16/6/2015

Rodrguez

UniversitasScientiarum,Vol13,No2(2008)

Unidadparasupervisinycontroldemedicindeefectohallcon
labview
Unitformonitoringandcontrollingthehalleffectusinglabview
HernnRodrguez,L.CamiloJimnez

GrupodePelculasDelgadas
DepartamentodeFsica,FacultaddeCiencias
PontificiaUniversidadJaveriana.Cra.7No.4382Bogot,Colombia
rodrguez.hernan@javeriana.edu.co,cjimenez@javeriana.edu.co
Recibido:03122007:Aceptado:14102008:

Resumen
SeimplementunaunidadparalamedicindeconductividadelctricayefectoHall,quepermite
determinarpropiedadesdetransporteenpelculasmetlicasysemiconductoras,tipode
portadoresmayoritarios,suconcentracinysumovilidad,apartirdelamedicindelvoltajeHall
ylacorriente.Esclaroqueparalosmetaleseltipodeportadoressonelectrones,sinembargo
ciertosmetalescomoaluminio,zincycadmioentreotros,muestranuncomportamientoque
clsicamenteseraatribuibleaportadoresdecargapositivos(huecos).Enelpresentetrabajose
discutenmedidasdeefectoHallendostiposdemateriales:cobre(Cu)yzinc(Zn).Elresultado
delasmedicionesmuestranqueelcobretieneuncoeficienteHallnegativoRH=(0.28
0.01)1010m3/C,mientrasqueelzinctieneunopositivoRH=+(4.20.2)1011m3/C.Estos
resultadossonacordesconvaloresreportadosenlaliteratura.Enlamayoradetextosdefsica
delestadoslidonosemencionaexplcitamentelaraznporlacualhaymetalesquemuestran
coeficienteHallpositivo.Enestetrabajosediscuteestefenmenopormediodesusestructuras
debandas.
Palabrasclave:EfectoHall,semiconductor,metal,LabVIEW.

Abstract
WeassembledaHalleffectandelectricconductivitymeasuringunitthatallowsthedetermination
oftransportpropertiesinsemiconductorandmetalfilms,includingthetypeandconcentrationof
majoritycarriersandtheirmobility,frommeasurementsofHallvoltageandcurrent.Itisclear
thatelectronsarethechargecarrierinmetals,howeversomemetalssuchasaluminum,zincand
cadmiumamongothersexhibitabehaviorthat,accordingtotheclassicalview,shouldbepositive
chargecarriers(holes).InthispaperwediscussHalleffectmeasurementsintwotypesof
materials:copper(Cu)andzinc(Zn).Resultsfrommeasurementsshowthatcopperhasa
negativeHallcoefficientRH=(0.280.01)1010m3/CandzinchasapositivecoefficientRH=
+(4.20.2)1011m3/C.Ourresultsagreewiththosereportedinthescientificliterature.Most
ofthetextbooksonsolidstatephysicsdonotmentionexplicitlythereasonwhysomemetals
showapositiveHallcoefficient.Wediscussthisfactbasedontheirbandstructures.
Keywords:Halleffect,semiconductor,metal,LabVIEW.

INTRODUCCIN
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LacaracterizacindematerialesporefectoHall,esunatcnicaampliamenteutilizadapara
determinarpropiedadeselctricascomoconcentracindeportadores,tipodeportador,movilidad
etc.,enmetalesysemiconductores.
EnestetrabajoseimplementestatcnicaparamedirelefectoHallsobremuestrasmetlicas
contamaosdelordendecm2.Lasupervisinycontroldeparmetrosdetrabajo,sehizo
medianteunsistemadeadquisicindedatosatravsdeunatarjetadecomunicacinIEEE488
quepermitelacomunicacinentrelosinstrumentosdemedicin,unafuentedecorrienteyun
computador.EstosinstrumentostieneninterfacesdecomunicacinGPIB(generalpurpose
interfacebus).Lacomunicacinpermitelalecturadelosparmetrosdemedicinyelcontrolde
lafuentedecorrienteHall.LasupervisinycontrolconelPCsehaceconunainterfazen
LabVIEWatravsdemdulosdeacondicionamientodesealdeNationalInstrumentscolocados
enunchasisNISC2342paraconversinanlogaadigital.

