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ETAPA 2

Passo 1
BJT Transistor bipolar de juno
Simbologia

O transistor bipolar de juno BJT um dispositivo semicondutor de trs terminais: a


base, o coletor e o emissor. Em suma, a tenso de base controla o fluxo de corrente entre o
coletor e o emissor.
A polarizao DC adequada se faz necessria para estabelecer a regio ideal de operao
para a amplificao AC como ser mostrado mais a frente. Os terminais so normalmente
indicados pelas letras maisculas E emissor, C coletor e B base.
O fluxo de corrente nesses dispositivos ocorre do emissor para o coletor nos transistores
PNP e docoletor para o emissor nos NPN.
Para o BJT trabalhar como chave eletrnica preciso polariz-lo nas regies de corte e
saturao e como amplificador, na regio ativa.
De modo geral, o BJT de potncia segue os mesmos parmetros do transistor de sinal.
Algumas caractersticas so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o
dispositivo trabalha.

Passo 2

Passo 2
UJT Transistor de unijuno
Simbologia

O UJT um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno PN.
O circuito tradicional de disparo usando o UJT chamado de oscilador de relaxao.
O UJT tem dois parmetros importantes:
Tenso de Disparo (VP)
Tenso de Vale (VV)
O primeiro diz o valor de tenso necessrio para fazer conduzir o caminho entre o emissor
(E) e a base 1. O segundo informa o valor detenso que, aps a entrada em conduo,
bloqueia o citado caminho. Em outras palavras, estes parmetros indicam o incio e o fim do
disparo do UJT.

MOSFET Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor


Simbologia

O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico (MOSFET) de


potncia um dispositivo para uso como chave em nveis de potncia. Os terminais
principais so o dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo
controlada pela tenso entre a porta e a fonte.
O MOSFET um transistor de chaveamento rpido, caracterizado por uma alta impedncia
de entrada, apropriado para potncias baixas (at alguns quilowatts) e para aplicaes de
alta frequncia (at 100kHz).
Um MOSFET tem aplicaes importantes em fontes de alimentao chaveadas, nas quais
frequncias altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econmicos,
alm de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulao por largura de
pulso PWM).
Os MOSFETs esto disponveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto,
os dispositivos em canal N tm valores nominais de corrente e tenso mais altos.
Devido alta resistncia de porta, a corrente de controle praticamente nula, propiciando
um controle de conduo entre dreno e fonte a partir de uma tenso aplicada no terminal de
porta. Ainda, pela baixssima necessidade de corrente de controle, possvel comutar a
conduo do MOSFET atravs de circuitos microcontrolados.
O MOSFET bem mais rpido nas comutaes que o TJB,entretanto fornece mais perdas
de conduo na saturao, mas, infelizmente sozinho no consegue bloquear uma tenso
reversa entre dreno e fonte. Isto de deve ao um diodo acoplado internamente a sua
estrutura em antiparalelo. Este diodo chamado de diodo de corpo e serve para permitir um
caminho de retorno para a corrente para a maioria das aplicaes de chaveamento.

IGBT Transistor bipolar de porta isolada


Simbologia

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caractersticas de baixa queda de


tenso de saturao do TJB com as excelentes caractersticas de chaveamento e
simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET.
Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta tenso, nas quais as perdas na
conduo precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de
chaveamento dos IGBTs sejam maiores (at 50 kHz) do que as dos TJBs so menores que
as dos MOSFETs.
Portanto, as frequncias mximas de chaveamento possveis com IGBT ficam entre as dos
TJBs e as dos MOSFETs. Ao contrrio do que ocorre no MOSFET, o IGBT no tem qualquer
diodo reverso interno. Assim, sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito
ruim. A tenso inversa mxima que ele pode suportar de menos de 10V.

A curva caracterstica do diodo zener da seguinte forma, atravs dela possvel o


estudo das diferentes regies de operao do mesmo. Ela exibe o comportamento do
dispositivo nas regies direta e reversa e os valores de tenso e corrente para cada ponto da
faixa de operao, os dodos zener so definidos pela sua tenso de zener (Vz) mas para que
possa existir regulao/estabilizao de tenso aos seus terminais a corrente que circula pelo
dodo zener (Iz) deve manter-se entre os valores de corrente zener definidos como mximo e
mnimo, pois se menor que o valor mnimo, no permite a regulao da tenso e, se maior,
pode romper a juno PN por excesso de corrente. Quando um dodo zener trabalha na zona
de ruptura, um aumento na corrente produz um ligeiro aumento na tenso. Isto significa que o
dodo zener tem uma pequena resistncia que tambm denominada impedncia zener.

