ASSOCIAO EDUCACIONAL DOM BOSCO

Faculdades de Engenharia de Resende

Curso de Engenharia Eltrica com nfase em Eletrnica

RELATRIO DE ELETRNICA I

PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAO BEM COMO

IDENTIFICAR OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES E SUAS REGIES
DE OPERAO

BIANCA AZEVEDO SALGADO

14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO

13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES

14270088

RODOLFO DE SOUZA LIMA

14270043

RESENDE
2015

BIANCA AZEVEDO SALGADO

14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO

13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES

14270088

RODOLFO DE SOUZA LIMA

14270043

EXPERINCIA 05

PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAO BEM COMO

IDENTIFICAR OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES E SUAS REGIES
DE OPERAO

Relatrio apresentado Associao Educacional Dom

Bosco, Faculdade de Engenharia de Resende, como
elemento de avaliao parcial da disciplina Eletrnica I,
no 3 ano do curso de Engenharia Eltrica/Eletrnica.

Orientador (a): Professora Bruna Tavares.

RESENDE
27 de Maio de 2015
RESUMO
O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de
1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So
utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. O transistor
de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas
consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material
tipo "p" e uma de tipo "n". Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo
de corrente, atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou
n. A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem
de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja, da ordem de
miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns ampres em
transistores de potncia.
Palavras chaves:. Transistor, Polarizao, ponto quiescente

SUMRIO
1. INTRODUO......................................................................................................................4
2. OBJETIVOS GERAIS............................................................................................................4
3. FUNDAMENTAO TERICA..........................................................................................5
3.1. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (TBJ)....................................................5
3.1.1 Estrutura bsica de um Transistor TBJ.......................................................................5
3.1.2 Polarizao de um Transistor TBJ..............................................................................6
3.1.3 Juno diretamente polarizada....................................................................................6
3.1.4 Juno reversamente polarizada.................................................................................7
3.1.5 Fluxo de Corrente.......................................................................................................8
4. MATERIAIS UTILIZADOS................................................................................................10
5. METODOLOGIA RESULTADOS.......................................................................................10
5.1. POLARIDADE DO TRANSISTOR E DA BASE.........................................................11
5.2. MTODO DA RESISTNCIA: COLETOR E EMISSOR...........................................12
5.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIO ATIVA......................................................15
5.4. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIO DE CORTE E SATURAO.................15
5.5. TRANSISTOR NA POLARIZAO FIXA.................................................................17
5.6. PONTO QUIESCENTE.................................................................................................17
6. CONCLUSO......................................................................................................................18
REFERNCIAS........................................................................................................................19

1. INTRODUO
O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de
1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So
utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos, tambm so
usados como retificadores eltricos em um circuito podendo ter variadas funes. A grande
vantagem dos transistores em relao s vlvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack
Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um
transistor, trs resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir da,
via-se a possibilidade de criao de circuitos mais complexos, utilizando integrao de
componentes. Isto marcou uma transio na histria dos transistores, que deixaram de ser
vistos como substitutos das vlvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que
possibilitam a criao de circuitos complexos, integrados. O transistor considerado por
muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado
possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia
do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes
quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios.
Neste relatrio falaremos sobre como identificar os terminais de um transistor bem
como sua polarizao e sua regio de operao e estaremos utilizando o transistor na
polarizao fixa.

2. OBJETIVOS GERAIS

Identificar o tipo de transistor, PNP ou NPN com ajuda de um multmetro.

Identificar os pinos: base, emissor e coletor do transistor bipolar.
Mostrar o funcionamento do transistor como chave.
Mostrar as Caractersticas de operao como fonte de corrente.
Verificar o ganho DC (hFE) do transistor.
Mostrar as caractersticas dos diferentes circuitos de polarizao de transistores.
E realizar um experimento que complemente de forma prtica e elucidativa a
identificao do tipo de transistor e dos pinos correspondentes.

3. FUNDAMENTAO TERICA
3.1. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (TBJ)
O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p"
ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo de
corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como: chaves
comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do
processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna, o
transistor denominado unipolar (FET).
3.1.1 Estrutura bsica de um Transistor TBJ
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da
polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).

Figura 1 - Simbologia dos Transistores.

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que
negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos
dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia

utilizada para os transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T"
com diodos.
3.1.2 Polarizao de um Transistor TBJ
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes,
da seguinte forma:

Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente.

Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente.
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar,
seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores:

Transistor npn com polarizao

direta entre base e emissor e polarizao
reversa entre coletor e base.

