Eb111 Student SPN

DEGEM SYSTEMS
CURSO EB-111
SEMICONDUCTOR &
FUNDAMENTALS-1
Manual del Estudiante

LECCINES DE LABORATORIO
Copyright 1994 propiedad I.T.E. Innovative Technologies in Education.

Todos los derechos reservados. Este libro o cualquiera de sus partes no
deben reproducirse de ninguna forma sin el permiso escrito previo de
I.T.E. Esta publicacin esta basada en la metodologa exclusiva de
Degem Systems Ltd.
Con el inters de mejorar sus productos, los circuitos, sus componentes y
los valores de estos pueden modificarse en cualquier momento sin
notificacin previa.
Primera edicin en espaol impresa en:

Segunda edicin en espaol impresa en:
Cat. No. 9031311105 (SPN, DEGEM)
1994
2004
TABLA DE CONTENIDO
Laboratorio 1:
Diodo I - Polarizacion Directa
1-1
Laboratorio 2:
Diodo II- Polarizacion Inverse
2-1
Laboratorio 3:
Diodo de Juntura Cuestionario
3-1
Laboratorio 4:
Rectificador de Diode I
4-1
Laboratorio 5:
Rectificador de Diodo II
5-1
Laboratorio 6:
Diodo Zener I
6-1
Laboratorio 7:
Diodo Zener II
7-1
Laboratorio 8:
Diodo Zener III
8-1
Laboratorio 9:
Transistor Bipolar I
9-1
Laboratorio 10: Transistor Bipolar II
10-1
Laboratorio 11: Transistor Bipolar III
11-1
Laboratorio 12: Amplificador Transistorizado I
12-1
Laboratorio 13: Amplificador Transistorizado II
13-1
Laboratorio 14: Amplificador Transistorizado III
14-1
Laboratorio 15: Amplificador Transistorizado IV
15-1
Laboratorio 16: Amplificador Transistorizado V
16-1
Laboratorio 17: Amplificador Transistorizado VI
17-1
Laboratorio 18: Seguidor Por Emisor
18-1
Laboratorio 19: Amplificador de Contratase I
19-1
Laboratorio 20: Amplificador de Contrafase II
20-1
Laboratorio 21: Diagnostico - Preparacin
21-1
Laboratorio 22: Diagnostico -Prueba
22-1
Laboratorio 23: Maratn de Diagnostico
23-1
EB-111
LECCIN No. 1: DIODO I POLARIZACION DIRECTA

OBJETIVOS
Tras completar esta leccin, Ud. ser capaz de:
1. Medir tensin y corriente en diodos polarizados en directa.
2. Trazar la curva caracterstica del diodo.
3. Determinar la resistencia dinmica del diodo.
DISCUSION
Para refrescar sus conocimientos tericos, puede leer una resea terica.
Para acceder a esta resea, haga "clic" en el icono de biblioteca.
Aparecer una resea terica relacionada al tema cubierto en esta leccin.
Usted podr hojear a travs de toda la resea.
Usted puede hojear la resea terica para consolidar sus conocimientos
antes de comenzar los experimentos, antes de contestar a las preguntas de
repaso, etc.
Use las teclas de flecha para desplazarse a travs de la resea. Para
regresar al curso, cierre la resea haciendo "clic" en la puerta situada en
la parte inferior de la pantalla.
Los diodos semiconductores pueden ser polarizados en directa o en
inversa.
El diodo ideal acta como un cortocircuito cuando es polarizado en
directa, y como un circuito abierto cuando es polarizado en inversa.
Los diodos reales poseen una resistencia directa que depende del punto
de operacin (tensin y corriente de CC).
El diodo es un dispositivo alineal; sus caractersticas elctricas son
mostradas en la curva caracterstica tensin-corriente (V-I).
Los diodos suelen ser polarizados con corriente continua. La resistencia
equivalente del diodo en el punto de operacin de CC es llamada
resistencia dinmica, que es representada por la pendiente de la curva
caracterstica:
1-1
EB-111
1-2
AUTOEXAMEN
1. La tensin de juntura del diodo de silicio es (aproximadamente):
0V
0.4 V
0.7 V
2V
2. Al aumentar la tensin directa en bornes del diodo, la corriente directa:
Permanece constante.
Decrece.
Aumenta rpidamente.
Aumenta lentamente.
3. Al crecer la corriente que circula a travs del diodo, la resistencia dinmica
del mismo:
Aumenta.
Decrece.
EB-111
EQUIPO
Para realizar este experimento se precisa el siguiente equipo:
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Plaqueta de circuito impreso EB-111
Miliampermetro de CC
Osciloscopio de doble trazo
PROCEDIMIENTO
Caractersticas del Diodo Polarizado en Directa
1. Deslice el EB-111 en las guas de plaqueta del PUZ-2000, y verifique
la conexin.
2. Estudie el circuito que usar para medir la tensin y corriente directas
del diodo. Este circuito se halla en la esquina superior izquierda de la
plaqueta de circuito impreso.
3. Conecte el circuito del modo mostrado:
1-3
EB-111
1-4
4. Para medir la tensin directa del diodo, use el osciloscopio con una
sensibilidad de 0.1 Volt/divisin. Centre el trazo horizontal en la ms
baja lnea horizontal.
5. Ajuste la salida de la fuente de alimentacin PS-1 hasta que la tensin
directa en bornes del diodo, medida con el osciloscopio, sea 0V.
V(V)
F
I(mA)
F
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.45
V(V)
F
I(mA)
F
0.5
0.55
0.6
0.65
0.65
0.7
6. Mida la corriente en el circuito e ingrese en la tabla los valores

obtenidos.
7. Ajuste la salida de la fuente de alimentacin PS-1 hasta que la tensin
directa en bornes del diodo, medida con el osciloscopio, sea 0.1 V.
Mida la corriente en el diodo e ingrese en la tabla los valores
obtenidos.
8. Repita el procedimiento: lleve la tensin en bornes del diodo a los
valores indicados, y mida la corriente.
EB-111
1-5
PREGUNTAS de REPASO
1. Trace en su cuaderno la curva de corriente directa I(F) en funcin de
la tensin directa V(F).
2. Use la curva para calcular la resistencia dinmica en los puntos
V(F)=0.5 V y V(F)=0.65 V. Use la ecuacin:
Resist. Dinmica =
Cambio en V
Cambio en I
RD(VD=0.5) = ____________(ohms)
RD(VD=0.65) =_____________(ohms)
EB-111
2-1
LECCIN No. 2: DIODO II POLARIZACION INVERSA

OBJETIVOS
1. Medir tensin y corriente en diodos polarizados en inversa.
2. Comprender el modelo del diodo polarizado en inversa.
DISCUSION
Los diodos semiconductores pueden ser polarizados en directa o en
inversa.
El diodo ideal acta como un cortocircuito cuando es polarizado en
directa, y como un circuito abierto cuando es polarizado en inversa.
Los diodos reales poseen una pequea corriente de fuga al ser
polarizados en inversa.
AUTOEXAMEN
1. La corriente en un diodo polarizado en inversa es:
2 mA.
Cerca de 0 mA.
1 A.
2. Cuando el diodo es conectado a un resistor serie y una fuente de
tensin que lo polariza en inversa, la cada de tensin en el diodo es:
0.7 V.
La mitad de la tensin de la fuente.
La tensin de la fuente.
El cuadrado de la tensin de la fuente.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
EB-111
PROCEDIMIENTO
Caractersticas en Inversa
la conexin.
2. Estudie el circuito que usar para medir la tensin y corriente inversas
del diodo. Este circuito se halla en la esquina superior izquierda de la
plaqueta de circuito impreso.
3. Conecte el circuito en la siguiente secuencia:
2-2
EB-111
2-3
4. Lleve la tensin a cero, ajustando el potencimetro PS-2 de la fuente

de alimentacin.
5. Mida e ingrese la corriente para los valores de tensin especificados
en la Tabla (para ello, ajuste el potencimetro PS-2).
PS-2 (V)
ID (A)
-1
-5
-10
Corriente Inversa
6. Se insert una modificacin en el circuito.
7. Repita las mediciones en polarizacin inversa, e ingrese los valores
medidos en la tabla.
PS-2 (V)
ID (A)
-1
-5
-10
Corriente Inversa - Modo de Prctica