As caractersticas tcnicas que devem ser respeitadas para que o diodo zener no
queime e nem ocorra um curto-circuito ou abertura da juno so:
TENSO ZENER: o valor de tenso no qual o diodo zener entra em conduo,
quando polarizado reversamente. Os valores de tenso so padronizados pelos fabricantes.
POTNCIA ZENER: a potncia que o diodo zener pode dissipar, quando percorrido
pela corrente reversa. Seu valor expresso pela frmula Pz = Iz.Vz, No mercado so comuns
diodos zener com potncias zener entre 400mW e 1W.
COEFICIENTE DE TEMPERATURA: A tenso zener se modifica pela ao da
temperatura, a tenso pode subir ou descer com o aumento da temperatura, porm em faixas
de valores pequenos.
TOLERNCIA: o valor da tenso zener em relao tenso zener especificada
pelos fabricantes.
CORRENTE ZENER MXIMA: Mximo valor de corrente que o diodo zener
suporta, quando em conduo na polarizao reversa. Iz mx = Pz / Vz. aconselhvel que se
utilize 70% do seu valor mximo.
CORRENTE ZENER MNIMA (Iz mn): Mnimo valor de corrente que o diodo zener
necessita para que ele mantenha estvel a tenso nos seus terminais Iz mn = Iz mx / 10.
Aplicao
O diodo zener quando polarizado inversamente (nodo a um potencial negativo em
relao ao ctodo) permite manter uma tenso constante aos seus terminais (VZ) sendo por
isso muito utilizado na estabilizao ou regulao da tenso nos circuitos,como pode ser
visualizado no circuito abaixo.

Para que este tipo de circuito funcione de maneira adequada, so necessrias algumas
regras, que garantam o bom funcionamento e eficincia da estabilizao do dispositivo.
O diodo zener tem que se encontrar polarizado inversamente, tenso de alimentao
do circuito tem que ser superior a tenso de zener do dodo e a carga ou cargas do circuito tem
que estar ligadas em paralelo com o dodo zener.
Para que ocorra o efeito estabilizador de tenso necessrio que o diodo zener
trabalhe dentro da zona de ruptura, respeitando-se as especificaes da corrente mxima e de
corrente mnima, para que a tenso no sofra variaes nos seus terminais, para isto
utilizado um resistor limitador este garante as limitaes de corrente e absoro da tenso no
establizada proveniente da fonte geradora.

Transistor Bipolar (polarizado na regio de amplificao)

Um transstor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre zero
e um valor mximo. Neste caso, a corrente do coletor um mltiplo da corrente de base. Se
aplicarmos na base do transistor um sinal, vamos obter uma corrente mais elevada no coletor
proporcional ao sinal aplicado, por este motivo este transistor um amplificador.

Caractersticas:
Existem trs configuraes bsicas de operao para o transistor bipolar
- Base-comum

- Coletor-comum

- Emissor-comum

Existem trs regies de operao para o transistor : Coletor comum, Base Comun e
Emissor comum. No Coletor comum, o transistor est desligado ou a corrente IB no grande
o suficiente para lig-lo e as junes esto reversamente polarizadas. No Emissor comum, o
transistor funciona como um amplificador onde IC amplificada pelo ganho de corrente e a
diminuio da queda VCE. A juno coletor-base est reversamente polarizada e a juno
base-emissor, diretamente polarizada. No Base comum, a corrente de base IB
suficientemente grande, fazendo com que a tenso VCE seja muito baixa. Assim, o transistor
opera como chave. Ambas as junes esto diretamente polarizadas. A curva mostrada baixo
d a caracterstica de transferncia VCE x IB.

Condies para operar nessa regio:


* Juno base-emissor diretamente polarizada VBE > tenso limiar;
* Juno base-coletor inversamente polarizada 0 < VBC < VCC e
* 0 < VCE < VCC
Obs.: Tenso limear definida pelo material com que feito o transistor, caso seja o
silcio, o valor dessa grandeza ser de 0,6 V.

