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COMPAA MINERA CARMEN DE ANDACOLLO

PROYECTO INGENIERA Y MONTAJE


ELCTRICO DE PUENTE DE GRUA PLANTA DE
CHANCADO 20KTPD

MEMORIA DE CLCULO
ALIMENTADORES 380V

DOC. N: 602-15-100-E-MC-001

REGISTRO DE REVISIONES
REVISION

PREPARADO POR

FECHA

JUAN ASTUDILLO

23-09-15

REVISADO POR

FECHA

APROBADO POR
.

INDICE

FECHA

MEMORIA DE CLCULO
Doc. N
602-15-100-E-MC-001

Fecha:
23-09-15

Modificacin N:
A

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PGINA
1.0

DESCRIPCIN DE LA OBRA 3

2.0

CLCULOS JUSTIFICATIVOS .. 4

3.0

DIMENSIONAMIENTO DE CONDUCTORES Y CANALIZACIN .. 4

4.0

ESPECIFICACIONES TCNICAS .. 5

1. DESCRIPCIN DE LA OBRA.

MEMORIA DE CLCULO
Doc. N
602-15-100-E-MC-001

Fecha:
23-09-15

Modificacin N:
A

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El presente proyecto corresponde principalmente a la instalacin elctrica en B.T.


0.38 kV tendiente a alimentar el proyecto de montaje elctrico de puente gra de la
planta de Chancado 20KTPF perteneciente a la minera Teck, ubicado en la comuna
de Andacollo
Esta nueva instalacin est compuesta por lo siguiente:

La instalacin elctrica tendr su inicio en el Centro de control de Motores


mostrados en planos proyecto 14004/1 existente en las instalaciones de la
Minera Teck, desde el cual se traza un alimentador a travs de bandeja porta
conductora hasta punto de conexin con puente gra. Este alimentador ser
protegido a travs vacante en centro de control de motores 88/125A, 25 kA
detallado en memoria de clculo.

Desde esta nueva estructura se inicia tramo en bandeja porta conductora de


90 mts. aprox. con conductor especificado ms adelante.

El alimentador utilizado en esta instalacin ser un conductor Multiflex de


4x2AWG de acuerdo a lo detallado de memoria de clculo

La instalacin del puente se encuentra aterrizada mediante malla de M.T. de


10 x 6.33 mts., enterrada a una profundidad de 0,6 mts., y construida con
conductor de cobre desnudo de 4/0 AWG y mejorada con sales y aditivo Geo
Gel. Malla equipotencial, la cual se une para proteger instalaciones en baja
tensin. El reticulado de la malla a tierra consta de 6 barras verticales y 5
horizontales con un largo terico de 87.98 mts y una resistencia de 1.92
ohm.

MEMORIA DE CLCULO
Doc. N
602-15-100-E-MC-001

Fecha:
23-09-15

Modificacin N:
A

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2. MEMORIA DE CLCULO
- PROTECCIONES GENERALES
2.1 ARRANQUE EN M.T.
PT = 53 kVA
I=

53.000
=80.5 A
3380

Por lo que se utilizara una proteccin termo magntica regulada a 125 A

3. DIMENSIONAMIENTO DE CONDUCTORES Y CANALIZACIN


- Para una corriente mxima en B.T de 80.5A se escoge un cable Multiflex o similar, el
cual est recomendado para circuitos que exigen cables extra flexibles. Especialmente para
ser usado en edificios industriales y subestaciones. Puede ir instalado de forma area, en
ducto, directamente enterrado y de buen comportamiento en lugares hmedos, puede estar
sumergido en agua.
- La seccin del cable ser seleccionado con el objetivo de obtener cadas de tensin
menores al 3% de la tensin nominal de acuerdo a la siguente frmula:
S=

3LA
V

Donde se tiene que:


S

= Seccin del conductor


= Resistividad del material del conductor.
L
= Largo del conductor.
A
= Corriente nominal.
V
= Cada de tensin de 3% de la tensin nominal

Al considerar un cable de cobre, con un largo de 90 metros con una corriente


nominal de 80.5A con una cada de tensin trifsica de 3% se obtiene que la seccin

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Doc. N
602-15-100-E-MC-001

mnima necesaria de 21,14

mm

Fecha:
23-09-15

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, el cual es equivalente a un cable multiflex de 4 AWG,

sin embargo para evitar calentamiento del cable por corrientes de partida se recomienda un
cable Multiflex o similar de 2 AWG.
- ESPECIFICACIONES TCNICAS
4.1.1. Todos los elementos y materiales cumplen con la norma NCH-4/2003
Especificaciones Tcnicas S.E.C.
4.1.2. Los circuitos de alimentacin provienen de centro de control de motores en
B.T.
4.1.3. Los conductores principales (alimentadores) en B.T. son del tipo Multiflex
en 2 AWG
4.1.4. Malla a tierra MT con conductor 2 AWG cobre desnudo, 17 hebras para
instalaciones de baja y media tensin.
4.1.5. Malla a tierra conectadas mediante prensas a tablero elctrico.
4.1.6. Caractersticas tcnicas de conductores y canalizacin detallada en memoria
de clculo (tem 2) e tem 3.

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