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N
P
Gate
Gate
Ctodo
DR. ING. ELECTRNICO CIP. NO CHVEZ TEMOCHE
G
K
Ctodo
K
Gate
G
A
+
_
N
Vaco
P
G
N
K
A
_
P
Vaco
P
G
N
K
Polarizacin Directa y :
a) Inundar con cargas + la regin p
central a fin de permitir corriente entre
las junturas.
(aplicando VGK e IGK)
b) Elevar el voltaje para provocar un
efecto de avalancha en la juntura central.
(aplicando VAK > VPO)
DR. ING. ELECTRNICO CIP. NO CHVEZ TEMOCHE
Polarizacin INVERSA :
a) Aplicando VAK < 0
-Vz
VAK
VPO
A
P
NN
N
K
G
K
IGK
(3)
(2)
IGK
NN
G
(1) IGK
N
K
K
RL
5v
20senwt
G
Vdisp
El Transistor Unijuntura -
+10 V
Polarizacin de las
resistencias de base
B2
RB2 = 4K
Vp = 6.7v
E
V=6v
+10 V
RB2 = 4K
Vp = 6.7v
V=6v
C
VC
crece
desde 0
+
VC
RB1 = 6K
+10 V
RB2 = 4K
Vp = 6.7v
V=6v
C
Cuando VC
+
RB1 = 6K
llega a Vp
VC
el diodo
conduce e
300
inunda
RB1 disminuye
decargas a
RB1
DR. ING. ELECTRNICO CIP. NO CHVEZ TEMOCHE
+10 V
RB2 = 3K
Vp = 6.7v
V=6v
300
Cuando VC
+
llega a Vp
IB1
VC
el diodo
conduce e
inunda
decargas a
I de descarga por Base 1
RB1
DR. ING. ELECTRNICO CIP. NO CHVEZ TEMOCHE
6.7 v
Vmin = 1.8 v
= (RE CE)
DR. ING. ELECTRNICO CIP. NO CHVEZ TEMOCHE
VCE
IB1
Colocando RT y RB
1K
100
LED
LASCR
IL
t
VR1
t
VCarga