* Corrente do coletor determinada pela expresso IC = CC x IB, onde CC o ganho


esttico de corrente do transistor (relao entre as correntes que sai pelo coletor e que entra no
emissor);
* Amplificao de sinal da tenso (varivel) com ganho da ordem de centenas.
Passo 2
Regulador

Srie

Transistorizado

O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada


em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o
elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da
o nome de regulador srie transistorizado.
FUNCIONAMENTO:

A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE


Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ
VCE = VCB + VBE
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar
provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo
VL constante.
Considerando os valores abaixo:
Tenso de entrada = Vin=20 Vdc 5
Tenso de sada = Vout=12Vdc 2

Corrente Mxima de Sada =

IL=0,2 A 10

Atravs dos clculos faremos a definio dos componentes para a funcionalidade do


circuito.
Escolha do Transistor:
Vcbo > Vin(MAX) = 20 + 5% = 21V
Ic(MAX) > IL(MAX) = 0,22A
Pc(MAX) > (Vin(MAX) VL) * Ic(MAX)
Supondo que o transistor utilizado seja o BD135, de acordo com o fabricante, suas
especificaes so:
Vcbo = 45V
Ic(MAX) = 1,5A
Pc(MAX) = 12,5W
40 < > 100
O transistor escolhido (BD135) atende as especificaes de Vcbo e Ic (MAX), no entanto
necessrio verificar se a potncia a ser dissipada pelo coletor suficiente para o objetivo do
projeto.
Pc(MAX) = (Vin(MAX) VL) * Ic(MAX)
Ic ( MAX ) =

Ic ( MAX ) =

IL ( MAX )
1
1+
(min)
0,22
1
1+
40
Ic(MAX) = 0,21 A
Pc(MAX) = (21 - 12) * 0,21
Pc(MAX) = 1,89 W

A potncia mxima dissipada no circuito ser de aproximadamente 2W e o transistor


BD135 suporta at 12,5W, ento o transistor atende totalmente ao circuito.

Escolha do diodo zener:


O diodo zener dever ter uma tenso nominal de 12,7V, j que VL = Vz Vbe e
Vbe=0,7V. O valor comercial mais prximo encontrado o 1N964B, com tenso nominal de
13V, Pz(MAX) = 500mW e Iz(MIN) = 9,5mA.
Iz ( max )=

0,5 W
=38,4 mA
13 V

Com isso teremos um valor aproximado de 12,3V na sada o que est bem prximo do
valor mximo de sada.
Verificando se o diodo zener pode ser utilizado:
Iz ( max )=

Vin ( max )Vz


x (Iz ( min ) + Ib ( max ) )
Vin ( min ) Vz

Ib ( max ) =

Ic ( max ) 0,21
=
=5,25 mA
40
(min)

Iz ( max )=

21V 13 V
x (9,5 mA +5,25 mA )
19 V 13 V

8
Iz ( max )= x 14,75 mA
6
Iz ( max )=19,66 mA

Como Iz(MAX) terico = 38,4mA e Iz(MAX) do circuito = 19,66mA, o diodo zener 1N946B
pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima tenso de entrada: Vin(MAX) = 21V
Vin(MAX) = R(Ib(MIN) + Iz(MAX)) + Vz
Na pior condio, onde RL =

Ib(MIN) = 0

R=

Vin ( max )Vz 21V 13V


=
=208,33
38,4 mA
Iz( max )

Para a mnima tenso de entrada: Vin(MIN) = 19V


R=

Vin ( min )Vz


19 V 13 V
=
=406,78
Ib ( max )+ Iz( min) 5,25 mA +9,5 mA

O valor de R dever ser maior que 208,33 e menor que 406,78. Ser utilizado o
resistor de valor comercial de 300, o que mais se aproxima do valor mdio, 307,5.
Potncia dissipada pelo resistor:
2

P=

E2 (Vin ( max ) Vz) ( 2113)


=
=
=0,213W
R
R
300

O resistor ser ento de 300 e

1
4 W.

Portanto sero utilizados o Transistor BD135, o diodo zener 1N964B e um resistor de

300 e

1
4 W.

Passo 3
Regulador Paralelo Transistorizado

A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener


como elemento de referncia. Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a
denominao de Regulador paralelo Transistorizado, cujo circuito mostrado acima.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador
srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
Funcionamento

VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante


VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V Z fixa, variar
VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de
entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Considerando os valores abaixo:
Tenso de entrada = Vin=20 Vdc 5
Tenso de sada = Vout=12Vdc 2
Corrente Mxima de Sada =

IL=0,2 A 10

Atravs dos clculos faremos a definio dos componentes para a funcionalidade do


circuito.
Escolha do transistor
A escolha do transistor deve atender as seguintes caractersticas:

O transistor escolhido foi o TIP31, cuja especificao de acordo com o fabricante :


