para la estructura FCC a) octadrica y b) tetradrica .................................... 49
Figura 4-23 Intersticios para la estructura BCC c) octadrica y d) tetradrica. ................................... 49
Figura 4-24 Intersticios para la estructura HCP e) octadrica y f) tetradrica. ................................... 50
123

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Figura 4-25 Estructura del Cloruro de Cesio ........................................................................................ 51
Figura 4-26 Estructura del Cloruro de Sodio ........................................................................................ 52
Figura 4-27 Estructura del Polietileno .................................................................................................. 53
Figura 4-28 Indicador numrico electro-ptico fabricado con cristales lquidos. ............................... 54
Figura 4-29 Ventana de cristal lquido con transparencia controlable. ............................................... 54
Figura 4-30 La fase nemtica exhibe orden de orientacin, pero desorden en la posicin de los
centros de masa moleculares. .............................................................................................................. 54
Figura 4-31 Cristal lquido esmctico con orden de orientacin de los ejes moleculares y orden en la
posicin de sus centros de masa. ......................................................................................................... 55
Figura 4-32 La direccin de orientacin molecular en cada plano de colestricos describe una
trayectoria helicoidal (lnea discontinua). ............................................................................................ 55
Figura 4-33. ........................................................................................................................................... 55
Figura 4-34 Estructura policristalinas ................................................................................................... 56
Figura 4-35 Estructuras de hierro en funcin de temperatura ............................................................. 57
Figura 5-1 Seccin transversal de un tubo e rayos X de un filamento sellado ..................................... 59
Figura 5-2 .............................................................................................................................................. 60
Figura 5-3 Niveles electrnicos de energa en el molibdeno, mostrando el origen de la radiacin K y
K ........................................................................................................................................................... 60
Figura 5-4 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal ....................................... 61
Figura 5-5 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal....................................... 61
Figura 5-6 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal ....................................... 62
Figura 5-7 Tcnica de difraccin de rayos x.......................................................................................... 63
Figura 6-1 Estructura Perfecta ............................................................................................................. 65
Figura 6-2 Defectos Puntuales ............................................................................................................. 66
Figura 6-3 Defectos en cristales inicos ............................................................................................... 67
Figura 6-4 Dislocacin de borde........................................................................................................... 68
Figura 6-5 tomos insertados en la estructura cristalina que genera la dislocacin de borde. .......... 68
Figura 6-6 Dislocaciones helicoidales.................................................................................................. 69
Figura 6-7 Dislocaciones helicoidales de tornillo ................................................................................. 69
Figura 6-8 Estructura en la superficie de un material. ......................................................................... 70
Figura 6-9 Lmites de grano ................................................................................................................. 70
Figura 6-10 Maclado ............................................................................................................................. 71
Figura 6-11 Tamao y lmite de Grano ................................................................................................. 71
Figura 6-12 Defectos volumtricos. ..................................................................................................... 73
Figura 6-13 Poros y grietas ................................................................................................................... 73
Figura 7-1 Sistema de deslizamiento {110}. <111>. .............................................................................. 76
Figura 7-2 Sistema de deslizamiento {111} <110>. ............................................................................... 76
Figura 7-3 .............................................................................................................................................. 78
Figura 7-4 Deduccin de la Ley de Schmidt ......................................................................................... 82
Figura 7-5 Microestructura de una barra aplicando diferentes porcentajes de trabajo en fro........... 83
Figura 7-6 Mecanismo de propagacin de dislocaciones de Frank Read. ........................................ 84
Figura 8-1 Curva de Enfriamiento. ....................................................................................................... 87
Figura 8-2 Energa Libre vs. Temperatura ........................................................................................... 88
Figura 8-3 Crecimiento Planar. ............................................................................................................. 89
Figura 8-4 Crecimiento dendrtico ....................................................................................................... 90
Figura 8-5 Curvas de Enfriamiento, en una de ellas se observa sub enfriamiento. ............................. 91
Figura 8-6 Curva de enfriamiento cuando se presenta el crecimiento planar. ................................... 91
Figura 8-7 Curva de enfriamiento cuando se presenta el crecimiento dendrtico. ............................. 92
Figura 8-8 Curvas de enfriamiento del agua pura y agua con sal. ....................................................... 92
Figura 8-9 Curvas de enfriamiento para la obtencin de un diagrama de fases. ................................ 93
Figura 8-10 Mezcla Mecnica ............................................................................................................... 94
124

