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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
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DEPARTAMENTO DE MATERIALES
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CIENCIA DE MATERIALES I
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Autor: Ing. Rodrigo Ruiz
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Facultad de Ingeniera Mecnica Ciencia de Materiales I
Introduccin
La historia del hombre ha estado ligada al desarrollo de los materiales. De hecho, en el recuento de
las civilizaciones se han identificado las edades de la piedra, del bronce, del hierro, de los plsticos,
como forma de describir el estadio de avance. En el siglo XX se habl de la era de los polmeros, y en
esta poca es la era de los nanomateriales. Y aunque hoy se hable ms de las reas de los servicios y
de los mundos virtuales en que se mueve nuestra civilizacin, no es menos cierto que todo se
sustenta en el mundo de lo tangible, de lo material.
Los materiales de ingeniera han tenido una evolucin continua. Hay que reconocer que a lo largo de
su historia el hombre ha diseado y mejorado diferentes materiales de todo tipo. Pero casi siempre
el avance en el campo estuvo ligado a lo emprico, a lo artesanal, y apenas en el siglo pasado
comenz el estudio sistemtico y el consiguiente entendimiento de las propiedades,
comportamiento y mtodos de obtencin de algunos materiales metlicos bsicos. Con el siglo XX
se desarrolla aceleradamente el conocimiento sobre los materiales polimricos, y se emprende un
profundo estudio de los problemas de estabilidad de los materiales frente a la agresividad de los
medios, es decir el estudio de corrosin y proteccin.
En las tres ltimas dcadas se configura un trabajo de magnitud significativa en temas de tanta
importancia como la tribologa y se hacen grandes avances en el estudio de la tercera de las familias
de materiales de ingeniera: los cermicos, aunado a un gran inters por conocer, producir, y aplicar
diferentes tipos de combinaciones, en materiales compuestos o "conjugados".
Hace relativamente poco tiempo que los cientficos llegaron a comprender la relacin entre
elementos estructurales de los materiales y sus propiedades. Este conocimiento, adquirido en los
ltimos 200 aos aproximadamente, los ha capacitado, en alto grado, para modificar o adaptar las
caractersticas de los materiales. Quiz uno de los cientficos ms relevantes en este campo haya
sido WillardGibbs al demostrar la relacin entre las propiedades de un material y su estructura. En la
figura 1-1 se muestra el tetraedro de los materiales de la ingeniera.
Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con caractersticas muy especiales
para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y compleja sociedad, se trata de metales,
plsticos, vidrios y fibras.
Se puede afirmar que una de las grandes revoluciones de esta ciencia fue el descubrimiento de las
diferentes fases trmicas de los metales, y en especial del acero.
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Metales
El concepto de metal refiere tanto a elementos puros, por ejemplo aluminio, as como aleaciones
con caractersticas metlicas. Ejemplos comunes de metales no elementales son el acero y el
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Cermicos
Los materiales cermicos son materiales inorgnicos no metlicos, constituidos por elementos
metlicos y no metlicos enlazados principalmente mediante enlaces inicos y/o covalentes. Las
composiciones qumicas de los materiales cermicos varan considerablemente, desde compuestos
sencillos a mezclas de muchas fases complejas enlazadas. Las propiedades de los materiales
cermicos tambin varan mucho debido a diferencias en los enlaces. En general, los materiales
cermicos son tpicamente duros y frgiles con baja tenacidad y ductilidad. Los materiales
cermicos se comportan usualmente como buenos aislantes elctricos y trmicos debido a la
ausencia de electrones conductores, normalmente poseen temperaturas de fusin relativamente
altas y, asimismo, una estabilidad relativamente alta en la mayora de los medios ms agresivos
debido a la estabilidad de sus fuertes enlaces.
Son considerados materiales estructurales para la construccin (Ladrillos y tejas), de revestimiento
(Pavimentos y revestimientos cermicos) o como refractarios, han pasado a ser importantes en
campos como la aeronutica (Barreras trmicas), la automocin (Sensores), la electrnica
(Dispositivos basados en propiedades especficas), la siderurgia (Refractarios de alta resistencia), la
medicina (Implantes seos), el sector de metal-mecnica (Herramientas de corte), etc.
Estos grandes avances se han logrado gracias a un mejor diseo de los materiales, un control
exhaustivo de la Microestructura y un diseo especfico de los componentes y de los sistemas
integrados.
Los productos cermicos, sobre todo los nuevos "composites" cermicos, se utilizan ampliamente
en la industria de las herramientas para cortar. Por ejemplo, la almina reforzada con fibras
extremadamente finas de carburo de silicio se usa para cortar y maquinar hierro colado y aleaciones
ms duras a base de nquel. Tambin se utilizan materiales cermicos en las ruedas de amolar y
otros abrasivos a causa de su excepcional dureza. El carburo de silicio es el abrasivo ms
ampliamente utilizado.
Los materiales cermicos desempean un papel importante en la industria electrnica. Los circuitos
integrados semiconductores generalmente se montan en un sustrato de cermica, por lo regular
almina. Algunos materiales cermicos, notablemente el cuarzo (SiO2 cristalino), son
piezoelctricos, lo que significa que generan un potencial elctrico cuando se les somete a un
esfuerzo mecnico. Esta propiedad hace posible el empleo de materiales piezoelctricos para
5
Polmeros
En qumica, los polmeros son macromolculas (generalmente orgnicas) formadas por la unin de
molculas ms pequeas llamadas monmeros.
Un polmero (del griego poly, muchos; meros, parte, segmento) es una sustancia cuyas
molculas son, por lo menos aproximadamente, mltiplos de unidades de peso molecular bajo. La
unidad de bajo peso molecular es el monmero. Si el polmero es rigurosamente uniforme en peso
molecular y estructura molecular, su grado de polimerizacin es indicado por un numeral griego,
segn el nmero de unidades de monmero que contiene; as, hablamos de dmeros, trmeros,
tetrmero, pentmero y sucesivos. El trmino polmero designa una combinacin de un nmero no
especificado de unidades.
1.3.3.1
Polimerizacin y estructura
Clasificacin
Segn propiedades y usos finales
Atendiendo a sus propiedades y usos finales, los polmeros pueden clasificarse en:
1. Elastmeros
Son materiales con muy bajo mdulo de elasticidad y alta extensibilidad; es decir, se deforman
mucho al someterlos a un esfuerzo pero recuperan su forma inicial al eliminar el esfuerzo. En
cada ciclo de extensin y contraccin los elastmeros absorben energa, una propiedad
denominada resiliencia.
2. Plsticos
Son aquellos polmeros que, ante un esfuerzo suficientemente intenso, se deforman
irreversiblemente, no pudiendo volver a su forma original. Hay que resaltar que el trmino
plstico se aplica a veces incorrectamente para referirse a la totalidad de los polmeros.
3. Fibras
Presentan alto mdulo de elasticidad y baja extensibilidad, lo que permite confeccionar tejidos
cuyas dimensiones permanecen estables.
4. Recubrimientos
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Para clasificar polmeros, una de las formas empricas ms sencillas consiste en calentarlos por
encima de cierta temperatura. Segn si el material funde y fluye o por el contrario no lo hace se
diferencian dos tipos de polmeros:
1. Termoplsticos, que fluyen (pasan al estado lquido) al calentarlos y se vuelven a endurecer
(vuelven al estado slido) al enfriarlos. Su estructura molecular presenta pocos (o ninguno)
entrecruzamientos. Ejemplos: Polietileno (PE), Polipropileno (PP), PVC.
2. Termoestables, que no fluyen, y lo nico que conseguimos al calentarlos es que se
descompongan qumicamente, en vez de fluir. Este comportamiento se debe a una estructura
con muchos entrecruzamientos, que impiden los desplazamientos relativos de las molculas.
La clasificacin termoplsticos, termoestables es independiente de la clasificacin elastmeros,
plsticos, fibras.
1.3.4
Materiales compuestos
En ciencia de materiales reciben el nombre de materiales compuestos aquellos que cumplen las
siguientes propiedades:
1. Estn formados de 2 o ms componentes distinguibles fsicamente y separables
mecnicamente.
2. Presentan varias fases qumicamente distintas, completamente insolubles entre s y separadas
por una intercara
3. Sus propiedades mecnicas son superiores a la simple suma de las propiedades de sus
componentes (sinergia).
Los materiales compuestos se forman o producen cuando se introducen fibras o partculas de un
elemento, compuesto o material determinado en una matriz polimrica, cermica o metlica que
acta como aglomerante y respaldo. De esta forma, se pueden tener compuestos metal-metal,
metal-cermico, metal-polmero, cermico-cermico, cermico-polmero o polmero-polmero.
El inters por la investigacin de los materiales compuestos se inici en los aos cincuenta del siglo
pasado. La economa floreciente de las potencias mundiales como la antigua Unin Sovitica y
Estados Unidos y la "guerra fra" entre estos pases obligaba a una lucha por la supremaca en el
espacio y los medios de defensa; esto hizo que los respectivos gobiernos invirtieran enormes
recursos econmicos en la aeronutica militar y la tecnologa espacial para el desarrollo de
materiales, lo que condujo a la aparicin de un gran nmero de materiales compuestos y mtodos
de fabricacin de los mismos, generalmente de muy alto costo, que posteriormente algunos han
podido ser adaptados de manera econmica a la solicitud de los diseadores de materiales con
menor peso, mayor rigidez y mayor resistencia especfica, para uso en condiciones de exigencias
muy elevadas para los materiales de ingeniera tradicionales.
Las propiedades de los materiales compuestos son superiores y posiblemente nicas en algn
aspecto especfico, a las propiedades de los componentes por separado. Esto ha impulsado el
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Semiconductores
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo
del campo elctrico en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla 1-1.
Elemento
Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd
Al, Ga, B, In
Si, Ge
P, As, Sb
Se, Te, (S)
II A
III A
IV A
VA
VI A
2 e3 e4 e5 e6 e-
Propiedades esenciales
1. Masa: Es la propiedad que permite determinar la cantidad de materia que posee un cuerpo.
2. Peso:Es la fuerza de atraccin llamada gravedad que ejerce la tierra sobre la materia (masa) para
llevarla hacia su centro.
3. Volumen:Representa la cantidad de espacio que ocupa la materia y que no puede ser ocupado
por otro cuerpo, ya que los cuerpos son impenetrables. Toda sustancia tiene un volumen, ya sea
slido, lquido o gaseoso.
4. Densidad:Se define como el cociente entre la masa de un cuerpo y el volumen que ocupa.
5. Punto de ebullicin: Es la temperatura a la cual un lquido cambia al estado gaseoso a la presin
normal (1 Atm.).
6. Punto de Fusin: Temperatura a la cual un slido cambia a lquido. En las sustancias puras, el
proceso ocurre a temperatura constante y presin normal (1 atm).
7. Inercia: Es la propiedad de los cuerpos que hace que estos tiendan a conservar su estado de
reposo o de movimiento mientras no exista una fuerza externa que vaya a cambiar dicho estado de
reposo o movimiento.
8. Divisibilidad: Es la propiedad que tiene la materia de ser dividida en partculas muy pequeas.
Las porciones de materia se llaman cuerpos.
9. Impenetrabilidad: Es la propiedad que tienen los cuerpos de no poder ocupar el mismo lugar o
espacio al mismo tiempo. Cuando un cuerpo ocupa cierto lugar, ese lugar no puede ser ocupado
simultneamente por otro.
10. Forma: Los slidos, tiene una forma con distintas dimensiones en el caso de geometras
regulares y en geometras irregulares es difcil determinar sus dimensiones.
Propiedades organolpticas
Propiedades qumicas
1. Oxidacin: Cuando un material se combina con oxgeno, se dice que experimentauna reaccin
de oxidacin. Tal reaccin, de forma esquemtica seria.
Material + oxigeno oxido del material + energa
2. Corrosin: Cuando la oxidacin se produce en un ambiente hmedo o en presencia de otras
sustancias agresivas, se denomina corrosin.
1.4.4
Propiedades fsicas
1. Peso especfico: El peso especfico puede ser absoluto o relativo; el primero es el peso de la
unidad de volumen de un cuerpo homogneo. El peso especfico relativo es la relacin entre el
peso del cuerpo y el peso de igual volumen de una sustancia tomada como referencia: para los
slidos y lquidos se toma como referencia el agua destilada a 4C.
2. Calor especfico:Es la cantidad de calor necesaria para elevar en 1C la temperatura de 1 Kg de
determinada sustancia. El calor especfico vara con la temperatura. En la prctica se considera el
calor especfico medio en un intervalo de temperaturas. En el sistema internacional se mide en
J/kgK (K = grados Kelvin, 0C = 273,15 K), aunque es ms frecuente medirlo en cal/gC.
3. Punto de Fusin:Es la temperatura a la cual un material pasa del estado slido al lquido,
transformacin que se produce con absorcin de calor. El punto de solidificacin es la
temperatura a la cual un lquido pasa al estado slido, durante la transformacin hay cesin de
calor. Siempre coinciden los puntos de fusin y de solidificacin.
4. Calor latente de fusin:Es el calor necesario para vencer las fuerzas moleculares del material (a
la temperatura de fusin) y transformarlo de slido en lquido.
5. Dilatacin trmica o dilatabilidad: La mayora de los materiales aumentan de tamao (se
dilatan) al aumentar la temperatura. La magnitud que define el grado de dilatacin de un cuerpo
es el coeficiente de dilatacin () que nos da una idea del cambio relativo de longitud o volumen
que se produce cuando cambia la temperatura del material.
6. Conductividad trmica: Es un parmetro que indica el comportamiento de cada cuerpo frente a
la transmisin del calor.
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Propiedades magnticas
1. Materiales diamagnticos: Son aquellos que se oponen al campo magntico aplicado. Oro,
plata, cobre,...
2. Materiales paramagnticos: Dentro de estos materiales el campo magntico es algo mayor al
aplicado. Aluminio, platino,...
3. Materiales ferromagnticos: Dentro de estos materiales el campo aplicado es mucho mayor
que el aplicado. Destacan el hierro, nquel y cobalto.
1.4.6
Propiedades mecnicas
Propiedades tecnolgicas
1. Ductilidad: Es la capacidad del material para dejarse deformar o trabajar en fro sin llegar a
romperse; aumenta con la tenacidad y disminuye al aumentar la dureza.