Vceo = 40V
Ic(MAX) = 3A
Pc(MAX) = 40W
10 < > 50

Escolha do diodo zener


Como VL = Vce, e Vce tem um valor aproximado ao de Vz, o diodo zener escolhido
ser um de 12V.
O diodo zener escolhido foi o 1N5242, com tenso nominal de 12V, Pz(MAX)=500mW e
Iz(MIN) = 9,5mA.
Iz ( max )=

0,5 W
=41,6 mA
12V

Atravs da frmula abaixo podemos determinar se o diodo zener escolhido pode ser
utilizado:
Iz ( max )=

[(

Vin ( max )VzVbe


1
x ( Iz ( min )+ IL ( max )+ ( min )Iz(min) ) x
(
)
(
Vin max VzVbe
min )+1

Iz ( max )=

[(

21120,7
1
x ( 9,5 mA + 220 mA+ 109,5mA ) x
19120,7
11

Iz ( max )=

[( )

8,3
x ( 324,5 mA ) x 90,9mA
6,3

Iz ( max )=38,86 mA

Como Iz(MAX) terico = 41,6mA e Iz(MAX) do circuito = 38,86mA, o diodo zener 1N5242
compatvel.
Clculo Ic(MAX):
Ic ( max )= ( min ) x ( Iz ( max )Iz( min) )
Ic ( max )=10 x ( 38,86 mA 9,5 mA )
Ic ( max )=293,6 mA

Como o valor de Ic(MAX) do circuito 293,6mA e o transistor escolhido suporta at 3A,


o mesmo atende ao objetivo do circuito.

Clculo Pc(MAX):
Pc ( max ) =( Vz+Vbe ) x Ic (max)

Pc ( max ) =( 12+ 0,7 ) x 293,6 mA


Pc ( max ) =3,72W

O valor da potncia mxima dissipada do transistor escolhido de 40W, portanto o


mesmo aplicvel o projeto.
Clculo de R2

R 2=

Vbe
0,7
=
=73,68
Iz (min) 9,5 mA

O resistor R2 utilizado ser de 75.


Clculo de R1

R 1=

Vin ( min )VzVbe


Iz ( min ) +Ic ( min ) +IL(max)

R 1=

19120,7
6,3
=
=27,45
9,5 mA +0+220 mA 229,5 mA

R 1=

Vin ( max )VzVbe


Iz ( max ) + Ic ( max )

R 1=

21120,7
8,3
=
=24,76
41,6 mA +293,6 mA 335,2 mA

Portanto, R1 dever ser maior que

24,76 e menor que

comercial no valor de 27.


Clculo da potncia dissipada por R1:

27,45 , utilizando um

PR1=

PR1=

( Vin ( max )VzVbe )2


R1

( 8,3 )2
=2,55 W
27

O resistor dever ter uma potncia de 3W.


Portanto sero utilizados o Transistor TIP31, o diodo zener 1N5242, um resistor (R1)
de 27 e 3W e outro resistor (R2) de 75.
Passo 4
Utilizando um amplificador operacional 741 podemos tornar varivel a tenso de sada
de um regulador 7805, obtendo com isso uma fonte de 7 a 30 volts. A tenso de entrada deve
ser de 35 volts e o potencimetro de 10K deve ser linear. Os capacitores de desacoplamento
devem ser cermicos de boa qualidade.

No prximo circuito temos a aplicao imediata num regulador positivo de 1 ampere


para tenses de 5 a 24 volts com corrente de at 1 ampere.
O capacitor de 330 nF desacopla a entrada do estabilizador enquanto o de 100 nF, que
deve ser cermico de boa qualidade, tem por finalidade evitar oscilaes em altas frequncias
e tambm desacopla a sada.

Este circuito abaixo um estabilizador ou regulador de corrente ou seja uma fonte de corrente
constante podendo servir para um excelente carregador de pilhas de nicdmo, pequenas
baterias e at mesmo baterias de moto e crro em regime de carga lenta.
A intensidade da corrente dada pelo quociente Vs/R1 a resistncia limitadora e Vs a
tenso de entrada do circuito integrado.Lembramos que os valores devem ser calculados tendo
por limite 1 ampre, que justamente a corrente mxima de sada do circuito integrado.

Referncias
www.datasheetcatalog.net/pt/datasheets_pdf/B/D/1/3/BD135.shtml
http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheet2/8/0ulcqukyp8q9g18y9yqgxd2l1wky.pdf
http://html.alldatasheet.com/html-pdf/61878/GE/1N964B/45/2/1N964B.html
http://eletricamentefalando.blogspot.com.br/2011/08/valores-comerciais-deresistores.html