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Figura 8-11 Solucin Slida. ................................................................................................................. 94
Figura 8-12 Solucin slida por sustitucin. ........................................................................................ 95
Figura 8-13 Solucin slida por sustitucin.......................................................................................... 95
Figura 8-14 Solucin slida intersticial. ............................................................................................... 95
Figura 8-15 Diagrama de fases de aleacin de Ni-Cu .......................................................................... 96
Figura 8-16 Diagrama de fases para aleacin Cu - Ag. ........................................................................ 97
Figura 8-17 Diagrama de fases aplicando la regla inversa de palanca................................................. 99
Figura 8-18 Diagrama de hierro carbono .......................................................................................... 100
Figura 8-19 Diagrama Hierro Carbono dividido .............................................................................. 101
Figura 8-20 Metalografa de la ferrita. ............................................................................................... 102
Figura 8-21 Metalografa de la austenita. .......................................................................................... 103
Figura 8-22 Metalografa de la cementita.......................................................................................... 103
Figura 8-23 Metalografa de la perlita. ............................................................................................... 104
Figura 8-24 Metalografa de la ledeburita. ........................................................................................ 104
Figura 8-25 Diagrama TTT para un acero eutectoide. ....................................................................... 106
Figura 8-26 Estructura de la bainita a) superior y b) inferior. ............................................................ 107
Figura 8-27 Estructura de la martensita a) menor contenido de carbono y b) mayor contenido de
carbono. .............................................................................................................................................. 108
Figura 9-1 Difusin de tomos cobre en el nquel .............................................................................. 110
Figura 9-2 Difusin de tomos por vacancias o por tomos sustitucionales. ................................... 110
Figura 9-3 Difusin intersticial............................................................................................................ 111
Figura 9-4 Energa de difusin. .......................................................................................................... 111
Figura 9-5 Flujo durante la difusin .................................................................................................... 113
Figura 9-6 Gradiente de concentracin ............................................................................................. 113
Figura 9-7 Coeficiente de difusin ...................................................................................................... 114
Figura 9-8 Diferencial de volumen para el estudio de la Segunda ley de Fick. ................................. 115
Figura 9-9 Difusin de tomos en la superficie de un material, ilustrando el uso de la segunda ley de
Fick ...................................................................................................................................................... 117
Figura 9-10 Crecimiento del grano ..................................................................................................... 118
Figura 9-11 Pasos de la soldadura por difusin .................................................................................. 118
Figura 9-12 Procesos de difusin durante el sinterizado y la metalurgia de polvos. ........................ 119

125

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12 ndice de Tablas
Tabla 1-1 Elementos qumicos con comportamiento de semiconductor .............................................. 8
Tabla 2-1 Valores de los subniveles energticos. ................................................................................. 19
Tabla 2-2 Valores de los orbitales ........................................................................................................ 20
Tabla 3-1 Clasificacin de los enlaces. .................................................................................................. 31
Tabla 3-2 Energas de enlace y temperatura de fusin varias sustancias ........................................... 37
Tabla 4-1 Redes de Bravais ................................................................................................................... 40
Tabla 4-2 Parmetros en la estructura inica. ..................................................................................... 51
Tabla 5-1 ndices de Miller de planos de difraccin para redes BCC y FCC ........................................ 64
Tabla 6-1 Dimetro promedio del grano para los tamaos ASTM ...................................................... 72
Tabla 7-1 Valores de FAP para diferentes estructuras cristalinas. ....................................................... 74
Tabla 7-2 Valores de FAL para diferentes estructuras cristalinas. ....................................................... 75
Tabla 7-3 Sistemas de deslizamiento ................................................................................................... 77
Tabla 9-1 Datos de difusin para materiales seleccionados .............................................................. 112
Tabla 9-2 Funcin de error correspondiente a la segunda ley de Fick .............................................. 117

126

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13 Contenidos

Introduccin .............................................................................................................................. 2
1.1

El papel de los materiales en las sociedades ...................................................................... 3

1.2

La ingeniera y los materiales ............................................................................................. 3

1.3

Tipos principales de materiales en la ingeniera ................................................................. 4

1.3.1

Metales ...................................................................................................................... 4

1.3.2

Cermicos .................................................................................................................. 5

1.3.3

Polmeros ................................................................................................................... 6