8. Al comparar la corriente inversa obtenida en ambas partes del
experimento, se puede afirmar que:
No hubo corriente de fuga en ningn momento.
La corriente de fugas permaneci constante.
La corriente de fuga fue menor en el Modo de Prctica.
La corriente de fuga fue mayor en el Modo de Prctica.
9. Suponiendo que PS-2 = -10V, calcule la resistencia de fuga del diodo

(note las unidades! Se debe aplicar un factor de escala).
R(fuga) =
10V
V
= IA = ________ K
I
EB-111
3-1
LECCIN No. 3: DIODO de JUNTURA CUESTIONARIO

OBJETIVOS
Esta leccin consta de un cuestionario.
Las preguntas del mismo tratan acerca de los temas estudiados en las lecciones
anteriores: Diodo (I + II).
PREGUNTAS de REPASO
1. Al crecer la tensin en bornes de un diodo polarizado en directa:
La resistencia dinmica aumenta.
La resistencia dinmica permanece constante.
La resistencia dinmica disminuye.
2. Cuando el diodo est polarizado en directa, al aumentar la corriente se
causa:
Disminuye la cada en el diodo.
Crece la cada en el diodo.
Crece la resistencia dinmica.
3. El modelo del diodo ideal es:
Un cortocircuito en directa, y un circuito abierto en inversa.
Un cortocircuito en inversa, y un circuito abierto en directa.
Un cortocircuito, sea cual sea la polarizacin.
Un circuito abierto, sea cual sea la polarizacin.
4. Al estar el diodo polarizado en directa:
Un pequeo cambio en la tensin produce un pequeo cambio en
la corriente.
Un pequeo cambio en la tensin produce un gran cambio en la
corriente.
La corriente no cambia al crecer la tensin.
La corriente es despreciable.
EB-111
3-2
5. Al estar el diodo polarizado en inversa:

La corriente en el diodo depende fuertemente de la tensin.
La influencia de la tensin inversa sobre la corriente es
despreciable.
La resistencia dinmica es muy baja.
Todas las respuestas sugeridas son correctas.
EB-111
LECCIN No. 4: RECTIFICADOR de DIODO I

OBJETIVOS
1. Reconocer en el osciloscopio las ondas de entrada y salida del
rectificador.
2. Determinar si el diodo se comporta como un diodo ideal.
3. Trazar en el osciloscopio la curva de transferencia de tensin del
rectificador.
DISCUSION
En los circuitos de rectificacin se usan diodos, ya que estos pueden
convertir CA en CC.
En el semiciclo positivo de la onda de CA, el diodo se comporta,
virtualmente, como un cortocircuito.
En un cortocircuito no se registra cada de tensin, por lo que casi toda la
tensin cae sobre el resistor de carga R3. El diodo no es ideal, y habr una
pequea cada en bornes del mismo.
En el semiciclo negativo, el diodo es polarizado en inversa y se comporta
como un resistor de valor elevado. La corriente que circula a travs del
diodo ser virtualmente nula.
Usaremos el osciloscopio para observar las formas de onda de entrada y
salida.
AUTOEXAMEN
Estudie el circuito de la figura, y conteste las preguntas que le sern
formuladas.
4-1
EB-111
4-2
1. El rectificador de media onda rectifica:

Toda la onda de entrada.
Slo el semiciclo positivo.
Slo el semiciclo negativo.
2. Cuando la tensin de entrada es positiva:
El diodo acta como un circuito abierto.
El diodo acta como un cortocircuito.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
PROCEDIMIENTO
la conexin.
2. Ubique el circuito que contiene el diodo D2. Este circuito se halla en la
parte superior central de la plaqueta de circuito impreso.
3. Conecte un generador de seales a los terminales Vin.

Conecte el canal 2 del osciloscopio para medir Vin, y el canal 1 para
medir la tensin en bornes de la resistencia de carga R3.
En la prxima pantalla se detallan las conexiones requeridas.

EB-111
4-3
4. Lleve la salida del generador de seales a: onda senoidal, 200 Hz,

amplitud 4V pico a pico (pp). Lleve el corrimiento (offset) del generador
a 0.
5. Fije la sensibilidad (vertical) de ambos canales en 1 V/div y el barrido
horizontal en 2 mseg/div.
6. Copie la figura en su cuaderno, y trace sobre esta figura las formas de
onda de tensin en la entrada y en bornes de R3.
Rectificacin de Onda Senoidal

7. Lleve el osciloscopio a modo X-Y (haga Vin=X, VR3=Y) para obtener en
la pantalla la curva de transferencia VR3 = f(Vin). Dibuje la figura en su
cuaderno y trace la curva de transferencia para tensiones de entrada Vin

de -2V a +2V.
EB-111
4-4
8. Repita el procedimiento con una onda triangular de 200 Hz. Dibuje en su

cuaderno las formas de onda obtenidas.
Caractersticas de Transferencia con Entrada Senoidal

9. Repita el procedimiento con una onda cuadrada de 200 Hz. Dibuje en su
cuaderno las formas de onda obtenidas.
10. Se ha efectuado un cambio en el circuito del rectificador. Qu
sucedi en la onda de salida?
La amplitud positiva creci.
Hay una componente de tensin negativa
El rizado fue "alisado".
La amplitud creci.
11. Si la polarizacin de D2 se torna ms negativa, qu observaremos?
D2 es un circuito abierto.
D2 es un cortocircuito.
La corriente de fuga de D2 en directa es ms elevada.
La corriente de fuga de D2 en inversa es ms elevada.
EB-111
4-5
12. Calcule la resistencia de fuga en base al divisor de tensin compuesto

por el diodo y R3. Use la ecuacin:
Siendo: R3 = 1K
Vin = tensin pico de entrada (unos 2 V)
Vout = tensin pico negativa
Para medir Vout, modifique la sensibilidad vertical del osciloscopio.
Vin Vout
R(fuga) = R3 *
Vout
R(fuga) =_________ K
R(fuga)=
Vin Vout
* R3=_________ *_____K=_______K
Vout
EB-111
5-1
LECCIN No. 5: RECTIFICADOR de DIODO II

OBJETIVOS
Esta leccin consta de un cuestionario, que trata acerca de los temas estudiados
en el leccin precedente: Rectificador de Diodo - I.
PREGUNTAS de REPASO
1. El rectificador de media onda:
Deja pasar ambos semiciclos de la onda de entrada.
Deja pasar slo el semiciclo positivo de la entrada.
Deja pasar slo el semiciclo negativo de la entrada.
Amplifica la seal de entrada.
2. Suponga que el diodo fue conectado al revs: el anodo a la carga, y el
ctodo a la tensin de entrada Vin. En este circuito:
Ambos semiciclos pasarn.
Slo el semiciclo positivo pasar a la salida.
Slo el semiciclo negativo pasar a la salida.
La entrada ser amplificada.
3. Cuando la tensin de entrada vale -V (es decir, su signo es negativo)
la cada en el diodo es igual a:
0 Volts.
-V Volts.
V/2 Volts.
4 * V Volts.
4. El modelo del diodo ideal es vlido si:
La tensin de entrada es alta.
La tensin de entrada es pequea.
La carga es pequea.
La carga es grande.
5. El desempeo del rectificador de media onda depende de:
La amplitud de la seal de entrada.
La frecuencia de la seal de entrada.
La forma de onda de la seal de entrada. Ninguna de las anteriores.
EB-111
LECCIN No. 6: DIODO ZENER I

OBJETIVOS
1. Trazar la curva caracterstica del diodo Zener.
2. Determinar la tensin de ruptura del Zener a partir de valores medidos.
3. Determinar la regulacin de tensin en base a valores medidos.
DISCUSION
Los diodos Zener son operados en la regin de ruptura inversa.
Cuando un diodo es polarizado en inversa, la corriente de fugas es causada
por los portadores minoritarios; su valor suele ser muy pequeo.
Al crecer la tensin inversa, la juntura se "rompe". Tras la ruptura, la cada
de tensin permanece casi constante, aun si la corriente inversa crece
bruscamente.
AUTOEXAMEN
1. En la regin de ruptura (zener):
La cada de tensin en el diodo es constante.
La corriente es muy pequea.
La cada de tensin es de unos 0.7 V.
2. La resistencia dinmica de un diodo zener en la zona de ruptura es:
Muy pequea.
Muy alta.
1 K
10 K
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
6-1
Tablero maestro
EB-111
PROCEDIMIENTO
la conexin.
2. Estudie el circuito de la figura, y ubique el circuito que contiene el diodo
D3. Este circuito se halla en la parte derecha central de la plaqueta.
3. Conecte R6 a la fuente de alimentacin PS-1.