DESCRIPCINDELATCNICADEEFECTOHALL
Lacorrienteelctricaieselmovimientodeportadoresdecarga(electronesohuecos)enuna
direccinpreferencialdentrodeunmaterial,yaseaconductorosemiconductorporlaaccinde
uncampoelctricoexterno.Estosportadoresdecargaexperimentanunafuerzaelctrica
dondeqeslacargay
externa.

eselcampoelctricoaplicadoalamuestraporunafuentedecorriente

ComoseobservaenlaFigura1,sielconductorseencuentraenpresenciadeuncampo
magnticoexterno perpendicularaladireccindelacorriente,losportadoresdecarga
experimentanunadesviacinperpendicularasustrayectoriasdebidoalafuerzadeLorentz
Comoresultadodeestadesviacindelosportadores,seproduceunaacumulacinde
cargahacialosladosdelconductorcreandounvoltajetransversalaladireccindelacorriente,
conocidocomovoltajeHallU H(Kittel,1996AshcroftyMermin,1976Pierret,1994).

ElvoltajeHallU Hdependedeltipodematerial,delageometradelamuestraydeparmetros
fsicosajustablescomolacorrienteiquecirculaporlamuestraylamagnituddelcampo
magntico

.Laexpresincorrespondientees:

donde
eslaconstanteHallquedependedelaconcentracindeportadoresconcarga
qydcorrespondealespesordelamuestra.
Delaecuacin1sepuedenotarqueelvoltajeHallesinversamenteproporcionalala
concentracindeportadores,porotroladoelsignodeRHdependedelsignodeq.Deaquseve
suimportanciaenlamedicindelefectoHall.DeterminandolaconstanteHallpuedenhallarseno
slolaconcentracindeportadoresyeltipodeportadormayoritarioquetienelamuestra,sino
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tambinsepuedenidentificarmecanismosdeconduccin.Estudiandolasvariacionesdela
concentracindeportadoresenfuncindelatemperatura,puededeterminarse,paraelcasode
materialessemiconductores,mecanismosdeconduccinintrnsecosoextrnsecos(Streetmany
Banerjee,2006).

DETALLESEXPERIMENTALES
CuandosecaracterizaunamuestraporefectoHallsemidenprincipalmentelossiguientes
parmetrosfsicos:voltajeHall,corrienteatravsdelamuestra,campomagnticoexternoy
temperaturadelamuestra.LaFigura2ilustralaformaenqueserealizanlasmediciones.

Lamuestra(M)secolocasobreunportamuestra(PM)enmediodeuncampomagntico%U
producidopordosbobinascoaxiales(LB)alimentadasconunafuentedecorriente(Is2).Para
localizarelcamposobrelamuestraseintroducenunosncleosdehierrocilndricosconextremos
cnicosmvilesenmediodelasbobinas.Lamedicinde sehaceconunasondaHall(SH)yun
teslmetro(Tm).LacorrientesobrelamuestraisemideconunampermetroDC(Is1)yel
voltajeHallsemideconnanovoltmetro(nV).Siadicionalmentesedeseaestimarla
conductividaddelamuestraporelmtodode4sondas,puedemedirselacadadepotencialen
direccindelflujodelacorriente(voltajelongitudinal).
ElvoltajeHallesunafuncindevariasvariablesU H(I,B,T,...),porellosedebedesarrollarun
algoritmoquepermitaestudiarladependenciadelvoltajeHallconlasdiferentesvariables.Para
elcasoparticularsehaestudiadoladependenciadeU Henfuncindelacorrientedelamuestra
atemperaturaycampomagnticoconstantes.Larutinaquesehadesarrolladoseilustraenel
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diagramadebloquesqueapareceenlafigura3.