2. Fusibilidad:Es la propiedad que permite obtener piezas fundidas o coladas.
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12
Estructura de la materia
Uno de los primeros intentos para establecer la estructura del tomo fue el de J.J. Thompson, poco
despus de su descubrimiento del electrn.
Los postulados de Thompson son:
1. La materia se presenta normalmente neutra; lo que supone que, junto a los electrones, los
tomos contienen materia cargada positivamente.
2. Los electrones pueden ser extrados de los tomos de cualquier sustancia, pero no ocurre
igual con la carga positiva.
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Partiendo de estas ideas, Thompson represent el tomo como una masa fluida cargada
positivamente, en cuyo seno se hallan distribuidos los electrones en posiciones tales que el campo
elctrico queresulta y exterior al tomo sea nulo. Se trata de un modelo totalmente esttico como
se muestra en la figura 2-1
Rutherford bombarde una fina lmina de oro con un haz de partculas alfa y estudi sus
desviaciones, y encontr que la mayora de las partculas atravesaban la lmina de oro sin ser
desviadas en su trayectoria; un nmero menor era desviado por alguna causa y unas cuantas
partculas rebotaban.
Rutherford introdujo su modelo nuclear del tomo con las siguientes caractersticas:
1. Existe un ncleo cargado positivamente en el que se encuentra concentrada toda la masa.
2. Los electrones giran alrededor del ncleo en nmero igual a la carga nuclear.
3. La carga positiva del ncleo coincide con el nmero de orden del elemento en el sistema
peridico, es decir, con su nmero atmico
4. Los tomos son en su mayor parte vaco, como se muestra en la figura 2-2
14
En 1914, Bohr aplic la nueva teora cuntica de la radiacin al tomo de Rutherford, modificndolo
de manera que diera cuenta de los hechos experimentales relativos a la emisin de la luz. El modelo
de Bohr se fundamenta en cuatro postulados bsicos:
1. Los electrones en los tomos estn localizados en rbitas concntricas o niveles de energa
girando alrededor del ncleo.
2. Los electrones en las rbitas ms cercanas al ncleo tienen menor energa que aquellos en
rbitas ms alejadas del ncleo.
3. Cualquier electrn en un tomo puede tener slo ciertos valores de energa permitidos. Esta
energa determina que rbita ocupa un electrn. Segn este postulado; las nicas orbitas
posibles son aquellas para las cuales el momento de la cantidad de movimiento del electrn
(mvr) es un mltiplo entero de h/2, siendo h la constante de Plank ( h = 6,6252 x 10 -27
ergios segundo), no radiando energa el electrn mientras no cambia de orbita es decir que
deba verificarse que:
h
h
mvr n
v n
2 o bien
2rm
4. Los electrones pueden moverse de una rbita a otra. Para esto, un electrn debe ganar o
perder una cantidad exacta de energa, un cunto de energa. Este postulado de Bohr,
establece que solamente irradia energa un tomo cuando uno o ms electrones salta de la
rbita de una capa de energa Ei a otra de energa Ef , siendo la frecuencia de la radiacin
emitida:
Eo E f
La energa de las capas crece a medida que se alejan del ncleo. Por lo tanto, para hacer pasar los
electrones de una capa a otra ms alejada del ncleo es necesario suministrarle energa, es decir,
excitarlo, calentando el cuerpo al que pertenece o por algn otro medio. Una vez cesa la accin
del agente excitante, los electrones tienden a pasar a los niveles iniciales de menor energa, y es
15
Las modificaciones al modelo de Bohr no terminaron con las rbitas elpticas. Experimentos
posteriores demostraron que al colocar la fuente emisora de luz en un campo magntico fuerte,
divida las lneas del espectro en ms lneas. Un tercer nmero cuntico fue introducido para
explicar el efecto magntico, se lo llam nmero cuntico magntico, representado por la letra ml.
2.3.1
La imagen de los orbitales empleada habitualmente por los qumicos consiste en una
representacin del orbital mediante superficies lmite que engloban una zona del espacio donde la
probabilidad de encontrar al electrn es del 99%. La extensin de estas zonas depende bsicamente
del nmero cuntico principal, n, mientras que su forma viene determinada por el nmero cuntico
secundario, l.
2.3.1.1
Los orbitales s (l = 0)
Tienen forma esfrica. La extensin de este orbital depende del valor del nmero cuntico principal,
as un orbital 3s tiene la misma forma pero es mayor que un orbital 2s.
Figura2-4Orbitales s
2.3.1.2
Los orbitales p (l = 1)
Formados por dos lbulos idnticos que se proyectan a lo largo de un eje. La zona de unin de
ambos lbulos coincide con el ncleo atmico. Hay tres orbitales p (m=-1, m=0 y m=+1) de idntica
forma, que difieren slo en su orientacin a lo largo de los ejes x, y o z.
Figura2-5Orbitales p
17
Los orbitales d (l = 2)
Tambin estn formados por lbulos. Hay cinco tipos de orbitales d (que corresponden a m=-2, -1,
0, 1, 2).
Figura2-6Orbitales d
2.3.1.4
Los orbitales f (l = 3)
Tambin tienen un aspecto multilobular. Existen siete tipos de orbitales f (que corresponden a m=3, -2, -1, 0, +1, +2, +3).
Posteriormente, se introdujo un cuarto nmero cuntico para tomar en cuenta el giro del electrn.
La hiptesis establece que un electrn puede girar en el sentido de las agujas del reloj o en direccin
contraria respecto a un eje, y en cada tipo de giro da una lnea espectral caracterstica. Este es el
nmero cuntico de espn, ms. En la figura 2-8 se muestra las rbitas de Sommerfeld en base a los
nmeros cunticos
La necesidad de justificar los hechos experimentales oblig a retocar el modelo de Bohr con la
introduccin de nuevos nmeros cunticos. El resultado es:
1. Un nmero n que define la energa del electrn y el tamao de las rbitas.
2. Un nmero l que define el impulso angular y la forma de las rbitas.
18
2.3.2
Valores de m
S
P
D
F
0
-1, 0, +1
-2 , -1, 0, 1, 2
-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3
Nmero de
orbitales
1 orbital s
3 orbitales p
5 orbitales d
7 orbitales f
Nmero mximo
de electrones
2
6
10
14
4. El nmero cuntico de espn, describe la orientacin del giro del electrn. Puede tener valores
de + + . Las dos orientaciones generalmente se distinguen por flechas , que
representan el giro del electrn, en direccin de las manecillas del reloj y en direccin contraria.
2.3.3
Determina que ningn par de electrones del mismo tomo puede tener los cuatro nmeros
cunticos iguales. Simultneamente con el orden de incremento de energa se puede emplear este
principio para deducir en qu orden se llenan los niveles de electrones de los tomos.
2.3.4
Los nmeros cunticos n y l determinan la energa de cada electrn. Las energas de los electrones
se incrementan al aumentarse la suma de (n + l). Su energa es directamente proporcional al
resultado de la suma de los dos primeros nmeros cunticos; mientras ms bajo sea el valor de (n +
l) para el electrn de un tomo, menor ser la energa.
Para dos electrones con valores iguales de (n + l), el que presente menor valor de n tendr menos
energa.
La configuracin electrnica debe estar de acuerdo con el comportamiento experimental
observado, que generalmente se refleja en datos espectroscpicos o magnticos.
Siempre que se vaya a realizar la distribucin electrnica para cualquier tomo, debemos tener en
cuenta:
1. Los electrones tienden a ocupar orbitales de energa mnima, siguiendo un orden determinado.
Aplicando la ecuacin (n + l) para todos los posibles subniveles conocidos, encontramos el
siguiente orden en forma creciente:
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s, 5f, 6d, 7p, 6f, 7d, 7f.
2. El diagrama de niveles energticos, ayuda a entender el orden con que se llenan los subniveles
energticos el que se presenta en la figura 2-9
20
3. En un tomo no pueden encontrarse dos electrones con los cuatro nmeros cunticos idnticos.
Principio de exclusin de Pauli.
4. El principio de la mxima multiplicidad o regla de Hund: Cuando hay disponibles orbitales de
energa idntica, los electrones tienden a ocuparlos de uno en uno, no por pares.
Por conveniencia, el nmero y localizacin de los electrones en los tomos se los representa
mediante la notacin con los siguientes smbolos presentados en la figura 2-10
21
Enlazamiento de tomos
3.1 Introduccin
El tomo es la entidad ms pequea que influye directamente en las propiedades de los materiales.
En esta unidad se repasara de qu manera se puede inferir de inmediato algunas de las
caractersticas qumicas y formacin de enlaces de los elementos. Estas caractersticas determinan
el tipo y la fuerza de los enlaces que el elemento puede formar con los tomos (elementos). El tipo y
la fuerza del enlace determinan las propiedades fsicas y mecnicas del material slido que se
forma.
Cuando dos o ms tomos se aproximan entre s, se ejercen varias fuerzas entre ellos. Algunas de
estas fuerzas unen los tomos; otras, tienden a separarlos. En la mayora de los tomos, con
excepcin de los gases nobles, las fuerzas de atraccin son mayores que las fuerzas de repulsin, los
tomos se atraen entre s y forman un enlace.
Cuando hay afinidad qumica, existe una fuerza de atraccin electroesttica (coulmbica) positiva de
largo alcance, FA, que acerca mucho los tomo unos a otros. Esto se muestra en la figura 3-1, donde
la atraccin ocurre entre el ncleo de un tomo (N1) y los electrones e2 del otro tomo N2. Cuando
los tomos estn muy prximos entre s, se manifiesta una fuerza de repulsin negativa, FR, cuyo
origen es la repulsin mutua de los electrones, e1 y e2. La fuerza de enlace total, FB, es la suma de las
fuerzas de atraccin y repulsin; es decir: FB = FA + FR
Donde: e1; e2.; son los electrones del tomo 1 y 2, respectivamente FA:Fuerza de atraccin de largo
alcance entre cargas; Positivas (ncleos) y cargas negativas (electrones).FR: Fuerza de repulsin de
corto alcance entre Cargas del mismo signo (electrones - electrones).
Se acostumbra utilizar la energa, en vez de la fuerza, para analizar los enlaces entre tomos.
22
3.2.1.1
Tipos de enlace
Sabemos que la manera en que los tomos se enlazan ejerce un efecto profundo sobre las
propiedades fsicas y qumicas de las sustancias. Qu es un enlace qumico? Enlace Qumico es la
fuerza de atraccin mutua entre dos o ms tomos que se combinan para formar una molcula. La
formacin de un enlace qumico obedece a:
1. Un mecanismo electrnico de ganancia, prdida o compartimiento de electrones entre los
tomos que se unen.
2. Si dos o ms tomos se unen, los electrones de valencia forman agrupaciones de modo que
cada tomo pueda adquirir la estructura electrnica del gas noble ms cercano en el sistema
peridico, es decir, completa ocho electrones en su nivel energtico ms externo.
3.2.1.2
Los tomos se combinan mediante procesos que implican prdida, ganancia o comparticin de
electrones de tal forma que adquieran la configuracin electrnica de ocho electrones en su ltimo
nivel de energa; esto se conoce como regla del octeto.
Los gases nobles tienen ocho electrones en su nivel electrnico ms externo: ns2np6 (excepto el
helio, que slo posee dos), es decir, tiene completa su ltima capa.
Los gases nobles no reaccionan qumicamente en condiciones normales porque tienen su nivel
externo completo (valencia cero). El tomo de sodio es un buen ejemplo para ilustrar la regla del
octeto. El sodio tiene un potencial de ionizacin bajo y puede perder fcilmente el ltimo electrn
(3s1).
1s2 2 s2 2p6 3 s1
tomo de sodio
Na
Na+ + 1e-
Cl + 1eCl 3.2.1.3
Valencia
Es la capacidad de combinacin que presentan los tomos. Los electrones de valencia son los que se
encuentran en el ltimo nivel de energa. Cuando se hace una combinacin, los electrones de
valencia pasan del nivel de energa externo de un tomo a otro o son compartidos por los niveles
externos de los tomos que entran en la combinacin. La valencia de un elemento vara con su
posicin en la tabla peridica y del nmero de electrones que posea en su nivel ms externo.
Un mismo elemento puede trabajar con varias valencias segn la molcula que forme. Los
elementos de un mismo grupo poseen la misma valencia o capacidad de combinacin con otros
23
Electronegatividad
Los elementos se estabilizan al alcanzar una configuracin electrnica de gas noble; por lo tanto los
elementos situados a la derecha del grupo del carbono poseen gran tendencia a captar los
electrones para adquirir su octeto, mientras que los elementos ubicados a la izquierda tienden a
perder los electrones de valencia, para obtener la configuracin del gas noble que los precede.
La escala de electronegatividad permite predecir el tipo de enlace qumico formado por los tomos.
A mayor diferencia de electronegatividad de los elementos, mayor atraccin electrosttica tienen
los tomos entre s como se muestra en la figura 3-3.
24
Los tomos interaccionan entre s de diversas maneras para formar agregados que constituyen
diversos tipos de enlace. Existen tres tipos importantes de enlaces que se forman entre los tomos
de un compuesto: inico (o electrovalente), covalente (polar, no polar y coordinado) y el enlace
metlico.
3.2.2
La atraccin electrosttica entre especies inicas de carga opuesta da como resultado un enlace
Inico o electrovalente.
Este enlace ocurre cuando hay traspaso de electrones de un tomo electropositivo hacia el
electronegativo. Debido a esta transferencia de electrones, los tomos se cargan positiva y
negativamente, establecindose una fuerza de atraccin electrosttica que los enlaza.
Por ejemplo, analizar la combinacin entre tomos de cloro y sodio para formar el cloruro de sodio.
Como el flor se encuentra en la columna VIIA del sistema peridico, su configuracin electrnica
es:
1s2 2s22p6 3s23p5; su tomo tiene siete electrones de valencia en su nivel ms externo y por lo tanto
tiende a ganar un electrn para adquirir su configuracin electrnica del Argn (gas noble ms
cercano). Ahora, el elemento tiene 18 electrones y slo 17 protones en su ncleo; por tanto,
presentar una carga negativa del valor -1 y se convierte en un anin monovalente (in
monovalente negativo).