Conecte el canal 1 del osciloscopio a las fichas de PS-1, y el canal 2 al
diodo.
En la prxima pantalla se detallan las conexiones requeridas.
6-2
EB-111
6-3
Vin (V)
Vz (V)
Iz(mA)
Tensin de Zener
4. Ajuste PS-1 hasta obtener las tensiones de entrada especificadas en la
tabla. Comience haciendo Vin = 0 V.
5. Mida la tensin Vz en bornes de D3 e ingrese el valor obtenido en la tabla.
6. Repita el procedimiento: fije la tensin de entrada y mida la cada de
tensin en el diodo Zener para todos los valores de Vin indicados en la
tabla.
Vin (V)
Vz (V)
Iz(mA)
10
Tensin de Zener
7. Repita el procedimiento: fije la tensin de entrada y mida la cada de
tensin en el diodo Zener para todos los valores de Vin indicados en la
segunda parte de la tabla.
Corriente de Zener
Calcule la corriente mediante la ecuacin:

Iz =
Vin Vz
A donde : R6 = 150
R6
EB-111
7-1
LECCIN No. 7: DIODO ZENER II

OBJETIVOS
1. Probar circuitos reguladores basados en diodos Zener.
2. Determinar la regulacin de tensin con base en valores medidos.
DISCUSION
Los diodos Zener son operados en la regin de ruptura inversa.
Cuando un diodo es polarizado en inversa, la corriente de fuga es
conducida por los portadores minoritarios. Al crecer la tensin inversa, la
juntura entra en ruptura.
Tras la ruptura, la tensin en el diodo permanece casi constante, aun
cuando la corriente inversa crece bruscamente.
Los diodos Zener son usados como referencias de tensin en reguladores y
otros circuitos.
AUTOEXAMEN
1. Si se dispone de un regulador de tensin, al variar la carga:
Cambia la tensin en la carga; la corriente permanece constante.
Cambia la corriente en la carga; la tensin permanece constante.
La tensin y la corriente permanecen constantes.
La tensin y tambin la corriente de carga cambian.
2. Si se dispone de un regulador de tensin, al variar la tensin de
alimentacin:
Cambia la tensin de carga, mas no la corriente.
Cambia la corriente de carga, mas no la tensin.
No hay cambio alguno: la tensin y corriente en la carga
permanecen constantes.
Varan la corriente y la tensin en la carga.
EB-111
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Multmetro digital (DMM)
PROCEDIMIENTO
1. Deslice el EB-111 en las guas de plaqueta del PUZ-2000, y verifique la
conexin.
2. Estudie el circuito de la figura, y ubique el circuito que contiene el diodo D3.
3. Use el multmetro para llevar la resistencia R = (RV2 + R7) a 800.

4. Desconecte el multmetro y conecte el circuito del modo mostrado en la
prxima pantalla.
7-2
EB-111
7-3
5. Con Vin = PS-1 = 5 V, mida la tensin en la carga, Vz, e ingrese en la

tabla el valor obtenido. Use el canal 1 del osciloscopio para medir la
entrada (PS-1) y el canal 2 para medir Vz.
6. Complete la tabla, midiendo la tensin del diodo Zener para cada valor
de la tensin de entrada indicado en la misma.
Vin(V)
Vz(V)
R=800
Vz(V)
R=500
Vz(V)
R=200
Reg(%)
Regulacin de Carga
7. Repita el experimento con:
R = (RV2 + R7) = 500
R = (RV2 + R7) = 200
Calcule la regulacin, e ingrese los resultados en la tabla.
% Reg =
V R 800 V R 200
* 100%
V R 800
10
EB-111
7-4
8. Dibuje en su cuaderno la curva de transferencia de tensin: salida en el

eje Y, y entrada en el eje X.
9. Dibuje en su cuaderno la curva de regulacin (en %) en el eje Y, en
funcin de la tensin de entrada en el eje X.
10. El regulador de diodo Zener sufri una modificacin.
11. Repita el experimento de regulacin de carga para R = 800. Ingrese
sus resultados en la tabla.
Vin(V)
Vz(V)
R=800
Regulacin de Carga - Modo de Prctica

12. Qu cambio sufri la regulacin de tensin?
Mejor.
Empeor.
No hubo cambio alguno.
13. Cul es la causa de la peor regulacin?
R6 creci.
Fugas en D3.
Mayor resistencia serie en D3.
La carga (R7 y RV2) fue desconectada.
10
EB-111
8-1
LECCIN No. 8: DIODO ZENER III

OBJETIVOS
Este leccin consta de un cuestionario.
Las preguntas tratan acerca de los temas estudiados en las lecciones anteriores:
Diodo Zener (I + II).
PREGUNTAS de REPASO
1. Para ser usado en reguladores de tensin, el zener debe ser polarizado:
En directa.
En inversa.
2. La resistencia dinmica del diodo zener en la zona de ruptura es:
Muy baja (<100 ).
Unos pocos K.
Muy alta (>100 K).
3. En un regulador, al reducirse la resistencia de carga:
Aumentan las corrientes en el diodo y en la carga.
La corriente del diodo crece; la corriente en la carga decrece.
Disminuyen las corrientes en el diodo y en la carga.
La corriente del diodo decrece; la corriente en la carga crece.
4. La calidad de regulacin (
1
):
%REG
Crece al crecer la tensin de entrada.

Crece al caer la tensin de entrada.
No depende de la tensin de entrada.
5. La calidad de regulacin de tensin (
1
):
%REG
Crece al caer la resistencia de carga.

Crece al crecer la resistencia de carga.
No depende de las variaciones de la carga.
EB-111
9-1
LECCIN No. 9: TRANSISTOR BIPOLAR I

OBJETIVOS
1. Trazar la curva caracterstica de transferencia del transistor en base a
valores medidos.
2. Trazar la curva caracterstica de salida del transistor en base a valores
medidos.
3. Identificar las regiones activa, de saturacin y de corte en las curvas
caractersticas.
4. Hallar la ganancia de corriente () en base a las curvas de salida.
DISCUSION
La ganancia de corriente, o "beta" (), del transistor conectado en
configuracin de emisor comn, puede ser calculada a partir de los valores
medidos de las corrientes de base y de colector:
Ganancia de corriente = =
IC
Ib
En transistores ideales, es un valor constante, por ejemplo 125. En

transistores reales, el valor de cambia al cambiar la corriente de base.
En la caracterstica de salida del transistor puede apreciarse la relacin
entre la corriente de base, la corriente de colector y la tensin colectoremisor. Esta relacin es mostrada mediante una familia de curvas
caractersticas.
AUTOEXAMEN
1. En la caracterstica de salida del transistor bipolar se ven:
Las curvas Ic = f(Vce) con Ib=const.
Las curvas Ib = f(Vbe) con Ic=const.
Las curvas Vce = f(Vbe) con Ib=const.
EB-111
9-2
2. En saturacin:
El valor de Vce es muy alto.
El valor de Vce es pequeo.
No es posible afirmar nada acerca de la tensin Vce.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Micro/miliampermetro de CC
PROCEDIMIENTO
Caractersticas de Entrada del Transistor Bipolar
la conexin.
2. Ubique el circuito del transistor Q1 en la parte superior derecha de la
plaqueta EB-111.
EB-111
9-3
4. Ajuste RV1 para obtener los valores de corriente de base (Ib) indicados
en la tabla.
5. Para cada valor de corriente de base mida (con el canal CH 1 del
osciloscopio) y anote la tensin entre base y emisor (Vbe).
Ib(A)
Deseado
Ib(A)
Real
Vbe(V)
10-20
16-25
30-50
80-110
Caractersticas de la Juntura Base-Emisor