Losparmetrosdeentradason:lacorrientemximapermitidaquecirculaporlamuestraimax,
elincrementoencorrienteiyeltiempodeesperat.Lacorrienteimaxsemultiplicapor1yse
incrementaenunvalori.Estenuevovalordecorrientecirculaporlamuestra,despusse
presentauntiempodeesperatparaasegurarcondicionesdeequilibrio,enseguidaseproducela
capturadedatoscorrespondientesalalecturadelacorrienteaplicada(readcurrentsource)yla
lecturadelvoltajeHall(readvoltmeter).UnavezledoslosdatosU j,Ij,estosdatosse
almacenanygrafican.Sielvalorabsolutodelacorrientequecirculaporlamuestraesinferioral
valormximodecorrientepermitida,entonceselprogramaincrementaelvalordelacorriente
quecircularporlamuestrayelcicloserepite.Siporelcontrarioiesigualomayorqueimax
elprogramasedetiene.EnresumensemideladependenciadelvoltajeHallenfuncindela
corrienteaplicadadesdeimaxhasta+imaxenincrementosi,parauncampomagnticoyuna
temperaturadeterminados.
Enelpresentetrabajosecaracterizaronmuestrasmetlicasysemiconductorascristalinas
dopadasdeconstantehallRHconocida,conlaideacentraldemedirlaconstanteHallen
muestraspatrones,cuyosvalorespermitenprobarlaconfiabilidaddelasmedicionesquese
haganconestesistema.Comomuestrassehanutilizado:unalminadecobrePhywe11803.00y
unalminadezincPhywe11804.01.LaTabla1muestralosinstrumentosempleadosparala
medicindelosparmetrosfsicosinvolucradosenelexperimentoydescritosenlaFigura2.

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Paralasupervisinycontrolsedesarrollunaaplicacinparacomunicacindeinstrumentos
basadoenelsoftwareLabVIEW6i.ElpanelfrontaldedichaaplicacinseilustraenlaFigura4.

Dichaaplicacinpermitegraficaryalmacenarenarchivodetextolosdatosobtenidosporel
ampermetro(Ix)yelnanovoltmetro(U xy),siguiendoelprotocolodescritoenlaFigura3,
medianteundriverquemanejalacomunicacinentreelPCylosinstrumentospormediodela
tarjetaGPIB.Esteprogramaseejecutadespusquesehamedidomanualmenteelcampo
magnticoenellugardondeselocalizalamuestra.
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LamedicindelatemperaturadelamuestraydelvoltajelongitudinalU xx(paraleloaladireccin
delacorriente)paradeterminarsimultneamentelaresistividaddelamuestraporelmtodode
4sondas,sonefectuadasporelcomputadormismousandomdulosdeacondicionamientode
sealyconversoresdesealanlogodigitalquesonobtenidasatravsdeunatarjetade
adquisicindedatosDAQ.TantoelsoftwareLabVIEWcomoelhardwarefueronfabricadospor
NationalInstruments.

EFECTOHALLENMETALES
ParadiscutirlosresultadosdeefectoHallenmetales,enprimerlugaresconvenientemencionar
quseentiendeporunmetaldesdeelpuntodevistafsico.Unaprimeraaproximacinparala
explicacindeunmetalcorrespondealmodelodeDrude(AshcroftandMermin,1976Singh
1993).EstemodelosefundamentaenelmodeloatmicodeRutherford.Segnestemodelo,el
tomoestconstituidoporunncleocargadopositivamenteyunacortezaelectrnicacargada
negativamente,loselectronesqueallseencuentranestngirandoalrededordelncleoen
rbitascircularesdeformaanlogaalsistemaplanetario.Loselectronespertenecientesalas
rbitasmsprximasalncleoestnfuertementeligadosalmismosinembargo,aquellos
electronesorbitandoentrayectoriasmuchomslejanas(electronesdevalencia)estarn
dbilmenteligados,ellodebidoalapantallamientoelctricodeloselectronesdelasrbitas
internas.Deestasuerte,loselectronesdevalenciapuedenmoverseconciertafacilidadatravs
delaredconformadaporlosiones(Fig.5a),formandoun"gasdeelectrones"queesel
responsabledelaspropiedadeselctricas,pticas,trmicaseinclusomecnicasdelosmetales.