1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p5 + 1e- 1s2 2 s2 2p6 3 s2 3p6
tomo de cloro
in cloruro
Cl + 1e
Cl El sodio que se encuentra en el grupo IA posee un solo electrn en su nivel ms externo; su
configuracin electrnica es:
1s2 2s2 2p6 3s1
25
Son los elementos de los grupos VA, VIA y VIIA. Se caracterizan por captar electrones (uno, dos);
son iones con carga negativa (aniones); su valencia es electronegativa.
3.2.2.2
Elementos electropositivos
Pierden fcilmente electrones para adquirir su configuracin de octeto. Estos elementos son los de
los grupos IA, IIA, y IIIA; son iones positivos (cationes) y su valencia es electropositiva.
3.2.2.3
In
Catin
Anin
26
Figura 3-4Enlace inico entre los tomos de cloro y sodio. La transferencia de electrones de Na hasta Cl genera un catin
(Na+) y un anin (Cl ). El enlace inico se debe a la atraccin coulmbica entre los iones de carga opuesta.
3.2.3
Es la unin de dos o ms tomos que comparten uno o ms pares de electrones. Este tipo de enlace
se presenta entre los elementos no metlicos, electronegativos, que tienen cuatro o ms electrones
de valencia (sin llegar a ocho).
El hidrgeno elemental existe en forma de molculas biatmicas, H2. Como ambos tomos de
hidrgeno son idnticos, no presentan cargas elctricas opuestas. Cada tomo de hidrgeno libre
contiene un solo electrn, y para que pueda adquirir la misma configuracin electrnica que los
tomos de helio, es necesario que tomen un segundo electrn.
Si los dos tomos de hidrgeno se acercan lo suficiente entre s, sus dos electrones pueden ser
compartidos en forma eficaz. Los ncleos de hidrgeno con carga positiva son atrados hacia el par
de electrones, y se forma un enlace efectivo.
Al formarse la molcula, el par electrnico se comparte; cada par de electrones compartidos se
representan por una raya o guion (-) que significa un enlace covalente.
27
Ocurre cuando los dos tomos que participan en el enlace comparten entre s un solo par de
electrones.
Por ejemplo en el caso del flor; en el caso de la molcula de flor, se combinan dos tomos de
flor as: cada tomo tiene 7 electrones en su nivel ms externo formando tres pares de electrones y
el sptimo queda sin aparear; a cada uno de los tomos les falta un electrn para cumplir la ley del
octeto; los dos tomos son electronegativos , no hay cargas elctricas opuestas; por tanto, los dos
electrones sin aparear se aproximan para compartir este par de electrones los dos tomos de flor,
originando un enlace covalente simple: 1s2 2s2 2p5
3.2.3.1.2
Covalente doble
En ocasiones, los tomos deben compartir ms de un par de electrones para alcanzar el octeto. Por
ejemplo, en la molcula de oxgeno O2.
A cada tomo de oxgeno le faltan dos electrones en su nivel externo para cumplir la ley del octeto o
estructura del nen, gas noble ms cercano.
Para adquirir esta configuracin, dos tomos de oxgeno deben compartir dos pares de electrones
de valencia, originando un enlace covalente doble; 1s2 2s2 2p4:
3.2.3.1.3
Covalente triple
Ocurre cuando los tomos que participan en el enlace covalente comparten tres pares de
electrones. Un tomo de nitrgeno, que en su nivel ms externo tiene cinco electrones, al unirse con
otro tomo de nitrgeno forma la molcula compartiendo tres pares de electrones para adquirir la
configuracin del gas noble: 1s2 2s2 2p3 :
Los enlaces covalentes se forman tambin entre tomos distintos: por ejemplo: H2O; NH3; CH4.
Los compuestos covalentes no son solubles en agua, pero s en disolventes orgnicos (ter,
benceno, etc.); no conducen la electricidad ni disueltos ni cuando estn fundidos.
28
Se define de la siguiente forma: "Es el enlace que se produce cuando dos tomos comparten una
pareja de electrones, pero dicha pareja procede solamente de uno de los tomos combinados.
En este caso el enlace se llama covalente dativo o coordinado. El tomo que aporta la pareja de
electrones recibe el nombre de donante, y el que los recibe, aceptor. Cuando queremos simplificar
la formula electrnica se pone una flecha que va del donante al aceptor.
El enlace covalente coordinado es aquel en el que el par de electrones compartidos son aportados
por uno de los tomos que conforma el enlace.
Como ejemplos de enlace covalente coordinado se tiene, los siguientes:
El dixido de azufre: SO2
3.2.4.1
Hay que tener en cuenta dos hechos fundamentales en la formacin de enlaces covalentes:
1. Si los tomos que conforman el enlace son iguales, el enlace es NO POLAR.
2. Si los tomos que comparten el par electrnico son distintos, hay diferencia en
electronegatividad; el enlace es POLAR.
La formacin de la molcula de hidrgeno ilustra el primer caso. Los electrones que se comparten
son atrados con la misma fuerza por los dos ncleos del hidrgeno, de modo que la carga negativa
se sita en el centro de la molcula; la simetra que resulta se ubica en el centro de la molcula. As,
tanto la carga negativa como la positiva coinciden en el centro. Esto explica la neutralidad elctrica
de la molcula de tal forma que no presenta ningn tipo de desplazamiento hacia ningn ncleo.
3.2.4.1.1
Enlace no polar
Es el enlace covalente formado por dos tomos iguales y cuyo compartimiento de electrones es
uniforme como se muestra en la figura 3-5.
3.2.4.1.2
Enlace polar
29
La distribucin asimtrica de la carga implica la formacin de un enlace polar, por lo que se puede
concluir que la molcula es bipolar, pues uno de sus extremos presenta mayor electronegatividad
que el otro.
3.2.5
Enlace metlico
Un tercer tipo de enlace atmico es el enlace metlico, que se presenta en los metales slidos. En
metales en estado slido, los tomos se encuentran empaquetados relativamente muy juntos es
una ordenacin sistemtica o estructura cristalina.
El enlace metlico es consecuencia de la facilidad de disociacin de los metales en iones positivos y
electrones libres. Hay muchos estados cunticos disponibles en los metales, todos los cuales no
pueden ser ocupados por electrones cuando los tomos se acercan unos a otros. Por consiguiente,
los metales tienen enlazamiento no saturado y se componen de un gran nmero de tomos (una
macromolcula). Los electrones liberados se desplazan con facilidad de los orbtales de un tomo a
los del otro y ya no est confinados a un par de tomos; elementalmente, son como un fluido. Es
por esto que, por lo comn, se representa a los metales como un gran agregado de centros inicos
positivos inmersos en una nube o mar de electrones como en la figura 3-7. Esta es la clsica y
simple teora de los electrones libres de los metales, para distinguir los metales de los no metales,
explica las conductividades elctricas y trmicas extraordinariamente buenas de los metales,
tambin explica la opacidad ptica y la reflectividad. La oscilacin de los electrones libre absorbe la
energa de la luz incidente en todas las longitudes de onda, y por tanto, hace que el metal sea
opaco. Por otra parte, los electrones oscilantes tambin emiten ondas luminosas (fotones) y
confieren reflectividad al metal.
30
Figura 3-7El enlace metlico se compone de centros inicos positivos inmersos en un mar o nube de electrones.
3.2.6
Enlaces mixtos
31
3.2.6.1
Inico - covalente
Metlico - covalente
Metlico - inico
Inico - covalente - metlico
Enlace mixto inico covalente
La mayora de las molculas con enlaces covalentes poseen algo de enlace inico y viceversa. El
carcter inico parcial de los enlaces covalentes se pude interpretar en trminos de la escala de
electronegatividades. Cuanto mayor es la diferencia en las electronegatividades de los elementos
involucrados en un enlace inico - covalente, mayor es el grado de carcter inico del enlace. El
grado de carcter inico en el enlace crece a medida que lo hace la diferencia de
electronegatividades entre los tomos del compuesto.
3.2.6.2
Se presenta frecuentemente, por ejemplo, los metales de transicin tienen enlace metlico covalente mixto que involucra orbtales enlazantesdsp. Los altos puntos de fusin de los metales de
transicin son atribuidos al enlace mixto metlico - covalente. Tambin en el grupo 4A de la tabla
peridica hay una transicin gradual desde el enlace covalente puro en el carbono (diamante) a
algn carcter metlico en el silicio y germanio para terminar, en estao y plomo, con un enlace
primordialmente metlico.
3.2.6.3
Si se da una diferencia significativa de electronegatividad en los elementos que forman parte del
enlace metlico, puede ser que exista una cantidad significativa de transferencia electrnica (enlace
inico) en el compuesto. As pues, algunos compuestos metlicos son ejemplo de enlace mixto
metlico - inico.
3.2.7
La principal causa de cohesin dentro de determinado material tcnico es uno o varios de los tres
enlazamientos que se describieron anteriormente. El enlace van der Waals es una fuerza dbil de
atraccin que puede existir entre los tomos y las molculas. A este enlace se debe la condensacin
de los gases nobles y de las molculas con enlaces qumicos para formar lquidos y slidos a
temperaturas bajas. El mecanismo de enlazamiento secundario es algo semejante al inico, esto es,
por atraccin de cargas opuestas. La diferencia clave es que no se transfieren electrones. La
atraccin depende de las distribuciones asimtricas de carga positiva y negativa dentro de cada
unidad atmica o molecular que se enlaza. Esta asimetra de carga se llama dipolo. El enlazamiento
secundario puede ser de dos tipos, segn los dipolos sean:
1.- Temporales
2.- Permanentes
La figura 3-8 muestra como dos tomos neutros pueden desarrollar una fuerza dbil de
enlazamiento entre ellos, a causa de una ligera distorsin de sus distribuciones de carga.
32
Figura 3-8 tomos neutros que pueden desarrollar una fuerza dbil de enlace.
La figura 3-8 muestra el desarrollo de dipolos inducidos en tomos adyacentes llevando a un enlace
secundario dbil.
El momento de un dipolo elctrico se crea cuando dos cargas iguales y opuestas se separan. Los
dipolos en los tomos o en las molculas crean momentos dipolares. Un momento dipolar se define
como el valor de la carga multiplicado por la distancia de separacin entre cargas positiva o
negativa, o
= qd
donde = momento dipolar
q = magnitud de la carga elctrica
d = distancia de separacin entre los centros de las cargas
Los momentos dipolares en tomos y molculas se miden en Culombio - metro (C m) o en debyes,
donde un debyes = 3.34 10-10C.m.
Las molculas compuestas de dos o ms tomos diferentes, se pueden crear dipolos permanentes
entre los tomos en virtud de sus diferencias de electronegatividad. El tomo ms electronegativo
atrae el electrn hacia s y lo aleja del elemento menos electronegativo; se forma una molcula
polar con dipolo permanente, en la que el segundo tomo tiene carga positiva y el primero, carga
negativa. Un buen ejemplo de esto son los puentes de hidrgeno que unen a las molculas polares de
agua y mantienen esta sustancia en forma lquida a temperatura ambiente como se observa en la
figura 3-10
Los dipolos se componen de los tomos de O con carga negativa y a los tomos de H con carga
positiva. El puente de hidrgeno es el enlace entre los tomos de hidrgeno de una molcula de
agua y tomos de oxigeno negativos de otras molculas de agua como se muestra en la figura 3-10.
33
Los puentes de hidrgeno son tambin el mecanismo mediante el cual las cadenas
macromoleculares de los polmeros se mantienen unidas. La baja resistencia a la cedencia y los
reducidos mdulos de los polmeros (plsticos) se explican en virtud de los dbiles puentes de
hidrgeno y enlaces de van der Waals que se rompen con facilidad cuando se someten los polmeros
a esfuerzos.
La figura 3-11 muestra enlaces intermoleculares de van der Waals entre cadenas polimricas.
3.2.8
De la curva que representa la energa de enlace (figura 3-12), se puede deducir, varias
propiedades de los materiales:
34
Figura 3-12a) representa la curva de fuerza de enlace (indica la separacin de los tomos x0), La pendiente de la fuerza
total Ftes aproximadamente lineal en la cercana de x0 .La fig. b, representa la curva de energa de enlace para el NaCl en
el que se muestra la separacin de equilibrio x0.
De la curva de energa de enlace se puede deducir, varias propiedades de los materiales. Se puede
estimar la energa de enlace, la longitud promedio de enlace, el mdulo de elasticidad y el
coeficiente de dilatacin o expansin trmica.
El valor de la energa Ut es el trabajo efectuado por el sistema para acercar 2 tomos o iones desde
una separacin infinita o lo que es igual la cantidad de energa que debe suministrarse al sistema
para separar totalmente los tomos o iones. La magnitud de Ut en x0, o profundidad del pozo de
energa, es una medida de la resistencia inherente al enlace, que es la energa de enlace, x0
corresponde a la longitud del enlace.
La curva de energa est en funcin de la posicin cuando las nicas fuerzas que actan son las
atmicas de atraccin y repulsin, pero, si sobre el sistema actan otras fuerzas o fuentes de
energa externas (cargas externas, campo electromagntico. Cambios de temperatura), se pueden
alterar la longitud de enlace y la energa efectiva de enlace. Una de las claves de la ingeniera de los
materiales es comprender y modelar la interaccin entre variables externas y la estructura a escala
atmica.
35
Observando cmo se comporta un sistema de tomos frente a una carga externa (fig. 3-12a),
muestra que la curva de la fuerza del enlace es aproximadamente lineal cerca de la posicin de
equilibrio. Entonces la pendiente de la curva (dF / dx) en x0 es una medida de la fuerza necesaria
para desplazar a los tomos respecto a sus posiciones de equilibrio. Matemticamente, cerca de x 0,
el desplazamiento x es proporcional a la fuerza:
F x
F/ x = a E
F = dU / dx
d2 U / dx2 = a E,
36
Para muchos materiales se puede representar esta relacin, dentro de un intervalo limitado de
temperatura, mediante la ecuacin:
( xe - x0 ) / x0 = 1 ( T T0 )
Donde xe es el espacio de equilibrio a la temperatura T, y x0 es el espacio de equilibrio a la
temperatura de referencia T0, y 1 es el coeficiente de dilatacin lineal. Se puede pronosticar que
los materiales con grandes energas de enlace, los que tienen pozos de energa profundos y
simtricos, deben tener valores de 1 bajos. Esta prediccin se confirma al comprobar que los
elementos con una elevada temperatura de fusin, tienen menores coeficientes de dilatacin
trmica.