1.3.4

Materiales compuestos .............................................................................................. 7

1.3.5

Semiconductores ....................................................................................................... 8

1.4
1.4.1

Propiedades esenciales .............................................................................................. 9

1.4.2

Propiedades organolpticas ..................................................................................... 10

1.4.3

Propiedades qumicas .............................................................................................. 10

1.4.4

Propiedades fsicas................................................................................................... 10

1.4.5

Propiedades magnticas ........................................................................................... 11

1.4.6

Propiedades mecnicas............................................................................................. 11

1.4.7

Propiedades tecnolgicas ......................................................................................... 11

1.5
2

Conocimiento integrado de los materiales ...................................................................... 12

Estructura de la materia ...........................................................................................................13


2.1

Estructura atmica ...........................................................................................................13

2.2

Concepciones sobre la estructura atmica ........................................................................13

2.2.1

El tomo de J.J. Thompson .......................................................................................13

2.2.2

Modelo nuclear de Rutherford ................................................................................. 14

2.2.3

Modelo cuntico de Bohr ..........................................................................................15

2.3

Propiedades de los materiales e ingeniera de los materiales ............................................. 8

Modificaciones de la teora de Bohr y nmeros cunticos ................................................ 16

2.3.1

Descripcin de los nmeros cunticos y la energa de los electrones ........................ 19

2.3.2

Principio de exclusin de Pauli ................................................................................. 20

2.3.3

Configuracin electrnica de los tomos.................................................................. 20

Enlazamiento de tomos ......................................................................................................... 22


3.1

Introduccin .................................................................................................................... 22

3.2

Enlaces qumicos y moleculares ....................................................................................... 22

3.2.1

Fuerzas y energas de enlace .................................................................................... 22

3.2.2

Enlace inico o electrovalente.................................................................................. 25

3.2.3

Enlace covalente o covalencia .................................................................................. 27

3.2.4

Enlace covalente coordinado ................................................................................... 29


127

Facultad de Ingeniera Mecnica Ciencia de Materiales I

3.2.5

Enlace metlico........................................................................................................ 30

3.2.6

Enlaces mixtos ..........................................................................................................31

3.2.7

Enlace secundario de Van Der Waals ........................................................................ 32

3.2.8

Curva de energa de enlace ...................................................................................... 34

Materiales Cristalinos y Amorfos (no cristalinos) ..................................................................... 38


4.1

Sistemas cristalinos y Redes de Bravais. .......................................................................... 39

4.2

Principales estructuras cristalinas metlicas .................................................................... 41

4.3

Propiedades de las celdas unitarias.................................................................................. 41

4.3.1

Numero de tomos por celda ................................................................................... 41

4.3.2

Numero de coordinacin .......................................................................................... 42

4.3.3

Relacin entre el radio atmico y el parmetro de red ............................................. 43

4.3.4

Factor de empaquetamiento atmico ...................................................................... 44

4.3.5

Densidad .................................................................................................................. 44

4.4

ndices de Miller ............................................................................................................... 44

4.4.1

Coordenadas de puntos ........................................................................................... 44

4.4.2

ndices de planos. ..................................................................................................... 46

4.4.3

Direcciones y planos en la estructura cristalina HCP................................................. 47

4.4.4

Intersticios o huecos en las estructuras cristalinas .................................................... 48

4.5

Estructuras cristalinas inicas: Materiales cermicos. ...................................................... 50

4.6

Estructura del CsCl............................................................................................................51

4.7

Estructura del NaCl .......................................................................................................... 52

4.8

Cristalinidad de los polmeros .......................................................................................... 52

4.8.1

Cristales lquidos ...................................................................................................... 53

4.9

Monocristales y materiales policristalinos........................................................................ 56

4.10

Alotropa o polimorfismo. ................................................................................................ 56

4.11

Anisotropa ...................................................................................................................... 58

Difraccin de rayos X ............................................................................................................... 59


5.1

Introduccin .................................................................................................................... 59

5.2

Anlisis de difraccin de rayos x por el mtodo de polvo ................................................. 62

Defectos en las estructuras cristalinas ..................................................................................... 65


6.1

Defectos puntuales .......................................................................................................... 65

6.1.1
6.2

Vacancias e intersticiales en cristales inicos ........................................................... 67


Defectos Lineales ............................................................................................................ 68

6.2.1

Dislocacin de borde ................................................................................................ 68