Transistor pnp com polarizao

direta entre base e emissor e polarizao
reversa entre coletor e base

Figura 2 - Polarizao dos transistores.

3.1.3 Juno diretamente polarizada

A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre
base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a
bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Figura 3 - Polarizao direta do transistor npn.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a

polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita.
Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do
material p para o material n.

3.1.4 Juno reversamente polarizada

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme
mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor
e base.

Figura 4 - Polarizao reversa do transistor pnp.

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de

depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo de
portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende tambm da
temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente polarizada (baseemissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).

3.1.5 Fluxo de Corrente

Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs
das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.

Figura 5 - Fluxo de Corrente.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base
uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da
ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja, da
ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns
ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de potncia, a
corrente de base significativamente menor.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores
majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor(C) recebe os
portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de
fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de fuga e
so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando assim uma

corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do

tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKC), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um

transistor npn, atravs de outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o
mesmo.

Figura 6 - Fluxo de Corrente no transistor npn.

Na figura 6 se observa que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da

base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de
base (IB) tem um sentido oposto, uma vez que, essa corrente formada por lacunas. Da
mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm tem sentidos opostos, por
serem formadas por eltrons.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de
baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V
para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a
juno base-coletor est reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica, VCC

10

assume valores maiores do que VEE.

Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios
provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes: a
corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente da juno reversamente polarizada
coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume valores extremamente baixos
que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega ao coletor proveniente do emissor depende do tipo
de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de
transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa), de forma
que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de variam de 0,9 a 0,99.
Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao coletor.
4. MATERIAIS UTILIZADOS

Mdulo Universal 2000;

Placa de experincias CEB-02;
Multmetro (digital e analgico);
Transistores: 2N3904, 2N3906, 2N3055, TIP41C e BC548;
Fonte de alimentao DC ajustvel de 0 30V e 0 3A;
Resistncia de fio de 10, 50W;
Cabos banana jacar;
Resistor de 1k, 1/8W;
Resistor de 470k, 1/8W.
Resistor de 4k7.
5. METODOLOGIA RESULTADOS
A experincia no laboratrio foi dividida em Etapas:

5.1. POLARIDADE DO TRANSISTOR E DA BASE

Esta etapa teve como objetivo, descobrir a polaridade do transistor isto , se ele npn
ou pnp bem como descobrir qual terminal a base.

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O mtodo utilizado foi o chamado no roteiro de mtodo convencional que consistia

em:
Com o multmetro digital utilizando a escala de teste de diodo, fixa-se uma ponta de
prova (como por exemplo, a positiva) em um terminal do transistor. E com a outra ponta de
prova (no caso a negativa) mea os outros dois terminais. Caso, as duas medies derem uma
resistncia muito alta tendendo ao infinito (circuito aberto), ou derem o valor da barreira de
potencial (cerca de 600mV nos transistores TJB) o terminal que foi fixado como padro
inicialmente ser a base. E neste exemplo como a ponta de prova que foi fixada no terminal
foi positiva: Se as medies de resistncia deram infinito o transistor pnp (a base
negativa). Se as medies derem o valor da barreira de potencial o transistor npn (base
positiva). Se as duas medies no forem iguais (infinito-infinito ou barreira de potencial)
fixe como padro o outro terminal assim sucessivamente at que as medies atendam este
requisito.
Ainda com o multmetro digital, agora com a descoberta da base foi solicitado que
medisse a tenso entre a base e os outros terminais. Estas medies encontram-se na tabela 1.
Agora com o multmetro analgico utilizando a escala de Resistncia x10, fixou-se
uma ponta de prova (como por exemplo, a positiva) em um terminal do transistor. E com a
outra ponta de prova (no caso a negativa) mediu-se os outros dois terminais. Caso, as duas
medies derem uma resistncia muito alta tendendo ao infinito, ou derem uma resistncia
muito baixa tendendo a zero o terminal que foi fixado como padro inicialmente ser a base.
E neste exemplo como a ponta de prova que foi fixada no terminal foi positiva e lembrando
que Multmetro Analgico possui a polaridade invertida na escala de resistncia devido a sua
ligao interna com a bateria: Se as medies de resistncia deram infinito o transistor npn
(a base positiva). Se as medies de resistncia foram zero o transistor pnp (a base
negativa, lembrando que inverte a polaridade). Se as duas medies no forem iguais
(infinito-infinito ou zero-zero) fixe como padro o outro terminal assim sucessivamente at
que as medies atendam este requisito. Este procedimento descrito na figura 7.

