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13/04/2010

5.1 MOSFET A CANALE N


(n-MOSFET)

Struttura
St
tt
e principio
i i i di funzionamento.
f
i
t
Funzionamento in interdizione.
Funzionamento in regione triodo.
Funzionamento in saturazione.
Modulazione della lunghezza di canale.
Analisi con retta di carico dell
dellamplificatore
amplificatore a
source comune.

STRUTTURA E PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO


Il terminale di gate isolato dal substrato di Si da un sottile strato di SiO2
e pertanto la corrente di gate trascurabile nel funzionamento DC. Il
terminale di body generalmente connesso a quello di source (solo 3
terminali).
) Drain e source sono simmetrici. Si definisce drain il terminale
al quale applicata la tensione maggiore.

13/04/2010

STRUTTURA E PRINCIPIO DI FUNZIONAMENTO /2


Applicando una tensione positiva e sufficientemente grande al gate
rispetto al source, gli elettroni sono attratti verso linterfaccia Si-SiO2
sotto al gate e un canale conduttivo di tipo n viene indotto tra source e
drain. Se viene q
quindi applicata
pp
una vDS>0,, una corrente pu
p scorrere tra
drain e source (elettroni che si muovono da source a drain). La corrente
tra drain e source controllata dalla tensione tra gate e source.
Le caratteristiche elettriche del MOSFET dipendono da L e W, oltre che da
parametri tecnologici quali lo spessore di ossido e il drogaggio di body. Il
progettista di circuiti dimensiona L e W su tecnologia data.
Valori tipici di L (lunghezza di gate) e di W (larghezza di gate) sono:
L 0 18 2 m,
L=0.182
m W=0.5500
W 0 5 500 m.
m Lo spessore dellossido di gate varia da 5
a 50 nm. Il gate fatto di silicio policristallino pesantemente drogato
n+(inizialmente era fatto di Al).

FUNZIONAMENTO IN INTERDIZIONE
Se vGSVT0 (detta tensione di soglia), non c lo strato conduttivo di
elettroni (canale) che connette source e drain. Anche applicando una
vDS>0, la corrente di drain virtualmente nulla, dato che la giunzione
drain-bodyy p
polarizzata in inversa.

vGSVT0:
iD0

13/04/2010

FUNZIONAMENTO IN REGIONE TRIODO

Con vGS>VT0, il canale


formato. Applicando una
piccola
l vDS, la
l corrente
che passa tra drain e
source proporzionale a
vDS. Il MOSFET si
comporta da resistenza
variabile, il cui valore
inversamente
proporzionale a vGS-V
VTO.

FUNZIONAMENTO IN REGIONE TRIODO /2


Allaumentare di vDS, la
caduta di potenziale lungo il
canale si concentra verso il
drain. La resistivit del
canale non p
pi uniforme
ma cresce avvicinandosi al
drain. Il canale di elettroni si
assottiglia al drain.
Fintanto che vDSvGS-VT0, il
MOSFET si dice operare in
regione triodo. La corrente
di drain data da:
iD=K[2(vGS-VT0)vDS-vDS2],
in cui K=(1/2)(W/L)nCox
n: mobilit degli elettroni,
Cox: capacit di gate per
unit di area.

13/04/2010

FUNZIONAMENTO IN SATURAZIONE
Quando vGD=VT0 (ovvero quando vDS= vGS-VT0), lo spessore del canale al
drain nullo (pinch-off del canale). Per ogni ulteriore aumento di vDS la
corrente di drain rimane costante.
Se vGS>VT0 e vDS> vGS-VT0, il MOSFET si dice operare in saturazione e la
corrente di drain data da iD=K(vGS-VT0)2.

MODULAZIONE DELLA LUNGHEZZA DI CANALE


In realt, la corrente di drain in saturazione non dipende da vDS solo in
dispositivi con L lungo (>10 m). La lunghezza effettiva del canale
dipende infatti da vDS, diventando pi piccola al crescere di vDS. Nei
MOSFET a canale corto questo fenomeno non trascurabile ed induce
una variazione significativa di iD con vDS in saturazione.
Nelle equazioni del MOSFET questo effetto (detto di modulazione della
lunghezza di canale) viene generalmente messo in conto moltiplicando le

espressioni di iD per il fattore (1+vDS):


iD=0, vGSVT0

iD=K[2(vGS-VT0)vDS-vDS2](1+vDS), vGS>VT0 e vDS<vGS-VT0


iD=K(vGS-VT0)2 (1+vDS), vGS>VT0 e vDS> vGS-VT0