6.2.2

Dislocacin helicoidal ............................................................................................... 69

6.3

Defectos de superficie ..................................................................................................... 70

6.3.1

Superficie libre ......................................................................................................... 70

6.3.2

Frontera de grano .................................................................................................... 70


128

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6.3.3

Maclado ................................................................................................................... 70

6.3.4

Tamao de grano ...................................................................................................... 71

6.4

Defecto volumtrico ........................................................................................................ 72

6.4.1
7

Deformacin y Recristalizacin ............................................................................................... 74


7.1

Introduccin .................................................................................................................... 74

7.2

Planos de deslizamiento .................................................................................................. 74

7.3

Direcciones de deslizamiento ...........................................................................................75

7.4

Nmero de sistemas de deslizamiento y deformabilidad ..................................................75

7.5

Mecanismos de endurecimiento ....................................................................................... 77

7.5.1

Endurecimiento por solucin slida ......................................................................... 78

7.5.2

Endurecimiento por precipitacin ............................................................................ 79

7.5.3

Endurecimiento por reduccin del tamao de grano ................................................ 80

7.5.4

Endurecimiento por deformacin ............................................................................ 81

7.6
8

Poros......................................................................................................................... 73

Recristalizacin................................................................................................................ 84

Diagramas de fase en equilibrio............................................................................................... 86


8.1

Introduccin .................................................................................................................... 86

8.2

Construccin de diagramas de fase ................................................................................. 86

8.3

Proceso de solidificacin.................................................................................................. 88

8.4

Nucleacin....................................................................................................................... 88

8.4.1

Nucleacin homognea ........................................................................................... 88

8.4.2

Nucleacin heterognea .......................................................................................... 89

8.5

Crecimiento de granos..................................................................................................... 89

8.6

Variacin de la energa libre del lquido y slido en funcin de la temperatura ................. 90

8.7

Diagrama de equilibrio trmico ....................................................................................... 92

8.8

Mezcla mecnica ............................................................................................................. 93

8.9

Solucin slida................................................................................................................. 94

8.9.1

Soluciones slidas por sustitucin ............................................................................ 94

8.9.2

Soluciones slidas intersticiales (por insercin) ........................................................ 95

8.10 Diagrama de estado de aleaciones para los casos de solubilidad ilimitada de los
componentes en estado slido .................................................................................................... 96
8.11 Diagrama de estado de las aleaciones para el caso de solubilidad limitada de los
componentes en estado slido .................................................................................................... 97
8.12

Regla de las fases de Gibbs .............................................................................................. 97

8.13

Interpretacin de un diagrama de equilibrio .................................................................... 98

8.14

Diagrama de equilibrio Hierro Carbono ......................................................................... 99

8.14.1

Componentes del diagrama Hierro Carbono ........................................................ 101

8.14.2

Constituyentes monofsicos .................................................................................. 102


129

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8.14.3

Estructuras bifsicas .............................................................................................. 104

8.14.4

Clasificacin de las aleaciones Hierro Carbono .................................................... 106

8.15

Diagrama Tiempo-Temperatura-Transformacin (TTT) ................................................ 106

8.16

Nucleacin y crecimiento de la perlita ........................................................................... 106

8.17

Nucleacin y crecimiento de la vainita ............................................................................ 107

8.18

Reaccin martenstica .................................................................................................... 107

Difusin en slidos ................................................................................................................ 109


9.1

Introduccin .................................................................................................................. 109

9.2

Mecanismos de difusin ................................................................................................ 109

9.2.1

Difusin por vacancias ............................................................................................ 110

9.2.2

Difusin intersticial ................................................................................................. 110

9.3

Energa de activacin para la difusin ............................................................................. 111

9.4

Velocidad de difusin (Primera de Ley de Fick) ............................................................... 112

9.4.1

Gradiente de concentracin .................................................................................... 113

9.4.2

Coeficiente de difusin y la temperatura .................................................................114

9.5

Segunda Ley de Fick ....................................................................................................... 115

9.5.1
10

Aplicaciones de la segunda ley de Fick en los procesos ...........................................116

Anexos .............................................................................................................................. 120


10.1

Programa de la asignatura ............................................................................................. 120

11

ndice de figuras ................................................................................................................. 123

12

ndice de Tablas ................................................................................................................. 126

13

Contenidos ......................................................................................................................... 127

130

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