12

Figura 7 - Verificao se o transistor PNP ou NPN.

Ainda com o

multmetro

analgico, agora com a

descoberta da base e

polaridade do transistor

foi solicitado que

medisse a resistncia

ente a base e os

outros terminais. Estas medies encontram-se na tabela 1.

Tabela 1 - Identificao dos terminais dos transistores

Observando a tabela 1 nota-se que este mtodo convencional bem eficaz para
descobrir a polaridade e a base do transistor, mas, em relao aos outros terminais coletor e
emissor, no apropriado.
Vale ressaltar que quanto maior a potncia do transistor, por limitaes construcionais,
menor o hFE ou o do transistor. Com isto, a dopagem entre base-emissor e base-coletor
praticamente se igualam inviabilizando as medidas convencionais (seja pelo multmetro
analgico ou digital).
Assim, para descobrir os outros terminais utilizado o mtodo da Resistncia que ser
descrito a seguir.
5.2. MTODO DA RESISTNCIA: COLETOR E EMISSOR
Antes de descrever este mtodo, a figura 8 indica os terminais tomados como padro
para execuo destas medies
.

Figura 8 - (a) encapsulamento TO-92, (b) encapsulamento TO-22 e (c) encapsulamento TO-3.

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- O transistor 2N3904 na forma de montagem em furos na placa de circuito impresso

(PCI), se apresenta com o encapsulamento TO-92. Figura 8.
- O transistor 2N3906 na forma de montagem em furos na PCI se apresenta com o
encapsulamento TO-92. Figura 8.
- O transistor TIP 42 na forma de montagem em furos na PCI ou no, que pode estar
associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-220. Figura 8.
- O transistor 2N3055 na forma de montagem em furos na PCI ou no, que pode estar
associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-3 Figura 8.
Com o resistor de 4k7 montou o circuito da figura 9.

Figura 9 - Circuito: ligando a resistncia da base ao ponto 1.

Utilizando um ohmmetro analgico na escala x10, mediu a resistncia entre os pontos

1 e 2, realizou-se duas medies invertendo as pontas de provas nos pontos de medida e
descartou o valor mais alta. Uma medio deu infinito e foi descartada, a outra deu R1 e foi
anotada na tabela 2.
Mudou o resistor do ponto 1 para o ponto 2 manteve a outra extremidade desse resistor
na base conforme a figura 10. Realizou o mesmo procedimento descrito no pargrafo anterior.
Como a anterior, uma medio deu infinito e foi descartada, e a outra deu R2 e foi anotada na
tabela 2.

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Figura 10 - Circuito: ligando a resistncia da base ao ponto 2.

Essas medies foram feitas para todos os tipos de transistores do roteiro e estes
resultados esto indicados na tabela 2.
Tabela 2 - Valores encontrados usando o mtodo da resistncia.

O valor mais baixo das duas medidas R1 e R2 indicar o coletor.

Com os valores anotados de R1 e R2, foi feita a seguinte anlise:
- Se R1 > R2: Pode-se afirmar que R1 o emissor.
- Se R1 < R2: Pode-se afirmar que R1 o coletor.
Esta anlise foi estendida para os demais transistores. E a tabela 3, mostra a pinagem e
o tipo de transistor. A numerao obedece indicada na figura 8.
Tabela 3 - Pinagem e tipo dos transistores.

Pinos
Transisto
r
1
2
3
2N3904 Coletor Base Emissor
2N3906 Coletor Base Emissor
TIP 42
Base
Coletor Emissor
2N3055 Emissor Base Coletor

Tipo
NPN
PNP
PNP
NPN

O arranjo das figuras 9 e 10 so capazes de identificar com qualidade e eficincia o

coletor e o emissor de um transistor, porque, ao inserir o resistor e o ohmmetro analgico
voc est polarizando o circuito. E visto que pela teoria o emissor o terminal mais dopado
com impurezas ele deve possuir a maior resistncia. E o coletor o meio termo entre o
excesso de dopagem do emissor e a baixa dopagem da base.

15

5.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIO ATIVA

O circuito da figura 11 o circuito de polarizao fixa e est atuando na regio ativa.
Sabendo que na regio ativa as junes Base-Emissor devem est diretamente polarizados e
Base-Coletor reversamente polarizados.
Desligou o Mdulo Universal 2000 e instalou a placa CEB-02 no Slot
E ou F. Colocou as chaves Ch2, Ch3 e Ch4 do DIP SWITCH localizado na
placa, na posio fechada (ON) e as demais chaves na posio aberta. O
circuito equivalente, nestas condies, o da figura 11 seguinte:

Figura 11 - Circuito com transistor operando na regio ativa e com polarizao fixa.

