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Magnticos.
Introduo
Introduo
Introduo
Introduo
Introduo
Banda de conduo
completa ou
parcialmente cheia ou
superposta
Banda de conduo
vazia
Banda de valncia
completa
Banda de valncia
completa
Banda de valncia
completa
Condutores
Semicondutores
Isolantes
~ 4 eV
> 4 eV
Semicondutores
Semicondutores
Semicondutor Intrnseco
slido
com
ligaes
covalentes e com estrutura
cbica semelhante ao do
carbono .
A diferena que o Si
possui espaamento entre
as bandas menor (Eg=1,107
eV, em comparao com ~
6 eV do carbono!
Materiais Eltricos e Magnticos Prof. Sandro R. Zang
Semicondutor Intrnseco
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Semicondutor Intrnseco
so
carga
11
Semicondutor Intrnseco
12
Semicondutor Intrnseco
nq e h
(-1.m -1)
Sn (estanho)
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Semicondutor Intrnseco
Temperatura
condutividade ()
Temperatura
Si
condutividade ()
Materiais Eltricos e Magnticos Prof. Sandro R. Zang
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Semicondutor Intrnseco
Aumenta T :
estende a funo de
Fermi,
aumenta a
sobreposio das
caudas da curva
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Semicondutor Intrnseco
A dependncia da
condutividade com a
temperatura
segue
um mecanismo de
ativao trmica;
A
densidade
de
portadores aumenta
exponencialmente
com a temperatura:
ne
Eg
2 kT
Materiais Eltricos e Magnticos Prof. Sandro R. Zang
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Semicondutores
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Condutores (Relembrando...)
Resistividade () com o
de impurezas ( Linear):
Cobre com impurezas
0 1 x
0 Resistividade do material
puro;
x quantidade de impureza
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Semicondutor Extrnseco
19
Semicondutor Extrnseco
20
Semicondutor Extrnseco
21
Semicondutor Extrnseco
nqe
22
Semicondutor Extrnseco
23
Semicondutor Extrnseco
24
Semicondutor Extrnseco
nqh
25
Semicondutor Extrnseco
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Semicondutor Extrnseco
Exemplo: Em um Silcio tipo N dopado com fsforo, o
nvel de Fermi (EF) deslocado para cima em 0,1 eV. Qual
a probabilidade de um eltron ser promovido termicamente
para a banda de conduo no silcio (Eg = 1,107 eV) na
temperatura ambiente (25 C).
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Semicondutor Extrnseco
Exemplo: Em um Silcio tipo N dopado com fsforo, o
nvel de Fermi (EF) deslocado para cima em 0,1 eV. Qual
a probabilidade de um eltron ser promovido termicamente
para a banda de conduo no silcio (Eg = 1,107 eV) na
temperatura ambiente (25 C).
1,107
0,1 0, 4535 eV
E EF
2
1
1
f E E E / kT
0,4535/(86,2106 298)
e F 1 e
1
f E 2, 2 108
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Semicondutores
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Semicondutores Compostos
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Semicondutores Compostos
Compostos
II-VI: combinam um
elemento de valncia 2+ com um
elemento de valncia 6+.
Uma
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Semicondutores Compostos
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Semicondutores Compostos
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Semicondutores
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Semicondutores Amorfos
Semicondutores no cristalinos;
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Semicondutores
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Dispositivos Semicondutores
Circuitos miniaturizados so
resultados
da
combinao
criativa de materiais do tipo N e
P.
juno P-N.
b)
Polaridade
reversa:
idealmente, no tem corrente,
apenas uma corrente mnima
devido a portadores de carga
intrnsecos.
Dispositivos Semicondutores
Circuitos miniaturizados so
resultados
da
combinao
criativa de materiais do tipo N e
P.
juno P-N.
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Dispositivos Semicondutores
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Dispositivos Semicondutores
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Dispositivos Semicondutores
Dispositivos Semicondutores
permite
produzir
diversos
elementos (transistores, diodos,
etc)
Substituio
vlvulas!!!
das
antigas
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