Unmodelomsrefinadoparaelestudiodelosmetalescorrespondealestudiodelamecnica
cunticaaplicadaalosslidos(Kittel,1996Blakemore1969).Segnlateoracuntica,los
electronestienenuncomportamientodualdeondaodepartcula,entoncesunelectrnquese
mueveenunslidopuedeverseahoracomounaondaquesemueveatravsdeunared
conformadaporlosdiferentesionesdelmetal.Comoresultadodelainteraccindeloselectrones
conelpotencialdelosionesapareceunaestructuradebandas,esdecir,unconjuntodeniveles
energticospermitidosyprohibidosparaloselectrones.Setieneunmetalcuandoelnivelde
Fermi,nivelqueseparaestadoselectrnicosocupadosdenivelesdesocupados,seencuentraen
mediodeunabanda(Figura5b).Esdecir,cuandounabandaelectrnicaestparcialmentellena.

RESULTADOSYDISCUSIN
Enlafigura6seilustranmedicionesdeefectoHallatemperaturaambienteparaunamuestrade
cobre.Lalminatieneunespesorde18myatravsdeellacirculaunacorrienteconstantede
12A.
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AquseestudialadependenciadelvoltajeHallU Henfuncindelcampomagnticoatemperatura
ambiente(T=300K).DeestagrficasevequeexisteunadependencialinealentreelvoltajeHall
yelcampomagntico,medianteunaregresinlinealseobtienelapendientedelarectayde
aquseobtieneelcoeficienteHallRH=(0.280.01)1010m3/C.Elvalorreportadoenla
literaturaesRH=0.536x1010m3/C(Stoecker,1998).Valelapenaresaltarqueelvalor
medidocoincideenelordendemagnitudconelvalorreportadoenlaliteratura,locualilustrala
confiabilidaddelsistemademedicin.
Apartirdeestaconstantesepuedenevaluarciertosparmetrosdeimportancia,porejemploel
signonegativosignificaqueeltipodeportadormayoritarioparaelcobresonelectrones.La
concentracindeportadores=1/qRHobtenidaparaesteelementoes2.22x1022

electrones/cm3,quecomoesdeesperaresdelordendemagnituddelnmerodeAvogadro.El
valortericoparalaconcentracindeportadoresasumiendounaestructuracompactatipoFCC
(cbicacentradaenlascaras)con4electronesdevalenciaporceldaunitariadearistaa=4.10
(Stoecker,1998)dacomoresultadounaconcentracinde=4/a3 5.8x1022
electrones/cm3,valormuycercanoalobtenidoexperimentalmente.Enelpresentetrabajose
obtieneaproximadamente0.38electroneslibresportomo,elcualesunvalorbastante
aceptableteniendoencuentaquelaconfiguracinelectrnicaparaelcobrees[Ar]3d104s1,es
decir,unelectrnlibreportomo.
Adicionalmente,semidiladependenciadelvoltajeHallconelcampomagnticoparaesta
muestraatemperaturasentre300Ky450K.Sinembargo,nosepresentaningunavariacinenla
constanteHall,estoquieredecirquelaconcentracindeportadoresesindependientedela
temperatura.Esteresultadoestenconcordanciaconlosmodelosdelosmetalesanteriormente
discutidos.Elincrementoenlatemperaturamodificanicamentelaenergacinticapromediode
losportadoresperosuconcentracinpermaneceinvariable.
MedicionesdeefectoHalltambinfueronrealizadasenunamuestrametlicadezincde25mde
espesor.Atravsdelamuestradezinccirculaunacorrientede12Aysedeterminalavariacin
delvoltajeHallconelcampomagnticoquevaradesde300mThasta400mT.Elresultadose
muestraenlaFigura7.