Es importante indicar que la relacin entre la curva de energa de enlace y las propiedades
macroscpicas, indican tendencias generales. Sin embargo, son tiles para comprender y
pronosticar diferencias relativas de las propiedades de materiales distintos. No se pueden calcular
los valores absolutos de longitud de enlace, energa de enlace, mdulo de elasticidad y coeficiente
de dilatacin, pues, los coeficientes de las ecuaciones no se conocen con exactitud y las propiedades
de los materiales se suelen medir en el laboratorio.
Tipo de Enlace
Inico
Covalente
Metlico
Tipo de
sustancia
NaCl
MgO
Si
C (diamante)
Hg
Al
Fe
W
Ar
Cl2
NH3
H2O
Energa de enlace
Kg/mol
eV/tomo
Kcal/mol
Ion/
molec.
640 (153)
3,3
1000 (231)
5,2
450 (108)
4,7
713 (170)
7,4
68 (16)
0,7
324 (77)
3,4
406 (97)
4,2
849 (203)
8,8
7,7 (1,8)
0,08
31 (7,4)
0,32
35 (8,4)
0,36
51 (12,2)
0,52
Temperatura
de fusin [C]
801
2800
1410
3550
-39
660
1539
3410
-189
-101
-78
0
37
4.
5.
Dependiendo del material, los tomos tienen dos posibilidades para enlazarse.
a) Los tomos no siguen ningn orden o siguen un orden de corto alcance materiales
amorfos
b) Los tomos siguen un ordenamiento de largo alcance materiales cristalinos.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma como se organizan loa tomos en el
material.
38
Muchos de los slidos son materiales cristalinos, mientras otros son amorfos, primero se enfoca la
atencin en los cristalinos.
La importancia en la ingeniera de la estructura fsica de los materiales slidos depende
principalmente de la disposicin de los tomos, iones y molculas que constituyen el slido y las
fuerzas de enlace entre ellos. Si los tomos o iones de un slido se ordenan en una disposicin que
se repite en tres dimensiones, forman un slido del que se dice tiene una estructura cristalina y nos
referirnos a l como un slido cristalino o material cristalino. Ejemplos de materiales cristalinos son
los metales, las aleaciones y algunos materiales cermicos como se muestra en la figura 4-4.
El ordenamiento atmico en los slidos cristalinos puede representarse asimilando los tomos a los
puntos de interseccin de una red de lneas en tres dimensiones. Tal red se llama retculo espacial
(fig. a) y puede ser descrita como una dispersin de puntos tridimensional infinita. Cada punto en la
red espacial tiene idntico entorno. Cada red espacial puede ser descrita por la agrupacin de
puntos reticulares alrededor de cualquier punto dado, lo que conforma una celda unidad que se
repite tal como lo especifica la fig. a.
El tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres vectores reticulares a, b, y c,
que se originan a partir de un vrtice de la celda unidad (fig. b). Las longitudes axiales a, b y c y los
ngulos inter-axiales , y son las constantes reticulares.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma como se organizan los tomos en el
material. La estructura cristalina se determina por difraccin de rayos X.
39
Bravais mostr que las 14 celdas unidad estndar podran describir todas las estructuras reticulares
posibles.
40
En el sistema cbico hay tres tipos de celda unidad: cbica sencilla; cbica centrada en el cuerpo y
cbica centrada en las caras. En el sistema ortorrmbico estn representados los cuatro tipos. En el
sistema tetragonal hay slo dos: sencilla y centrada en el cuerpo.
El sistema monoclnico tiene celdas unidad sencilla, centrada en la base, y los sistemas
rombodrico, hexagonal y triclnico tienen una sola celda unidad.
En la estructura CS tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, pero comparte con ocho celdas, por
lo tanto, la cantidad total de tomos por celda unitaria es (8 * 1/8), total 1 tomo por celda
unitaria como se muestra en la figura 4-5
Figura 4-5Estructura CS
La estructura BCC tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, que representan 1 tomo y un tomo
central, en total (8 * 1/8) +1 da dos tomos por celda unitaria como se muestra en la figura 4-6
Figura 4-6Estructura CS
La estructura FCC, tiene ocho tomos, uno en cada vrtice, que representan 1 tomo, adems 6
tomos en los centros de las caras (cada tomo se comparte con dos celdas), por lo tanto el
nmero total de tomos es: (8 * 1/8) + (6 * ), da cuatro tomos por celda unitaria como se
muestra en la figura 4-7
41
La estructura HCP, tiene 12 tomos, uno en cada vrtice, compartidos con seis celdas unitarias;
dos tomos en los centros de las bases, compartidos por dos celdas unitarias, y tres tomos en
el plano central. Por lo anterior, la cantidad total de tomos de tomos es: (12 * 1/6) + (2 *1/2) +
(3 * 1), en total tiene 6 tomos por celda unitaria como se muestra en la figura 4-8
4.3.2
Numero de coordinacin
En la estructura BCC, el tomo central est en contacto con 8 tomos. Nmero de coordinacin
es como se muestra en la figura 4-10.
En la estructura FCC, el tomo del centro de la cara tiene 12 vecinos ms cercanos. Nmero de
Coordinacin NC = 12 como se muestra en la figura 4-11
42
4.3.3
Figura 4-13Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura CS.
En la estructura BCC. La direccin en la cual los tomos se tocan es en la diagonal del cubo, por
lo tanto en la figura 4-14
4r
3
Figura 4-14 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura BCC.
En la estructura FCC. La direccin en la cual los tomos se tocan es en la diagonal de la cara del
cubo, por lo tanto en la figura 4-15
4r
2
Figura 4-15 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura FCC.
En la estructura HCP. La direccin en la cual los tomos se tocan es en plano basal, por lo tanto,
uno de los parmetros reticulares es el que se muestra en la figura 4-16.
43
a 2r
Figura 4-16Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura HCP.
c
4.3.4
4a
1,633 a 3,266r
6
4.3.5
Densidad
=
Coordenadas de puntos
El primer paso para describir las estructuras cristalinas es seleccionar un sistema de coordenadas.
Para este caso se elige el sistema cartesiano de coordenadas derecho. El siguiente paso es orientar
el sistema de coordenadas en la celda unitaria. Como se ve en la figura para una celda unitaria
cbica, la orientacin ms comn es alinear los tres ejes coordenados con las aristas de la celda
unitaria., con el origen en un vrtice de la celda. Sin embargo, es importante observar que la
eleccin de un origen es arbitraria y que depende del problema en que se emplee como se muestra
en la figura 4-17
44
Una vez definido un sistema de coordenadas, los puntos de la red se describen mediante los
vectores de traslacin unitarios h, k, l, cualquier nmero de veces para llegar a un segundo punto,
obtenindose un vector que va del origen a ese segundo punto. Este vector es: P = ha + kb + lc
A partir del origen elegido, como se muestra en la figura 4-18.
Puesto que un vector tiene tanto direccin como magnitud, una direccin en la red espacial es un
vector.
La direccin se identifica con las coordenadas vectoriales (h. k. l) de P respecto a un origen elegido,
las cuales se toman como los ndices de Miller de la direccin del origen a P, y se encierra entre
corchetes [hkl]. As por ejemplo: [1]; [112] y [224], representan la misma direccin, pero la
forma [112] es la que se prefiere. Las fracciones se eliminan multiplicando por el menor
denominador comn.
Los nmeros positivos significan traslaciones de los vectores unitarios en la direccin positiva, y los
nmeros negativos representan traslaciones de los vectores unitarios en la direccin negativa. En la
notacin de los ndices de Miller (1, -2, 3) se indica cmo [123] o abajo.
Los ndices de Miller de direcciones se obtienen como sigue:
1. Determinar los ejes de coordenadas.
2. Determine las coordenadas de dos puntos que estn en la direccin de inters, h1, k1, l1 y h2, k2,l2.
El clculo se simplifica si un punto corresponde al origen del sistema de coordenadas.
3. Reste las coordenadas del segundo punto menos las del primero.
45
ndices de planos.
Tambin los planos de la red cristalina se identifican mediante ndices de Miller, esta vez como h, k,
y l encerrados entre parntesis (hkl), para un plano especfico.
Al igual que en el caso de las direcciones cristalinas, existen planos de una forma que son
equivalentes y estn relacionados por simetra.
Se ha visto que los ndices de Miller de una direccin son las coordenadas vectoriales de un punto o
vector de la red espacial. Ahora la pregunta es qu significan los ndices de Miller de un plano?
Recordando que en general, los planos tienen intersecciones con los ejes. Los ndices de Miller de
planos se obtienen con el siguiente procedimiento:
1. Determinar los ejes de coordenadas.
2. Identificar las coordenadas del plano al origen, es decir, las coordenadas de las intersecciones del
plano con los ejes x, y y z. Si el plano es paralelo a uno de los ejes, se considera que la coordenada
al origen es infinito (), Si el plano pasa por el origen, se considera un plano equivalente en una
celda adyacente, o se cambia de lugar el origen que se usa para referenciar al plano.
3. Determine las recprocas de las coordenadas al origen.
4. Elimine las fracciones, pero no reducir a los enteros mnimos.
5. Cite los planos en parntesis (hkl), de nuevo con rayas hacia arriba de los ndices negativos.
Ejemplos:
Por ejemplo: Los miembros de la familia de planos {100} son (100), (010), y (001) y sus negativos son
(00), (00) y (00).
Al manejar los ndices de direcciones y planos se tienen varias propiedades y relaciones
importantes:
1. Los planos y sus negativos son equivalentes. Los negativos de las direcciones no son
equivalentes, sino que apuntan en direcciones opuestas.
2. No necesariamente los planos equivalen a sus mltiplos. Las direcciones son invariantes a la
multiplicacin de un factor.
3. En las estructuras cristalinas cbicas, un plano y una direccin que tienen los mismos ndices son
ortogonales.
4.4.3
Los procedimientos descritos para identificar los ndices de Miller de los planos y direcciones son
aplicables a todos los sistemas cristalinos. Por lo tanto, se utilizan los mismos sistemas para
obtener los ndices de Miller de los planos y direcciones de la estructura HCP. Sin embargo, con el
propsito de poner de manifiesto la simetra hexagonal, la representacin de tres dgitos (ndices de
Miller) se convierte en una representacin de cuatro dgitos llamada ndices de Miller-Bravais. Esta
modificacin surge de la presencia de un tercer eje, a3, que est en el plano basal del prisma
hexagonal que se muestra en la figura 4-20.
El eje a3 guarda una relacin de simetra con a1 y a2 y se utiliza conjuntamente con los ejes
unitarios fundamentales, por lo tanto estos ndices se refieren a los cuatro ejes, a1, a2, a3 y c, y se
lo representan como (hkil). Las intersecciones de un plano en los ejes a1 y a2 determinan la
interseccin sobre el eje a3 y, por tanto, el valor de i depende de los valores de h y k. La relacin
es i = - (h + k).
La representacin de Miller Bravais asigna ndices similares a planos similares. Por ejemplo, todos
los lados o planos prismticos del hexgono de la figura adjunta, son similares y simtricos. En el
sistema bsico de tres ejes, los ndices de Miller son (100), (010), (110), (110), (100), (010) y (110).
En cambio, en el sistema de ndices de Miller Bravais con base en cuatro ejes, los ndices
correspondientes son (1010), (0110), (1100), (1010), (0110) y (1100).
47
En el sistema de tres dgitos, estas direcciones son [111], [001] y [101]. Se debe contar con un
conjunto de ecuaciones para convertir los ndices de Miller a la representacin de cuatro dgitos:
1
2u v
3
1
2v u
3
1
u v
3
w = w
Donde las letras con prima representan el sistema de tres dgitos [uvw] y las letras sin prima
corresponden al sistema de cuatro dgitos. [uviw]. Los ndices de cuatro dgitos de las mismas
direcciones son ahora [123], [23] y [113]. Por tanto las diagonales estn en un conjunto de
direcciones <1123>. Es necesario hacer hincapi que para obtener la representacin de cuatro
dgitos, primero se debe obtener los ndices de Miller (la representacin de tres dgitos), tanto de
planos como de direcciones. Como se ha sealado, el cuarto dgito i de la representacin de planos
(hkil) es, en realidad la interseccin fraccionaria sobre el tercer eje a3 y tiene significado fsico. En el
caso de las direcciones no se advierte un significado fsico similar del cuarto dgito de los ndices de
Miller- Bravais, y debido al procedimiento ms complicado que se sigue para obtenerlos, es mejor
conservar los ndices de Miller para las direcciones.
4.4.4
48
Los nombres se deben a que cada intersticio est situado en el centro de un octaedro o de un
tetraedro, respectivamente.
En la estructura FCC los intersticios ms grandes son los huecos octadricos situados en el centro de
las aristas del cubo e en el centro del cubo. Los huecos estn rodeados de seis tomos que forman
los vrtices de un octaedro, Figura 4-22 (a). Adems del intersticio octadrico del centro del cubo,
tambin existen 12 intersticios similares adicionales situados entre dos tomos en el centro de las
aristas del cubo. Los intersticios octadricos pueden alojar un tomo de radio 0,414 r.
Los intersticios tetradricos se indican en la figura 4-22 (b) y estn en el centro de tetraedros
formados por cuatro tomos. La distancia del vrtice al centro de un intersticio es a. Puesto que el
cubo tiene ocho vrtices, hay ocho intersticios tetradricos, cada uno de los cuales puede alojar un
tomo de radio 0,225 r, aproximadamente la mitad del tomo que cabe en un intersticio octadrico.
En la figura 4-23 (c) y (d) se muestran los intersticios octadricos y tetradricos de la estructura BCC.
El mayor de los dos tipos es ahora el tetradrico. Existen un total de 24 intersticios tetradricos,
cuatro en cada cara del cubo. Estos intersticios pueden alojar un tomo con un radio aproximado de
0,291 r, donde r es el radio del tomo en sitios de la red BCC.