Ligou o mdulo e com o multmetro mediu e anotou os seguintes parmetros: VBE

(PT1-PT3) e VCE (PT2-PT3). Os valores medidos foram:
VBE = 686 mV
VCE = 6,15V
Calculo de IB, IC e DC:
IC =

12VCE
R2

126,15
1k

IB =

12VBE
R1

12686 m
270 K

DC =

ic
ib

5,85 m
41,9

= 139,6

= 5,85 mA
= 41,9 A

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5.4. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIO DE CORTE E SATURAO

Instalou a placa CEB-02 no Slot E ou F do mdulo universal 2000. Colocou as chaves
Ch4 do DIP SWITCH localizado na placa, na posio fechada (ON) e as demais chaves na
posio aberta. O circuito equivalente, nestas condies, o da figura 12 seguinte:

Figura 12 - Circuito atuando na regio de corte ou saturao.

Mediu-se VCE com Ch1 aberta e fechada. Sabe-se que para o transistor atuar na regio
de corte as junes Base-Emissor e Base Coletor devem estar reversamente polarizadas. E
para atuar na regio de saturao, ambas devem estar diretamente polarizadas.
Para a regio de saturao:
VCE = OV
Ic = Vcc/Rc = 12/1K = 12mA
Para regio de corte:
Ic = OA
VCE = Vcc = 12V
Na regio de corte medimos VCE = 10,66V e o led acendeu. Com a chave 1 aberta.

17

Na regio de saturao medimos VCE = 0,04V e o led acendeu. Com a chave 1 fechada.

5.5. TRANSISTOR NA POLARIZAO FIXA

O circuito com o transistor na polarizao fixa mostrado na figura 13.

Figura 13 - Transistor na polarizao fixa.

Foram medidos os seguintes valores de tenses do circuito da figura 13:

VRC = 6,87V
VRB = 11,33V
VCE = 5,07V
VBE = 0,66V
VCB = 4,29V
VC = VCE = 5,07V
VB = VBE = 0,66V
Foram medidos os seguintes valores de corrente:
IC = 6,89mA
IE = 6,91mA
IB = 25,6 A

18

5.6. PONTO QUIESCENTE

Com os valores medidos de IC e VCE e com os clculos de VCEmx e ICSat foi possvel
traar a reta de carga na curva caracterstica do Transistor BC548 e assim encontrar o ponto
quiescente (ponto de operao ou trabalho)
IC =
Sat

12
12
=
=12 mA
R2 1000
V CE =V CC=12 V
Mx

Para encontrar o ponto quiescente faz:

- Uma reta entre os pontos

IC

Sat

e V CE

Mx

- Faz as projees de IC e VCE na reta traada acima.

- A interseco entre esta reta de carga traada e os pontos IC e VCE denominada ponto
Quiescente do transistor no circuito. Estes dados so referentes ao circuito da figura 13.
A figura 14 mostra o ponto de operao do transistor no circuito da figura 13.

Figura 14 - Ponto Quiescente do transistor na polarizao fixa.

Observando a localizao do ponto quiescente encontrado pode-se afirmar que o

transistor est operando na regio ativa.

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6. CONCLUSO
Ao final desses procedimentos conseguimos absorver diversas informaes de grande
importncia para o planejamento de um projeto no qual seja usado transistores, pois com os
experimentos aprendemos h identificar os terminais de um transistor, sua polarizao, as
informaes do transistor operando na regio ativa, na regio de corte e saturao. Durante os
experimentos trabalhamos com o transistor na polarizao fixa haja vista que tambm se pode
trabalhar com o mesmo na configurao polarizao estvel do emissor ou por polarizao
por divisor de tenso. E por fim com os dados obtidos montamos a reta de carga e
encontramos o ponto quiescente e vimos que o transistor esta operando na regio ativa.

REFERNCIAS

BOYLESTAD e NASHELSKY, Robert L. e Louis. Dispositivos Eletrnicos e teoria dos

circuitos, 8 ed. So Paulo: Pearson, 2004.

BRAGA, Newton. C. Como identificar transistores com o multmetro . Disponvel em: <
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/instrumentacao/108-artigos-diversos/2748-

ins134 > Acesso em: 20/06/2015.

CORRADI. Transistor de Juno Bipolar I. Disponvel em: <
http://www.corradi.junior.nom.br/TJBExerc.pdf>. Acesso em: 20/06/2015.