6. Dibuje en su cuaderno la curva de corriente de base en funcin de la
tensin base-emisor.
Ud. complet la medicin de las caractersticas de entrada. Note cun
parecida es la caracterstica de entrada del transistor a la curva I-V del
diodo polarizado en directa.
Caractersticas de Salida
7. Estudie el circuito de la figura:
EB-111
8. Conecte el circuito del modo mostrado. Cortocircuite el resistor R 5

usando un cordn de puenteo.
9. Mida la corriente de base conectando el microampermetro entre RV1

y los 5V de la fuente.
10. Ajuste RV1 hasta obtener una corriente de base de 10 mA.
Desconecte el microampermetro y puente la tensin de 5V de la
fuente a RV1.
9-4
EB-111
9-5
Ib(A)
Vce (V)
1
2
4
6
8
10
20
40
60
IC(mA)
80
100
Corriente de Colector (Ic) en funcin de Vce y Ib

11. Ajuste PS-1 hasta obtener 1V. Conecte el microampermetro en serie
con PS-1. Mida la corriente de colector e ingrese el valor obtenido.
12. Ajuste PS-1 con el fin de obtener las tensiones Vce indicadas. Para
cada tensin, ingrese la corriente de colector. No modifique la
resistencia de RV1.
13. Repita el procedimiento: ajuste RV1 para obtener las corrientes de
base indicadas; para cada Ib mida la corriente de colector para
distintos valores de Vce.
14. Dibuje en su cuaderno la familia de curvas de Ic=f(Vce) con Ib
constante. Trace una curva para cada valor de Ib.
15. Identifique las tres regiones de operacin (activa, saturacin, corte) en
este grfico.
16. Halle la ganancia de corriente en la regin lineal (activa). El valor
tpico de la ganancia de corriente es:
=
IC
Ib
EB-111
10-1
LECCIN No. 10: TRANSISTOR BIPOLAR II

OBJETIVOS
1. Hallar la ganancia de corriente () a partir de valores medidos.
2. Determinar, en base a mediciones, si el transistor en configuracin de
emisor comn opera como una fuente de corriente constante.
DISCUSION
La ganancia de corriente () de un transistor conectado en configuracin de
emisor comn puede ser calculada en base a los valores medidos de las
corrientes de base y colector:
Ganancia de corriente = =
IC
Ib
En transistores ideales, es un valor constante, por ejemplo 125. En

transistores reales, el valor de cambia al cambiar la corriente de base.
En la caracterstica de salida del transistor puede apreciarse la relacin
entre la corriente de base, la corriente de colector y la tensin colectoremisor. Esta relacin es mostrada mediante una familia de curvas
caractersticas.
AUTOEXAMEN
1. es:
Vce
Vbe
Ic
La ganancia de corriente
Ib
Vce
La impedancia de salida
Ic
Vbe
La impedancia de entrada
Ib
La ganancia de tensin
EB-111
10-2
2. En una fuente de corriente ideal:

La corriente permanece constante al variar la carga.
La tensin permanece constante al variar la carga.
La corriente y la tensin permanecen constantes al variar la carga.
La corriente y la tensin varan al variar la carga.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
PROCEDIMIENTO
Ganancia de Corriente
1. Deslice el EB-111 en las guas de plaqueta del PUZ-2000. Verifique la
conexin.
2. Ubique el circuito que contiene el transistor Q1. Este circuito est
ubicado en la parte superior derecha de la plaqueta EB-111.
EB-111
10-3
4. Lleve la salida de la fuente de alimentacin (PS-1) a 10V. Use el canal

2 del osciloscopio.
5. Vare el valor de RV1 hasta obtenerse una corriente de base Ib = 10mA.
Ib(A)
10
20
30
40
50
60
Vce (V)
Ic(mA)
=
Ic
Ib
6. Mida e ingrese el valor de la tensin Vce usando el canal 1 del osciloscopio.
7. Repita el procedimiento: lleve la corriente de base a los valores indicados en
la tabla, y para cada valor de corriente mida y anote el valor de Vce.
8. La corriente de colector (Ic) es determinada dividiendo la tensin en bornes
de R5 por la resistencia. Use la ecuacin:
Ic =
V(R5) V(PS 1) Vce

=
R5(mA)
R5
EB-111
10-4
9. Calcule el valor de la ganancia de corriente b en base a los valores

ingresados en la tabla. Note que Ib es dada en microamperes, pero Ic es dada
en miliamperes. =
IC
Ib
Avance a la segunda parte de la tabla. No modifique el valor de PS-1.

Ib(A)
70
80
90
100
Vce (V)
Ic(mA)
=
Ic
Ib
10. Repita el procedimiento: use RV1 para llevar la corriente de base a los
valores indicados en la tabla. Para cada valor de la corriente de base,
mida Vce e ingrese el valor obtenido.
11. Calcule Ic: Ic =
V(R5) V(PS 1) Vce

=
R5
R5
12. Calcule la ganancia de corriente b en base a los valores ingresados en

la tabla.
Ud. ha medido la ganancia de corriente del transistor bipolar para
distintos valores de Ib. A continuacin, veremos una aplicacin comn
del transistor bipolar: la fuente de corriente.
El Transistor Como Fuente de Corriente
13. Estudie el circuito:
EB-111
10-5
15. Lleve la tensin de PS-1 a 2 V. Mida la tensin entre los dos bornes
del bastidor PUZ-2000.
16. Ajuste RV1 hasta obtener una corriente de colector igual a 2.5 mA.
Nota: No modifique el valor de RV1 hasta el fin del experimento.
17. Lleve PS-1 a los distintos valores indicados en la tabla e ingrese los
valores obtenidos de la corriente de colector.
PS-1(V)
Ic(mA)
Fuente de Corriente
PS-1(V)
Ic(mA)
Fuente de Corriente
Ud. vio cmo el transistor genera una corriente de colector
virtualmente constante, independientemente del valor de la tensin
de alimentacin. Esta caracterstica es usada en circuitos ms
complejos, tales como el amplificador operacional.
EB-111
11-1
LECCIN No. 11: TRANSISTOR BIPOLAR III

OBJETIVOS
Esta leccin consta de un cuestionario, que trata acerca de los temas estudiados
en las lecciones anteriores: Transistor Bipolar (I + II).
PREGUNTAS de REPASO
1. En la regin de saturacin, puede verse en la caracterstica de salida
que:
Una relacin lineal entre Ib y Vbe.
Una relacin inversa: Ib es proporcional a 1/Vbe.
Una caracterstica similar a la del diodo.
Una relacin lineal entre Ic y Vbe.
2. La caracterstica muestra que la corriente de colector del transistor
bipolar es:
Mayor que la corriente de base.
Menor que la corriente de base.
Independiente de la relacin entre Ib e Ic.
3. Si deseamos modificar la corriente de salida de una fuente de
corriente, el parmetro de control debe ser:
Vce.
Vbe.
Ib.
La tensin de alimentacin.
4. A partir de la pregunta anterior, podemos afirmar tambin que, en la
regin activa:
La corriente de colector depende de Vce y de Ib.
La corriente de colector no depende de Vce ni de Ib.
La corriente de colector depende slo de Vce
La corriente de colector depende slo de Ib.
EB-111
12-1
LECCIN No. 12: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO I

OBJETIVOS
1. Calcular el punto de operacin (o de reposo) de CC a partir de valores
medidos.
2. Determinar la corriente de base a partir de mediciones.
DISCUSION
Al construir un amplificador transistorizado, deben tenerse en cuenta los
siguientes aspectos:
Debe escogerse un punto de operacin de CC adecuado, para que
la seal de salida no presente distorsin.
La tensin Vce debe ser aproximadamente la mitad de PS-1 para
permitir tener una seal de CA simtrica en la salida.
AUTOEXAMEN
1. El punto de reposo de un transistor usado como amplificador lineal se
hallar, siempre:
En la regin de saturacin.
En la regin activa.
En corte.
2. Si el punto de reposo posee un valor de Ic relativamente elevado, es
decir, el transistor es polarizado cerca de saturacin:
La seal positiva saturar al transistor, lo que distorsiona la seal
de salida.
La seal positiva cortar al transistor, lo que distorsiona la seal
de salida.
La seal negativa saturar al transistor, lo que distorsiona la seal
de salida.
La seal negativa cortar al transistor, lo que distorsiona la seal de

salida.
EB-111
12-2
3. La frmula que relaciona las corrientes de base y colector es:

Ic = * Ib
Ic = Ib /
Ic = 200 * Ib
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Multmetro de CC
Generador de seales
PROCEDIMIENTO
Punto de Operacin de CC
la conexin.
2. Estudie el circuito de la figura.
Ubique este circuito en la parte inferior izquierda de la plaqueta EB-111.
EB-111
12-3
3. Conecte el circuito del modo mostrado. Lleve PS-1 a 10 V.
Nota: el generador de seales debe estar apagado.

4. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 5V, que es cerca del 50% de la tensin
de alimentacin en el colector.
5. Mida:
Vbe = _____ (V)
Vce = _____ (V)
Mida la tensin en bornes de R16 (que es la tensin entre emisor y masa).
V(R16) = ____(V)
Mida ahora, finalmente, la tensin en bornes de R13.
V(R13) =_____(V)
6. Calcule Ic usando la ecuacin:
Ic =
V(Ps 1) (Vce Ve)

= _________(mA)
R14
siendo: V(PS-1) = 10 V
Vce = _____ V
Ve = ______ V
R14 = 4.7 K
EB-111
12-4
7. Calcule Ib usando la ecuacin:

Ib =
V(R13)
=________ (A)
R13
siendo: V(R13) = ________ V

R13 = 22 K
8. Calcule la ganancia de corriente (en CC).
=
Ic
=_________
Ib
siendo: Ic =_______ (A)

Ib =________(mA)
Modo de Prctica
El amplificador transistorizado ha sufrido una modificacin.
9. Mida la tensin de colector Vc (entre colector y masa).
Vc = _______(V)
10. Mida la tensin colector-emisor Vce.
Vce =______(V)
11. Qu cambi en el circuito?
Circuito abierto entre colector y emisor.
Cortocircuit entre colector y emisor.
Cortocircuito entre base y emisor.
El emisor fue desconectado de R16.
EB-111
12-5
El amplificador sufri otra modificacin.

12. Mida la tensin de colector Vc (con respecto a masa).
Vc = ________(V)
13. Mida la tensin en bornes de R14.
V(R14) = _____(V)
14. Por qu causa Vce = 0 y el punto de operacin pas de 5V a 1.75V?
El colector fue desconectado de R14.
R14 fue reemplazado por un circuito abierto.
R16 fue reemplazado por un cortocircuito.
El colector fue cortocircuitado con el emisor.
EB-111
LECCIN No. 13: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO II

OBJETIVOS
1. Determinar la ganancia de tensin del amplificador transistorizado
con base en valores medidos.
2. Determinar la ganancia de corriente del amplificador transistorizado
con base en valores medidos.
3. Determinar la ganancia de potencia del amplificador transistorizado
con base en las ganancias de tensin y corriente.
4. Determinar por qu aparece distorsin en la salida del amplificador
transistorizado.
DISCUSION
El transistor bipolar es ampliamente usado como amplificador de seal.
La ganancia de corriente del transistor implica una ganancia de potencia.
Asimismo, el transistor puede proveer ganancia de tensin.
AUTOEXAMEN
1. El capacitor de paso:
Cortocircuita a Re para la seal CA, lo que incrementa la ganancia.
Disminuye la estabilidad de CC pero incrementa la ganancia de CA.
Aumenta la estabilidad de CC pero hace bajar la ganancia de CA.
2. La causa de la distorsin es:
La saturacin del transistor.
El corte del transistor.
El pequeo valor del resistor Re.
La saturacin o el corte.
13-1
EB-111
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Generador de seales
PROCEDIMIENTO
la conexin.
2. Estudie el circuito del amplificador de CA ubicado en la parte inferior
izquierda de la plaqueta EB-111.
3. Conecte el circuito como se muestra en la figura. Lleve PS-1 a 10 V.
13-2
EB-111
13-3
4. Ajuste el generador hasta obtener una onda senoidal de 2 kHz.

5. Observe la seal del generador de seales en el canal 1 del
osciloscopio.
6. Observe la tensin de colector en el canal 2 del osciloscopio.
7. Desconecte transitoriamente el generador de seales. Ajuste RV3 hasta
obtener Vce = 5V, y vuelva a conectar el generador de seales.
8. Ajuste la salida del generador de seales hasta obtener en colector
(canal 2) una seal sin distorsin de 4 V pico a pico.
9. Dibuje en su cuaderno las formas de onda de entrada y salida.
10. Mida las tensiones de entrada y de salida. Halle el cociente entre
salida y entrada para obtener as la ganancia de tensin de CA.
AV=
Vout
Vin
RL=4.7 K
11. Desconecte el capacitor de paso C2.
Al desconectar C2, se mantuvo constante la ganancia?
S.
No.
EB-111
13-4
12. Conecte nuevamente C2.

13. Desconecte transitoriamente el generador de seales.
14. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 8V.
15. Vuelva a conectar el generador de seales. Ajuste el generador de
seales hasta obtener distorsin en la salida.
Dibuje en su cuaderno la onda de tensin de salida.
16. Si la tensin de reposo del colector es cercana a Vcc, la distosin
aparecer al entrar en la regin de:
Corte.
Saturacin.
18. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 2.5 V. Si el ajuste es insuficiente,
cortocircuite R11 con un cordn de puenteo.
19. Vuelva a conectar el generador de seales. Ajuste el generador de
seales hasta obtener distorsin en la salida del amplificador.
20. Si se polariza al transistor con una elevada corriente de reposo Ic, la
distorsin aparecer al entrarse en la regin de:
Corte.
Saturacin.
21. Lleve la resistencia de colector a 680 en vez de los 4.7 K actuales
(para ello, conecte R15 en vez de R14).
Desconecte el generador de seales y ajuste RV3 hasta obtener Vce =
5V (si as lo precisa, cortocircuite R11 con un cordn de puenteo).
22. Ajuste el generador de seales hasta obtener una salida de 1Vpp
(medida en colector). Mida Vin y calcule la ganancia de tensin alterna.
AV=
Vout
Vin
RL=680
EB-111
13-5
23. Desconecte el capacitor de paso C2.

Al desconectarse C2, creci la ganancia de tensin?
S.
No.
24. Conecte nuevamente C2.
26. Ajuste RV3 hasta obtener una tensin Vce = 8V.
27. Conecte nuevamente el generador de seales. Ajuste el generador
hasta obtener distorsin en la salida.
28. El semiciclo negativo de la onda de entrada lleva al transistor a:
Corte.
Saturacin.
29. Desconecte momentneamente el generador de seales.
30. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 2.5 V. Si es necesario, cortocircuite
R11 con un cordn de puenteo.
31. Conecte nuevamente el generador de seales. Ajuste el generador
hasta obtener distorsin en la salida del amplificador.
AV
AI
AP
RL=4.7 K
RL=680
32. Calcule la ganancia de corriente (Ai) en base a la ecuacin:
AI =
Iout Vout/Rout
Rin
=
= Av *
Iin
Vin/Rin
Rout
con: Rin =
R12
(despreciando la resistencia de base)
R13
Rout = RL
33. Calcule la ganancia de potencia (Ap), que es el producto de las
ganancias de tensin y de corriente.

AP = AV * AI
EB-111
LECCIN No. 14: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO III

OBJETIVOS
Este leccin consta de un cuestionario, que trata acerca de los temas estudiados
en las lecciones precedentes: Amplificador Transistorizado - I + II (Punto de
Operacin y Amplificacin de CA).
PREGUNTAS de REPASO
1. Si Vce (DC) se halla lejos de la tensin de alimentacin:
Una seal de entrada positiva saturar al transistor.
Una seal de entrada negativa saturar al transistor.
Una seal de entrada positiva llevar al transistor al corte.
Una seal de entrada negativa llevar al transistor al corte.
2. Cuando la tensin Vce del punto de operacin de CC es elevada:
Una seal de entrada positiva saturar al transistor.
Una seal de entrada negativa saturar al transistor.
Una seal de entrada positiva llevar al transistor a la regin de corte.
Una seal de entrada negativa llevar al transistor a la regin de corte.
3. La ganancia de tensin:
Crece si RL crece.
Crece al colocar un capacitor en paralelo con Re.
Crece si la ganancia de corriente (b) crece.
Todas las respuestas sugeridas son correctas.
4. La ganancia de potencia es:
Proporcional a la ganancia de tensin, inversamente proporcional a la
ganancia de corriente.
Proporcional a la ganancia de tensin y a la ganancia de corriente.
Inversamente proporcional a la ganancia de tensin, proporcional a la
ganancia de corriente.
14-1
Inversamente proporcional a la ganancia de tensin y a la ganancia de

corriente.
EB-111
14-2
5. Cuando un transistor est correctamente polarizado para amplificar