49
Los intersticios octadricos, ms pequeos, estn situados en los puntos medios de las aristas, para
dar un total de 18 sitios. Los intersticios octadricos estn ligeramente comprimidos, con dos
tomos ms prximos, por esta razn, slo pueden alojar un tomo con un radio aproximado de
0,155 r.
As pues, se ve que la estructura BCC aloja un tomo esfrico de menor tamao que el que cabe en
la estructura FCC.
La estructura HCP tiene fundamentalmente la misma disposicin atmica que la FCC; por
consiguiente, los huecos octadricos y tetradricos de la HCP que se muestran en las figuras 4-24 (e)
y (f). Estos intersticios alojan tomos del mismo tamao que para la estructura FCC.
50
Ubicacin de los
Numero de
iones en torno al
coordinacin
in central
Lmites de la
razn de radio
catinico a radio
aninico
Lineal
Vrtices del
tringulo
0.156
Vrtices del
tetraedro
0.225
Vrtices del
octaedro
0.414
0.732
Grfico
La red de Bravais de una estructura inica est determinada por el vector de traslacin apropiado.
Los vectores de traslacin comunes son: (a) el de tipo (1,0,0) a lo largo de la arista en la red cbica
simple; (b) el de tipo (,,0) diagonal de la cara en la red FCC, y ( c ) el de tipo (,,) diagonal
del cuerpo en la red BCC. Para determinar el tipo de red, el vector de traslacin apropiado debe
comenzar y terminar en la misma clase de ion.
Puesto que el ion de Cs- est en contacto con los ocho iones de Cl-, el nmero de coordinacin es de
ocho, tanto para el catin como para el anin. A primera vista se puede confundir la estructura con
una BCC, pero se trata de una estructura cbica simple. Los ndices de Miller, se determinan por el
51
52
La celda unitaria es ortorrmbica, y esto quiere decir que no hay dos aristas que tengan la misma
longitud, pero que todos los ngulos son de 90. Se acostumbra usar la direccin c como direccin
de la cadena. Las dimensiones de las celdas unitarias en los polmeros son, en forma caracterstica,
mayores que las de los metales, sin embargo, tambin los cristales inicos complejos tienen
parmetros de celda grandes.
4.8.1
Cristales lquidos
Los cristales lquidos fueron descubiertos hace ms de cien aos (1888) por el botnico austriaco F.
Reinitzer, quien encontr que algunos compuestos orgnicos derivados del colesterol parecan
tener dos puntos de fusin. Ms especficamente, observ que al calentar los cristales de estas
sustancias a 145 C, el slido se transformaba en un lquido turbio; pero ste a su vez, se converta
en un lquido totalmente claro y transparente precisamente a 179 C. Al poco tiempo de estas
primeras observaciones (1889), el cristalgrafo alemn F. Lehmann descubri que el lquido turbio
intermedio entre los cristales y el lquido transparente posea propiedades pticas y una estructura
molecular muy parecida a la de un cristal slido, y acu el nombre de cristal lquido. Aun sin darse
plena cuenta, lo que en realidad haban descubierto era un nuevo estado de la materia: las fases
intermedias o mesofases.
Se da el nombre de cristal lquido a fluidos que muestran cierto grado de orden de largo alcance. En
efecto, por una parte llamamos lquido a una sustancia que fluye y toma la forma del recipiente que
la contiene; pero, por otra, a un cristal lo concebimos como sustancia slida y rgida. De modo que,
al menos intuitivamente, un cristal es precisamente lo opuesto a un lquido! Y sin embargo existen
sustancias reales, los cristales lquidos, que exhiben la dualidad slido-lquido, es decir, que,
simultneamente, poseen propiedades de los lquidos, fluidez y viscosidad, y propiedades pticas
que se parecen de modo asombroso a las de los cristales como, por ejemplo, poder reflejar colores
diferentes dependiendo del ngulo bajo el cual se les observe.
53
De acuerdo con el tipo de arreglos moleculares que pueden formar, Friedel (1922) clasific los
cristales lquidos en tres grandes clases: nemticos, esmcticos y colestricos. La fase nemtica
exhibe orden en la orientacin de sus molculas y al mismo tiempo desorden en la posicin de sus
centros de masa. Las molculas pueden moverse lateralmente, girar alrededor del eje comn o
deslizarse paralelamente a l.
Figura 4-30La fase nemtica exhibe orden de orientacin, pero desorden en la posicin de los centros de masa
moleculares.
54
Figura 4-31Cristal lquido esmctico con orden de orientacin de los ejes moleculares y orden en la posicin de sus centros
de masa.
Figura 4-32La direccin de orientacin molecular en cada plano de colestricos describe una trayectoria helicoidal (lnea
discontinua).
Figura 4-33.
55
Los granos son pequeos cristales, caractersticamente de 0,5 50 m de dimensin trasversal, pero
puede llegar a tener 1 cm de dimetro. Las superficies de los granos son superficies internas de
espesor finito, donde se encuentran cristales de distintas orientaciones. Muchos materiales
cermicos tienen tambin la forma de slidos policristalinos.
Para formar materiales monocristalinos, cuando se cuela el material, el enfriamiento debe ser muy
lento, con lo cual el material se solidifica dando un solo cristal. Los materiales de monocristal no
tienen fronteras de grano, por lo que tienen propiedades mecnicas, pticas y elctricas nicas, Los
de cuarzo (SiO2) se usan como transductores en una diversidad de aplicaciones, por ejemplo, en
receptores y sensores de alta calidad. Los monocristales de germanio y de silicio se usan mucho en
la microelectrnica. Los monocristales de aleaciones de nquel se usan en alabes de turbina, en
aviones a chorro de alto rendimiento. Los monocristales de Zafiro (Al2O3) y de diamante (Carbono)
son piedras preciosas.
57
4.11 Anisotropa
Cuando las propiedades de un material son independientes de la direccin en la que se miden, se
dice que el material es istropo. Cuando si dependen de la direccin, el material es anistropo. La
anisotropa puede presentarse a nivel microscpico o macroscpico. En temas anteriores, se ha
demostrado que se pueden estimar directamente las propiedades de los materiales, como el
mdulo de elasticidad y el coeficiente de dilatacin trmica, a partir de las curvas de enlace. Sin
embargo, esas estimaciones slo son vlidas en las direcciones especficas en las cuales se trazan
esas curvas, es decir, en las direcciones de empaquetamiento compacto. La separacin de los
tomos en la direccin que no sea la de empaquetamiento compacto, ser mayor que x0. En
consecuencia, las curvas de energa de enlace y todas las propiedades que se derivan de ellas
dependern de la direccin en la que se midan. Es por esta razn que los monocristales muestran un
cierto grado de anisotropa.
Mientras que los monocristales son anisotrpicos, la mayor parte de los policristales son casi
isotrpicos a escala macroscpica. La razn es que las propiedades del policristal representan un
promedio estadstico de las correspondientes a los granos constituyentes, orientados al azar.
Tambin se puede presentar la anisotropa en una escala estructural mayor. Como ejemplos
comunes tenemos la madera, al concreto reforzado, a los epxicos reforzados con fibras de carbono
y a los polmeros orientados. Esta anisotropa se relaciona con la estructura de esos materiales a los
niveles microscpico, o hasta macroscpico (por ejemplo en el concreto armado).
58
Difraccin de rayos X
5.1 Introduccin
El criterio actual de las estructuras cristalinas ha sido obtenido principalmente por medio de
tcnicas de difraccin de rayos X, esta es la principal herramienta para investigar la estructura a
escala de dimensiones atmicas. Aplicando ciertas leyes de la fsica se demuestra que la longitud de
onda de la radiacin electromagntica debe ser del orden del tamao de la dimensin que se va a
investigar. Por lo tanto, para investigar dimensiones atmicas en el intervalo de 0,5 a 50 , se
requiere una radiacin electromagntica cuya energa es caracterstica de los rayos X.
Los rayos X fueron descubiertos en el siglo XIX, y Von Laue y Bragg, quienes desarrollaron la teora
de la difraccin de los rayos X a principios del siglo XX. Es una tcnica relativamente sencilla, pero
que puede proporcionar mucha informacin exacta acerca de los espacios entre planos y de las
posiciones de los tomos.
Un diagrama esquemtico de una seccin transversal de un tubo de rayos X de filamento sellado, se
muestra en la siguiente figura 5-1. Cuando el filamento de wolframio del ctodo se calienta, se
liberan electrones por emisin termoinica y se aceleran a travs del vaco por la gran diferencia de
voltaje entre el ctodo y el nodo, por lo tanto ganando energa cintica. Cuando los electrones
golpean la lmina de metal (por ejemplo molibdeno) se emiten rayos X. Sin embargo, la mayor
parte de la energa cintica (cerca del 98%) se convierte en calor, por tanto, la muestra tiene que
enfriarse externamente.
El espectro emitido a 35kV usando una lmina de molibdeno se muestra en la figura 5-2. El espectro
muestra radiacin continua de rayos X para una longitud de onda que oscila entre 0,2 y 1,4 (0,02 y
0,14 nm) y dos picos de radiacin determinada se designan las lneas Ky K. Las longitudes de
onda de las lneas K y Kson caractersticas de un determinado elemento. En el molibdeno la lnea
Kaparece a una longitud de onda de unos 0,7 . El origen de esta radiacin determinada se explica
como sigue.
59
Figura 5-2
Primero, electrones K(electrones del orbital n = 1) se expulsan del tomo por bombardeo de la
lmina con electrones altamente energticos dejando los tomos excitados. A continuacin,
algunos de los electrones de orbitales ms altos (es decir n = 2 o n = 3) caen a niveles energticos ms
bajos, para remplazar los electrones K perdidos, emitiendo energa de una determinada longitud de
onda. La transicin de electrones del orbital L (n = 2) al orbital K (n = 1) genera energa de longitud de
onda correspondiente a la lnea Kcomo indica la figura 5-3.
Puesto que las longitudes de onda de algunos rayos X son ms o menos iguales a la distancia entre
planos de tomos en slidos cristalinos, los picos de difraccin debidos a la radiacin de
intensidades variables se pueden producir cuando un grupo de rayos X golpea un slido cristalino.
Sin embargo, antes de considerar la aplicacin de las tcnicas de difraccin de rayos X al estudio de
las estructuras del cristal, se estudia las condiciones geomtricas necesarias para producir difraccin
o reforzar los grupos de rayos X reflejados.
Considerando que un haz de rayos X monocromtico (longitud de onda sencilla) incide sobre un
cristal, como se muestra en la figura 5-4. Por simplificacin, se remplazan los planos cristalinos de
centros de dispersin atmicos por planos cristalinos que actan como espejos reflejando el haz de
rayos X incidente. En la figura 5-4 las lneas horizontales representan un conjunto de planos
cristalinos paralelos con ndices de Miller (hkl). Cuando un haz incidente de rayos X monocromticos
de longitud de onda X golpea este conjunto de planos con un ngulo tal que el diagrama de ondas
60
Figura 5-4 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
(a)Para ngulos arbitrarios de incidencia no se produce reflexin alguna
De este modo tienen lugar interferencias destructivas. Si los diagramas de ondas reflejados del haz
dejan a los diversos planos de fase, entonces se producir un reforzamiento del haz o interferencia
constructiva (fig. 5-5).
Figura 5-5 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
Para el ngulo de Bragg los rayos reflejados estn en fase y se refuerzan mutuamente
61
Figura 5-6 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal
(c) similar a (b) con la excepcin de que se ha omitido la representacin de la onda
Considerando a los rayos X incidentes 1 y 2 como se indican en la figura 5-6. Para que estos rayos
estn en la fase, la distancia extra de recorrido del rayo 2 es igual a MP +Pn, que debe ser un nmero
entero de longitudes de onda . De este modo:
n = MP +PN
donde n = 1,2,3,..., y se conoce como orden de la difraccin. Puesto que ambos MP y NP son iguales
a dhklsen, donde dhkles el espaciado interplanar de los planos cristalinos de ndices (hkl) la condicin
para interferencia constructiva (p.e., la produccin de un pico de difraccin de radiacin intensa)
debe ser:
n = 2dhklsen
Esta ecuacin, conocida como Ley de Bragg establece la ubicacin entre las posiciones angulares de
los haces difractados reforzados en trminos de longitud de onda de la radiacin de rayos X
incidente y de los espaciador, interplanaresdhklde los planos cristalinos. En la mayor parte de los
casos, se utiliza el primer orden de difraccin donde n = 1, y as, para este caso, la Ley de Bragg
adopta una forma:
n = dhklsen
Siendo n un entero. Esta ecuacin se llama ley de Bragg, y es la ecuacin fundamental de la
difraccin. Si se conoce la longitud de onda y si se mide la intensidad del haz difractado dentro de
un intervalo de , entonces se puede calcular d.
62
Las tcnicas de difraccin de rayos X, permiten determinar las estructuras de los slidos cristalinos.
La interpretacin de los datos de difraccin de rayos X para la mayora de las sustancias es
compleja, por eso slo se considerar el caso sencillo de difraccin en metales de estructura cbica
pura. El anlisis de difraccin de rayos X para celdas unitarias cbicas puede ser simplificado
combinando la ecuacin:
d hkl
a
h2 k 2 l 2
2 a sen
h2 k 2 l 2
Esta ecuacin puede ser utilizada con los datos de difraccin de rayos X para determinar si una
estructura cristalina es cbica centrada en el cuerpo o cbica centrada en las caras. Para emplear la
ecuacin anterior, en el anlisis de difraccin, debemos saber que planos del cristal son los planos
de difraccin para cada tipo de estructura cristalina. Para la red cbica simple, son posibles
reflexiones desde todos los planos (hkl).
Sin embargo, para la estructura BCC la difraccin ocurre sobre los planos cuyos ndices de Miller
sumados (h + k + l) da un nmero par. En el caso de la estructura cristalina FCC, los planos
principales de difraccin son aquellos cuyos ndices de Miller son todos los pares o todos los
impares (cero se considera par). De este modo, para la estructura cristalina FCC, los planos
difractantes son {111}, {200}, {220} etc., que se enumeran en la tabla 5-1.
