CUESTIONARIO PREVIO

a) Que es un semiconductor tipo p y que uno tipo n.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).Cuando se aade el material dopante,
aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos
de sus electrones.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).Cuando se aade el material dopante libera
los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que
han perdido un electrn son conocidos como huecos.
b) Como es el comportamiento ideal de un diodo y como el comportamiento real.
El comportamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula
al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el
sentido permitido de la corriente.

c) Cules son las diferencias fundamentales entre un diodo de Silicio y uno de Germanio.
Diodos de silicio
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo
se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del
ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos
de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial
de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir
la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos
de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo
dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y
barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de
germanio.
Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una

tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que
se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a
su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles
de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.
d) Explique la ecuacin caracterstica y curva caracterstica V-I del diodo.
la siguiente expresin:

en donde:

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de

las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente
directa y del valor de IS.
VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la
carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin
permite el clculo de VT:

con

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=271mV.

R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que

se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V
la tensin entre terminales externos.
IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material,
del dopado y fuertemente de la temperatura.

La Figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura : Caracterstica V-I de un diodo de unin PN.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de
funcionamiento explicadas en el apartado anterior:
Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).
Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
Regin de conduccin en polarizacin inversa.
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se
alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a
partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y
N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos
de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que
la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la
ruptura, en la que de nuevo aumenta.
e) Como se identifica los terminales de un diodo con ayuda del multmetro y como se
comprueba el estado del diodo.
El diodo se puede identificar fcilmente ya que en el centro de cualquier diodo hay una
franjas con colores diversos exactamente 4 franjas de colores por diodos .

El estado del diodo se puede comprobar simplemente insertando en le mutimetro en el

identificador de diodos o sino, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios /
ohms), sin importar de momento la escala. Se realizan las dos pruebas siguientes:

1 - Se coloca el cable de color rojo en el nodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la
franja) y el cable de color negro en el ctodo (este lado tiene la franja).
El propsito es que el multmetro inyecte una corriente continua en el diodo (este es el
proceso que se hace cuando se miden resistores).
- Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando est polarizado en
directo, funciona bien y circula corriente a travs de l (como debe de ser).
- Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicacin de que el diodo est "abierto" y
deba que ser reemplazado.
2 - Se coloca el cable de color rojo en el ctodo y el cable negro en el nodo del diodo.
En este caso como en anterior el propsito es hacer circular corriente a travs del diodo,
pero ahora en sentido opuesto a la flecha de ste.
- Si la resistencia leda es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se
esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
- Si esta resistencia es muy baja puede se una indicacin de que el diodo est en "corto" y
deba ser reemplazado.