CA, el punto de operacin de CC se halla:
En la regin de saturacin.
En la regin de corte.
Entre las regiones activa y de corte.
Entre las regiones activa y de saturacin.
En medio de la regin activa.
EB-111
15-1
LECCIN No. 15: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO IV

OBJETIVOS
Tras completar esta leccin, Ud. ser capaz de determinar la respuesta en
frecuencia del amplificador transistorizado basndonos en mediciones.
DISCUSION
La respuesta en frecuencia de los amplificadores transistorizados depende
de:
Los capacitores que determinan la frecuencia de corte inferior.
Los parmetros del transistor y las capacitancias parsitas que
determinan la frecuencia de corte superior.
AUTOEXAMEN
1. Al crecer la frecuencia ms all de la banda de paso, la ganancia:
Crece.
Decrece.
2. La realimentacin negativa:
Incrementa la ganancia y el ancho de banda.
Incrementa la ganancia y disminuye el ancho de banda.
Disminuye la ganancia y el ancho de banda.
Disminuye la ganancia e incrementa el ancho de banda.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Generador de seales
EB-111
PROCEDIMIENTO
la conexin.
4. Lleve la salida de PS-1 a 10 V.

5. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 5V.
15-2
EB-111
15-3
6. Ajuste el generador de seales hasta obtener en la salida de colector

una onda senoidal de 100 Hz, 6 V pico a pico. Mida con el canal 2 del
osciloscopio.
7. Ingrese la tensin de salida pico a pico.
8. Mida e ingrese la tensin de entrada pico a pico.
9. Calcule la ganancia de tensin:
Ganancia =
Vout
Vin
Frecuencia (Hz)
Tensin de Salida
(Vp-p)
Tensin de Entrada
(Vp-p)
Ganancia de Tensin
100
200
500
1000
2000
Respuesta en Frecuencia
10. Mida las tensiones de entrada y salida para todas las frecuencias
indicadas en la tabla. La amplitud de la entrada debe permanecer
constante.
Para cada frecuencia, calcule la ganancia de tensin.
Frecuencia (Hz)
Tensin de Salida
(Vp-p)
Tensin de Entrada
(Vp-p)
Ganancia de Tensin
5000
10K
20K
50K
100K
Siga el mismo procedimiento: mida las tensiones de entrada y salida
para todas las frecuencias indicadas en la tabla. La amplitud de la
entrada debe permanecer constante.
Finalmente, calcule la ganancia de tensin en cada frecuencia.
EB-111
15-4
11. Desconecte C2.

12. Ajuste el generador hasta obtener 3 V pico a pico en colector.
13. Ingrese las tensiones de entrada y salida y calcule la ganancia de
tensin para las frecuencias indicadas en la tabla.
Frecuencia (Hz)
Tensin de Salida
(Vp-p)
Tensin de Entrada
(Vp-p)
Ganancia de Tensin
20
50
100
200
500
Respuesta en Frecuencia con Realimentacin Negativa
Frecuencia (Hz)
1000
Tensin de Salida
(Vp-p)
Tensin de Entrada
(Vp-p)
Ganancia de Tensin
2000 5000 10K
20K 50K 100K
Siga el mismo procedimiento: mida las tensiones de entrada y salida
para todas las frecuencias indicadas en la tabla. La amplitud de la
entrada debe permanecer constante.
Finalmente, calcule la ganancia de tensin para cada frecuencia.
EB-111
15-5
PREGUNTAS de REPASO
1. La realimentacin:
Disminuye la ganancia de tensin.
Aumenta la ganancia de tensin.
No influye sobre la ganancia de tensin.
2. La realimentacin hace que el ancho de banda del amplificador:
Cae.
Crece.
Permanesca constante.
EB-111
16-1
LECCIN No. 16: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO V

OBJETIVOS
1. Medir el tiempo de subida de un amplificador transistorizado.
2. Conocer los parmetros del transistor usado como inversor.
DISCUSION
El transistor puede operar no slo como amplificador, sino tambin como
inversor digital.
El tiempo de subida es un parmetro que mide el tiempo de respuesta del
circuito. El tiempo de subida es el tiempo que demora la salida en crecer
desde el 10% hasta el 90% de su valor final, cuando se aplica un "escaln"
en la entrada.
Antes de avanzar, asegrese de conocer la operacin del transistor como
compuerta inversora (NOT), y las tensiones en la entrada y la salida.
AUTOEXAMEN
1. En el inversor transistorizado, al estar el transistor en la regin de corte, el
nivel lgico en la salida es:
Nivel '1' (alto).
Nivel '0' (bajo).
Nivel no determinado.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Generador de seales
EB-111
PROCEDIMIENTO
Tiempo de Subida
la conexin.
3. Conecte el circuito del modo mostrado. Lleve la salida de PS-1 a 10 V.
4. Ajuste RV3 hasta obtener Vce = 5 V.

5. Fije la seal de entrada en: onda cuadrada, 6 Vpp, 20 kHz.
16-2
EB-111
16-3
6. Desconecte el capacitor C2.

7. Mida el tiempo de subida, (muestre la entrada en el canal 1, y la salida
en el canal 2 del osciloscopio).
Tiempo de subida: ______(seg)
8. Conecte el capacitor C2.
9. Mida nuevamente el tiempo de subida:
El tiempo de subida vale:______(seg)
El Transistor Como Inversor Digital
EB-111
16-4
Nota: Desconecte el generador de seales.

12. Lleve la salida de PS-1 a 5 V.
13. Ajuste RV3 hasta que Vce valga entre 2.4 y 2.6 V. Si no puede
alcanzar esa tensin, cortocircuite R11.
14. Ajuste el generador de seales hasta obtener una onda cuadrada de
frecuencia 2 kHz.
15. Conecte el generador de seales.
16. Mida la tensin de entrada en el canal 1 del osciloscopio y la tensin
de colector en el canal 2. Vare poco a poco la tensin de entrada
desde cero.
17. Note que, al crecer lentamente la entrada desde cero, se tiene una
onda cuadrada en la salida, alrededor del punto de reposo de 2.5 V.
18. Aumente la amplitud de la seal de entrada hasta que la salida deje de
crecer.
19. Observe la tensin de salida en el osciloscopio.
20. Lleve la tensin de entrada a 0.1 V pico, como se muestra en el figura.
21. Ingrese la tensin de salida en la tabla.

Tensin de Entrada (V)
Tensin de Salida (V)
Entrada Baja
0.1
EB-111
16-5
22. Lleve la tensin de entrada a 4 V como se muestra en el diagrama.
23. Ingrese en la tabla la tensin de salida.

Tensin de Entrada (V)
Tensin de Salida (V)
Entrada Alta
PREGUNTAS de REPASO
1. La realimentacin de CA ___________ el tiempo de subida.
disminuye
aumenta
no influye sobre
EB-111
17-1
LECCIN No. 17: AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO VI

OBJETIVOS
Las preguntas de este cuestionario tratan acerca de los temas estudiados en las
lecciones anteriores: Amplificador Transistorizado - (IV + V): Respuesta en
Frecuencia, y Tiempo de Subida / Inversor Digital.
PREGUNTAS de REPASO
1. Al aumentar la frecuencia de la seal de entrada:
Aumenta la ganancia del amplificador.
Disminuye la ganancia del amplificador.
La ganancia permanece constante.
2. Al desconectar el capacitor de paso:
Crece la ganancia del amplificador.
Cae la ganancia del amplificador.
Invierte la salida.
No modifica el desempeo del circuito.
3. Al conectar realimentacin negativa:
Cae el tiempo de subida.
Crece el tiempo de subida.
El tiempo de subida no sufre variacin.
4. En el inversor digital:
Al crecer la seal de entrada, crece la salida.
Al crecer la seal de entrada, decrece la salida.
Al crecer la seal de entrada, crece la salida, hasta que el
transistor entra en saturacin o corte.
Al crecer la seal de entrada, decrece la salida, hasta que el
transistor entra en saturacin o corte.
EB-111
18-1
LECCIN No. 18: SEGUIDOR POR EMISOR