63
{220}
{221}
{310}
h +k +l
Suma
(
h2 + k2 + l2)
12 + 02 + 02
12 + 12 + 02
12 + 12 + 12
22 + 02 + 02
22 + 12 + 02
22 + 12 + 12
2
2 + 22 + 02
22 + 22 + 12
32 + 12 + 02
1
2
3
4
5
6
8
9
10
Planos cbicos
Difracciones {h k l}
FCC
BCC
110
111
200
200
220
211
220
310
64
En la red bidimensional, hay ciertas posiciones donde faltan tomos (una posicin que
normalmente debera estar ocupada, est vaca), mientras que en otros lugares los tomos estn en
posiciones equivocadas (los tomos se colocan en posiciones que deberan estar desocupadas). En
el primer caso se trata de vacancias, y en el segundo se habla de intersticiales. Ambos son ejemplos
de defectos puntuales los que se muestran en la figura 6-2.
65
Al examinar la figura se ve que las tres clases de defectos alteran el espaciamiento de equilibrio
entre los tomos cercanos. Como se indic en la estructura atmica de los materiales, para alejar a
los tomos de sus posiciones de equilibrio se requiere un aumento en la energa del sistema. Este
aumento, que se debe al cambio en la longitud del enlace, se le llama energa de deformacin. Se
puede considerar que la energa de deformacin es anloga al aumento de energa que hay cuando
un resorte se estira o se comprime. Adems, las tres clases de defecto puntual puede alterar el
nmero de coordinacin de los tomos que lo rodean, y esto tambin ocasiona un incremento de
energa. Por lo anterior, podemos llegar a la conclusin que la presencia de vacancias, intersticiales
o tomos sustitucionales eleva la energa interna del cristal. La energa libre de un cristal G (energa
de Gibbs), es un equilibrio entre la entalpa (H), que es una medida de la energa interna del cristal, y
la entropa, que es una medida de la aleatoriedad o desorden en el cristal. G aumenta con un
incremento en la energa interna, o con una disminucin en la entropa.
Desde el punto de vista termodinmico, se encuentra que en una estructura cristalina puede haber
defectos puntuales, sino que por la necesidad de tener un sistema estable, esto se logra en un
estado con mnima energa.
El concepto de mnima energa libre con respecto a la concentracin de defectos se puede emplear
para demostrar que la cantidad de vacancias se relaciona con la temperatura absoluta con la
siguiente relacin:
Q fV
NV NT exp
RT
66
CV
Q fV
NV
exp
RT
NT
En donde CV, es una cantidad adimensional. Se puede deducir una ecuacin parecida para la
concentracin de intersticiales, sustituyendo el valor adecuado de la energa de formacin de
intersticiales Qfi.
Los defectos puntuales desempean un papel principal en la determinacin de diversas propiedades
de los cristales.
6.1.1
En los cristales inicos no hay vacancias nicas aisladas, porque la eliminacin de un solo ion
ocasionara el desequilibrio de la carga elctrica en el cristal. En lugar de ello, las vacancias slo
pueden presentarse en pequeos grupos, y la relacin catin: anin de la vacancia debe ser tal que
el cristal, en conjunto, quede elctricamente neutro como se muestra en la figura 6-3.
Las concentraciones relativas de los diversos defectos puntuales se determinan por las energas de
formacin de defectos y por el requisito de la neutralidad elctrica. Con argumentos
termodinmicos parecidos a los que se usaron para deducir la ecuacin de concentracin de
vacancias en slidos no inicos, se pueden se pueden estimar las concentraciones de vacancias e
intersticiales en los slidos inicos, para los efectos de Frenkel, mediante la ecuacin:
CV
NV
exp
NT
Q fVi
2 RT
Ni
NT
Ci
67
CV , cat
NV , cat
NT
Q fVp
exp
2 RT
NV , an
NT
CV , an
En donde Cv,cat y Cv,an son, respectivamente, las concentraciones de vacancias de catin y de anin,
y Qfvp es la energa necesaria para formar un par de vacancias de catin y anin. Para los defectos de
Schottky en los compuestos AnBm:
pCV , cat
Q fVc
nm exp
n 2 m 2 RT
nC
an
En donde Qfvc es la energa necesaria para formar un grupo de n vacancias de catin y m vacancias
de anin.
68
Dislocacin helicoidal
Es necesario definir una dislocacin helicoidal, la cual se muestra esquemticamente en la figura 66a, donde puede considerarse que cada pequeo cubo representa una celda unitaria. La figura 6-6b
representa al mismo cristal con la posicin de la lnea de dislocacin marcada por la lnea BC.
La definicin de dislocacin helicoidal para este defecto reticular se deriva del hecho de que los
planos reticulares del cristal forman una espiral en la lnea de dislocacin BC.
En la figura 6-7 se observa las dislocaciones helicoidales o denominadas dislocaciones de tornillo.
Cuando aparecen varias dislocaciones helicoidales, unas a continuacin de otras, dan la apariencia
del filete de un tornillo, por ello se denomina dislocacin de tornillo.
69
Superficie libre
La superficie libre del material se considera un defecto, pues, los tomos de la superficie tienen
menos vecinos inmediatos, y en consecuencia, mayor energa que los tomos con nmero de
coordinacin ptimo, situados dentro del cristal. La energa adicional asociada con la superficie libre
de llama tensin superficial y se expresa en unidades de energa por rea. Las superficies libres
suelen ser sitios de reacciones qumicas, porque la energa adicional est disponible para
impulsarlas. En la figura 6-8 se observa la estructura en la superficie.
6.3.2
Frontera de grano
Los granos son porciones del material dentro de las cuales el arreglo atmico est orientado en una
direccin definida.
La frontera es la superficie que separa a los granos entre s como se muestra en la figura 6-9.
6.3.3
Maclado
70
Lmite de macla
6.3.4
Tamao de grano
El tamao de los granos influye en las propiedades mecnicas del material tal como se muestra en
la figura 6-11.
Las propiedades de los materiales pueden modificarse manipulando los defectos de la estructura
cristalina. En el presente caso se puede tener endurecimiento por tamao de grano (fronteras).
71
n 2
N 1
72
6.4.1
Poros
Los poros son regiones volumtricas abiertas en un material. Se pueden formar por aglomeracin
de vacancias que se difunden, por el bombardeo de un cristal con radiacin de alta energa, o por
muchas operaciones de procesamiento que producen burbujas de gas. Su tamao puede ir de
algunos nanmetros hasta centmetros, o ser an mayores. Los poros tienen un efecto perjudicial
apreciable sobre las propiedades mecnicas de los materiales.
Poros
Grietas
Figura 6-13 Poros y grietas
Tambin, el tamao de los precipitados puede tener dimensiones desde atmicas hasta
macroscpicas. Con frecuencia, el precipitado asume su propia estructura cristalina, distinta de la
red anfitriona. En este caso, quiz sea ms correcto considerar la interfase bidimensional entre
matriz y precipitado como el defecto en la estructura cristalina.
La extensindel concepto de un defecto cristalino tridimensional hasta sus ltimas consecuencias es
la formacin de un volumen relativamente grande de material, en el que se elimina toda la huella
de orden de largo alcance, es decir, una regin amorfa dentro de un agregado policristalino.
73
Deformacin y Recristalizacin
7.1 Introduccin
Con el conocimiento de la nomenclatura de los planos y direcciones cristalinas, estamos en
situacin de ver cul es la influencia de la estructura cristalina de un metal en su deformabilidad. La
deformacin de los materiales se produce por deslizamiento sobre planos preferentes a lo largo de
ciertas direcciones preferentes. A stos se les llama planos de deslizamiento y direcciones de
deslizamiento; una combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin de deslizamiento
se denomina sistema de deslizamiento.
Los planos de deslizamiento preferenciales son los que tienen las fracciones atmicas lineales ms
grandes. Por ello, es necesario determinar los planos de deslizamiento y las direcciones de
desplazamiento de las estructuras cristalinas ms comunes para determinar sus sistemas de
deslizamiento. Cuanto mayor es el nmero de sistemas de deslizamiento independientes, tanto
ms deformable es el material.
Las reas de los tomos son las secciones que el plano corta al pasar por el centro del tomo o por el
punto de la red. En la tabla 7-1se resume la determinacin del plano de deslizamiento en cada una
de las estructuras (BCC) y (FCC).
PLANOS
rea de la
seccin plana
BCC
rea
de los
tomos
{100}
NA = 1
A = r2
{110}
NA = 2
A = 2r2
1
{111}
NA = 2
1
A = 2r2
Fraccin
planar
1
rea de la
seccin planar
FCC
rea
de los
tomos
2
2
NA = 2
A = 2r2
Fraccin
planar
1
2
2 2
NA = 2
A = 2r2
2
3 2
NA = 2
A = 2r2
2 2
2
2 2
2 2
2 2
3 2
74
La longitud de los tomos est dada en trminos del radio atmico cuando la direccin pasa por el
centro del tomo o punto de red. Se determina el nmero de radios atmicos presentes sobre la
direccin y despus se divide ese nmero entre la longitud de la direccin para obtener la FAL
(fraccin atmica lineal).
La determinacin de la direccin de deslizamiento en cada una de las estructuras BCC y FCC, se
resumen en la tabla 7-2.
DIRECCIONES
Seccin
BCC
Longitud
atmica
<100>
2r
<110>
2r
<111>
4r
Fraccin
lineal
2
1
1 2
2
2 2
3
Seccin
FCC
Longitud
atmica
2r
2r
4r
Fraccin
lineal
2
1
2 2
2
1 2
3
Se observa, que las direcciones de deslizamiento son <111> para la BCC y <110> para la FCC,
porque stas son las direcciones con la FAL ms grande. Adems se ve que la distancia entre
tomos en la direccin de deslizamiento es la ms corta.
75
76
Estructura cristalina
Sistema de deslizamiento
Planos Direcciones Nmero
{110}
{112}
12
<111>
{123}
12
24
{111}
<110>
12
{0001}
<100>
77
Si las dislocaciones al moverse por la red encuentran distorsiones en esta se vern frenadas.
El introducir un tomo extrao en una red introduce una gran distorsin en la misma.
Dichas distorsiones dificultan el movimiento de las dislocaciones a su alrededor. Los tomos
extraos pueden ser de dos tipos atendiendo a su localizacin:
1. Intersticiales: Cuando ocupan posiciones entre los tomos.
2. Sustitucionales: Cuando sustituyen a tomos originales.
Figura 7-3
78
7.5.2
Las dislocaciones se desplazan por el material con mayor o menor facilidad atendiendo al
trabajo necesario realizar para romper y crear enlaces.
Si dentro de un material se introducen partculas rgidas, por las cuales no pueden moverse las
dislocaciones, estas se atascarn (anclado de dislocaciones) al llegar a dichas partculas.
79
7.5.3
80
7.5.4
Evolucin de las propiedades mecnicas con la deformacin en el caso del cobre (Cu)
81
Cuando a los materiales se los trabaja en fro, la deformacin que ocurre se produce por el
mecanismo de deslizamiento de ciertos planos del cristal (planos de deslizamiento) y en direcciones
determinadas (direcciones de deslizamiento) y adems, por la presencia de una tensin tangencial
que acta para producir el deslizamiento. Para comprender el concepto de tensin tangencial
crtica, en la figura, se muestra un material de forma cilndrica, de seccin transversal A, se le
somete a una fuerza axial F, slo la componente de esta fuerza, en la direccin de deslizamiento, es
eficaz para mover la dislocacin. La figura 7-4 se emplear para obtener la ley de Schmidt
Esta componente es F cos, que al dividir por el rea del plano de deslizamiento, A/ cos, da la
correspondiente tensin de cizallado , por lo tanto:
El endurecimiento por deformacin es importante por varias razones, puesto que muchos
materiales trabajados en fro retienen un nivel razonable de ductilidad, el trabajo en fro ofrece al
ingeniero un mtodo de bajo costo para obtener materiales de resistencia elevada. Sin embargo, la
reduccin de la ductilidad puede generar presiones excesivas en las herramientas de corte, y puede
causar grandes problemas cuando se van a realizar grandes deformaciones, o cuando la
manufactura de productos incluye una sucesin de pasos de trabajo en fro. Entonces, es necesario
remover los efectos del trabajo en fro por medio del recocido.
Antes de la deformacin de un metal contiene 106 cm de lneas de dislocacin por cada cm3 de
metal, el cual es un nmero relativo de dislocaciones. Cuando se aplica un esfuerzo superior al de
83
7.6 Recristalizacin
Aunque todas las propiedades de los materiales deformados en fro se ven afectadas en cierto grado
por los tratamientos trmicos de recuperacin, es frecuente que propiedades tan importantes como
el lmite de fluencia y el alargamiento porcentual slo puedan modificarse radicalmente eliminando
la microestructura distorsionada, mediante la recristalizacin. La recristalizacin se produce
mediante un RECOCIDO, el cual se define como el tratamiento trmico que abarca el calentamiento
hasta una temperatura elevada (T > 0,5 Tf) su mantenimiento por determinado tiempo y su
posterior enfriamiento lento. La recristalizacin es el proceso que tiene lugar en la mayora de los
metales cuando se someten al calentamiento despus de haber sido deformados en fro (Dureza por
acritud). En trminos generales se puede definir como la nucleacin y crecimiento, en la matriz del
metal trabajado en fro, de granos sin deformacin.
En general, la estructura que se forma durante la recristalizacin es esencialmente la misma que
exista antes de la deformacin en fro. La importancia industrial de este fenmeno proviene del
hecho de que las propiedades de una aleacin son aproximadamente las mismas, despus de la
recristalizacin.
La fuerza de accionamiento para la recristalizacin la proporciona el incremento en el contenido de
energa (energa almacenada) que resulta de la densidad de las dislocaciones inducidas por el
trabajo en fro. Por lo tanto, la recristalizacin comienza a una temperatura tanto menor cuanto
mayor sea la deformacin por el trabajo en fro. Se sabe que un material de grano grueso tiene baja
resistencia, de ah que por lo general el objetivo sea producir un grano fino. Esto se puede lograr
aumentando la deformacin por trabajo en fro, porque para cualquier temperatura dada, se
formarn ms ncleos y al haber mayor nmero de granos su tamao ser menor. La temperatura
de 0,5 Tf se debe tomar slo como una gua aproximada, ya que incluso cantidades menores de
elementos de aleacin pueden retrasar en forma sustancial la formacin de nuevos granos y as
elevar la temperatura de recristalizacin. En el caso de la superaleaciones, la gran cantidad de
aleantes propicia el inicio de la recristalizacin a temperaturas de alrededor de 0,8 Tf. Cuando un
metal se mantiene a cierta temperatura durante un tiempo prolongado, crece el tamao de los
granos, este crecimiento de grano es indeseable porque la resistencia disminuye, y si es excesivo,
tambin la ductilidad.
