ABSTRACT

ANALYSIS OF DIELECTRIC FUNCTION AND OPTICAL

TRANSITION OF ZnO:Cu THIN FILM ON FUSED QUARTZ
SUBSTRATE
By
ROBI KURNIAWAN
NIM : 20213074
Department of Physics
A set of samples consist of pure ZnO and ZnO:8%Cu thin films were grown on
fused quartz substrates using pulsed laser deposition (PLD) has been analyzed.
Analysis was performed using spectra (amplitude ratio) and (phase
difference) obtained from spectroscopic ellipsometry measurements using a light
beam with a range of Deep-UV (DUV) to Near-Infrared (NIR) with a wavelength
of 193 nm - 2500 nm were carried out at an incident angle of 55 o, 70o, and 80o in
polarization angle of 45o. The thickness of pure ZnO and ZnO:8%Cu thin films
were used in this study are 317 nm and 289 nm, respectively. The method in this
study based on the Drude-Lorentz models that connect with Kramers-Kronig
relations are used to extract the dielectric function. The optical modeling is used
to extract the dielectric function on each sample by using two approaches. First,
the optical modeling ambient / bulk is used for the substrate. Second, the optical
modeling ambient / roughness / bulk layer / substrate used for thin films. The
results showed that in each sample shows the response to a applied photon energy.
Oscillation spectra and showed a decrease in the energy region from 3 to 3.4
eV due partly of photon energy absorbed by the sample, so that in this area is the
location of the critical point when the photon energy ranging adsorbed by samples
that related to the band gap of samples and the region of presence of the activity
exciton due to the influence of doping given to the system. From the analysis of
the real part of dielectric function, the presence of Cu 8% at. dopant led to an
increase in the dielectric constant s of 4.00 becomes 4.04. In addition, the
dielectric polarization decreases with the presence of 8% at. Cu dopant known
through the electrical susceptibility spectra of thin films of ZnO:8%Cu which
makes the sample tends to be more metal. From the imaginary part of the
dielectric function is known presence of Cu 8% at. dopant cause the interaction
between free carrier due to the presence of Cu 8% at. dopant and the exciton
raises the screening effect. In addition, the presence of Cu 8% at. dopant cause a
decrease in absorption and raise a new state (mid-gap) which resulted in a change
of optical transitions, which is characterized by a decrease in the band gap.
Keywords : ZnO, Cu, spectroscopic ellipsometry, polarization, dielectric function,
exciton, absorption, optical transition

ABSTRAK

ANALISA FUNGSI DIELEKTRIK DAN TRANSISI OPTIK

FILM TIPIS ZnO:Cu PADA SUBSTRAT FUSED QUARTZ
Oleh
ROBI KURNIAWAN
NIM : 20213074
Program Studi Fisika
Satu set sampel terdiri dari film tipis ZnO murni dan ZnO:8%Cu yang
ditumbuhkan di atas substrat fused quartz menggunakan pulsed laser deposition
(PLD) telah dianalisis. Analisis dilakukan menggunakan spektra (rasio
amplitudo) dan (beda fase) yang diperoleh dari pengukuran spectroscopic
ellipsometry menggunakan berkas cahaya dengan rentang dari Deep-UV (DUV)
hingga Near-Infrared (NIR) dengan panjang gelombang 193 nm 2500 nm yang
dilakukan dengan sudut awal 55o, 70o, dan 80o pada sudut polarisasi sebesar 45o.
Ketebalan film tipis ZnO murni dan ZnO:8%Cu yang digunakan pada penelitian
ini masing-masing 317 nm dan 289 nm. Metode pada penelitian ini berdasarkan
model Drude-Lorentz yang dihubungkan dengan hubungan Kramers-Kronig yang
digunakan untuk mengekstrak fungsi dielektrik. Pemodelan optik digunakan
untuk mengekstrak fungsi dielektrik pada masing-masing sampel dengan
menggunakan dua pendekatan. Pertama, pemodelan optik ambient / bulk
digunakan untuk substrat. Kedua, pemodelan optik ambient / roughness / lapisan
bulk / substrat digunakan untuk film tipis. Hasilnya menunjukkan bahwa pada
setiap sampel menunjukkan respon terhadap energi foton yang diberikan. Spektra
dan menunjukkan penurunan osilasi pada daerah energi 3 3,4 eV akibat
sebagian energi foton diabsorpsi oleh sampel, sehingga pada daerah ini
merupakan letak titik kritis saat energi foton mulai terabsorpsi oleh sampel yang
berkaitan dengan band gap sampel serta daerah terdapatnya aktivitas exciton
akibat pengaruh doping yang diberikan pada sistem. Dari analisis bagian riil
fungsi dielektrik, kehadiran dopan Cu 8% at. menyebabkan peningkatan konstanta
dielektrik s dari 4,00 menjadi 4,04. Selain itu, polarisasi dielektrik menurun
dengan kehadiran dopan Cu 8% at. yang diketahui melalui spektra suseptibilitas
listrik film tipis ZnO:8%Cu yang menjadikan sampel cenderung lebih bersifat
logam. Dari bagian imajiner fungsi dielektrik diketahui kehadiran dopan Cu 8%
at. menyebabkan interaksi antara free carrier akibat kehadiran dopan Cu 8% at.
dengan exciton dan memunculkan efek screening pada exciton. Selain itu,
kehadiran dopan Cu 8% at. menyebabkan penurunan absorpsi dan memunculkan
keadaan baru (mid-gap) yang mengakibatkan perubahan transisi optik, yang
ditandai dengan penurunan band gap.
Kata Kunci : ZnO, Cu, spectroscopic ellipsometry, polarisasi, fungsi dielektrik,
exciton, absorpsi, transisi optik