OBJETIVOS
1. Determinar la ganancia de tensin del seguidor por emisor.
2. Comprender el uso del seguidor por emisor en reguladores de tensin.
3. Determinar la regulacin de un regulador de tensin basado en el
seguidor por emisor.
DISCUSION
El seguidor por emisor es, de hecho, un amplificador en configuracin de
colector comn, ya que el colector est puesto a masa (al menos para la CA).
La ganancia de tensin de este circuito es apenas menor que 1.0. La
impedancia de entrada es muy alta, aun cuando la impedancia de carga es de
pequeo valor.
Esta configuracin es usada para acoplar fuentes de alta impedancia a cargas
de baja impedancia.
AUTOEXAMEN
1. La ganancia de tensin en el seguidor por emisor es:
Mayor que 10.
Aproximadamente 1.
Menor que 0.1.
2. Un seguidor de tensin posee:
Muy alta impedancia de entrada, muy baja impedancia de salida.
Muy alta impedancia de entrada, muy alta impedancia de salida.
Muy baja impedancia de entrada, muy alta impedancia de salida.
Muy baja impedancia de entrada, muy baja impedancia de salida.
EB-111
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Multmetro Digital (DMM)
Generador de seales
PROCEDIMIENTO
la conexin.
2. Estudie el circuito de la figura. Este circuito est ubicado en la parte
inferior derecha de la plaqueta.
18-2
EB-111
18-3
4. Lleve la salida de PS-1 a una tensin entre 4V y 6V.

5. Ajuste el generador de seales para obtener una onda triangular de 2 kHz y
una amplitud de 6 Vpp.
6. Conecte un canal del osciloscopio a la seal de entrada y el otro canal a la
seal de salida, como se muestra en el diagrama de conexiones.
7. Observe simultneamente ambas seales.
8. Dibuje en su cuaderno ambas formas de onda. Ingrese en la tabla los
valores obtenidos.
9. Repita el experimento, con R17 = 100 conectada en vez de R10 = 1 K, e
ingrese en la tabla los valores obtenidos.
Vin(V)
Vout(R10=1K)
Vout(R17=100K)
-3
-1
0.5
Tensin de Salida con Diversas Cargas

EJERCICIO OPCIONAL
10. Mida la corriente de entrada con el osciloscopio:
Conecte el canal 1 (X) del osciloscopio a la entrada y el canal 2 al otro
extremo del resistor R8.
Use el modo ADD+INV CH-2 (suma con canal 2 invertido) para medir la
tensin en bornes de R8. Si se divide esta tensin por R8, se obtiene la
corriente de entrada. En esta parte del experimento Ud. vio cmo la

salida sigue a la entrada, y cmo la ganancia es aproximadamente 1.0.
EB-111
18-4
13. Lleve la salida de PS-1 a aproximadamente 9V.

14. Mida la tensin de Zener VD3:
VD3 = _____(V)
15. Mida la tensin de salida (emisor de Q2).
Vout =_____ (V)
16. Conecte R17 (100) en vez de R10.
17. Mida la tensin del Zener VD3:
VD3 = ____(V)
18. Mida la tensin de salida en el emisor de Q2.
Vout =____ (V)
19. Calcule la regulacin de tensin:
Vout RL 1K Vout RL 100
* 100% =_________
Vout RL 1K
20. Compare la regulacin obtenida usando seguidor por emisor con la

obtenida en el regulador sencillo de diodo Zener estudiado anteriormente.
EB-111
19-1
LECCIN No. 19: AMPLIFICADOR de CONTRAFASE- I

OBJETIVOS
Tras completar esta leccin, Ud. ser capaz de obtener las formas de onda de
entrada y salida del amplificador de contrafase o push-pull.
DISCUSION
El amplificador de contrafase es usado para mejorar el rendimiento del
amplificador. En esta configuracin se usan dos transistores, cada uno de los
cuales amplifica un semiciclo de la seal de entrada.
AUTOEXAMEN
En el amplificador de contrafase:
Dos transistores se hallan en la regin activa.
Un transistor se halla en la regin activa, y el otro en la regin
de saturacin.
Un transistor se halla en la regin activa, y el otro en la regin
de corte.
EQUIPO
Bastidor PUZ-2000
Tablero maestro
Generador de seales
PROCEDIMIENTO
la conexin.
2. Estudie el circuito de la figura (amplificador de contrafase):
EB-111
4. Lleve la salida de PS-1 y de PS-2 a unos 10 V.

5. Lleve la salida del generador de seales a: onda triangular, 2 kHz,
amplitud 3 V (6 Vpp).
6. Dibuje en su cuaderno la forma de onda de la tensin de salida.
7. Conecte el canal 2 del osciloscopio para medir la tensin de salida
Vout, e ingrese en la tabla los valores obtenidos.
8. Conecte el resistor R17 en vez de R10. Repita los pasos 6 y 7 con RL = 100.
19-2
EB-111
19-3
Vin(V)
Vout(R10=1K)
Vout(R17=100K)
-3
-2
-1
-0.5
Tensin de Salida para Diferentes Cargas

Vin(V)
Vout(R10=1K)
Vout(R17=100K)
0.5
Tensin de Salida para Diferentes Resistores de Carga
EB-111
20-1
LECCIN No. 20: AMPLIFICADOR de CONTRAFASE- II

OBJETIVOS
Las preguntas que deber responder tratan acerca de los temas estudiados en las
lecciones anteriores: Seguidor por Emisor y Amplificador de Contrafase - I.
PREGUNTAS de REPASO
1. En el amplificador de contrafase:
La tensin en emisor es mayor que la tensin de entrada, la fase es
la misma.
La tensin en emisor es mayor que la tensin de entrada, y est
desfasada 180 grados.
La tensin en emisor es menor que la tensin de entrada, la fase es
la misma.
La tensin en emisor es menor que la tensin de entrada, y est
desfasada 180 grados.
2. La regulacin mediante un seguidor:
Es mejor que la del regulador zener simple.
Es peor que la del regulador zener simple.
Es igual que la del regulador zener simple.
3. Al ser cargado el seguidor por emisor con distintas resistencias:
La salida vara fuertemente.
La salida vara muy poco.
El generador de seales es fuertemente cargado.
El estado del transistor cambia.
4. En el amplificador de contrafase, la distorsin en la salida es debida a:
La saturacin simultnea de ambos transistores.
La saturacin del transistor NPN.
La saturacin del transistor PNP.
El corte simultneo de ambos transistores.
EB-111
20-2
5. Al trabajar en configuracin push-pull (contrafase):

Ambos transistores se hallan en la regin activa.
Un transistor se halla en la regin activa y el otro en saturacin.
Un transistor se halla en la regin activa y el otro en la regin de corte.
Ambos transistores se hallan en la regin de saturacin.
EB-111
LECCIN No. 21: DIAGNOSTICO- PREPARACION

OBJETIVOS
1. Identificar puntos de prueba en el circuito de diagnstico.
2. Medir las tensiones clave del circuito.
3. Aislar fallas a nivel de etapa.
4. Localizar fallas a nivel de componente.
DISCUSION
En este experimento, Ud. conectar distintos circuitos, para simular un
entorno de trabajo real.
Para diagnosticar fallas, se debe "remontar" la seal a travs de las etapas
del circuito.
La etapa fallada presenta una seal normal en la entrada y una seal anormal
en la salida.
Tras aislar la etapa en la cual se sospecha que se localiza la falla, se puede
tomar una serie de mediciones dentro de la misma para hallar el componente
averiado.
En la figura puede observarse el diagrama en bloques del circuito de
diagnstico:
La mayor parte de las mediciones a realizar son mediciones de tensin. Slo

a veces mediremos corrientes de fuga.
21-1
EB-111
En el diagrama se muestran todas las tensiones de prueba:
EQUIPO
Para realizar esta prctica de diagnstico se precisa el siguiente equipo:
Bastidor PUZ-2000
Tablero Maestro
Generador de seales
PROCEDIMIENTO
21-2
EB-111
2. Lleve la salida de PS-1 a +12 V, y PS-2 a -6 V.