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ParaestamuestratambinseobservaunadependencialinealentreelvoltajeHallyelcampo
magnticoaplicado.ElcoeficienteHallobtenidoesRH=+(4.20.2)1011m3/C.Laliteratura

reportaunvalordeRH=+10.4x1011m3/C(Stoecker,1998).Elvalormedidoconelsistema
esbastantebueno,hayunaconcordanciaconelordendemagnitudsinembargo,ladiscrepancia
quesepresentapuedeatribuirseavariascausas.Entreellasporejemplolapurezadelmaterial,
puntosdecontactoytambinotrosefectosmscomplejoscomofenmenosgalvanomtricos,
efectoSeebeck,Nerst,termovoltajes,etc.
Esimportantenotarqueadiferenciadelcobre,paraelZincseobtuvouncoeficienteHall
positivo.DeacuerdoconelmodelodeDrude,estoindicaraqueeltipodeportadorparaesta
muestrasonhuecos,interpretacinuntantoextraasisetieneencuentaquelosportadoresen
metalessonelectrones,concargaintrnsecamentenegativa.Paradiscutirestacuestinacerca
deltipodeportadoressedebeconsiderarlaconfiguracinelectrnicadeambosmetales.Para
cobreesclaroqueelmecanismodeconduccinsebasaenportadoresdecarganegativosyen
totalacuerdoconlosconceptosdelmodelodegasdeelectroneslibres.ParaelZincla
configuracinelectrnicaes[Ar]3d104s2,debidoaestosuorbitalsesttotalmenteocupadopor
electronesyenconsecuenciadeberaserunaislante.Sinembargo,desdeelpuntodevistadela
estructuradebandasocurreunsobrelapamientoentrelabandavaca(n+1)pylabandallenans,
ycomoconsecuencialoselectronesmsenergticosdelabanda4stienendisponibleslos
estadosmenosenergticosdelabanda5p.Estetipodeelementoscuyostomostienencapas
completasperoqueapesardeellosonconductoresdebidoasobrelapamientoentrebandasson
llamadossemimetales(Blakemore,1969AshcroftandMermin,1976).
Teniendoencuentalaestructuradebandassedebeanalizarelmovimientodelosportadoresen
presenciadeuncampomagntico.DelafsicadelestadoslidosesabequeaT=0Kelnivelde
Fermimarcaellmitedelosestadosocupados,loscualesenergticamentevaransegnla
direccindependiendodelaestructuracristalinadelslido.Estodeterminalaformadela
superficiedeFermi,lacualesdecisivaparalaspropiedadesdemuchosmetales.Laformadelas
superficiesdeFermiparaalgunosmetalessemuestraenlaFigura8,juntoconsurespectiva
zonadeBrillouin,lacualestestrechamenterelacionadaconlaestructuracristalinadelmetal.

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LaformamssimpledelasuperficiedeFermiesunaesfera(Figura8a)ycorrespondedeuna
maneraaproximadaalcasodetomosmonovalentes(metalesalcalinoscomoLi,Na,K),locual
seasemejaalcasodeungasdeelectroneslibrescuyaesferadeFermiestencerradadentrode
laprimerazonadeBrillouin(1ZB).Cuandoseincrementaelnmerodeelectronesdevalencia
porceldaunitariaelradiodelasuperficiedeFermitambinseincrementaypuedeinclusollegar
atocarlasfronterasdela1ZB.ParametalestrivalentesytetravalenteslasuperficiedeFermi
puedeextendersehastalasegundaeinclusotercerazonadeBrillouinomsall.Siseconsidera
elesquemadezonareducida(Fig.9a)esfcildarsecuentaquemientraslaprimeraZBest
completamentellena,lasegundaylaterceraestnparcialmentellenas.Inclusoenunesquema
dezonaperidicapuedeobservarsequelasegundaZBestcasillenayquelaterceratienela
formaderosetasperidicas(Blakemore,1969Kittel,1996).