Algunas caractersticas del trabajo en caliente son:
84
85
86
Se observa que cuando se produce un cambio de estado (tal como el de agua lquida a hielo slido),
se produce una pausa en el proceso de enfriamiento. Esta pausa se debe a que la sustancia absorbe
o entrega Calor Latente. El calor latente es la energa trmica necesaria para producir un cambio
de estado en una sustancia a temperatura constante. Los estados gaseoso, lquido y slido de una
sustancia se mencionan frecuentemente con el nombre de fases, y se dice que una sustancia se
encuentra en su fase gaseosa, en su fase lquida, o en su fase slida. Ms adelante se ver que
dentro del estado slido se producen tambin cambios de fase. La grfica superior mencionada
constituye la curva terica de enfriamiento del agua. En virtud que para la tecnologa de los
tratamientos trmicos, se requiere fundamentalmente dominar el mecanismo de cristalizacin
(solidificacin) de los metales, centramos nuestra atencin en el paso del estado lquido al slido,
denominado CRISTALIZACIN PRIMARIA. Este proceso transcurre como resultado del paso a un
estado ms estable en sentido termodinmico, con una energa libre menor.
F = H - TS
F = es la variacin de la energa libre del sistema
H = es la variacin de la energa total del sistema
T = es la temperatura absoluta
S = es la variacin de la entropa.
La variacin de la energa libre del lquido y slido en funcin de la temperatura se muestra en la
figura 8-2
87
8.4 Nucleacin
Dentro de la nucleacin pueden ocurrir dos eventos:
1. Nucleacin homognea.
2. Nucleacin heterognea.
8.4.1
Nucleacin homognea
Esta ocurre cuando el sub enfriamiento se hace lo suficientemente grande para permitir que el
embrin exceda el tamao crtico. Cuando un lquido se enfra bastante por debajo de la
temperatura de solidificacin en equilibrio, existe una mayor probabilidad de que los tomos se
renan para formar un embrin de radio mayor que el radio crtico, adems hay una mayor
diferencia de energa volumtrica entre el lquido y el slido, la cual reduce el tamao crtico del
ncleo, el cual se muestra en la siguiente ecuacin:
2Ts
r
H f T
*
Donde:
r*= radio crtico
= energa libre superficial por unidad de rea
Ts=Temperatura de solidificacin (K)
Hf= Calor latente de fusin
T = Sub enfriamiento (Ts-T)
88
T 0,2Ts
8.4.2
(K)
Nucleacin heterognea
Es la nucleacin que se da en la superficie de las impurezas. Todos los metales y aleaciones de uso
en ingeniera se nuclean heterogneamente durante la solidificacin. Las impurezas que estn en
contacto con el lquido sea que estn suspendidas en l o en las paredes del recipiente, proporciona
una superficie donde se puede formar el slido, consecuentemente se obtiene un radio de curvatura
mayor que el radio crtico con muy poca superficie total entre el slido y el lquido, se necesitarn
unos pocos tomos para producir una partcula slida con el radio requerido, y en consecuencia se
necesita menor sub enfriamiento.
Pueden formarse brazos secundarios y terciarios en los troncos primarios de la dendrita con el fin de
acelerar la evolucin del calor latente, y este crecimiento contina hasta que el lquido sub enfriado
alcance la temperatura de solidificacin. Cualquier lquido remanente solidifica por crecimiento
planar.
90
Si se desarrolla sub enfriamiento debido a la escasa nucleacin, la curva cae por debajo de la
temperatura de solidificacin. Luego que el slido se nuclea, ocurre el crecimiento dendrtico. El
calor latente es absorbido por el lquido sub enfriado, elevando nuevamente su temperatura hasta la
de solidificacin (fenmeno conocido como RECALESCENCIA), luego que la temperatura del lquido
restante sube hasta la temperatura de solidificacin, ocurre la estabilizacin trmica hasta que la
solidificacin se concluye mediante crecimiento planar. Esto puede observarse en la siguiente figura
8-7.
91
La curva de enfriamiento explicada, es la comn de una sustancia pura, por ello debemos ampliar la
explicacin a las curvas de enfriamiento para diferentes aleaciones.
La aleacin utilizada como ejemplo, es la formada por sal comn (cloruro de sodio) y el agua. Para
efecto de comparacin en la figura, se presentan las curvas de enfriamiento del agua pura y de la
solucin de sal en agua, dentro de intervalos de temperaturas que abarcan las fases lquidas y
slidas que se observa en la figura 8-8.
En el intervalo de temperaturas que muestran los dos puntos de detencin, se observa que el
comportamiento de una aleacin es diferente al de una sustancia pura, puesto que pasado el primer
punto de detencin, aparecen los primeros cristales de slido que estn formados por agua pura y la
solucin lquida restante tiene una concentracin mayor, al llegar al segundo punto de detencin, se
tendr hielo ms una pequea cantidad de solucin lquida muy concentrada, que finalmente se
convertir en slido. Si se grafican varias curvas de enfriamiento correspondientes a aleaciones que
tengan diversas concentraciones y proyectamos los valores de los puntos de detencin, sobre un
grfico que tenga dos ejes verticales y uno horizontal.
Se deben realizar curvas de enfriamiento para las diferentes soluciones slidas en diferentes
proporciones de los compuestos binarios existentes en la solucin (ejemplo 100% Pb 0% Sn, 95%Pb
5%Sn, 90%Pb 10%Sn, 75%Pb 25%Sn, 0%Pb 100%Sn).
En base a las curvas de enfriamiento, se observan los puntos donde existen cambios de pendiente y
donde existan mesetas. En el caso de los componentes que estn al 100%, la meseta corresponde a
la temperatura de fusin, mientras que en soluciones que estn presentes los dos componentes, la
meseta existente a una misma temperatura en todas las curvas de enfriamiento se dice que esta
temperatura corresponde a la temperatura del eutctico. La solucin de dos componentes donde
no exista cambio de pendiente y exista una meseta a una temperatura determinada (temperatura
eutctica), se dice que es una solucin eutctica. Los puntos correspondientes al cambio de
pendiente en las curvas de enfriamiento corresponden a los puntos de las curvas del lquidus (lnea
que separa la fase lquida y la coexistencia lquida y cualquier fase slida).
93
En la solucin slida, uno de los componentes conserva su propia red cristalina disolvente - y el
otro componente en forma de tomos separados se distribuye en la red cristalina del primer
componente soluto-. Las soluciones slidas pueden ser por sustitucin e intersticiales (por
insercin). Independientemente del tipo las soluciones slidas son monofsicas.
8.9.1
94
Las soluciones slidas por sustitucin pueden ser limitadas e ilimitadas. Cuando la solucin slida
es total, cualquier cantidad de tomos del metal A puede ser sustituida por tomos del metal B
como se muestra en la figura 8-13
8.9.2
En este caso los tomos del soluto se sitan en los intersticios de la red cristalina del disolvente,
como se observa en la figura 8-14.
Como en las soluciones slidas de este tipo los tomos del soluto deben insertarse en la red del
disolvente, se deben cumplir las siguientes condiciones:
95
El dimetro del tomo de soluto no es mayor del 59%, del dimetro del tomo de
disolvente. (Elementos como H, N, C, O, B).
El elemento disolvente (solvente) es polivalente.
Las sustancias estn cercanas entre s en la tabla peridica.
96
97
98
1083C
Ni
I = 79
G = 70
H = 57
100
100
% =
% =
GH = 70 - 57 = 13
IH = 79 - 57 = 22
IG = 79 - 70 = 9
13 100
= 60
22
9 100
% =
= 40
22
% =
Regla 4. Las composiciones de las fases deben ser tales que su composicin sea la misma que la
total. Esta es la base para determinar el porcentaje de los componentes en cada fase presente. El
diagrama de estado, permite determinar la composicin de cada fase, as la fase slida, contendr a
% del componente A y (1 a) % del componente B.
99
100
Por otro lado el diagrama hierro carbono tambin presenta un compuesto qumico, lo que lo hace
ms complejo, por ello se estudia solamente hasta la formacin del Fe3C, esto no solo porque
simplifica el anlisis del diagrama, sino que adems est justificado por el hecho de que en la
prctica se emplean las aleaciones metlicas cuyo contenido de carbono no supera el 5%.
Por lo tanto, al estudiar el diagrama hierro-carbono en la zona que abarca desde el hierro hasta la
cementita, puede considerarse que los componentes del sistema son el hierro y la cementita. En
este caso, antes de pasar al anlisis del sistema conviene conocer las propiedades y la estructura de
sus componentes.
8.14.1 Componentes del diagrama Hierro Carbono
El hierro es un metal blando, de color blanco plateado. El hierro puro contiene 99.99% de Fe. Las
clases de hierro tcnico contienen 99.80-99.91% de Fe. La temperatura de fusin del hierro es
1539C. Hasta los 768C, el hierro es magntico. La temperatura de 768C a la cual el hierro pierde
sus propiedades magnticas, recibe el nombre de PUNTO CURIE.
El hierro tiene dos modificaciones alotrpicas: Fe alfa y Fe gama.
El hierro alfa existe a temperaturas inferiores a 911C y superiores a 1392C hasta 1539C. La
explicacin de esto debe buscarse en la variacin de la energa libre en dependencia de la
temperatura.
La energa libre del hierro alfa es menor que la energa libre del hierro gama a temperaturas
inferiores a 911C y superiores a 1392C. En el intervalo entre 911 y 1392C es menor la energa
libre del hierro gama. Por lo tanto durante el calentamiento del Fe, a 911C se produce la
transformacin de Fe - Fe, y a 1392C la transformacin de Fe - Fe. La modificacin de Fe de
alta temperatura (llamado a veces Fe no es una nueva forma alotrpica.
Las propiedades mecnicas del hierro se caracterizan por las siguientes magnitudes:
101
Estos ndices pueden variar dentro de ciertos lmites, porque en las propiedades del hierro influyen
una serie de factores como el aumento del tamao de grano hace que disminuya la dureza.
El hierro forma soluciones con muchos elementos. Con los metales, soluciones por sustitucin; con
el carbono, nitrgeno, hidrgeno, soluciones por insercin.
Al estudiarse la formacin de soluciones de carbono en hierro, la solubilidad del carbono en el
hierro depende sensiblemente de la forma cristalogrfica en que se muestra el Fe. La solubilidad
del carbono en el hierro alfa es insignificante (menor que el 0,02%), y en el hierro gama es cien
veces mayor (hasta 2,14%).
En el otro eje vertical del diagrama hierro carbono, se representa la cementita (Fe3C carburo de
hierro), es un compuesto qumico cuya temperatura es 1600C.
8.14.2 Constituyentes monofsicos
8.14.2.1 Ferrita
Es una solucin slida de carbono en el hierro alfa Fe (C). La solubilidad mxima de carbono en la
ferrita es aproximadamente de 0,008% de C a 20C y 0,03% de C a 723C. Su red cristalina es cbica
de cuerpo centrada. La ferrita es una solucin slida intersticial, los tomos de carbono se disponen
en los intersticios de la red de Fe. La ferrita es magntica y muy plstica. La dureza es HB 80 100,
resistencia a la traccin (Rt) = 32Kgf/mm2. La figura 8-20 se muestra una metalografa de la ferrita.
8.14.2.2 Austenita
102
8.14.2.3 Cementita
Es un compuesto qumico de hierro en carbono (Fe3C). La cementita tiene una red cristalina
compleja (rmbica) y una dureza muy alta, HB 650 800, es bastante frgil. Su temperatura de
fusin es 1600C. La cementita no es estable y en condiciones determinadas (mediante una rpida
transformacin martenstica en el temple) se desintegra desprendiendo carbono libre en forma de
grafito: Fe3C 3Fe + C. La figura 8-22 se muestra la metalografa de la cementita.
8.14.2.4 Grafito
103
8.14.3.2 Ledeburita
Es una mezcla mecnica (Eutctica) de austenita y cementita, a temperatura superior a 723C, que
contiene un 4,3% de C. Laledeburita se forma durante la solidificacin de la masa fundida a 1147C.
Bajo los 723C la austenita se transformar en perlita y entonces la estructura de la ledeburita ser:
perlita ms cementita (una mezcla mecnica). La dureza de la ledeburita es: HB 600-700 y es muy
frgil. La figura 8.24 se muestra la metalografa de la ledeburita.
104
105
Dentro de este diagrama pueden observarse tres zonas que se detallan a continuacin:
1. Nucleacin y crecimiento de la perlita.
2. Nucleacin y crecimiento de la vainita.
3. Reaccin martenstica.
106
Figura 8-27 Estructura de la martensita a) menor contenido de carbono y b) mayor contenido de carbono.
108
109
Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los tomos.
1. Difusin por vacancias.
2. Difusin intersticial.
9.2.1
9.2.2
Difusin intersticial
Cuando en la estructura cristalina est presente un pequeo tomo intersticial, este pasar de un
sitio intersticial a otro. Para este mecanismo no es necesario que existan vacancias. En parte porque
el nmero de sitios intersticiales es mucho mayor que el de vacancias, por tanto, se espera que la
difusin intersticial sea ms rpida (Figura 9-3).
110
El tomo originalmente est en una ubicacin de baja energa y relativamente estable. A fin de
pasar a un nuevo sitio, el tomo debe vencer una barrera energtica. La barrera energtica es la
energa de activacin Q. El calor le proporciona al tomo la energa que requiere para vencer esta
barrera. Normalmente se requiere menos energa para hacer pasar un tomo intersticial entre los
tomos circundantes, en consecuencia, en la difusin intersticial las energas de activacin son
menores que en la difusin por vacancias. En la tabla 9-1 se muestran valores tpicos de energas de
activacin; una cifra baja indica una fcil difusin.
111
112
9.4.1
Gradiente de concentracin
El gradiente de concentracin muestra la forma en que la composicin del material vara con la
distancia; c es la diferencia en concentracin a lo largo de una distancia x (figura 9-6).