3. Ajuste RV3 hasta lograr que Vce (de Q4) valga aproximadamente 3.5 V.
4. Ajuste el generador de seales para obtener en la salida una onda cuadrada
de amplitud = 1V (pico) y frecuencia 2 kHz.
5. Conecte el osciloscopio para medir la tensin en el colector de Q4.
6. Vare la salida de del generador hasta obtener una onda cuadrada en el

colector de Q4, cuya amplitud mnima sea 0 V y su amplitud mxima sea
por lo menos 6 V, como se muestra en la figura.
21-3
EB-111
7. Anote en su cuaderno las amplitudes y formas de onda observadas. Una

precisin del 10% ser suficiente.
Al dibujar, respete las fases relativas de V2, V3 y V4 con respecto a la
entrada V1.
8. Use el osciloscopio para seguir la seal de etapa a etapa.
21-4
EB-111
LECCIN No. 22: DIAGNOSTICO- PRUEBA

OBJETIVOS
Tras una breve discusin acerca de cmo se diagnostican averas, Ud. ser
interrogado acerca de los temas que estudi, mediante cuatro fallas que sern
insertadas aleatoriamente.
DISCUSION
En esta prctica se evalan sus habilidades de diagnstico. Ud. deber usar los
valores medidos en la Leccin anterior.
Este es el diagrama en bloques del circuito de diagnstico.
El procedimiento adecuado para diagnosticar averas consiste de "remontar" el

circuito, midiendo las tensiones clave, comparndolas a las tensiones que
presentara el circuito en operacin normal.
La etapa en que se localiza el componente defectuoso presentar una tensin (o
forma de onda) de salida diferente a la esperada.
Ud. puede medir dentro de la etapa hasta localizar la falla a nivel de
componentes. Una vez hallada la falla, haga "clic" con el Mouse en la tabla de
fallas del EB-111, en la descripcin ms adecuada.
En el modo de PRUEBA, la unidad PUZ-2000 inserta automticamente, al azar,
una de cuatro posibles fallas. Cuando halle Ud. la avera, seleccione la
descripcin ms adecuada de la tabla de fallas.
22-1
EB-111
22-2
Si Ud. no localiza la falla dentro de los 20 minutos, la descripcin correcta ser

resaltada en la pantalla.
Se permiten hasta tres intentos. Cada intento incorrecto reducir su calificacin
en ocho (8) puntos.
Si Ud. localiza todas las fallas, sin equivocarse nunca, dentro de los 20 minutos,
recibir Ud. un adicional de cuatro (4) puntos.
EQUIPO
Para realizar la prueba de diagnstico se precisa el siguiente equipo:
Bastidor PUZ-2000
Tablero Maestro
Generador de seales
DESCRIPCION de FALLAS
Si el circuito no est conectado, conctelo del siguiente modo:
Componente
C3
RV3
Q4
Q4
D1
Q1
D2
D3
Q4
D3
Q4
Descripcin de Falla
Cortocircuito
Circuito abierto
Base a masa
Corto base-colector
Fugas significativas
Amplificacin de ruido
Fugas inversas
Circuito abierto
Corto colector-emisor
Alta impedancia zener
Colector abierto
EB-111
LECCIN No. 23: MARATON de DIAGNOSTICO

OBJETIVOS
En esta Leccin, Ud. deber diagnosticar un gran nmero de fallas aleatorias.
Ud. usar los valores medidos en la Leccin N 21 (Diagnstico - Preparacin).
DISCUSION
Estudie el circuito que Ud. arm en la Leccin de Preparacin.
El procedimiento adecuado para diagnosticar averas consiste de "remontar" el

circuito, midiendo las tensiones clave, comparndolas a las tensiones que
presentara el circuito en operacin normal.
La etapa en que se localiza el componente defectuoso presentar una tensin (o
forma de onda) de salida diferente a la esperada.
Ud. puede medir dentro de la etapa hasta localizar la falla a nivel de
componentes.
En el modo de Maratn de Diagnstico, las averas son insertadas al azar, de a
una a la vez.
Las fallas, tras haber sido insertadas -todas ellas- una vez, son vueltas a insertar,
en diferente orden.
Al contrario que lo que sucede en el modo de Prueba, en ningn caso se
muestra la respuesta correcta, ni siquiera en el caso que Ud. no halle la
respuesta correcta.
23-1
EB-111
23-2
EQUIPO
Para realizar la maratn de diagnstico se precisa el siguiente equipo:
Bastidor PUZ-2000
Tablero Maestro
Generador de seales
DESCRIPCION de FALLAS
Si el circuito no est conectado, conctelo del siguiente modo:
Componente
C3
RV3
Q4
Q4
D1
Q1
D2
D3
Q4
D3
Q4
Descripcin de Falla
Cortocircuito
Circuito abierto
Base a masa
Corto base-colector
Fugas significativas
Amplificacin de ruido
Fugas inversas
Circuito abierto
Corto colector-emisor
Alta impedancia zener
Colector abierto

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Manual del Estudiante

Copyright 1994 propiedad I.T.E. Innovative Technologies in Education.

Primera edicin en espaol impresa en:

Cat. No. 9031311105 (SPN, DEGEM)

Diodo I - Polarizacion Directa

Diodo II- Polarizacion Inverse

Diodo de Juntura Cuestionario

Diodo Zener III

Laboratorio 10: Transistor Bipolar II

Laboratorio 11: Transistor Bipolar III

Laboratorio 12: Amplificador Transistorizado I

Laboratorio 13: Amplificador Transistorizado II

Laboratorio 14: Amplificador Transistorizado III

Laboratorio 15: Amplificador Transistorizado IV

Laboratorio 16: Amplificador Transistorizado V

Laboratorio 17: Amplificador Transistorizado VI

Laboratorio 18: Seguidor Por Emisor

Laboratorio 19: Amplificador de Contratase I

Laboratorio 20: Amplificador de Contrafase II

Laboratorio 21: Diagnostico - Preparacin

Laboratorio 22: Diagnostico -Prueba

Laboratorio 23: Maratn de Diagnostico

LECCIN No. 1: DIODO I POLARIZACION DIRECTA

3. Conecte el circuito del modo mostrado:

6. Mida la corriente en el circuito e ingrese en la tabla los valores

LECCIN No. 2: DIODO II POLARIZACION INVERSA

3. Conecte el circuito en la siguiente secuencia:

4. Lleve la tensin a cero, ajustando el potencimetro PS-2 de la fuente

Corriente Inversa - Modo de Prctica

9. Suponiendo que PS-2 = -10V, calcule la resistencia de fuga del diodo

LECCIN No. 3: DIODO de JUNTURA CUESTIONARIO

5. Al estar el diodo polarizado en inversa:

LECCIN No. 4: RECTIFICADOR de DIODO I

1. El rectificador de media onda rectifica:

3. Conecte un generador de seales a los terminales Vin.

En la prxima pantalla se detallan las conexiones requeridas.

4. Lleve la salida del generador de seales a: onda senoidal, 200 Hz,

Rectificacin de Onda Senoidal

cuaderno y trace la curva de transferencia para tensiones de entrada Vin

8. Repita el procedimiento con una onda triangular de 200 Hz. Dibuje en su

Caractersticas de Transferencia con Entrada Senoidal

12. Calcule la resistencia de fuga en base al divisor de tensin compuesto

LECCIN No. 5: RECTIFICADOR de DIODO II

LECCIN No. 6: DIODO ZENER I

3. Conecte R6 a la fuente de alimentacin PS-1.

Calcule la corriente mediante la ecuacin:

LECCIN No. 7: DIODO ZENER II

3. Use el multmetro para llevar la resistencia R = (RV2 + R7) a 800.

5. Con Vin = PS-1 = 5 V, mida la tensin en la carga, Vz, e ingrese en la

8. Dibuje en su cuaderno la curva de transferencia de tensin: salida en el

Regulacin de Carga - Modo de Prctica

LECCIN No. 8: DIODO ZENER III

Crece al crecer la tensin de entrada.

Crece al caer la resistencia de carga.

LECCIN No. 9: TRANSISTOR BIPOLAR I

En transistores ideales, es un valor constante, por ejemplo 125. En

3. Conecte el circuito del modo mostrado:

Caractersticas de la Juntura Base-Emisor

8. Conecte el circuito del modo mostrado. Cortocircuite el resistor R 5

9. Mida la corriente de base conectando el microampermetro entre RV1

Corriente de Colector (Ic) en funcin de Vce y Ib

LECCIN No. 10: TRANSISTOR BIPOLAR II