LaimportanciadeestassuperficiesdeFermiparaeltransporteelectrnicoradicaenqueenla
representacincunticadelelectrn,interactuandocomounaondaquesepropagaatravsdeun
cristalperidico,lavelocidaddeunelectrnconenergaenuncristalrealcorrespondeala
velocidaddegrupo gdeunpaquetedeondasconvectordeondacercanoa (Blakemore,1969).
Dichavelocidaddegrupoestdadapor:

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Deacuerdoconestaecuacin,elmovimientodelelectrnseefectaendireccinperpendiculara
lasuperficiedeFermideenerga.Otraformaderepresentarestemovimientodelelectrnen
uncristalesasociandounamasaefectivaalelectrn,lacualengeneralesuntensorque
dependedelaconcavidaddelasuperficiedeFermiyqueestdefinidocomo:

Enalgunosslidosconestructuracristalinamuycompleja,lascomponentesfueradeladiagonal
deestetensorsonmuygrandesyelcampoelctricoaplicadoenunadireccinproduceuna
aceleracinenotradiferentedireccin.EstosucedeparasuperficiesdeFermiqueson
marcadamentenoesfricas,dndoseinclusoelcasodequeeltensordemasaefectivatenga
componentespositivasenalgunasdirecciones,mientrasqueposeecomponentesnegativasen
otras.Unejemplodeestosemuestraenel"cuello"delasuperficiedeFermiparaelcobreque
intersectala1ZB(Figura10).

ParaestadosdeenergaenelbordedeZB,lamasaefectivaespositivaenlasdireccionesdekb
ykc,peronegativaenladireccinka perpendicularalplanodelafrontera.Ahorabien,teniendo
encuentalaexpresinparalafuerzadeLorentz,quedescribeelmovimientodeunelectrnen
presenciadeuncampomagntico,setienequeloselectronessemuevenencurvasdeenerga
constanteenunplanoqueesperpendiculara .

DependiendotantodelaformadelasuperficiedeFermienelesquemadezonareducidacomo
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delazonadeBrillouin,elvectors keincrementahaciaelexteriordelafiguraohaciael
interiordelafigura.Segnsealadireccindeestevector,loselectronessemuevenenrbitas
deelectrones,rbitasdehuecosoenunacombinacindelasdos.

CONCLUSIONES
SeimplementunsistemadesupervisinycontrolparamedirelefectoHallenmetalesy
semiconductores.MedianteelusodelPCyelprogramaespecializadoLabVIEW,elcomputador
puedecontrolarinstrumentosdemedicinpormediodelainterfaceIEEE488.Lasmediciones
hechasconestesistemaenmetalesysemiconductoresdopadoshanmostradounaexcelente
concordanciaconresultadospreviosreportadosenlaliteratura,demostrandounaconfiabilidaden
losinstrumentosdemedicinydelsistemadeautomatizacin.Porlotanto,estesistemade
medicinpuedeutilizarseparalacaracterizacinelctricademuestrastalescomopelculas
semiconductorasymetlicasqueseproducenenelGrupodePelculasDelgadasdel
DepartamentodeFsica.LaimplementacindeestatcnicadeefectoHalllepermitiralgrupo
contarconunaherramientaimportanteparalacaracterizacinelctricadeestaspelculas.Al
mismotiempopermiteofrecerunserviciodecaracterizacinagruposdeinvestigacinque
trabajanendisciplinasafines,estoincentivalainteraccinycooperacinconestosgrupos.

AGRADECIMIENTOS
AlaVicerrectoraAcadmicadelaPontificiaUniversidadJaverianaquefinancitantolacompra
delosequiposcomoeltiempodededicacindelosprofesoresalproyectoyalprofesorH.
Mndezporsusvaliososcomentarios.

LITERATURACITADA
ASHCROFT,N.W.yMERMIN,N.D.SolidStatePhysics,firstedition.SaundersCollegePublishing.
Philadelphia,USA.1976.
BLAKEMORE,J.S.SolidStatePhysics,firstedition.SaundersCollegePublishing.Philadelphia,
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KITTEL,CH.IntroductiontoSolidStatePhysics.7aedicin.JohnWiley&Sons.1996.
PIERRET,R.Fundamentosdesemiconductores.1edicinenespaol.AddisonWesley
Iberoamericana.Wilmington,USA.1994.
SINGH,J.Physicsofsemiconductorsandtheirheterostructures,firstedition.McGrawHillBook
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STOECKER,H.TaschenbuchderPhysik.VerlagHarriDeutsch,1998.
STREETMAN,B.G.yBANERJEE,S.K.,SolidStateElectronicDevices,6aedicin.PrenticeHall,
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