113
D = D0exp ( )
Donde Q es la energa de activacin (cal/mol), R es la constante de los gases (1,987 cal/mol K) y T es
la temperatura absoluta (K). D0, es una constante para un sistema de difusin dado. Los valores
tpicos de D0 se indican en la tabla 9-1, en tanto que la dependencia de D con la temperatura para
varios metales se ilustra en la figura 9-7.
114
La rapidez con la que vara la concentracin de los tomos que se difunden en funcin del tiempo y
la posicin, se puede deducir aplicando la primera ley de Fick. Considerando la geometra de la
figura, que representa una porcin delgada de materia de grosor dx y rea dA, la rapidez de cambio
de la cantidad de tomos en la figura es igual a la rapidez con la que entran los tomos a ella menos
la rapidez con que los tomos salen de ella. Como la concentracin es slo un nmero dividido entre
el volumen, y el flujo es la rapidez dividida entre el rea, la ecuacin se puede escribir como sigue:
J
C ( J ent J sal )
x
t
t
Sustituyendo la ecuacin del flujo obtenida en la primera ley de Fick, se obtiene:
Donde C es una funcin de la posicin y del tiempo, es decir, C (x, t).
115
Aqu lo que vamos a determinar son las soluciones de sta ley para los distintos proceso que se
producen en el mbito de los materiales. Estos son: Homogeneizacin de fundiciones, carburacin y
descarburacin de aceros y el dopado de silicio, para producir circuitos integrados.
9.5.1.1
Homogenizacin
y queda representado por medio de la funcin peridica siguiente: c(x) = c0 + cmcos ( ); donde co,
es la concentracin media, cm, es la amplitud de la funcin de concentracin fluctuante y c(x) es la
concentracin del soluto en el punto x en la direccin x. La funcin coseno peridica se repite cada x
= (2L)n, siendo n un nmero entero y 2L el periodo. L es la diferencia entre la concentracin mxima
y la mnima.
Pues bien la solucin a la segunda ley de Fick para este caso, suponiendo constante D es:
c(x,t) = co + cm . cos(
) exp (
Estos son dos tipos de procesos de tratamiento trmoqumicos del acero, y que se llevan a cabo
para obtener una superficie saturada con tomos de carbono o nquel, que luego del templado se
endurece, lo que otorga mayor resistencia al desgaste, conservando un ncleo tenaz. Todos los
engranajes de acero de maquinarias estn tratados por stos procesos. Adems la carburacin
tambin sirve para corregir el contenido de carbono de la superficie de los aceros trabajados en
caliente o descarburizados, ya que la descarburizacin produce el fallo de los materiales por
desgaste o fatiga si sta no se corrige.
El proceso cosiste en colocar un acero de bajo contenido en carbono (<0.2%), en una atmsfera con
alta concentracin de carbono o nitrgeno.
Normalmente lo que se desea es un contenido de carbono o nitrgeno determinado a cierta
profundidad respecto a la superficie, denominndose a esta zona capa saturada y a su profundidad,
profundidad de capa. Debido a que se produce un cambio de la concentracin superficial con el
tiempo, el gradiente de concentraciones cambia con el tiempo, pero adems como D es funcin del
carbono y ste cambia con el tiempo. Por todo ello para poder dar solucin a la ecuacin de la
segunda ley de Fick, tenemos que tomar unas condiciones lmites, que son las siguientes:
116
Figura 9-9 Difusin de tomos en la superficie de un material, ilustrando el uso de la segunda ley de Fick
9.5.1.3
Crecimiento de grano
Un material compuesto por un gran nmero de granos tiene muchos bordes de grano, que
representan reas de alta energa, debido a una ineficiente compactacin de los tomos. Si se
reduce el rea total de bordes de grano mediante el crecimiento de los mismos, se tendr en el
material una energa general inferior. El crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los
bordes de grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de otros. En este caso los tomos
se difunden a travs de los bordes de grano (figura 5-10) y, en consecuencia el crecimiento de los
granos est relacionado con la energa de activacin necesaria para que un tomo salte a travs del
borde de grano. Altas temperaturas o bajas energas de activacin incrementarn el tamao de los
granos. Muchos de los tratamientos trmicos de los metales, que implican mantener el metal a una
temperatura alta, deben controlarse cuidadosamente, a fin de evitar un crecimiento excesivo de los
granos.
117
A menudo el proceso de soldadura por difusin es utilizado para unir materiales reactivos como el
titanio, para unir metales y materiales distintos y para unir cermicos.
9.5.1.5
Sinterizacin
Un cierto nmero de materiales se manufacturan en forma tiles mediante un proceso que requiere
la consolidacin de pequeas partculas en una masa slida. La sinterizacin es un tratamiento a
alta temperatura y altas presiones, que hace que las partculas se unan y de manera gradual se
reduzca el volumen del espacio de los poros entre las mismas. La sinterizacin es un paso frecuente
en la fabricacin de componentes cermicos, as en la produccin de componentes metlicos
mediante la metalurgia de polvos. Una diversidad de materiales compuestos se produce utilizando
esta misma tcnica.
118
119
10 Anexos
10.1 Programa de la asignatura
CIENCIA DE MATERIALES I
Objetivos:
Conceptuales.
Se pretende que el alumno tras cursar esta asignatura conozca:
La relacin entre la estructura de los materiales y las propiedades mecnicas que de ella se
derivan, as como los posibles tratamientos y tcnicas de modificacin micro estructural.
Las principales propiedades de los materiales de ingeniera.
Los mtodos, procedimientos y equipos que permiten la caracterizacin mecnica de los
materiales.
Diferentes criterios de rotura segn la mecnica de la fractura.
Procedimentales.
Se pretende que el alumno, tras cursar esta asignatura sea capaz de:
Actitudinales.
Se espera que la asignatura ayude al alumno a:
PROGRAMA RESUMIDO:
1.
2.
3.
4.
120
3.3
Mecanismos de Deformacin
Interaccin de Dislocaciones
Recocido.
Endurecimiento por deformacin. Dislocaciones de borde y Hlice.
Desplazamiento de dislocaciones por deformacin: Formacin de Fuentes de Frank
Read. Interaccin de Dislocaciones. Lmite de grano como sumidero.
Recristalizacin. Trabajos en fro. Porcentaje de Deformacin. Alivio de tensiones.
Cristalizacin. Crecimiento de Grano. Temperatura. Tiempo. Tamao de grano final.
Unidad 4.
DIAGRAMAS Y TRANSFORMACIONES
OBJETIVO.
121
122
11 ndice de figuras
Figura 1-1 Tetraedro de los materiales de ingeniera............................................................................. 2
Figura 2-1 Esquema modelo de Thomson ........................................................................................... 14
Figura 2-2 Modelo de Rutherford......................................................................................................... 14
Figura 2-3 Modelo de Bohr ................................................................................................................... 15
Figura 2-4 rbitas de Sommerfeld en base a los nmeros cunticos ................................................. 19
Figura 2-5 Forma para ordenar la configuracin electrnica............................................................... 21
Figura 2-6 Smbolos empleados en la configuracin electrnica. ....................................................... 21
Figura 3-1 Energa en el enlace ............................................................................................................. 23
Figura 3-2 Variacin de la electronegatividad en la tabla peridica. ................................................... 24
Figura 3-3 Carcter inico vs Diferencia de electronegatividades. ..................................................... 25
Figura 3-4 Enlace inico entre los tomos de cloro y sodio. La transferencia de electrones de Na
hasta Cl genera un catin (Na+) y un anin (Cl-). El enlace inico se debe a la atraccin coulmbica
entre los iones de carga opuesta. ......................................................................................................... 27
Figura 3-5 Enlace no polar .................................................................................................................... 29
Figura 3-6 Enlace Polar ......................................................................................................................... 30
Figura 3-7 El enlace metlico se compone de centros inicos positivos inmersos en un mar o nube de
electrones. ............................................................................................................................................ 31
Figura 3-8 tomos neutros que pueden desarrollar una fuerza dbil de enlace. ................................ 33
Figura 3-9 Diferentes estados de agregacin. ..................................................................................... 33
Figura 3-10 Formacin de los enlaces puente hidrgenos................................................................... 34
Figura 3-11 Enlaces de Van Der Waals entre molculas de polmeros. ............................................... 34
Figura 3-12 a) representa la curva de fuerza de enlace (indica la separacin de los tomos x 0), La
pendiente de la fuerza total Ftes aproximadamente lineal en la cercana de x0 .La fig. b, representa
la curva de energa de enlace para el NaCl en el que se muestra la separacin de equilibrio x0. ...... 35
Figura 3-13 Relacin entre la energa de enlace y el coeficiente de dilatacin trmica ...................... 37
Figura 4-1 Tamao de hierro y carbono ............................................................................................... 38
Figura 4-2 tomos entrelazados .......................................................................................................... 38
Figura 4-3 Estructura cristalina............................................................................................................. 39
Figura 4-4 Estructura cristalina con sus redes cristalinas .................................................................... 39
Figura 4-5 Estructura CS ....................................................................................................................... 41
Figura 4-6 Estructura CS....................................................................................................................... 41
Figura 4-7 Estructura FCC ..................................................................................................................... 42
Figura 4-8 Estructura HCP .................................................................................................................... 42
Figura 4-9 Nmero de coordinacin para estructura CS. .................................................................... 42
Figura 4-10 Nmero de coordinacin para estructura BCC. ................................................................ 42
Figura 4-11 Nmero de coordinacin para estructura FCC. ................................................................ 42
Figura 4-12 Nmero de coordinacin para estructura HCP. ................................................................ 43
Figura 4-13 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura CS. ........................ 43
Figura 4-14 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura BCC. ..................... 43
Figura 4-15 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura FCC. ...................... 43
Figura 4-16 Relacin entre el radio atmico y parmetro de red para estructura HCP. ..................... 44
Figura 4-17 Coordenadas de puntos para los ndices de Miller ............................................................ 45
Figura 4-18 Ubicacin de un punto en base a un origen de coordenadas ........................................... 45
Figura 4-19 Plano para obtener los ndices de Miller ........................................................................... 46
Figura 4-20 Estructura HCP .................................................................................................................. 47
Figura 4-21 Direcciones en la estructura HCP ...................................................................................... 48
Figura 4-22 Intersticios para la estructura FCC a) octadrica y b) tetradrica .................................... 49
Figura 4-23 Intersticios para la estructura BCC c) octadrica y d) tetradrica. ................................... 49
Figura 4-24 Intersticios para la estructura HCP e) octadrica y f) tetradrica. ................................... 50
123
125
12 ndice de Tablas
Tabla 1-1 Elementos qumicos con comportamiento de semiconductor .............................................. 8
Tabla 2-1 Valores de los subniveles energticos. ................................................................................. 19
Tabla 2-2 Valores de los orbitales ........................................................................................................ 20
Tabla 3-1 Clasificacin de los enlaces. .................................................................................................. 31
Tabla 3-2 Energas de enlace y temperatura de fusin varias sustancias ........................................... 37
Tabla 4-1 Redes de Bravais ................................................................................................................... 40
Tabla 4-2 Parmetros en la estructura inica. ..................................................................................... 51
Tabla 5-1 ndices de Miller de planos de difraccin para redes BCC y FCC ........................................ 64
Tabla 6-1 Dimetro promedio del grano para los tamaos ASTM ...................................................... 72
Tabla 7-1 Valores de FAP para diferentes estructuras cristalinas. ....................................................... 74
Tabla 7-2 Valores de FAL para diferentes estructuras cristalinas. ....................................................... 75
Tabla 7-3 Sistemas de deslizamiento ................................................................................................... 77
Tabla 9-1 Datos de difusin para materiales seleccionados .............................................................. 112
Tabla 9-2 Funcin de error correspondiente a la segunda ley de Fick .............................................. 117
126
13 Contenidos
Introduccin .............................................................................................................................. 2
1.1
1.2
1.3
1.3.1
Metales ...................................................................................................................... 4
1.3.2
Cermicos .................................................................................................................. 5
1.3.3
Polmeros ................................................................................................................... 6
1.3.4
1.3.5
Semiconductores ....................................................................................................... 8
1.4
1.4.1
1.4.2
1.4.3
1.4.4
Propiedades fsicas................................................................................................... 10
1.4.5
1.4.6
Propiedades mecnicas............................................................................................. 11
1.4.7
1.5
2
2.2
2.2.1
2.2.2
2.2.3
2.3
2.3.1
2.3.2
2.3.3
Introduccin .................................................................................................................... 22
3.2
3.2.1
3.2.2
3.2.3
3.2.4
3.2.5
Enlace metlico........................................................................................................ 30
3.2.6
3.2.7
3.2.8
4.2
4.3
4.3.1
4.3.2
4.3.3
4.3.4
4.3.5
Densidad .................................................................................................................. 44
4.4
4.4.1
4.4.2
4.4.3
4.4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.8.1
4.9
4.10
4.11
Anisotropa ...................................................................................................................... 58
Introduccin .................................................................................................................... 59
5.2
6.1.1
6.2
6.2.1
6.2.2
6.3
6.3.1
6.3.2
Maclado ................................................................................................................... 70
6.3.4
6.4
6.4.1
7
Introduccin .................................................................................................................... 74
7.2
7.3
7.4
7.5
7.5.1
7.5.2
7.5.3
7.5.4
7.6
8
Poros......................................................................................................................... 73
Recristalizacin................................................................................................................ 84
Introduccin .................................................................................................................... 86
8.2
8.3
Proceso de solidificacin.................................................................................................. 88
8.4
Nucleacin....................................................................................................................... 88
8.4.1
8.4.2
8.5
Crecimiento de granos..................................................................................................... 89
8.6
8.7
8.8
8.9
Solucin slida................................................................................................................. 94
8.9.1
8.9.2
8.10 Diagrama de estado de aleaciones para los casos de solubilidad ilimitada de los
componentes en estado slido .................................................................................................... 96
8.11 Diagrama de estado de las aleaciones para el caso de solubilidad limitada de los
componentes en estado slido .................................................................................................... 97
8.12
8.13
8.14
8.14.1
8.14.2
8.14.3
8.14.4
8.15
8.16
8.17
8.18
9.2
9.2.1
9.2.2
9.3
9.4
9.4.1
9.4.2
9.5
9.5.1
10
11
12
13
130